JPS6319861A - Resistance element - Google Patents
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- 102000004169 proteins and genes Human genes 0.000 claims abstract description 38
- 108090000623 proteins and genes Proteins 0.000 claims abstract description 38
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 15
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 claims description 52
- 239000012620 biological material Substances 0.000 claims description 10
- 108010057366 Flavodoxin Proteins 0.000 claims description 8
- HUMNYLRZRPPJDN-UHFFFAOYSA-N benzaldehyde Chemical compound O=CC1=CC=CC=C1 HUMNYLRZRPPJDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 5
- 150000001413 amino acids Chemical class 0.000 claims description 4
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 claims description 4
- QNGNSVIICDLXHT-UHFFFAOYSA-N para-ethylbenzaldehyde Natural products CCC1=CC=C(C=O)C=C1 QNGNSVIICDLXHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 102000002933 Thioredoxin Human genes 0.000 claims description 3
- 150000003862 amino acid derivatives Chemical class 0.000 claims description 3
- 125000000539 amino acid group Chemical group 0.000 claims description 3
- 108060008226 thioredoxin Proteins 0.000 claims description 3
- 229940094937 thioredoxin Drugs 0.000 claims description 3
- 108010075027 Cytochromes a Proteins 0.000 claims description 2
- 108090000051 Plastocyanin Proteins 0.000 claims description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 102100025287 Cytochrome b Human genes 0.000 claims 1
- 102100030497 Cytochrome c Human genes 0.000 claims 1
- 108010075028 Cytochromes b Proteins 0.000 claims 1
- 108010075031 Cytochromes c Proteins 0.000 claims 1
- 108091006149 Electron carriers Proteins 0.000 claims 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 150000003278 haem Chemical class 0.000 claims 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 10
- 230000006870 function Effects 0.000 abstract description 4
- 102000019265 Cytochrome c1 Human genes 0.000 abstract description 3
- 108010007528 Cytochromes c1 Proteins 0.000 abstract description 3
- 101710171390 Flavodoxin 2 Proteins 0.000 abstract description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 108010052832 Cytochromes Proteins 0.000 description 7
- 102000018832 Cytochromes Human genes 0.000 description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 108090000765 processed proteins & peptides Proteins 0.000 description 3
- 102000014914 Carrier Proteins Human genes 0.000 description 2
- 108010078791 Carrier Proteins Proteins 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000003588 lysine group Chemical group [H]N([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(N([H])[H])C(*)=O 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000033116 oxidation-reduction process Effects 0.000 description 2
- 229920001184 polypeptide Polymers 0.000 description 2
- 102000004196 processed proteins & peptides Human genes 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- KZMAWJRXKGLWGS-UHFFFAOYSA-N 2-chloro-n-[4-(4-methoxyphenyl)-1,3-thiazol-2-yl]-n-(3-methoxypropyl)acetamide Chemical compound S1C(N(C(=O)CCl)CCCOC)=NC(C=2C=CC(OC)=CC=2)=C1 KZMAWJRXKGLWGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000272875 Ardeidae Species 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 229910052789 astatine Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- HUMNYLRZRPPJDN-KWCOIAHCSA-N benzaldehyde Chemical group O=[11CH]C1=CC=CC=C1 HUMNYLRZRPPJDN-KWCOIAHCSA-N 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000006479 redox reaction Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、集積回路分野における抵抗素子に関するも
ので、生体材料を該素子の構成材料として用いることに
より、そのサイズを生体分子レベルの超微細な大きさく
数十〜数百人)に近づけることができるようにしたもの
である。[Detailed Description of the Invention] [Field of Industrial Application] This invention relates to a resistance element in the field of integrated circuits, and by using biomaterials as the constituent material of the element, the size of the element can be reduced to ultra-fine size at the level of biomolecules. It is designed to be large enough to allow visitors to get close to it (from several tens to hundreds of people).
従来、集積回路に用いられている整流素子としては、第
6図に示すMO5構造のものがあった。Conventionally, as a rectifying element used in an integrated circuit, there has been an MO5 structure shown in FIG.
図において、11はp形シリコン基板、12はn影領域
、13はp影領域、14はn影領域、15はSiO□膜
、16.17は電極であり、これら2つの電極16.1
7間でp−n接合(p影領域13−n影領域14接合)
が形成され、これにより整流特性が実現されている。In the figure, 11 is a p-type silicon substrate, 12 is an n-shade region, 13 is a p-shade region, 14 is an n-shade region, 15 is a SiO□ film, 16.17 is an electrode, and these two electrodes 16.1
p-n junction between 7 (p shadow area 13 - n shadow area 14 junction)
is formed, thereby realizing rectifying characteristics.
従来のMO3構造の整流素子は以上のように構成されて
いるため、微細加工が可能であり、現在では上記構造の
整流素子あるいはこれに類似する構造のトランジスタ素
子を用いたLSIとして256にビン)LS Iが実用
化されている。Because the conventional MO3 structure rectifier is configured as described above, it can be microfabricated, and currently there are 256 types of LSIs using rectifiers with the above structure or transistor elements with a similar structure. LSI has been put into practical use.
ところで、集積回路のメモリ容量と演算速度を上昇させ
るには、素子そのものの微細化が不可欠であるが、Si
を用いる素子では0.2μm程度の超微細パターンで電
子の平均自由行程と素子サイズとがほぼ等しくなり、素
子の独立性が保たれなくなるという限界を抱えている。Incidentally, in order to increase the memory capacity and operation speed of integrated circuits, it is essential to miniaturize the elements themselves, but Si
In devices using ultra-fine patterns of about 0.2 μm, the mean free path of electrons becomes almost equal to the device size, which has the limitation that independence of the devices cannot be maintained.
このように、日々発展を続けているシリコンテクノロジ
ーも、微細化の点ではいずれは壁に突き当たることが予
想され、新しい原理に基づく電子回路素子であって上記
0.2μmの壁を破ることのできるものが求められてい
る。In this way, silicon technology, which continues to develop day by day, is expected to eventually hit a wall in terms of miniaturization, and there is an electronic circuit element based on a new principle that can break the 0.2 μm barrier. something is wanted.
このような状況において本件発明者らは生体内に存在し
その酸化還元反応により電子の伝達を行なう電子伝達蛋
白質を用い、異種の電子伝達蛋白質のレドックス(酸化
還元)電位の差異を利用してp、n型半導体を用いたp
−n接合と類似した整流特性を呈する整流素子、及びさ
らにp−n−p接合トランジスタと類似したトランジス
タ特性を呈するトランジスタ素子を開発した。そして、
これにより素子サイズを生体分子レベルの超微細な大き
さとし、回路の高密度化、高速化を実現可能としている
。Under these circumstances, the present inventors used electron transfer proteins that exist in living organisms and transfer electrons through redox reactions, and utilized the difference in redox (oxidation-reduction) potential between different types of electron transfer proteins. , p using n-type semiconductor
We have developed a rectifier element that exhibits rectifying characteristics similar to those of a -n junction transistor, and a transistor element that exhibits transistor characteristics similar to a pnp junction transistor. and,
This allows the device size to be ultra-fine at the level of biomolecules, making it possible to achieve higher density and faster circuits.
そしてこのような素子を用いて生物電気素子回路を構成
するには、これらの素子との親和性の良い抵抗、コンデ
ンサ等の素子を開発することが必要となった。In order to construct a bioelectrical element circuit using such elements, it has become necessary to develop elements such as resistors and capacitors that are compatible with these elements.
この発明は、かかる状況に鑑みてなされたもので、生体
材料を用いた超微細な生物電気素子回路用の抵抗素子を
得ることを目的とする。The present invention was made in view of this situation, and an object of the present invention is to obtain a resistance element for an ultrafine bioelectric element circuit using biomaterials.
この発明に係る抵抗素子は、生体材料あるいは擬似生体
材料であって一定方向に電子伝達可能であり、異なるレ
ドックス電位を有する第1.第2の電子伝達物質分子を
、所望の抵抗値を持って一方向に電子伝達を起こすよう
所定の距離離隔して、あるいはそれぞれの電子伝達通路
が所定の角度をなすよう配置し、上記第1.第2の電子
伝達物質分子からなる電子伝達複合体の電子伝達通路と
交わる側面にそれぞれ接続して電極を設けて構成したも
のである。The resistance element according to the present invention is made of a biological material or a pseudo-biological material, which is capable of transmitting electrons in a certain direction, and has a first resistance element having a different redox potential. The second electron transfer substance molecules are arranged at a predetermined distance so as to have a desired resistance value and cause electron transfer in one direction, or so that each electron transfer path forms a predetermined angle, and .. It is constructed by providing electrodes connected to respective sides of an electron transfer complex made of molecules of a second electron transfer material that intersect with the electron transfer path.
この発明においては、第1.第2電子伝達物質分子を所
定の距離だけ離して、あるいはその電子伝達通路が所定
の角度をなすように配置して電子伝達複合体を構成し、
該複合体を一対の電極間に配置して抵抗素子を構成した
ので、上記距離や角度を変えることにより任意の抵抗値
を持った超微細な生物電気素子回路用の抵抗素子を得る
ことができる。In this invention, 1. forming an electron transport complex by arranging the second electron transport material molecules apart by a predetermined distance or such that their electron transport paths form a predetermined angle;
Since the composite was placed between a pair of electrodes to form a resistive element, by changing the distance and angle mentioned above, it is possible to obtain an ultrafine resistive element for a bioelectric device circuit having any resistance value. .
次に、この発明の一実施例を図について説明する。 Next, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
まず、本発明の抵抗素子を説明する前に、上述の生物電
気素子としての整流素子及びスイッチ素子について説明
する。First, before explaining the resistance element of the present invention, the rectifying element and the switching element as the above-mentioned bioelectrical element will be explained.
即ち、本発明者らが開発した整流素子は、第4図fa)
に示すように、異なるレドックス(酸化還元)電位を有
する2種の電子伝達蛋白質、即ち、例えばチトクローム
C分子lとフラボドキシン分子2とを接着接合して構成
したものである。そしてこの素子においては、チトクロ
ームc1とフラボドキシン2のレドックス電位が第4図
(b)に示すように異なるため、電子は図中実線矢印で
示すレドックス電位の負の準位から正の準位へは容易に
流れるが、逆方向(図中破線矢印方向)へは流れにくい
という整流特性を呈することとなり、これによりn型半
導体とp型半導体とを接合したp−n接合ダイオードと
類似の整流特性を示す整流素子が得られるものである。That is, the rectifying element developed by the present inventors is shown in Fig. 4fa).
As shown in Figure 2, it is constructed by adhesively bonding two types of electron transport proteins having different redox (oxidation-reduction) potentials, ie, for example, cytochrome C molecule 1 and flavodoxin molecule 2. In this device, the redox potentials of cytochrome c1 and flavodoxin 2 are different as shown in Figure 4(b), so electrons do not move from the negative redox potential level to the positive level as shown by the solid arrow in the figure. It exhibits a rectifying characteristic in which it flows easily, but it is difficult to flow in the opposite direction (in the direction of the dashed arrow in the figure), and as a result, it has rectifying characteristics similar to that of a p-n junction diode, which is a junction between an n-type semiconductor and a p-type semiconductor. The rectifying element shown is obtained.
なお、図中、4a、4bは本素子を整流素子として動作
させる場合に該素子に電圧Vを印加するための電極であ
る。In addition, in the figure, 4a and 4b are electrodes for applying voltage V to this element when operating this element as a rectifying element.
また本発明者らが開発したスイッチ素子は第5図に示す
ように、レドックス電位の異なる2種以上の3つの電子
伝達蛋白質2a、l、2bを用いてp−n−p接合半導
体からなるトランジスタ素子と類似の特性を示すトラン
ジスタ素子を構成するようにしたものである。なお、第
5図中、4a。In addition, as shown in FIG. 5, the switch element developed by the present inventors is a transistor made of a p-n-p junction semiconductor using two or more types of three electron transfer proteins 2a, l, and 2b with different redox potentials. A transistor element exhibiting characteristics similar to those of the element is constructed. In addition, in FIG. 5, 4a.
4b、4cは電極である。4b and 4c are electrodes.
また上記整流素子の実際の構成は第7図に示す通りとな
る。Further, the actual configuration of the rectifying element is as shown in FIG.
即ち、第7図において、76は絶縁特性を持つ基板、7
7はAg、Au、Atなどの金属製電極で、基板76上
に複数条が平行に形成されている。That is, in FIG. 7, 76 is a substrate with insulating properties;
7 is a metal electrode such as Ag, Au, At, etc., and a plurality of strips are formed in parallel on the substrate 76.
78は基板76上にL B (Langmuir−Bl
odgatt)法等により作成されたチトクロームCか
らなる第1電子伝達蛋白質膜、79は同じ<LB法等に
より作成されたフラボドキシンからなる第2電子伝達蛋
白質膜で、上記第1電子伝達蛋白質膜78に累積して接
着接合されている。8oは複数条の平行電極77と直角
方向に形成された複数条の平行電極で、第2′T4子伝
達蛋白質膜79上に形成されている。78 is a LB (Langmuir-Bl) on the substrate 76.
79 is a second electron transfer protein membrane made of flavodoxin prepared by the same <LB method, etc.; Cumulatively adhesively bonded. Reference numeral 8o denotes a plurality of parallel electrodes formed perpendicularly to the plurality of parallel electrodes 77, and is formed on the 2'T4 child transfer protein membrane 79.
また上記スイッチ素子の実際の構成は第8図に示す通り
となる。Further, the actual configuration of the above switch element is as shown in FIG.
即ち、第8図において、86は絶縁特性を持つ基板、8
7はAg、Au、A1などの金属製電極で、基板86上
に複数条が平行に形成されている。That is, in FIG. 8, 86 is a substrate having insulating properties;
7 is a metal electrode such as Ag, Au, A1, etc., and a plurality of strips are formed in parallel on the substrate 86.
88は基板86上にLB法等により作成されたフラボド
キシンからなる第1電子伝達蛋白質膜で、上記複数条の
電極87上に形成されている。9゜は上記複数条の平行
電極87と直角方向に形成された複数条の平行電極で、
上記第1電子伝達蛋白質膜88上に形成されている。8
9は同じ<LB法等により作成されたチトクロームCか
らなる第2電子伝達蛋白質膜で、第1電子伝達蛋白質膜
88に累積して接着接合され、電Fi90に接合されて
いる。91は同じ<LB法等により作成されたフラボド
キシンからなる第3電子伝達蛋白質膜で上記第2電子伝
達蛋白質膜89に累積して接着接合されている。92は
上記複数条の平行電極9゜と直角方向に形成された複数
条の平行電極で、第3電子伝達蛋白質膜91上に形成さ
れている。Reference numeral 88 denotes a first electron transfer protein film made of flavodoxin, which is formed on the substrate 86 by the LB method or the like, and is formed on the plurality of electrodes 87 mentioned above. 9° is a plurality of parallel electrodes formed perpendicularly to the plurality of parallel electrodes 87,
It is formed on the first electron transfer protein membrane 88. 8
Reference numeral 9 denotes a second electron transfer protein film made of cytochrome C prepared by the same <LB method, etc., which is cumulatively adhesively bonded to the first electron transfer protein film 88 and bonded to the electron Fi 90. Reference numeral 91 denotes a third electron transfer protein film made of flavodoxin prepared by the same <LB method or the like, which is cumulatively adhesively bonded to the second electron transfer protein film 89. A plurality of parallel electrodes 92 are formed perpendicularly to the plurality of parallel electrodes 9°, and are formed on the third electron transfer protein membrane 91.
第1図(a)〜(dlはこの発明の第1〜第4実施例に
よる抵抗素子を示し、これらは、上記整流素子で用いた
チトクロームc1とフラボドキシン2を所定の距離だけ
離して、あるいは所定の角度をなすよう配置して電子伝
達蛋白質3を構成し、該複合体3に形成される電子伝達
通路3a、3bと交わる側面にそれぞれ接続して電極4
a、4bを設けて構成したものである。即ち、例えば第
1図(a)は両蛋白質分子の本体部1.2を密着して配
置したもの、第1図(′b)は両分手本体を一定の距離
dIだけ隔てて配置したもの、第1図(c)は両分手本
体をその電子伝達通路3a、3bが一定の角度をなすよ
う接合して配置したもの、第1図Fdlは両分手本体を
横方向にずらして接合して配置したものである。FIGS. 1(a) to (dl) show resistance elements according to the first to fourth embodiments of the present invention, and these are arranged so that the cytochrome c1 and flavodoxin 2 used in the rectifying element are separated by a predetermined distance or by a predetermined distance. Electron transfer proteins 3 are arranged so as to form an angle of
A, 4b are provided. That is, for example, FIG. 1(a) shows a case in which the main bodies 1.2 of both protein molecules are arranged in close contact with each other, FIG. Fig. 1(c) shows the two halves of the main body joined together so that their electron transfer paths 3a and 3b form a constant angle, and Fig. 1 (Fdl) shows the two halves of the main body joined together with their electron transfer paths 3a and 3b at a fixed angle. This is what I did.
このような構成になる抵抗素子では、両電極4a、4b
間に所定の電圧■を印加したとき、第1゜第2電子伝達
蛋白質の電子伝達通路を流れる電子の量は上記所定の距
離、角度によって変化し、この素子は上記所定の距河、
角度に応じた抵抗値を有する抵抗素子として機能する。In a resistance element having such a configuration, both electrodes 4a, 4b
When a predetermined voltage (■) is applied between the first and second electron transfer proteins, the amount of electrons flowing through the electron transfer path of the first and second electron transfer proteins changes depending on the predetermined distance and angle.
It functions as a resistance element that has a resistance value depending on the angle.
ここで第1図の各素子の抵抗値は(a+ < (C)≠
(d) < (blの順に大きくなるものと考えられる
。従ってこのようにして、電子伝達蛋白質を用いた整流
素子、スイッチ素子等を用いて生物電気素子回路を構成
する場合、その抵抗素子を、同じく電子伝達蛋白質を用
いて得ることができ、素子サイズはやはり生体分子レベ
ルの超微細な大きさとなり、高密度化、高速化を達成で
きる。また抵抗素子の材料とスイッチ素子等の材f4が
同じ蛋白質であるので、素子間の親和性も良好となる。Here, the resistance value of each element in Fig. 1 is (a+ < (C)≠
(d) < (It is thought that the value increases in the order of bl. Therefore, when constructing a bioelectrical element circuit using a rectifying element, a switching element, etc. using an electron transfer protein in this way, the resistance element is Similarly, it can be obtained using electron transfer proteins, and the element size is still ultra-fine at the level of biomolecules, making it possible to achieve high density and high speed.Also, the material of the resistor element and the material f4 of the switch element, etc. Since they are the same protein, the affinity between the elements is also good.
またその抵抗値も上記所定の距離。Also, its resistance value is also the same as the above-mentioned predetermined distance.
角度を変えることにより任意の値を得ることができる。Any value can be obtained by changing the angle.
なお本素子は抵抗素子として機能させようとするもので
あるから本素子を生物電気素子回路において用いる場合
、これに対する印加電圧範囲は■−I特性として線形特
性が得られる範囲に設定すべきことは勿論である。Note that this element is intended to function as a resistance element, so when using this element in a bioelectric element circuit, the applied voltage range should be set to a range that provides linear characteristics as ■-I characteristics. Of course.
次に、上記第1〜第4実施例のような電子伝達複合体を
構成するため両電子伝達蛋白質の配向性を変化させる方
法の一例について説明する。Next, an example of a method for changing the orientation of both electron transfer proteins in order to construct an electron transfer complex as in the first to fourth embodiments will be described.
蛋白質はアミノ酸のポリマーであり、各アミノ酸は互い
にペプチド結合して、アミノ酸残基を有するポリペプチ
ド鎖を構成している。本方法は、両電子伝達蛋白質のい
ずれか、又は両方の特定部位のアミノ酸残基を化学修飾
することによりその立体的配向性を変化させるものであ
る。Proteins are polymers of amino acids, each of which is peptide bonded to each other to form a polypeptide chain having amino acid residues. This method involves changing the steric orientation of either or both electron transfer proteins by chemically modifying amino acid residues at specific sites.
第2図(8)はりジン残基のアミノ基(NH2)が全く
化学修飾されていない蛋白質分子1a、第2図(b)は
一部がベンズアルデヒドで化学修飾された分子1b、第
2図(C)は全てが化学修飾された分子1cを示す。図
中、10はチトクロームC分子を構成するポリペプチド
鎖であり、 N Hzはリジン残基のアミノ基である。Figure 2 (8) is a protein molecule 1a in which the amino group (NH2) of the harisine residue is not chemically modified at all; C) shows a fully chemically modified molecule 1c. In the figure, 10 is a polypeptide chain constituting the cytochrome C molecule, and N Hz is the amino group of a lysine residue.
8亥アミノ基にベンズアルデヒドを作用させると、酸ア
ミン基は化学修飾されて
−N = CHR]
となる、従って作用させるベンズアルデヒドの量を調節
することにより、例えば第2図(bl、及び(c)に示
すように修飾されるアミノ基の数を調節できる。そして
、このようなアミノ基の修飾度合の異なるチトクローム
C分子をフラボドキシン分子に結合させると、異なった
立体配向性をとって結合することとなり、両分子の結合
の位置関係の異なる電子伝達複合体を得ることができる
。When benzaldehyde acts on the 8-amino group, the acid amine group is chemically modified to become -N=CHR]. Therefore, by adjusting the amount of benzaldehyde to act, for example, Fig. 2 (bl and (c)) The number of amino groups to be modified can be adjusted as shown in Figure 2. When cytochrome C molecules with different degrees of amino group modification are bound to a flavodoxin molecule, they will be bound in different steric orientations. , it is possible to obtain an electron transport complex in which the bond positions of both molecules are different.
第3図は上記方法により形成された電子伝達複合体のV
−1特性を示し、図中、A、B、Cはそれぞれ第2図(
a)、 (bl、 (C)のチトクロームC分子1a、
lb、lcを用いて構成された電子伝達複合体のV−1
特性を示し、修飾度合の大きいもの程、その傾斜が小さ
くなり、抵抗値が大きくなっていることがわかる。Figure 3 shows the V of the electron transfer complex formed by the above method.
In the figure, A, B, and C are respectively shown in Figure 2 (
a), (bl, (C) cytochrome C molecule 1a,
V-1 of the electron transport complex constructed using lb and lc
It can be seen that the higher the degree of modification, the smaller the slope and the higher the resistance value.
なお、上記実施例において、電子伝達蛋白質分子の立体
的配向性を変化させるのにリジン残基のアミノ基をベン
ズアルデヒドで修飾したが、これは他の残基を他の有機
分子で修飾してもよく、あるいは蛋白質分子をタンパク
工学的手法により改変してもよい。In the above example, the amino group of the lysine residue was modified with benzaldehyde to change the steric orientation of the electron transfer protein molecule, but this cannot be done even if other residues are modified with other organic molecules. Alternatively, the protein molecule may be modified by protein engineering techniques.
また、上記実施例では、電子伝達複合体を構成する分子
は、天然に存在する電子伝達蛋白質であるチトクローム
C,フラボドキシンとしたが、これはもちろん他の天然
の電子伝達蛋白質、例えば非ヘム−鉄・硫黄蛋白質5チ
トクロームa、プラストシアニン又はチオレドキシンの
いずれであってもよく、また他に、擬イ以生体材料、即
ち天然に存在する電子伝達蛋白質の活性中心の構造を保
持し他の部位を改変した物質、又はアミノ酸又はアミノ
酸のHをFあるいはCH,で、あるいはCをSiで置換
したアミノ酸誘導体を天然に存在する電子伝達蛋白質に
結合したもの、あるいは天然に存在する電子伝達蛋白質
の機能を模倣するよう合成された有機分子又は有機金属
錯体分子であって、例えば酸化還元物質をポリマーで取
り囲んで形成したもの、さらにはポリマーとπ電子を持
つ物質と酸化還元される物質とを化学結合したものなど
であってもよい。Furthermore, in the above example, the molecules constituting the electron transfer complex were naturally occurring electron transfer proteins such as cytochrome C and flavodoxin, but of course, other natural electron transfer proteins such as non-heme-iron - Sulfur protein 5 may be cytochrome a, plastocyanin, or thioredoxin, and may also be a pseudo-I biomaterial, that is, a naturally occurring electron transport protein that retains the structure of the active center and modifies other parts. substances, or amino acids or amino acid derivatives in which H is replaced with F or CH, or C is replaced with Si, bound to naturally occurring electron transfer proteins, or mimicking the function of naturally occurring electron transfer proteins. Organic molecules or organometallic complex molecules synthesized to do so, such as those formed by surrounding a redox substance with a polymer, or furthermore, those formed by chemically bonding a polymer, a substance with π electrons, and a substance to be redoxed. etc.
〔発明の効果〕
以上のようにこの発明によれば、異なるレドックス電位
を有する第1.第2の電子伝達物質分子を、所定の距離
離隔して、あるいは所定の角度をなすよう配置して電子
伝達複合体を構成じ、これを一対の電極間に配置して抵
抗を構成したので、分子レベルで超微細な抵抗素子を得
ることができ、生物電気素子回路の高密度化、高速化を
達成できる。[Effects of the Invention] As described above, according to the present invention, the first. The second electron transfer substance molecules were arranged at a predetermined distance or at a predetermined angle to constitute an electron transfer complex, and this was arranged between a pair of electrodes to constitute a resistor. It is possible to obtain ultrafine resistance elements at the molecular level, and it is possible to achieve higher density and higher speed bioelectric device circuits.
第1図(at 、 (b) 、 (c) 、 (d)は
この発明の第1.第2゜第3.第4実施例による抵抗素
子を示す模式M、第2図(a)〜(C1はこの発明の電
子伝達蛋白質の立体的配向性を変える方法を説明するだ
めの図、第3図は第2図(a)〜(C1に示す電子伝達
蛋白質を用いて構成した抵抗素子の電流−電圧特性を示
す図、第4図(a)は本発明者らが開発した整流素子を
示す模式図、第4図(b)はそのレドックス電位状態図
、第5図は本発明者らが開発したスイッチ素子を示す模
式図、第6図は従来のMO5構成整流素子の一例を示す
図、第7図は本発明者らが開発した整流素子が組み込ま
れた装置を示す模式的断面構成図、第8関は本発明者ら
が開発したスイッチ素子が組み込まれた装置を示す模式
的断面構成図である。
図において、1はチトクロームC分子、2はフラボドキ
シン分子、3は電子伝達複合体、3a。
3bは電子伝達通路、4a、4b、4cは1鷺である。
なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。Fig. 1 (at, (b), (c), and (d) are schematic diagrams M showing resistance elements according to the first, second, third, and fourth embodiments of the present invention; C1 is a diagram for explaining the method of changing the three-dimensional orientation of the electron transfer protein of this invention, and FIG. 3 shows the current of a resistance element constructed using the electron transfer protein shown in FIGS. - A diagram showing the voltage characteristics, FIG. 4(a) is a schematic diagram showing the rectifying element developed by the present inventors, FIG. 4(b) is its redox potential state diagram, and FIG. A schematic diagram showing the developed switch element, FIG. 6 is a diagram showing an example of a conventional MO5 configuration rectifying element, and FIG. 7 is a schematic cross-sectional configuration diagram showing a device incorporating the rectifying element developed by the present inventors. , No. 8 is a schematic cross-sectional configuration diagram showing a device incorporating the switch element developed by the present inventors. In the figure, 1 is a cytochrome C molecule, 2 is a flavodoxin molecule, 3 is an electron transport complex, 3a and 3b are electron transfer paths, and 4a, 4b, and 4c are herons. In the drawings, the same reference numerals indicate the same or corresponding parts.
Claims (8)
に電子伝達可能であり、異なるレドックス電位を有する
第1、第2の電子伝達物質分子を、所定の距離離隔し、
あるいはそれぞれの電子伝達通路が所定の角度をなすよ
う配置し結合してなる電子伝達複合体と、 上記第1、第2の電子伝達物質分子からなる上記電子伝
達複合体の電子伝達通路と交わる側面にそれぞれ接続さ
れた電極とを備えたことを特徴とする抵抗素子。(1) first and second electron transfer substance molecules that are biomaterials or pseudo-biomaterials that can transfer electrons in a certain direction and have different redox potentials are separated by a predetermined distance;
Alternatively, an electron transfer complex is formed by arranging and bonding each electron transfer path so as to form a predetermined angle, and a side surface of the electron transfer complex consisting of the first and second electron transfer substance molecules intersects with the electron transfer path. and electrodes connected to the resistor elements.
の電子伝達物質分子のいずれか又は両方に存在するアミ
ノ酸残基のベンズアルデヒドによる化学修飾により設定
することを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の抵抗
素子。(2) The above-mentioned predetermined distance and predetermined angle are the above-mentioned first and second
2. The resistance element according to claim 1, wherein the resistance element is set by chemically modifying an amino acid residue present in one or both of the electron carrier molecules with benzaldehyde.
ある電子伝達蛋白質であって、非ヘム−鉄・硫黄蛋白質
、チトクロームc系蛋白質、チトクロームb系蛋白質、
チトクロームa、フラボドキシン、プラストシアニン、
又はチオレドキシンであることを特徴とする特許請求の
範囲第1項又は第2項記載の抵抗素子。(3) The above electron transfer substance is an electron transfer protein which is a naturally occurring biomaterial, and includes non-heme iron/sulfur protein, cytochrome c protein, cytochrome b protein,
cytochrome a, flavodoxin, plastocyanin,
or thioredoxin, the resistance element according to claim 1 or 2, wherein the resistance element is thioredoxin.
導体を天然に存在する電子伝達蛋白質に結合してなる擬
似生体材料であることを特徴とする特許請求の範囲第1
項又は第2項記載の抵抗素子。(4) Claim 1, characterized in that the electron transfer substance is a pseudo-biological material formed by binding an amino acid or an amino acid derivative to a naturally occurring electron transfer protein.
The resistance element according to item 1 or 2.
はCH_3で、あるいはCをSiで置換したものである
ことを特徴とする特許請求の範囲第4項記載の抵抗素子
。(5) The resistance element according to claim 4, wherein the amino acid derivative is an amino acid in which H is replaced with F or CH_3, or C is replaced with Si.
白質の機能を模倣するよう合成された擬似生体材料であ
る有機分子又は有機金属錯体分子であることを特徴とす
る特許請求の範囲第1項又は第2項記載の抵抗素子。(6) Claim 1, wherein the electron transfer substance is an organic molecule or an organometallic complex molecule that is a pseudo-biological material synthesized to imitate the function of a naturally occurring electron transfer protein. The resistance element according to item 1 or 2.
物質をポリマーで取り囲んで形成したものであることを
特徴とする特許請求の範囲第6項記載の抵抗素子。(7) The resistance element according to claim 6, wherein the organic molecule or organometallic complex molecule is formed by surrounding a redox substance with a polymer.
と、π電子を持つ物質と、酸化還元される物質とを化学
結合して形成したものであることを特徴とする特許請求
の範囲第7項記載の抵抗素子。(8) The organic molecule or organometallic complex molecule is formed by chemically bonding a polymer, a substance having π electrons, and a substance that can be redoxed. Resistance element described in section.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61164194A JPS6319861A (en) | 1986-07-11 | 1986-07-11 | Resistance element |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61164194A JPS6319861A (en) | 1986-07-11 | 1986-07-11 | Resistance element |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6319861A true JPS6319861A (en) | 1988-01-27 |
Family
ID=15788465
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61164194A Pending JPS6319861A (en) | 1986-07-11 | 1986-07-11 | Resistance element |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6319861A (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60176041A (en) * | 1984-02-23 | 1985-09-10 | Toppan Printing Co Ltd | Production of pattern plate for shadow mask |
US10420496B2 (en) | 2005-12-30 | 2019-09-24 | Medtronic Minimed, Inc. | Method of and system for stabilization of sensors |
-
1986
- 1986-07-11 JP JP61164194A patent/JPS6319861A/en active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60176041A (en) * | 1984-02-23 | 1985-09-10 | Toppan Printing Co Ltd | Production of pattern plate for shadow mask |
JPS6319861B2 (en) * | 1984-02-23 | 1988-04-25 | Toppan Printing Co Ltd | |
US10420496B2 (en) | 2005-12-30 | 2019-09-24 | Medtronic Minimed, Inc. | Method of and system for stabilization of sensors |
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