JPS63195108A - 六弗化二ケイ素の製造方法 - Google Patents
六弗化二ケイ素の製造方法Info
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- JPS63195108A JPS63195108A JP2740287A JP2740287A JPS63195108A JP S63195108 A JPS63195108 A JP S63195108A JP 2740287 A JP2740287 A JP 2740287A JP 2740287 A JP2740287 A JP 2740287A JP S63195108 A JPS63195108 A JP S63195108A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、六弗化二ケイ素(SizF*)の製造方法に
関する。さらに詳しくは、ハロゲン交換法による六弗化
二ケイ素の改良された製造方法に関する。
関する。さらに詳しくは、ハロゲン交換法による六弗化
二ケイ素の改良された製造方法に関する。
六弗化二ケイ素は、弗素化アモルファスシリコン薄膜を
形成させる材料ガスとして近年注目されている。
形成させる材料ガスとして近年注目されている。
(従来の技術及び発明が解決しようとする問題点)六弗
化二ケイ素の製造方法としては、六塩化二ケイ素(Si
iCli )または六臭化二ケイ素(SIJrJを弗素
化剤で弗素化する、いわゆるハロゲン交換法が知られて
いる。その際使用される弗素化剤は、弗化亜鉛rxnp
g)、三弗化アンチそン(SbFs)などの金属弗化物
であるが、取り扱い易さの点からZnFtを使用するの
が一般的である。
化二ケイ素の製造方法としては、六塩化二ケイ素(Si
iCli )または六臭化二ケイ素(SIJrJを弗素
化剤で弗素化する、いわゆるハロゲン交換法が知られて
いる。その際使用される弗素化剤は、弗化亜鉛rxnp
g)、三弗化アンチそン(SbFs)などの金属弗化物
であるが、取り扱い易さの点からZnFtを使用するの
が一般的である。
原料としてのケイ素化合物としては、上記の通り六塩化
二ケイ素または六臭化二ケイ素であるが、原料として六
塩化二ケイ素を使用する方法(W、CJchuab
eL、 al、 、 J、 A−、Chew、
Soc、 。
二ケイ素または六臭化二ケイ素であるが、原料として六
塩化二ケイ素を使用する方法(W、CJchuab
eL、 al、 、 J、 A−、Chew、
Soc、 。
54 、583 、 (1932) )は、原料価格の
点からは好ましいものの、この方法は、副生物として5
iC13F1SIC1*hなどのフルオロクロロシラン
類が生成し、その分離が難しいため、製品である六弗化
二ケイ素の純度が低くなるという欠点をもっている。
点からは好ましいものの、この方法は、副生物として5
iC13F1SIC1*hなどのフルオロクロロシラン
類が生成し、その分離が難しいため、製品である六弗化
二ケイ素の純度が低くなるという欠点をもっている。
□原料として六臭化二ケイ素を用いる方法(M、5ch
seisser 、 Argew、 (:ham
、 t Ink、 Ed、 +Eng1. 、
3 、700 、 (1964))は、副生物として生
成する5IBr3F、 5iBr*F諺などのフルオロ
ブロモ化合物が、製品である六弗化二ケイ素と分離可能
で精製は容易であるが、原料コストが高くなるという問
題がある。
seisser 、 Argew、 (:ham
、 t Ink、 Ed、 +Eng1. 、
3 、700 、 (1964))は、副生物として生
成する5IBr3F、 5iBr*F諺などのフルオロ
ブロモ化合物が、製品である六弗化二ケイ素と分離可能
で精製は容易であるが、原料コストが高くなるという問
題がある。
また、アセトニトリル還流下で六塩化二ケイ素または六
臭化二ケイ素と弗化カリウム(KF)とを反応させる方
法(B、S、5uresh at、 at、 、 Bu
ll。
臭化二ケイ素と弗化カリウム(KF)とを反応させる方
法(B、S、5uresh at、 at、 、 Bu
ll。
Che+*、 Soc、 Jpn、 、 58 、18
67 、 (1985))も知られているが、この方法
は、反応をア七ト二トリルの還流温度(81,8℃)で
行なう必要があるので、上記問題の外にエネルギー的に
も得策でない。
67 、 (1985))も知られているが、この方法
は、反応をア七ト二トリルの還流温度(81,8℃)で
行なう必要があるので、上記問題の外にエネルギー的に
も得策でない。
いずれ/ニジても上記従来の方法は、六弗化二ケイ素の
収率が非常に低いという決定的な問題を有している。
収率が非常に低いという決定的な問題を有している。
本発明者等は、先にフルオロシラン類の製造方法として
アニソールに懸濁させた弗素化剤を使用する特許を出願
した(特開昭61−151016号)、この方法は、特
に5iHF2 、SIHgFtx 5l113Fなどの
部分置換フルオロシラン類の製造には非常に有効である
が、六弗化二ケイ素製造の場合、反応収率はかなり改善
されるものの、工業的に実用化するには満足のい(状態
ではなかった。
アニソールに懸濁させた弗素化剤を使用する特許を出願
した(特開昭61−151016号)、この方法は、特
に5iHF2 、SIHgFtx 5l113Fなどの
部分置換フルオロシラン類の製造には非常に有効である
が、六弗化二ケイ素製造の場合、反応収率はかなり改善
されるものの、工業的に実用化するには満足のい(状態
ではなかった。
(問題点を解決するための手段及び作用)本発明者らは
、上記問題点に鑑み、六塩化二ケイ素または六臭化二ケ
イ素と弗素化剤とのハロゲン交換反応を基本とし、さら
に反応収率が高くかつ高純度の六弗化二ケイ素の製造方
法について鋭意検討を重ねた結果、特定の溶媒を用い弗
素化剤(金属弗化物)をこの溶媒に懸濁させた状態で反
応を行なえば、上記目的が達成出来ることを見出し、岑
嶺明を完成するに至った。
、上記問題点に鑑み、六塩化二ケイ素または六臭化二ケ
イ素と弗素化剤とのハロゲン交換反応を基本とし、さら
に反応収率が高くかつ高純度の六弗化二ケイ素の製造方
法について鋭意検討を重ねた結果、特定の溶媒を用い弗
素化剤(金属弗化物)をこの溶媒に懸濁させた状態で反
応を行なえば、上記目的が達成出来ることを見出し、岑
嶺明を完成するに至った。
すなわち、本発明は、六塩化二ケイ素または六臭化二ケ
イ素と金属弗化物とを反応させて六弗化ニケイ素を製造
する方法において、金属弗化物及び六弗化二ケイ素に対
する溶解度が低く、かつ大塩化二ケイ素または六臭化二
ケイ素並びに反応によって生成する金属塩化物または金
属臭化物に対する溶解度が高い溶媒に金属弗化物を懸濁
させた後、該金属弗化物と六塩化二ケイ素または六臭化
二ケイ素とを反応させることを特徴とする六弗化ニケイ
素の製造方法であり、特には溶媒が一般式Cn11gm
、+CI (ただし1m3〜8の整数)で表わされる塩
化アルキル、ベンセン、トルエン、キシレン、エチルベ
ンゼン、クロロベンゼンの一種以上を用いる方法である
。
イ素と金属弗化物とを反応させて六弗化ニケイ素を製造
する方法において、金属弗化物及び六弗化二ケイ素に対
する溶解度が低く、かつ大塩化二ケイ素または六臭化二
ケイ素並びに反応によって生成する金属塩化物または金
属臭化物に対する溶解度が高い溶媒に金属弗化物を懸濁
させた後、該金属弗化物と六塩化二ケイ素または六臭化
二ケイ素とを反応させることを特徴とする六弗化ニケイ
素の製造方法であり、特には溶媒が一般式Cn11gm
、+CI (ただし1m3〜8の整数)で表わされる塩
化アルキル、ベンセン、トルエン、キシレン、エチルベ
ンゼン、クロロベンゼンの一種以上を用いる方法である
。
本発明を更に詳細に説明する。
本発明で使用する金属弗化物としては、弗化亜鉛(Zn
Fx)、三弗化アンチモン(sbFs)など従来公知の
弗素化剤が使用出来るが、価格面及び取扱い易さの点か
らZnFtを用いるのが好ましい。
Fx)、三弗化アンチモン(sbFs)など従来公知の
弗素化剤が使用出来るが、価格面及び取扱い易さの点か
らZnFtを用いるのが好ましい。
六塩化二ケイ素、六臭化二ケイ素および六弗化ニケイ素
は、何れも水が存在すると容易に加水分解する性質をも
っているので、反応に使用する溶媒、金属弗化物はもち
ろん反応装置も水分を十分除去しておく必要がある0例
えば、金属弗化物は使用前に200℃、4時間程度加熱
処理するなどによりて完全に脱水しておくのが、高収率
に製品を得る上で好ましい。
は、何れも水が存在すると容易に加水分解する性質をも
っているので、反応に使用する溶媒、金属弗化物はもち
ろん反応装置も水分を十分除去しておく必要がある0例
えば、金属弗化物は使用前に200℃、4時間程度加熱
処理するなどによりて完全に脱水しておくのが、高収率
に製品を得る上で好ましい。
本発明において使用する溶媒としては、金属弗化物及び
六弗化二ケイ素に対する溶解度が低く、かつ大塩化二ケ
イ素または六臭化二ケイ素並びに反応によって生成する
金属塩化物または金属臭化物に対する溶解度が高い性質
を示す溶媒を用いる必要がある。
六弗化二ケイ素に対する溶解度が低く、かつ大塩化二ケ
イ素または六臭化二ケイ素並びに反応によって生成する
金属塩化物または金属臭化物に対する溶解度が高い性質
を示す溶媒を用いる必要がある。
金属弗化物あるいは反応によって生成する金属塩化物ま
たは金属臭化物に対する溶解度は、これらを溶媒に飽和
溶解させ溶媒中の金属イオン量を測定するか、あるいは
この溶媒に溶解した金°属弗化物、金属塩化物もしくは
金属臭化物を水で抽出して、弗素イオン、塩素イオンも
しくは臭素イオンを測定する方法などで知ることが出来
る。
たは金属臭化物に対する溶解度は、これらを溶媒に飽和
溶解させ溶媒中の金属イオン量を測定するか、あるいは
この溶媒に溶解した金°属弗化物、金属塩化物もしくは
金属臭化物を水で抽出して、弗素イオン、塩素イオンも
しくは臭素イオンを測定する方法などで知ることが出来
る。
六塩化二ケイ素、六臭化二ケイ素、または六弗化二ケイ
素の溶媒に対する溶解度はこれらを飽和溶解量まで溶媒
に溶解させたのち、水を添加してシリカとして固定させ
、ケイ素分を定量するなどの方法で測定可能であるが、
溶解度パラメータを用いることでも判定出来る。すなわ
ち、溶媒の溶解度パラメータが六塩化二ケイ素あるいは
六臭化二ケイ素のそれに近く、六弗化二ケイ素のそれか
ら離れているもの、具体的には溶解度パラメータが9付
近のものが上記条件を満たし好ましい。
素の溶媒に対する溶解度はこれらを飽和溶解量まで溶媒
に溶解させたのち、水を添加してシリカとして固定させ
、ケイ素分を定量するなどの方法で測定可能であるが、
溶解度パラメータを用いることでも判定出来る。すなわ
ち、溶媒の溶解度パラメータが六塩化二ケイ素あるいは
六臭化二ケイ素のそれに近く、六弗化二ケイ素のそれか
ら離れているもの、具体的には溶解度パラメータが9付
近のものが上記条件を満たし好ましい。
上記2つの条件をみたすような具体的な溶媒としては、
一般式〇nH***+C1(ただしn−3〜8の整数)
で表わされる塩化アルキル、ベンゼン、トルエン、キシ
レン、エチルベンゼン、クロロベンゼンなどが挙げられ
る。塩化アルキルの具体的な例としては、塩化n−プロ
ピル、塩化イソプロピル、塩化n−ブチル、塩化イソブ
チル、塩化3−ブチル、塩化t−プチル、塩化n−ペン
チル、塩化n−ヘキシルなどを挙げることが出来る。キ
シレンはオルソ、メタ、パラの3種の異性体があるが、
その何れでも良(また混合物でも差支えない。
一般式〇nH***+C1(ただしn−3〜8の整数)
で表わされる塩化アルキル、ベンゼン、トルエン、キシ
レン、エチルベンゼン、クロロベンゼンなどが挙げられ
る。塩化アルキルの具体的な例としては、塩化n−プロ
ピル、塩化イソプロピル、塩化n−ブチル、塩化イソブ
チル、塩化3−ブチル、塩化t−プチル、塩化n−ペン
チル、塩化n−ヘキシルなどを挙げることが出来る。キ
シレンはオルソ、メタ、パラの3種の異性体があるが、
その何れでも良(また混合物でも差支えない。
本発明者らが発明し先に出願した前記特開昭61−15
1016号で開示したフルオロシラン類の製造方法も、
アニソールを溶媒として使用するものである。そしてこ
のアニソールも上記条件を満たす溶媒であるが、上記に
列挙した本発明において使用する溶媒に比べて六弗化二
ケイ素の収率が若干悪い。
1016号で開示したフルオロシラン類の製造方法も、
アニソールを溶媒として使用するものである。そしてこ
のアニソールも上記条件を満たす溶媒であるが、上記に
列挙した本発明において使用する溶媒に比べて六弗化二
ケイ素の収率が若干悪い。
本発明において、上記溶媒を使用すればなぜ好結果が得
られるかは定かではないが、これはおそらく次の理由に
よるものと考えられる。すなわち、反応は溶媒に溶解し
た六塩化二ケイ素あるいは六臭化二ケイ素と固体である
金属弗化物との固液反応と考えられるが、反応によって
金属弗化物の表面に生成した金属塩化物または金属臭化
物を溶媒が溶解し、金属弗化物の表面を常に活性に保つ
ことと、反応によって発生する熱を溶媒が分散させて反
応温度の上昇を防止する点にあると考えられる。従って
、その点からすると、溶媒中に懸濁させる金属弗化物の
スラリー濃度は低い方が好ましく、実用上は51℃量%
(以下単に%と示す、)程度、高(とも50%程度であ
る。
られるかは定かではないが、これはおそらく次の理由に
よるものと考えられる。すなわち、反応は溶媒に溶解し
た六塩化二ケイ素あるいは六臭化二ケイ素と固体である
金属弗化物との固液反応と考えられるが、反応によって
金属弗化物の表面に生成した金属塩化物または金属臭化
物を溶媒が溶解し、金属弗化物の表面を常に活性に保つ
ことと、反応によって発生する熱を溶媒が分散させて反
応温度の上昇を防止する点にあると考えられる。従って
、その点からすると、溶媒中に懸濁させる金属弗化物の
スラリー濃度は低い方が好ましく、実用上は51℃量%
(以下単に%と示す、)程度、高(とも50%程度であ
る。
反応温度は本発明ではかなり重要であり、ハロゲン交換
の反応性あるいは生成する六弗化二ケイ素の熱安定性を
考慮して決められるが、通常0〜50℃で実施される0
反応温度が高すぎると副反応生成物を生じ易(なり、従
うて製品の純度が低下する。逆に、反応温度が低すぎる
とハロゲン交換反応の反応率が低下する。
の反応性あるいは生成する六弗化二ケイ素の熱安定性を
考慮して決められるが、通常0〜50℃で実施される0
反応温度が高すぎると副反応生成物を生じ易(なり、従
うて製品の純度が低下する。逆に、反応温度が低すぎる
とハロゲン交換反応の反応率が低下する。
(実施例)
以下、実施例及び比較例によって本発明を更に詳細に説
明する。
明する。
実施例1
200℃で4時間脱水処理したフッ化亜鉛(ZnFg)
100gを、還流コンデンサーを取付けた11の攪拌機
付きガラス製フラスコに入れ、400m1の塩化n−ブ
チル(n−C,11,C1)に懸濁させた。フラスコの
フタを完全にシールしたのち、このフラスコを水浴中に
浸し反応温度を20℃に維持するとともに、還流コンデ
ンサーに冷媒を流して溶媒である塩化ドブチルの蒸発を
防止した。
100gを、還流コンデンサーを取付けた11の攪拌機
付きガラス製フラスコに入れ、400m1の塩化n−ブ
チル(n−C,11,C1)に懸濁させた。フラスコの
フタを完全にシールしたのち、このフラスコを水浴中に
浸し反応温度を20℃に維持するとともに、還流コンデ
ンサーに冷媒を流して溶媒である塩化ドブチルの蒸発を
防止した。
次に系内を窒素ガスで十分に置換させたのち、攪拌しな
から六塩化二ケイ素(SltClb)を0.5g/wi
n。
から六塩化二ケイ素(SltClb)を0.5g/wi
n。
の速度で合計50gフラスコ内にフィードし、フィード
完了後更に2時間反応させた。尚、反応中はキャリアー
ガスとして窒素ガスを50m1/sin、の流量でフラ
スコ中にフィードした。
完了後更に2時間反応させた。尚、反応中はキャリアー
ガスとして窒素ガスを50m1/sin、の流量でフラ
スコ中にフィードした。
フラスコから発生した反応生成ガスとキャリヤーガスは
、−15℃の冷媒トラップで不純物を除去した後、ドラ
イアイス−アセトントラップ中に回収した。更にドライ
アイス−アセトントラップ内を真空ポンプで真空排気し
、キャリアーガスとして使用した窒素ガスを除去した。
、−15℃の冷媒トラップで不純物を除去した後、ドラ
イアイス−アセトントラップ中に回収した。更にドライ
アイス−アセトントラップ内を真空ポンプで真空排気し
、キャリアーガスとして使用した窒素ガスを除去した。
回収量は25g(収率79%)で、このものはIR吸収
チャートから六弗化二ケイ素(SisFi)と同定され
た。またこの六弗化二ケイ素をガス状でHF水溶液に通
気させて、六弗化ニケイ素ガス中の塩素濃度を測定した
ところ、わずか709Gl−に過ぎず製品の純度は非常
に高いものであうた。
チャートから六弗化二ケイ素(SisFi)と同定され
た。またこの六弗化二ケイ素をガス状でHF水溶液に通
気させて、六弗化ニケイ素ガス中の塩素濃度を測定した
ところ、わずか709Gl−に過ぎず製品の純度は非常
に高いものであうた。
実施例2〜4
塩化n、ブチルの代わりに第1表に示す溶媒を使用する
以外は、実施例1と全く同様な方法で、六弗化二ケイ素
を製造した。結果は第1表に示す通りであり、何れの場
合も高収率で、かつ高純度の製品が得られた。
以外は、実施例1と全く同様な方法で、六弗化二ケイ素
を製造した。結果は第1表に示す通りであり、何れの場
合も高収率で、かつ高純度の製品が得られた。
実施例5〜6
]反応温度を第2表に示す温度に維持した以外は、実施
例1と全く同様な方法で、六弗化二ケイ素を ;製造
した。結果は第2表に示す通りであり、何れ :の場
合も高収率で、かつ高純度の製品が得られた。 j第
2表 と較例1〜5 塩化n−ブチルの代わりに下記第3表に示す溶媒4用い
た以外は、実施例1と全(同様な方法で、〜弗化二ケイ
素を製造した。結果は第3表に示す阻りで、収率、純度
とも非常に低い結果となった。
]反応温度を第2表に示す温度に維持した以外は、実施
例1と全く同様な方法で、六弗化二ケイ素を ;製造
した。結果は第2表に示す通りであり、何れ :の場
合も高収率で、かつ高純度の製品が得られた。 j第
2表 と較例1〜5 塩化n−ブチルの代わりに下記第3表に示す溶媒4用い
た以外は、実施例1と全(同様な方法で、〜弗化二ケイ
素を製造した。結果は第3表に示す阻りで、収率、純度
とも非常に低い結果となった。
容媒にアニソールを用いた場合は他のものより若ト良好
であるが、実施例に用いた本発明に使用する溶媒の場合
と比較するとやはり大きく劣る結果であった。
であるが、実施例に用いた本発明に使用する溶媒の場合
と比較するとやはり大きく劣る結果であった。
比較例6
200℃で4時間脱水処理したフッ化亜鉛(ZnFt)
100gを、還流コンデンサー及び滴下ロートを備えた
500 m+1のガラス製フラスコに入れ、フラスコの
フタを完全にシールした後、窒素ガスを50m1/si
n。
100gを、還流コンデンサー及び滴下ロートを備えた
500 m+1のガラス製フラスコに入れ、フラスコの
フタを完全にシールした後、窒素ガスを50m1/si
n。
の流量でフラスコ内に流して系内を窒素で十分置換した
。
。
次にこのフラスコをドライアイス−アセトン浴に浸して
系内を冷却した後、滴下ロートから六塩化ニケイ素(S
l富C1a)を徐々に合計50g滴下した。
系内を冷却した後、滴下ロートから六塩化ニケイ素(S
l富C1a)を徐々に合計50g滴下した。
その後、浴を水浴に変えて温度を徐々に上昇させ60℃
で2時間反応させた。尚、反応中はキャリヤーガスとし
て窒素ガスを5On+l/m1n、の流量でフラスコ中
にフィードした。フラスコから発生した反応ガスと窒素
ガスは、−15℃の冷媒トラップで不純物を除去した後
、ドライアイス−アセトントラップ中に回収した。更に
ドライアイス−アセトントラップ内を真空ポンプで真空
排気して窒素ガスを除去した。
で2時間反応させた。尚、反応中はキャリヤーガスとし
て窒素ガスを5On+l/m1n、の流量でフラスコ中
にフィードした。フラスコから発生した反応ガスと窒素
ガスは、−15℃の冷媒トラップで不純物を除去した後
、ドライアイス−アセトントラップ中に回収した。更に
ドライアイス−アセトントラップ内を真空ポンプで真空
排気して窒素ガスを除去した。
製品回収量は5g (収率16%)と低く、製品中の塩
素濃度も2500ppmと高い結果であった。
素濃度も2500ppmと高い結果であった。
(発明の効果)
以上詳細に説明した通り、本発明は溶媒に懸濁させた金
属弗化物を使用し、ハロゲン交換法により六弗化二ケイ
素を製造するに際し、溶媒の種類を特定するという方法
であるが、この方法により従来技術に比べ反応収率を大
幅に向上させることが可能となり、その経済的効果は大
なるもの°がある。
属弗化物を使用し、ハロゲン交換法により六弗化二ケイ
素を製造するに際し、溶媒の種類を特定するという方法
であるが、この方法により従来技術に比べ反応収率を大
幅に向上させることが可能となり、その経済的効果は大
なるもの°がある。
また、本発明の方法によれば、反応温度を従来の方法よ
り低(することが可能で、従って副反応が抑えられるた
め、製品の純度が大幅に向上するので、弗素化アモルフ
ァスシリコン薄膜の材料として極めて好適である。更に
、反応温度を低(出来ることはエネルギーの消費量が少
な(てすむことにもつながり好都合である。
り低(することが可能で、従って副反応が抑えられるた
め、製品の純度が大幅に向上するので、弗素化アモルフ
ァスシリコン薄膜の材料として極めて好適である。更に
、反応温度を低(出来ることはエネルギーの消費量が少
な(てすむことにもつながり好都合である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)六塩化二ケイ素または六臭化二ケイ素と金属弗化物
とを反応させて六弗化二ケイ素を製造する方法において
、金属弗化物及び六弗化二ケイ素に対する溶解度が低く
、かつ六塩化二ケイ素または六臭化二ケイ素並びに反応
によって生成する金属塩化物または金属臭化物に対する
溶解度が高い溶媒に金属弗化物を懸濁させた後、該金属
弗化物と六塩化二ケイ素または六臭化二ケイ素とを反応
させることを特徴とする六弗化二ケイ素の製造方法。 2)溶媒が一般式CnH_2_n_+_1Cl(ただし
n=3〜8の整数)で表わされる塩化アルキル、ベンゼ
ン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、クロロベン
ゼンの1種以上である特許請求の範囲第1項記載の方法
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2740287A JPS63195108A (ja) | 1987-02-10 | 1987-02-10 | 六弗化二ケイ素の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2740287A JPS63195108A (ja) | 1987-02-10 | 1987-02-10 | 六弗化二ケイ素の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63195108A true JPS63195108A (ja) | 1988-08-12 |
Family
ID=12220070
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2740287A Pending JPS63195108A (ja) | 1987-02-10 | 1987-02-10 | 六弗化二ケイ素の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63195108A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5711925A (en) * | 1995-03-27 | 1998-01-27 | National Research Institute For Metals | Synthesis of pure disilicon hexafluoride |
-
1987
- 1987-02-10 JP JP2740287A patent/JPS63195108A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5711925A (en) * | 1995-03-27 | 1998-01-27 | National Research Institute For Metals | Synthesis of pure disilicon hexafluoride |
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