JPS63205082A - 高電圧用のサ−ジ吸収素子 - Google Patents
高電圧用のサ−ジ吸収素子Info
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- JPS63205082A JPS63205082A JP3691187A JP3691187A JPS63205082A JP S63205082 A JPS63205082 A JP S63205082A JP 3691187 A JP3691187 A JP 3691187A JP 3691187 A JP3691187 A JP 3691187A JP S63205082 A JPS63205082 A JP S63205082A
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- surge
- surge absorbing
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 17
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 5
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005065 mining Methods 0.000 description 2
- 241001590997 Moolgarda engeli Species 0.000 description 1
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- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Driving Mechanisms And Operating Circuits Of Arc-Extinguishing High-Tension Switches (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、高電圧用のサージ吸収素子に関し。
特にギャップ式又はマイクロギャップ式サージ吸収素子
を直列に接続し１個々の素子の静電容量のバラツキを打
ち消すような容量を有し、且つ個々の素子が等容量にな
るようにした高電圧用サージ吸収素子に関する。
を直列に接続し１個々の素子の静電容量のバラツキを打
ち消すような容量を有し、且つ個々の素子が等容量にな
るようにした高電圧用サージ吸収素子に関する。
［従来の技術］
サージ吸収素ｆは、一般に、該サージ吸収素子を取り付
ける回路の最大の回路電圧より高い動作電圧にしたサー
ジ吸収素子を取付け、該回路に雷サージ等の瞬時的な過
電圧が侵入した場合のみ該サージ吸収素子が動作し、該
回路に取付けられた電子部品等を保護するものである。
ける回路の最大の回路電圧より高い動作電圧にしたサー
ジ吸収素子を取付け、該回路に雷サージ等の瞬時的な過
電圧が侵入した場合のみ該サージ吸収素子が動作し、該
回路に取付けられた電子部品等を保護するものである。
サージ吸収素子を多数直列に接続し高電圧で動作するサ
ージ吸収素子を作成しようとするが、従来、ギャップ式
或いはマイクロギャップ式サージ吸収素子を直列に接続
しても、放電開始電圧（動作電圧）は、直列に接続した
サージ吸収素子の個々の放電開始型ｒ［の和とはならず
、和よりも低い値になってしまう。
ージ吸収素子を作成しようとするが、従来、ギャップ式
或いはマイクロギャップ式サージ吸収素子を直列に接続
しても、放電開始電圧（動作電圧）は、直列に接続した
サージ吸収素子の個々の放電開始型ｒ［の和とはならず
、和よりも低い値になってしまう。
［発明が解決しようとする問題点］
本発明は、このような問題を解決し、直列に接続したサ
ージ吸収素子の個々の放電開始電圧の和に近い放電開始
電圧が得られることを目的とする。従って１本発明は９
個々のサージ吸収素子の有する静電容量のバラツキを打
ち消すことのできる所定の高″ｔＩＥ用のサージ吸収素
子を提供することを目的にする。
ージ吸収素子の個々の放電開始電圧の和に近い放電開始
電圧が得られることを目的とする。従って１本発明は９
個々のサージ吸収素子の有する静電容量のバラツキを打
ち消すことのできる所定の高″ｔＩＥ用のサージ吸収素
子を提供することを目的にする。
［発明の構成コ
［問題点を解決するための手段］
本発明は、ギャップ式又はマイクロぞ−！・ノブ式サー
ジ吸収素子を直列に接続し、各々の素子の間及び各終端
Ｔと次の素子の間に、並列にコンデンサを接続した構成
であることを特徴とする高電圧用サージ吸収素子である
。
ジ吸収素子を直列に接続し、各々の素子の間及び各終端
Ｔと次の素子の間に、並列にコンデンサを接続した構成
であることを特徴とする高電圧用サージ吸収素子である
。
［作用］
本発明によると、ギャップ式放電管或いはマイクロギャ
ップ式サージ吸収素子などのサージ吸収素子を、各素子
間及び終端子と次の素子の間に。
ップ式サージ吸収素子などのサージ吸収素子を、各素子
間及び終端子と次の素子の間に。
容量の大きなコンデンサを並列に接続し９個々のサージ
吸収素子の静電容量のバラツキを打ち消すことができる
ように構成し、各素子の動作電圧の和に近い放電開始電
圧が得られるものである。
吸収素子の静電容量のバラツキを打ち消すことができる
ように構成し、各素子の動作電圧の和に近い放電開始電
圧が得られるものである。
高電圧用のサージ吸収素子を作製しようとすると７個々
のギャップ式或いはマイクロギヤ・ノブ式サージ吸収素
子を直列に接続すれば得られる。然し乍ら、これでは、
各サージ吸収素子にかかる静電容量に差が本来的に生じ
るために、各サージ吸収素Ｔ−の間に電界の差が生じ、
即し、先ず最も放電が生じ易いサージ吸収素子が放電し
、一旦放電が生じると、他のサージ吸収素子に更に高い
電圧がかかり、容易に放電し、各サージ吸収素子の放電
開始電圧の和よりも低い電圧で放電が開虻してしまう、
これに対して本発明によれば、直列に接続される個々の
サージ吸収素子の相互の間と、２つの終端子と次のサー
ジ吸収素子の間に、容量の大きなコンデンサを並列に接
続し、サージ吸収素子相互の静電容量のバラツキを打ち
消し、また。
のギャップ式或いはマイクロギヤ・ノブ式サージ吸収素
子を直列に接続すれば得られる。然し乍ら、これでは、
各サージ吸収素子にかかる静電容量に差が本来的に生じ
るために、各サージ吸収素Ｔ−の間に電界の差が生じ、
即し、先ず最も放電が生じ易いサージ吸収素子が放電し
、一旦放電が生じると、他のサージ吸収素子に更に高い
電圧がかかり、容易に放電し、各サージ吸収素子の放電
開始電圧の和よりも低い電圧で放電が開虻してしまう、
これに対して本発明によれば、直列に接続される個々の
サージ吸収素子の相互の間と、２つの終端子と次のサー
ジ吸収素子の間に、容量の大きなコンデンサを並列に接
続し、サージ吸収素子相互の静電容量のバラツキを打ち
消し、また。
終端子と隣のサージ吸収素子との間の静電容量のバラツ
キをなくすものである。 本発明の高電圧用のサージ吸
収素子では９次の原理によって安定した高い放電開始電
圧が得られる。
キをなくすものである。 本発明の高電圧用のサージ吸
収素子では９次の原理によって安定した高い放電開始電
圧が得られる。
即ち１個々のサージ吸収素子は各自に固有の静電容量と
その環境から受ける浮遊容量を有しているために直列に
接続した場合、各素子の静電容量は不均一になる。静Ｔ
Ｌ存縫が不均一な連続体に電圧印加した場合は、静電容
量が小さい箇所に電圧が集中的に配分きれる。直列に接
続されたサージ吸収素子の場合は、静電容量が小さいサ
ージ吸収素子に電圧が集中し、その電圧集中されたサー
ジ吸収素子が放電すると、均衡が崩れ１次々と放電する
ために、素子の放電開始電圧の総和にならない、従って
、各素子の静電容量の均衡をとることにより、各素子の
かかる電圧が平等に配分きれるために、全体の放電開始
電圧が各素子の放電開始電圧の和に近い値をとることが
できるようになった。
その環境から受ける浮遊容量を有しているために直列に
接続した場合、各素子の静電容量は不均一になる。静Ｔ
Ｌ存縫が不均一な連続体に電圧印加した場合は、静電容
量が小さい箇所に電圧が集中的に配分きれる。直列に接
続されたサージ吸収素子の場合は、静電容量が小さいサ
ージ吸収素子に電圧が集中し、その電圧集中されたサー
ジ吸収素子が放電すると、均衡が崩れ１次々と放電する
ために、素子の放電開始電圧の総和にならない、従って
、各素子の静電容量の均衡をとることにより、各素子の
かかる電圧が平等に配分きれるために、全体の放電開始
電圧が各素子の放電開始電圧の和に近い値をとることが
できるようになった。
本発明においては、直列に接続される各ナージ吸収素子
の間及び２つの終端子とその隣のサージ吸収素子の間に
容量の大きいコンデンサを並列に接続し、各サージ吸収
素子の浮遊容量を含めた固有静電容量が１等しくなるよ
うに構成した高電圧用のサージ吸収素子である。
の間及び２つの終端子とその隣のサージ吸収素子の間に
容量の大きいコンデンサを並列に接続し、各サージ吸収
素子の浮遊容量を含めた固有静電容量が１等しくなるよ
うに構成した高電圧用のサージ吸収素子である。
更に本発明の高電圧用サージ吸収素子に使用されるコン
デンサは、使用されるサージ吸収素子の靜′１１ｒ容訃
のバラツキ及び使用される環境状況による浮遊！＃量を
打し消すのに必栗な？￥量を有するものでなければなら
なく、また、使用電圧（即ち。
デンサは、使用されるサージ吸収素子の靜′１１ｒ容訃
のバラツキ及び使用される環境状況による浮遊！＃量を
打し消すのに必栗な？￥量を有するものでなければなら
なく、また、使用電圧（即ち。
かかるべき電圧）に耐するものでなければならない、そ
の他は、特に１種類、形状に形状について規定されない
。
の他は、特に１種類、形状に形状について規定されない
。
本発明の高電圧用サージ吸収素子の組立て形状について
も、特に規定されないが、上記のように複数のサージ吸
収素子を直列に接続した配列で。
も、特に規定されないが、上記のように複数のサージ吸
収素子を直列に接続した配列で。
各々の素子の間及び各終端子と次の素子の間に並列にコ
ンデンサを接続したものを、１つのハウジング内に組立
てたものでよい０個々のサージ吸収素子が直列に連続し
て接続され、各々の素子の間及び各終端子と次の素子の
間に並列にコンデンサを接続した配列で容器内部に組み
立てる。また。
ンデンサを接続したものを、１つのハウジング内に組立
てたものでよい０個々のサージ吸収素子が直列に連続し
て接続され、各々の素子の間及び各終端子と次の素子の
間に並列にコンデンサを接続した配列で容器内部に組み
立てる。また。
この容器を封入ガラス管などに封入したものも好適であ
る。
る。
次に１本発明のサージ吸収素子を具体的な実施例により
説明するが７本発明は次の説明に限定されるものではな
い。
説明するが７本発明は次の説明に限定されるものではな
い。
［実施例コ
第１図は１本発明のよるサージ吸収素子を模式的に示し
たものである。３つのサージ吸収素子１．２．３に４に
列に７等しい容量の３つのコンデンサ１１，１２．１３
を図示のように挿し挾んで組立てる。サージ吸収素７−
１．２．３は直列に接続されている。
たものである。３つのサージ吸収素子１．２．３に４に
列に７等しい容量の３つのコンデンサ１１，１２．１３
を図示のように挿し挾んで組立てる。サージ吸収素７−
１．２．３は直列に接続されている。
このように並列に接続され使用諮れるコンデンサは、好
適には２等容量で、使用のギャップ式或いはマイクロギ
ャップ式サージ吸収素子の特性に適するように、その容
量を選択することが重安である。
適には２等容量で、使用のギャップ式或いはマイクロギ
ャップ式サージ吸収素子の特性に適するように、その容
量を選択することが重安である。
このように構成することによりサージ吸収素子間の事実
上の静電容量が等しいものとなる。
上の静電容量が等しいものとなる。
マイクロギャップ式のサージ吸収素子を図示のように３
つ直列に接続した場合、単なるサージ吸収素子直列接続
と１本発明による構成のものとに電圧をかけて、放電開
始電圧を測定した。その結果は、単品の放電開始電圧が
４０００〜４３００Ｖのマイクロギャップ式サージ吸収
素子で９本発明の如くコンデンサを並列挿し挾みなしで
は、終端子間での放電開始電圧は、６４００Ｖであるの
に対して１本発明により、約３３９Ｆの容量のコンデン
サを各々に並列に挿し挾んだものでは、終端子間の放電
開始電圧が１３０００Ｖであった。
つ直列に接続した場合、単なるサージ吸収素子直列接続
と１本発明による構成のものとに電圧をかけて、放電開
始電圧を測定した。その結果は、単品の放電開始電圧が
４０００〜４３００Ｖのマイクロギャップ式サージ吸収
素子で９本発明の如くコンデンサを並列挿し挾みなしで
は、終端子間での放電開始電圧は、６４００Ｖであるの
に対して１本発明により、約３３９Ｆの容量のコンデン
サを各々に並列に挿し挾んだものでは、終端子間の放電
開始電圧が１３０００Ｖであった。
また、従来放電管素子では高電圧用サージ吸収素子が作
成できない、最高でも約４５００Ｖの放電開始電圧のも
のであった。
成できない、最高でも約４５００Ｖの放電開始電圧のも
のであった。
第１図に示すような構成のサージ吸収素子では、単品の
放電開始電圧が３５０〜３６０ｖのギャップ式サージ吸
収素子を３つ直列に接続し。
放電開始電圧が３５０〜３６０ｖのギャップ式サージ吸
収素子を３つ直列に接続し。
容量３３ ｐ Ｆのコンデンサを第１図に示すように並
列に接続したものは、終端子５．６ｒｒ！１の放を開始
電圧は、ｌ１００Ｖであった。また、単品の放電開始１
「圧が２２００〜２６００Ｖのマイクロギャップ式サー
ジ吸収素子を３つ直列に接続し。
列に接続したものは、終端子５．６ｒｒ！１の放を開始
電圧は、ｌ１００Ｖであった。また、単品の放電開始１
「圧が２２００〜２６００Ｖのマイクロギャップ式サー
ジ吸収素子を３つ直列に接続し。
容ｆ＆ ３３９ Ｆのコンデンサを第１図に示すように
並列に接続したものは、終端子５，６間の放電開始電圧
は、７５００Ｖであった。
並列に接続したものは、終端子５，６間の放電開始電圧
は、７５００Ｖであった。
更に、単品の放電開始電圧が４０００〜４３０ＯＶのマ
イクロギャップ式サージ吸収素子を３つ直列に接続し、
容１３３ｐＦのコンデンサを第１図に示すように並列に
接続したものは、終端子５．６間の放電開始電圧は、１
３０００Ｖであった。
イクロギャップ式サージ吸収素子を３つ直列に接続し、
容１３３ｐＦのコンデンサを第１図に示すように並列に
接続したものは、終端子５．６間の放電開始電圧は、１
３０００Ｖであった。
［発明の効果］
末完［ＩＪｌのサージ吸収素子は、その直列に接続され
た複数サージ吸収素子により構成された高電圧用のもの
であり。
た複数サージ吸収素子により構成された高電圧用のもの
であり。
第１に、従来サージ吸収素子で得ることができなかった
高電圧用のサージ吸収素子が作成可能になったこと。
高電圧用のサージ吸収素子が作成可能になったこと。
第２に、直列したサージ吸収素子の放電開始電圧の和に
近い放電開始電圧が得られる高電圧用サージ吸収素子を
提供できること。
近い放電開始電圧が得られる高電圧用サージ吸収素子を
提供できること。
第３に、従って、複数のサージ吸収素子を直列に接続し
た。各々コンデンサを並列に接続した簡単な構造で高電
圧用サージ吸収素子が得られることなどの技術的な効果
が得られた。
た。各々コンデンサを並列に接続した簡単な構造で高電
圧用サージ吸収素子が得られることなどの技術的な効果
が得られた。
第１図は１本発明の高電圧用サージ吸収素子の１例の構
成構造を示す説明図である。 ［工費部分の符号の説明］ １．２，３．、、、サージ吸収素子 ５．６．、、、、、終端子 １１．１２，１３．、、、コンデンサ 特許出願人 三菱鉱業セメント株式会社代理人 弁理
士 倉 持 裕（外１名）７、補正の内容 特許庁長官 黒 １）明 雄 殿 １、事件の表示 昭和６２年特ｔｒｕｓｔ第０３６９１
１号２、発明の名称 高電圧用のサージ吸収素子 ３、補正をする者 事件との関係 出願人住所 東
京都千代田区丸の内−丁目５番１号三菱鉱業セメント株
式会社 代表者 藤 村 正 哉 ４、代理人 住所〒１０１東京都千代田区神田須田町１丁目２番地５
、補正により増加する発明の数 ０６、補正の
対象 （１）明細書の第１頁第２行目の［高電圧用サージ吸収
素子］を［高電圧用のサージ吸収素子コに訂正する。 （り明細書の第８頁第９〜１０行目の［サージ吸収素子
では］を［サージ吸収素子においてコに訂正する。 Ｏ）同上第９頁の下から第７行目の［直列した］を［直
列に接続した］に訂正する。
成構造を示す説明図である。 ［工費部分の符号の説明］ １．２，３．、、、サージ吸収素子 ５．６．、、、、、終端子 １１．１２，１３．、、、コンデンサ 特許出願人 三菱鉱業セメント株式会社代理人 弁理
士 倉 持 裕（外１名）７、補正の内容 特許庁長官 黒 １）明 雄 殿 １、事件の表示 昭和６２年特ｔｒｕｓｔ第０３６９１
１号２、発明の名称 高電圧用のサージ吸収素子 ３、補正をする者 事件との関係 出願人住所 東
京都千代田区丸の内−丁目５番１号三菱鉱業セメント株
式会社 代表者 藤 村 正 哉 ４、代理人 住所〒１０１東京都千代田区神田須田町１丁目２番地５
、補正により増加する発明の数 ０６、補正の
対象 （１）明細書の第１頁第２行目の［高電圧用サージ吸収
素子］を［高電圧用のサージ吸収素子コに訂正する。 （り明細書の第８頁第９〜１０行目の［サージ吸収素子
では］を［サージ吸収素子においてコに訂正する。 Ｏ）同上第９頁の下から第７行目の［直列した］を［直
列に接続した］に訂正する。
Claims (1)
- ギャップ式又はマイクロギャップ式サージ吸収素子を直
列に接続し、各々の素子の間及び各終端子と次の素子の
間に、並列にコンデンサを接続した構成であることを特
徴とする高電圧用サージ吸収素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3691187A JPS63205082A (ja) | 1987-02-21 | 1987-02-21 | 高電圧用のサ−ジ吸収素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3691187A JPS63205082A (ja) | 1987-02-21 | 1987-02-21 | 高電圧用のサ−ジ吸収素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63205082A true JPS63205082A (ja) | 1988-08-24 |
Family
ID=12482955
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3691187A Pending JPS63205082A (ja) | 1987-02-21 | 1987-02-21 | 高電圧用のサ−ジ吸収素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63205082A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009145249A1 (ja) * | 2008-05-28 | 2009-12-03 | Kanemura Takayasu | 放電ノイズ吸収素子及びこれを利用した放電ギャップ式避雷器並びに放電跳ね返り波回避回路 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5060745A (ja) * | 1973-10-01 | 1975-05-24 | ||
| JPS50119951A (ja) * | 1974-03-11 | 1975-09-19 |
-
1987
- 1987-02-21 JP JP3691187A patent/JPS63205082A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5060745A (ja) * | 1973-10-01 | 1975-05-24 | ||
| JPS50119951A (ja) * | 1974-03-11 | 1975-09-19 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009145249A1 (ja) * | 2008-05-28 | 2009-12-03 | Kanemura Takayasu | 放電ノイズ吸収素子及びこれを利用した放電ギャップ式避雷器並びに放電跳ね返り波回避回路 |
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