JPS63196012A - 摺動接点装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、計測器、各種機械等で、検出用、制御用、設
定用、発振器用などに使用されているボリュームスイッ
チ、ポテンシオメータ、トリマー（可変抵抗器の一種）
等で用いられる摺動接点装置の改良に関する。

（従来の技術とその問題点） 従来より上記のボリュームスイッチ、ポテンシオメータ
、トリマー等で用いられる摺動接点装置は、セラミック
ス基板上にカーボン（Ｃ）や酸化ルテニウム（ＲｕＯ□
）などの抵抗ペーストを焼成して厚膜抵抗パターンを形
成して成る配線板と、この配線板の厚膜抵抗パターンに
対向して摺動し得るようになされたスプリング端子材に
Ａｇ接点材をかしめ或いは溶接して成るすり接点とによ
り構成されているが、この摺動接点装置は、ノイズが発
生し易く、又接触抵抗がやや高（且つ幾分ばらつきがあ
って不安定であり、しかも摩耗し昌くて寿命が短く、接
触信頼性にやや欠けるものであった。

この為、セラミックス基板上のカーボンや酸化ルテニウ
ムの厚膜抵抗パターンのすり接点と摺動する部分を、Ｃ
ｕ−樹脂系の導体ペーストに置き換えて硬化するかある
いは厚膜抵抗パターンのすり接点と摺動する部分にＣｕ
−樹脂系導体ペーストを重ねて硬化することにより、接
触信頼性を改善し、又すり接点のＡｇ接点材を硫化防止
の為、Ａｇ−Ｐｄ３０〜５０−ｔ％に置き換えている。

然し乍ら、Ａｇ−Ｐｄ３０〜５０賀ｔ％の接点材はＨｖ
１６０〜２００で硬すぎるのに対し、Ｃｕ−樹脂系の導
体ペーストの硬化物である厚膜導体パターンが軟らかい
為、摩耗が多くなり、早期に寿命となる。

更にＡｇ−Ｐｄ３０〜５０ｗ　ｔ％接点材は、電気伝導
度（ＩＡＣ３３，８〜５．５）が低い為、発熱する等の
問題点があった。

（発明の目的） 本発明は、上記問題点を解決することのできる摺動接点
装置を提供することを目的とするものである。

（問題点を解決するための手段） 前記の問題点を解決するための本発明の摺動接点装置は
、セラミックス基板上に、抵抗ペーストを焼成してＴ￥
膜抵抗パターンを形成し、この厚膜抵抗パターンに接続
してＣｕ−樹脂系導体ペーストを硬化して厚膜導体パタ
ーンを形成して成る配線板と、この配線板の厚膜導体パ
ターンに対向して摺動し得るようになされＡｇ一酸化す
ず３〜１５ｗｔ％一酸化インジウム１〜１０ｗｔ％の接
点材がスプリング端子材に取付けられて成るすり接点と
により構成されていることを特徴とする。

本発明の摺動接点装置に於いて、すり接点の接点材をＡ
ｇ一酸化すず３〜１５ｗｔ％一酸化インジウム１〜１０
−ｔ％とした理由は、Ａｇ中の酸化すずが３ｗｔ％或い
は酸化インジウムが１ｗｔ％未満だと潤滑効果が薄く、
そのすり接点がセラミックス基板上のＣｕ−樹脂系の厚
膜導体パターンとの接触に於いて凝着、剥離が生じ、酸
化すずが１５−ｔ％或いは酸化インジウムが１０−１％
を超えると、ノイズの発生原因となるからである。

（作用） 上記の如く構成された摺動接点装置は、すり接点とセラ
ミックス基板上の厚膜導体パターンとの接触作用におい
て、すり接点のＡｇ一酸化すず３〜１５ｗｔ％一酸化イ
ンジウム１〜１０ｗｔ％接点材の硬さくＨｖ１２０〜１
５５）が軟らかく滑りやすいので、接触抵抗が低く安定
していて、Ｃｕ−樹脂系厚膜導体パターンを損耗するこ
とが無く、又凝着、剥離が殆んど無くなり、摩耗が減少
するので、良好な接触が得られる。更にすり接点のＡｇ
一酸化すず３〜１５ｗｔ％一酸化インジウム１〜１０−
ｔ％接点材の電気伝導度がｌＡＣ３６０〜７０％と良好
であるので、発熱しない。

（実施例） 本発明の摺動接点装置の実施例を説明すると、図に示す
如き板ＦＥ０．６ｍｍ、直径３０ｍｍの純度９８％のＡ
　Ｉ２ｚ　０３基板１上の外周に幅３鶴でＲｕ　Ｏ！の
抵抗ペーストをスクリーン印刷し、８００℃で焼成して
厚さ１０μの厚膜抵抗パターン２を形成し、この厚膜抵
抗パターン２に接続して、周方向に、Ｃｕ−樹脂系導体
ペーストをスクリーン印刷し、１３００℃で硬化して、
０．２ｍ−間隅に幅０．２鰭、長さ７１１１、厚さ１０
μの厚膜導体パターン（Ｃｕ−樹脂２６ｗｔ％）３を形
成して配線板４とした。一方、この配線板４の厚膜導体
パターン３に対向して夫々摺動するようになされた２種
のすり接点５は、Ａｇ一酸化すず１１−ｔ％一酸化イン
ジウム７ｗｔ％とＡｇ一酸化すず４ｗｔ％一酸化インジ
ウム２ｗｔ％一酸化ニソヶル０．１　ｗｔ％の２種の接
点線材（直径１　、５　ｖｍ　）から作製した頭部径３
鶴、頭部厚さ０　、６　ｍｍ　、　！Ｊｌｊ部径１，５
■ｌ、脚部長１．５ｍｍの２種のリベット接点６を、夫
々幅４ｍｍ、厚さ０．１５ｍのＢｅ−Ｃｕより成るスプ
リング端子材７の接点取付穴に挿入しかしめて成るもの
である。

このように構成された実施例１．２の摺動接点装置と、
Ａ　ｇ　−Ｐ　ｄ３０ｗｔ％接点材を有するすり接点を
配線板のＣｕ−樹脂の厚膜導体パターンと対向させて成
る従来の摺動接点装置とを、下記の試験条件にて摺動開
閉試験を行った処、下記の表に示すような結果を得た。

試験条件 接触カニ１０ｇ、動作：回転往復型（５５度）、駆動二
６０ストローク／ｌ１ｌｉｎ、通電：１２■、１００ｒ
ｎＡ（以下余白） 上記の表で明らかなように実施例１．２の摺動接点装置
は、従来例の摺動装置に比し、寿命が大概倍増している
ことが判る。これはひとえにすり接点５のＡｇ一酸化す
ず３〜１５ｗｔ％一酸化インジウム１〜１０ｗｔ％接点
材の硬さが軟らかく滑りやすい為、対向するＣｕ−樹脂
系の厚膜導体パターン３を損耗することが無く、又凝着
、剥離することが無く、摩耗が減少し、更にＡｇ一酸化
すず３〜１５ｗｔ％一酸化インジウム１〜１０ｗｔ％の
接点材の電気伝導度が良好で発熱することが無いからで
ある。

尚、前記の寿命は、厚膜導体パターン３の摩耗により、
すり接点５がＡ１！０３基板との接触となって、オープ
ン状態（接触抵抗無限大）となった場合と、厚膜導体パ
ターン３間のスリット部の目詰まりによりショートした
場合で判定した。

−向、上記実施例の摺動接点装置の配線板４は円形であ
るが、矩形でも良いものである。その場合、厚膜抵抗パ
ターンは矩形の配線板の一側端に形成し、厚膜導体パタ
ーンは厚膜抵抗パターンに接続してその長手方向に一定
間隔に平行に形成すると良い。そしてすり接点は厚膜導
体パターンに対向して厚膜抵抗パターンの長手方向に摺
動し得るようにする。またセラミックス基板上にベロー
ズ形状に前後に往復させた厚膜抵抗パターンを形成し、
その上に厚膜導体パターンを一定間隔に並べて形成した
配線板と、この配線板の厚膜導体パターンに対向して摺
動するようにしたすり接点とより成る摺動接点装置とし
ても良い。

さらに実施例２のように酸化すずあるいは酸化インジウ
ムの一部を０．０１〜１ｗｔ％の範囲で鉄族元素の酸化
物で置き替えてもよいものである。

（発明の効果） 以上の説明で判るように本発明の摺動接点装置は、すり
接点のＡｇ一酸化すず３〜１５ｗｔ％一酸化インジウム
２〜１０ｗｔ％が硬さく　Ｈｖ　１２０〜１５５）が軟
らか（滑りやすいので、接触作用においてセラミックス
基板上のＣｕ−樹脂系厚膜導体パターンが損耗すること
が無く、又凝着、剥離が殆んど無くなり、摩耗が減少す
るので、良好な接触が得られる。

従って、接触信顛性が向上し、摺動接点装置の寿命が著
しく増長する。更にすり接点のＡｇ一酸化すず３〜１５
ｉ４ｔ％一酸化インジウム１〜１０−ｔ％接点材の電気
伝導度が良好であるので、接触作用において、発熱せず
、溶着が起こりに（い。従って、摺動接点装置の耐溶着
性が著しく向上する。

【図面の簡単な説明】

図は本発明の摺動接点装置の一実施例を示す概略斜視図
である。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　セラミックス基板上に、抵抗ペーストを焼成して厚膜
   抵抗パターンを形成し、この厚膜抵抗パターンに接続し
   てＣｕ−樹脂系導体ペーストを硬化して厚膜導体パター
   ンを形成して成る配線板と、この配線板の厚膜導体パタ
   ーンに対向して摺動し得るようになされＡｇ−酸化すず
   ３〜１５ｗｔ％一酸化インジウム１〜１０ｗｔ％の接点
   材がスプリング端子材に取り付けられて成るすり接点と
   により構成されていることを特徴とする摺動接点装置。