JPS63195108A - 六弗化二ケイ素の製造方法 - Google Patents

六弗化二ケイ素の製造方法

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JPS63195108A
JPS63195108A JP2740287A JP2740287A JPS63195108A JP S63195108 A JPS63195108 A JP S63195108A JP 2740287 A JP2740287 A JP 2740287A JP 2740287 A JP2740287 A JP 2740287A JP S63195108 A JPS63195108 A JP S63195108A
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JP
Japan
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disilicon
hexafluoride
reaction
solvent
hexabromide
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Pending
Application number
JP2740287A
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English (en)
Inventor
Hiroyuki Momotake
宏之 百武
Isao Harada
功 原田
Nobuhiko Koto
信彦 古藤
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Mitsui Toatsu Chemicals Inc
Original Assignee
Mitsui Toatsu Chemicals Inc
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、六弗化二ケイ素(SizF*)の製造方法に
関する。さらに詳しくは、ハロゲン交換法による六弗化
二ケイ素の改良された製造方法に関する。
六弗化二ケイ素は、弗素化アモルファスシリコン薄膜を
形成させる材料ガスとして近年注目されている。
(従来の技術及び発明が解決しようとする問題点)六弗
化二ケイ素の製造方法としては、六塩化二ケイ素(Si
iCli )または六臭化二ケイ素(SIJrJを弗素
化剤で弗素化する、いわゆるハロゲン交換法が知られて
いる。その際使用される弗素化剤は、弗化亜鉛rxnp
g)、三弗化アンチそン(SbFs)などの金属弗化物
であるが、取り扱い易さの点からZnFtを使用するの
が一般的である。
原料としてのケイ素化合物としては、上記の通り六塩化
二ケイ素または六臭化二ケイ素であるが、原料として六
塩化二ケイ素を使用する方法(W、CJchuab  
eL、  al、  、  J、  A−、Chew、
  Soc、  。
54 、583 、 (1932) )は、原料価格の
点からは好ましいものの、この方法は、副生物として5
iC13F1SIC1*hなどのフルオロクロロシラン
類が生成し、その分離が難しいため、製品である六弗化
二ケイ素の純度が低くなるという欠点をもっている。
□原料として六臭化二ケイ素を用いる方法(M、5ch
seisser  、  Argew、  (:ham
、  t  Ink、  Ed、  +Eng1. 、
3 、700 、 (1964))は、副生物として生
成する5IBr3F、 5iBr*F諺などのフルオロ
ブロモ化合物が、製品である六弗化二ケイ素と分離可能
で精製は容易であるが、原料コストが高くなるという問
題がある。
また、アセトニトリル還流下で六塩化二ケイ素または六
臭化二ケイ素と弗化カリウム(KF)とを反応させる方
法(B、S、5uresh at、 at、 、 Bu
ll。
Che+*、 Soc、 Jpn、 、 58 、18
67 、 (1985))も知られているが、この方法
は、反応をア七ト二トリルの還流温度(81,8℃)で
行なう必要があるので、上記問題の外にエネルギー的に
も得策でない。
いずれ/ニジても上記従来の方法は、六弗化二ケイ素の
収率が非常に低いという決定的な問題を有している。
本発明者等は、先にフルオロシラン類の製造方法として
アニソールに懸濁させた弗素化剤を使用する特許を出願
した(特開昭61−151016号)、この方法は、特
に5iHF2 、SIHgFtx 5l113Fなどの
部分置換フルオロシラン類の製造には非常に有効である
が、六弗化二ケイ素製造の場合、反応収率はかなり改善
されるものの、工業的に実用化するには満足のい(状態
ではなかった。
(問題点を解決するための手段及び作用)本発明者らは
、上記問題点に鑑み、六塩化二ケイ素または六臭化二ケ
イ素と弗素化剤とのハロゲン交換反応を基本とし、さら
に反応収率が高くかつ高純度の六弗化二ケイ素の製造方
法について鋭意検討を重ねた結果、特定の溶媒を用い弗
素化剤(金属弗化物)をこの溶媒に懸濁させた状態で反
応を行なえば、上記目的が達成出来ることを見出し、岑
嶺明を完成するに至った。
すなわち、本発明は、六塩化二ケイ素または六臭化二ケ
イ素と金属弗化物とを反応させて六弗化ニケイ素を製造
する方法において、金属弗化物及び六弗化二ケイ素に対
する溶解度が低く、かつ大塩化二ケイ素または六臭化二
ケイ素並びに反応によって生成する金属塩化物または金
属臭化物に対する溶解度が高い溶媒に金属弗化物を懸濁
させた後、該金属弗化物と六塩化二ケイ素または六臭化
二ケイ素とを反応させることを特徴とする六弗化ニケイ
素の製造方法であり、特には溶媒が一般式Cn11gm
、+CI (ただし1m3〜8の整数)で表わされる塩
化アルキル、ベンセン、トルエン、キシレン、エチルベ
ンゼン、クロロベンゼンの一種以上を用いる方法である
本発明を更に詳細に説明する。
本発明で使用する金属弗化物としては、弗化亜鉛(Zn
Fx)、三弗化アンチモン(sbFs)など従来公知の
弗素化剤が使用出来るが、価格面及び取扱い易さの点か
らZnFtを用いるのが好ましい。
六塩化二ケイ素、六臭化二ケイ素および六弗化ニケイ素
は、何れも水が存在すると容易に加水分解する性質をも
っているので、反応に使用する溶媒、金属弗化物はもち
ろん反応装置も水分を十分除去しておく必要がある0例
えば、金属弗化物は使用前に200℃、4時間程度加熱
処理するなどによりて完全に脱水しておくのが、高収率
に製品を得る上で好ましい。
本発明において使用する溶媒としては、金属弗化物及び
六弗化二ケイ素に対する溶解度が低く、かつ大塩化二ケ
イ素または六臭化二ケイ素並びに反応によって生成する
金属塩化物または金属臭化物に対する溶解度が高い性質
を示す溶媒を用いる必要がある。
金属弗化物あるいは反応によって生成する金属塩化物ま
たは金属臭化物に対する溶解度は、これらを溶媒に飽和
溶解させ溶媒中の金属イオン量を測定するか、あるいは
この溶媒に溶解した金°属弗化物、金属塩化物もしくは
金属臭化物を水で抽出して、弗素イオン、塩素イオンも
しくは臭素イオンを測定する方法などで知ることが出来
る。
六塩化二ケイ素、六臭化二ケイ素、または六弗化二ケイ
素の溶媒に対する溶解度はこれらを飽和溶解量まで溶媒
に溶解させたのち、水を添加してシリカとして固定させ
、ケイ素分を定量するなどの方法で測定可能であるが、
溶解度パラメータを用いることでも判定出来る。すなわ
ち、溶媒の溶解度パラメータが六塩化二ケイ素あるいは
六臭化二ケイ素のそれに近く、六弗化二ケイ素のそれか
ら離れているもの、具体的には溶解度パラメータが9付
近のものが上記条件を満たし好ましい。
上記2つの条件をみたすような具体的な溶媒としては、
一般式〇nH***+C1(ただしn−3〜8の整数)
で表わされる塩化アルキル、ベンゼン、トルエン、キシ
レン、エチルベンゼン、クロロベンゼンなどが挙げられ
る。塩化アルキルの具体的な例としては、塩化n−プロ
ピル、塩化イソプロピル、塩化n−ブチル、塩化イソブ
チル、塩化3−ブチル、塩化t−プチル、塩化n−ペン
チル、塩化n−ヘキシルなどを挙げることが出来る。キ
シレンはオルソ、メタ、パラの3種の異性体があるが、
その何れでも良(また混合物でも差支えない。
本発明者らが発明し先に出願した前記特開昭61−15
1016号で開示したフルオロシラン類の製造方法も、
アニソールを溶媒として使用するものである。そしてこ
のアニソールも上記条件を満たす溶媒であるが、上記に
列挙した本発明において使用する溶媒に比べて六弗化二
ケイ素の収率が若干悪い。
本発明において、上記溶媒を使用すればなぜ好結果が得
られるかは定かではないが、これはおそらく次の理由に
よるものと考えられる。すなわち、反応は溶媒に溶解し
た六塩化二ケイ素あるいは六臭化二ケイ素と固体である
金属弗化物との固液反応と考えられるが、反応によって
金属弗化物の表面に生成した金属塩化物または金属臭化
物を溶媒が溶解し、金属弗化物の表面を常に活性に保つ
ことと、反応によって発生する熱を溶媒が分散させて反
応温度の上昇を防止する点にあると考えられる。従って
、その点からすると、溶媒中に懸濁させる金属弗化物の
スラリー濃度は低い方が好ましく、実用上は51℃量%
(以下単に%と示す、)程度、高(とも50%程度であ
る。
反応温度は本発明ではかなり重要であり、ハロゲン交換
の反応性あるいは生成する六弗化二ケイ素の熱安定性を
考慮して決められるが、通常0〜50℃で実施される0
反応温度が高すぎると副反応生成物を生じ易(なり、従
うて製品の純度が低下する。逆に、反応温度が低すぎる
とハロゲン交換反応の反応率が低下する。
(実施例) 以下、実施例及び比較例によって本発明を更に詳細に説
明する。
実施例1 200℃で4時間脱水処理したフッ化亜鉛(ZnFg)
100gを、還流コンデンサーを取付けた11の攪拌機
付きガラス製フラスコに入れ、400m1の塩化n−ブ
チル(n−C,11,C1)に懸濁させた。フラスコの
フタを完全にシールしたのち、このフラスコを水浴中に
浸し反応温度を20℃に維持するとともに、還流コンデ
ンサーに冷媒を流して溶媒である塩化ドブチルの蒸発を
防止した。
次に系内を窒素ガスで十分に置換させたのち、攪拌しな
から六塩化二ケイ素(SltClb)を0.5g/wi
n。
の速度で合計50gフラスコ内にフィードし、フィード
完了後更に2時間反応させた。尚、反応中はキャリアー
ガスとして窒素ガスを50m1/sin、の流量でフラ
スコ中にフィードした。
フラスコから発生した反応生成ガスとキャリヤーガスは
、−15℃の冷媒トラップで不純物を除去した後、ドラ
イアイス−アセトントラップ中に回収した。更にドライ
アイス−アセトントラップ内を真空ポンプで真空排気し
、キャリアーガスとして使用した窒素ガスを除去した。
回収量は25g(収率79%)で、このものはIR吸収
チャートから六弗化二ケイ素(SisFi)と同定され
た。またこの六弗化二ケイ素をガス状でHF水溶液に通
気させて、六弗化ニケイ素ガス中の塩素濃度を測定した
ところ、わずか709Gl−に過ぎず製品の純度は非常
に高いものであうた。
実施例2〜4 塩化n、ブチルの代わりに第1表に示す溶媒を使用する
以外は、実施例1と全く同様な方法で、六弗化二ケイ素
を製造した。結果は第1表に示す通りであり、何れの場
合も高収率で、かつ高純度の製品が得られた。
実施例5〜6                   
]反応温度を第2表に示す温度に維持した以外は、実施
例1と全く同様な方法で、六弗化二ケイ素を  ;製造
した。結果は第2表に示す通りであり、何れ  :の場
合も高収率で、かつ高純度の製品が得られた。  j第
2表 と較例1〜5 塩化n−ブチルの代わりに下記第3表に示す溶媒4用い
た以外は、実施例1と全(同様な方法で、〜弗化二ケイ
素を製造した。結果は第3表に示す阻りで、収率、純度
とも非常に低い結果となった。
容媒にアニソールを用いた場合は他のものより若ト良好
であるが、実施例に用いた本発明に使用する溶媒の場合
と比較するとやはり大きく劣る結果であった。
比較例6 200℃で4時間脱水処理したフッ化亜鉛(ZnFt)
100gを、還流コンデンサー及び滴下ロートを備えた
500 m+1のガラス製フラスコに入れ、フラスコの
フタを完全にシールした後、窒素ガスを50m1/si
n。
の流量でフラスコ内に流して系内を窒素で十分置換した
次にこのフラスコをドライアイス−アセトン浴に浸して
系内を冷却した後、滴下ロートから六塩化ニケイ素(S
l富C1a)を徐々に合計50g滴下した。
その後、浴を水浴に変えて温度を徐々に上昇させ60℃
で2時間反応させた。尚、反応中はキャリヤーガスとし
て窒素ガスを5On+l/m1n、の流量でフラスコ中
にフィードした。フラスコから発生した反応ガスと窒素
ガスは、−15℃の冷媒トラップで不純物を除去した後
、ドライアイス−アセトントラップ中に回収した。更に
ドライアイス−アセトントラップ内を真空ポンプで真空
排気して窒素ガスを除去した。
製品回収量は5g (収率16%)と低く、製品中の塩
素濃度も2500ppmと高い結果であった。
(発明の効果) 以上詳細に説明した通り、本発明は溶媒に懸濁させた金
属弗化物を使用し、ハロゲン交換法により六弗化二ケイ
素を製造するに際し、溶媒の種類を特定するという方法
であるが、この方法により従来技術に比べ反応収率を大
幅に向上させることが可能となり、その経済的効果は大
なるもの°がある。
また、本発明の方法によれば、反応温度を従来の方法よ
り低(することが可能で、従って副反応が抑えられるた
め、製品の純度が大幅に向上するので、弗素化アモルフ
ァスシリコン薄膜の材料として極めて好適である。更に
、反応温度を低(出来ることはエネルギーの消費量が少
な(てすむことにもつながり好都合である。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1)六塩化二ケイ素または六臭化二ケイ素と金属弗化物
    とを反応させて六弗化二ケイ素を製造する方法において
    、金属弗化物及び六弗化二ケイ素に対する溶解度が低く
    、かつ六塩化二ケイ素または六臭化二ケイ素並びに反応
    によって生成する金属塩化物または金属臭化物に対する
    溶解度が高い溶媒に金属弗化物を懸濁させた後、該金属
    弗化物と六塩化二ケイ素または六臭化二ケイ素とを反応
    させることを特徴とする六弗化二ケイ素の製造方法。 2)溶媒が一般式CnH_2_n_+_1Cl(ただし
    n=3〜8の整数)で表わされる塩化アルキル、ベンゼ
    ン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、クロロベン
    ゼンの1種以上である特許請求の範囲第1項記載の方法
JP2740287A 1987-02-10 1987-02-10 六弗化二ケイ素の製造方法 Pending JPS63195108A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5711925A (en) * 1995-03-27 1998-01-27 National Research Institute For Metals Synthesis of pure disilicon hexafluoride

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5711925A (en) * 1995-03-27 1998-01-27 National Research Institute For Metals Synthesis of pure disilicon hexafluoride

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