JPS63179515A - 化学蒸着装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の分野］ 本発明は、被加工物上に特定の元素または化合物を高度
に一様に蒸着するための、冷壁（ｃｏｌｄ−ｖａｌｌ）
型の改良した化学蒸着装置に関する。

［発明の背景］ 化学蒸着（ＣＶＤ）とは、化学反応によってガス相から
基板上へと固体材料を付着させる工程をいう、付着反応
には一般に、熱分解、化学酸化または化学還元が含まれ
る。熱分解の一例として。

有機金属化合物が蒸気として基板表面上に輸送され、そ
こで元素金属状態へ還元される。

化学酸化の場合には、還元剤として水素が通常用いられ
、金属蒸気もまた用いられる。基板は還元体として機能
する。例えばシリコンによるタングステンへキサフルオ
ライド還元の場合のごとくである。基板はまた。化合物
または合金の一要素としても機能する。ＣＶＤ工程は、
酸化物、窒化物および炭化物などの化合物や合金または
多くの元素を付着させるために用いることができる。

本発明においては、ＣＶＤ技術を用いることによって２
種々の目的のために基板を蒸着することができる。切断
工具上のタングステンカーバイドおよびアルミニウムの
被覆；タンタル、窒化ボロン、シリコンカーバイド等の
耐食被覆；ならびにスチール上のタングステン侵食防止
被覆等に対して１本発明を応用できる。さらに本発明の
装置は。

固体エレクトロニクス素子やエネルギ変換素子の製造に
も特に有益である。

エレクトロニクス材料の化学蒸着は、以下の文献に記載
されている。

Ｔ、Ｌ、　Ｃｈｕ　ｅｔ　ａｌ、　Ｊ、　ＢａＣ，Ｓｃ
ｉ、　Ｔｅｃｈｎｏｌ、　１０゜１　（１９７３）　；
　Ｂ、Ｅ、　Ｖａｔｔｓ、　Ｔｈ１ｎ　５ｏｌｉｄ　Ｆ
ｉｌｍｓ　１８゜これらの文献は２例えばシリコン、ガ
ーマニウムおよびガリウムヒ素などの材料のエピタキシ
ャル膜のドーピングおよびフオーメイションについて記
述している。エネルギ変換の文献においては。

ＣＶＤプロセスによって、核分裂生成物保持、太陽エネ
ルギ収集及び超伝導のための材料がもたらされる。化学
蒸着の概要は以下の文献に記載されている。

％ｆ、Ａ、　　Ｂｒｙａｎｔ、　　”Ｔｈｅ　　Ｆｕｎ
ｄａｉ＋ｅｎｔａｌｓ　　ｏｆ　　ＣｈｅｍｉｃａｌＶ
ａｐｏｕｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ″ｉｎ　Ｊｏｕｒｎ
ａｌ　ｏｆ　ＭａｔｅｒｉａｌｓＳｃｉｅｎｃｅ　１２
．１２８５（１９７７）温度、圧力９反応ガス比率、ガ
ス流の量と分布などの蒸着パラメターが、特定装置の蒸
着速度や能力を決定し、蒸着の一様性や品質が決定され
る。

従来の装置は、汚染物の付着によってこれらのパラメタ
ーを制御できなくなり能力に限界があった。

ＣＶＤ用の反応チェンバは、冷壁型と熱費（ｈｏｔ　ｗ
ａｌｌ）型とに大別できる。冷壁型の場合には。

基板は、誘導性結合、輻射加熱または内部支持要素の直
接電気加熱によって加熱される。熱漬型は。

反応領域および付着領域を加熱するように配置された輻
射加熱素子に依存する。

ＣＶＤ用の冷壁装置が、米国特許第３，５９４，２２７
号、第３，６９９，２９８号および第３，９１６，８２
２号に開示されている。これらの装置においては、真空
チェンバ内部に半導体ウェハが位置され、そのチェンバ
の外部に誘導コイルが配置される。ウェハは、ＲＦエネ
ルギによる加熱に適した誘導性材料に取付けられる。加
熱を半導体ウェハ付近の領域に局限することによって、
ＣＶＤがその加熱領域に限定される。加熱されていない
壁はＣＶＤ温度以下であるので、壁への蒸着が減少する
０反応領域内の弧度は、熱壁装置に比べて一様ではなく
９個々のウェハに対して温度を制御することは不可能で
ある。

本発明の一目的は９個々のウェハの温度を正確に制御で
きる冷壁ＣＶＤ装置を提供することである。

他の目的は２粒子形成を最小化しかつ自浄作用のあるＣ
ＶＤ装置を提供することである。

他の目的は、動作の自動化およびコンピュータ制御化を
図ったＣＶＤ装置を提供することである。

他の目的は、ガス混合の一様性およびウェハを流れるガ
スの一様性を図ったＣＶＤ装置を提供することである。

［発明の概要］ 前述の目的は本発明に従った以下の装置によって達成さ
れる。冷壁型のＣＶＤ装置が、別個の混合チェンバを有
する。多数の小さな穴を有する数個の射出リングからの
ガスが混合される。水冷バッフルが用いられて、混合を
促し、リング状の混合ガスの流れを蒸着チェンバへと通
過させる。

独立に調節可能な多数の排気口を設けて２反応チェンバ
内のガス流の対称性を調節する。

チャックによって下向きに保持されるウェハが１度に１
個づつ被覆される。チャックは、ウェハを９５０℃に加
熱することができる。下向きの配置が粒子によるウェハ
損傷を最小化する。自動化されたコンピュータ制御ハン
ドリング装置によって。

ウェハがロードロックを通じてカセット間で搬送される
。ロードロックを閉じる前にハンドリング装置が取出さ
れる。このためベルトや滑動表面が不要になり１粒子の
発生が減少する。また、ハンドリング装置への蒸着もな
くなる。

蒸着のためのウェハが、輻射加熱可能であるチャックに
対して保持される。チャックはまた。プラズマ増大モー
ドでも動作可能である。ウェハを除去した後に、チェン
バを清浄するためにもプラズマを用いることができ、そ
のための休止時間を最小化できる。

本発明に従ったＣＶＤ装置は、ＶＬＳＩおよびＵＬＳＩ
のための種々の付着プロセスにも応用可能である０例え
ば、ドープしたまたはドープしていないポリシリコン、
耐火性金属シリケート、耐火性金属、サーマルナイトラ
イド、プラズマナイトライド、プラズマオキサイド、サ
ーマルオキサイド、フォスフオシリケードガラスおよび
ボロフォスフオシリケードガラスなどへの応用が考えら
れる。形成した膜は良好な一様性を有し２粒子が低密度
で付着厚の一様性もすぐれている。本発明の特徴は、以
下の説明によってより明白となろう。

［好適実施例の説明］ 図面を参照しながら９本発明の好適実施例について説明
する。全図を通じて、同一の部材には同一の参照符号を
与えである。第１図に１本発明に従った化学蒸着（ＣＶ
Ｄ）装置１０の全体図を示す。フレーム１２が、ウェハ
ロード装置１４．蒸着チェンバ１６．ガス混合チェンバ
１８および排気マニホルド４６を支持している。

冷壁（ｃｏｌｄ−ｗａｌｌ）型のＣＶＤ装置における１
つの動作モードは、２種の異なる反応ガスを通入するこ
とである。これらのガスは、加熱した被加工物上に衝突
する前に、十分に混合する必要がある。

蒸着チェンバとは別個のガス混合チェンバ１８が用いら
れて、蒸着前のガス混合を制御する。上方リング２０と
下方リング２２との形態をとるパイプを通じて、２種の
ガスが混合チェンバ１８内に導入される。各々の導入リ
ング２０．２２は、中空であってガスの通過を容易にし
、またガスを各リングから混合チェンバ１８内へと射出
するための１０００分のフインチ径の穴を約１００個備
えている。混合バッフル２４が、０リング２８を有する
スタッフィンググランド（ｓｔｕｆｆｉｎｇ　ｇｌａｎ
ｄ）　２６を通って鉛直方向に滑動して、最適な混合の
調節をする。混合バッフル２４は、シャフト３４内に同
軸チャネル３０．３２を有し、また冷却水を循環させる
ために頂部プレート３８内に円形リングチャネル３６を
有する。蒸着チェンバ１６は、外方壁の内部に水冷却チ
ャネル１７を有して、外方壁における反応を減少させて
いる。

被加工物の蒸着被覆の一様性を容易にするために、排気
マニホルド４６へ通じる排気パイプ４０゜４２．４４を
備えた３つの出口を使って、蒸気チェンバ１６を排気す
る。第４〜７図に示すように。

マニホルド４６は、パイプ４０，４２，４４に付着した
外方シェル４８と、中央チェンバ５４への開口５２を備
えた円筒形内方シェル５０とを有する。半円形開口５８
を有する３つの独立に調節可能なシャッター５６を用い
て、３つの開口の各々からの排気を調節する。３つのシ
ャッター５６の各々は、外方シェル４８と内方シェル５
０との間で滑動可能であり、止めねじ（図示せず）によ
って固定することができる。中央チェンバ５４は。

バイブロ０を通って排気システム（図示せず）に連通し
ている。

蒸着チェンバ１６は、ロードロック６４によってカセッ
トチェンバ６２から分離されている。動作にあたり、ウ
ェハのカセット６１がカセットチェンバ６２内に挿入さ
れ、カセットチェンバ６２がシールされ、排気される。

カセット６１がカセットエレベータ６６により位置づけ
られる。マニピュレータアーム６８が、ウェハ６３の下
でブレード７０を滑動させる。そしてウェハを伴うブレ
ード７０が、カセット６１から引出される。次にモータ
６９により駆動されるマニピュレータアーム６８が、ブ
レード７０を９０″回転させる。ロードロック６４が開
いて、マニピュレータアーム６８が伸びて、ウェハ６３
を伴うブレード７０を蒸着チェンバ１６の中心へと運ぶ
、それぞれサポート７１に付着した２つのセラミックフ
ィンガー７４を有する３つのリフティングアーム７２が
、チャック７６によってウェハ６３の背面に接触しくウ
ェハ表面は下を向いている）、ブレードからウェハ６３
を持ち上げる。全部で６つのセラミックフィンガーがあ
るので、ウェハを予め水平に方向づける必要がない。チ
ャック７６は中空の組立体であって、金属面７８．ステ
ンレス・スチールの壁８０、水冷却チャネル８４を有す
る金属のバックリング８２およびクォーツバックプレー
ト８６を有する。チャック７６は、チェンバ１６の頂部
から離れたところで蒸着チェンバ１６内へ伸長し。

ウェハ上のガス流の一様性を促進する。金属製支持構造
体９０に付着した金属スクリーン８８が。

蒸着チェンバ１６の壁にアースされ、チャツク７６内部
にＲＦパワーを維持する。チャック７６は。

１〜１０Ｔｏｒｒのヘリウムで充填される。ヘリウムは
、金属面７８の中心の約１０００分のツイフチの付近に
おいて３つの小さな穴９２を通って流出する。

６つの径方向の溝と約１０００分の９０インチ径の円周
溝９６とのパターンを用いて、ウェハの背面に加熱ヘリ
ウムを導き、熱接触をもたらす。水冷された６個の１０
０ＯＷタングステン−ハロゲンランプ配列によって、ク
ォーツバックプレート８６を通ってチャック７６が加熱
される。これらのランプは、加熱を制御するために９個
別的にも組合せても用いることができる。

ランプはチャックの内部端に沿って方向づけられ、一様
加熱をもたらす。チャック７６上のセンサが、温度を検
出する。検出された温度が中央のコンピュータ１１０へ
と送られる。コンピュータ１１０は、ランプを制御して
温度を制御する。ウェハの温度は、１５０℃〜９５０℃
の間で１℃内に制御される。

チャック７６は、熱増大モードもしくはプラズマ増大モ
ードまたはこれらの組合せモードでも動作できる。チャ
ック７６の金属面７８は、セラミック側壁８０によって
アースから絶縁され、ケーブル手段（図示せず）により
供給されるＲＦ電位を維持する。ウェハ表面上の蒸着を
増大するためには、約１００Ｗのパワーレベルで十分で
ある。

ヘリウムをチャック７６へと供給するための供給ライン
１００は、絶縁材料で製造すべきである。小さな１片の
ガーゼが供給ライン１００内に挿入され。

プラズマが供給ライン１００まで広がるのを防止する。

チャック７６の側部に暗室間シールド１０２が用いられ
て、チャック７６の側壁に沿う外部からのプラズマを防
止する。暗室間シールド７３もまたセラミックフィンガ
ー７４に用いられて、セラミックの絶縁特性をショート
させてしまうようなメッキを防止する。

蒸着チェンバ１６を清浄化するためにプラズマを用いる
ことができ、浄化のための休止時間を最小にすることが
できる。ウェハを除去したら、ＲＦパワーを約１００Ｗ
の蒸着レベルから約１０００Ｗへと増大させる。浄化速
度を増すために、ＮＦ。

やＣＦ、のエッチガスを約２００ミリＴｏｒｒで導入し
ても良い、このパワーレベルにおいて、プラズマが広が
り蒸着チェンバ１６全体を清浄化する。

ガス相反応を防止しかつチェンバ壁土の蒸着を防止する
ために、蒸着チェンバ１６の壁が水冷される。チェンバ
壁の蒸着は１粒子状の汚染という好ましくない結果をも
たらす。チェンバ壁は、アルミニウムまたはステンレス
・スチールで製造できる。アルミニウムは、酸化物、窒
化物、ポリシリコン、耐火金属および耐火金属ケイ化物
の蒸着においては、良好なチェンバ材料である。ステン
レス・スチールは、塩素プロセスを要する他の材料に、
より適している。

第９図に示すように、全装置は中央のコンピュータ１１
０によって制御される。コンピュータ１１０は。

ウェハローダ１４２種々のバルブ１１４．１１６．１１
８を有する排気システムム１１２およびロードロック６
４を制御する。適切な時に、コンピュータ１１０が加熱
ランプ９８．ＲＦ電源１２０およびマス・フロー・コン
トローラ１２２をオンして、ガスを導入する。

これまで特定の実施例について説明してきたが。

本発明はこれに限定されず、特許請求の範囲に記載され
た本発明の範囲を外れることなく、多くの修正・改良等
をなしうる。

【図面の簡単な説明】

第１図は１本発明の一実施例であるＣＶＤ装置の正面図
である。 第２図は、第１図装置の部分断面図である。 第３図は、第２図の３−３線に沿ってとった断面図であ
り、チャックの面を示している。 第４図は、第１図の４−４線に沿ってとった断面図であ
る。 第５図は、第４図の５−５線に沿ってとった断面図であ
る。 第６図は、第５図の６−６線に沿ってとった断面図であ
る。 第７図は、第５，６図のシャッターを示す図である。 第８図は、第２図に示すウェハマニピュレータの平面図
である。 第９図は、第１図の装置のブロックダイアグラムである
。 ［主要符号の説明コ １２・・・フレーム １４・・・ロード装置 １６・・・蒸着チェンバ １７・・・水冷却チャネル １８・・・混合チェンバ ２０．２２・・・リング ２４・・・混合バッフル ２６・・・スタッフィンググランド ２８・・・０リング ３０．３２・・・同軸チャネル ３４・・・シャフト ３６・・・円形リングチャネル ３８・・・頂部プレート ４０．４２，４４・・・排気パイプ ４６・・・排気マニホルド ４８・・・外方シェル ５０・・・内方シェル ５４・・・中央チェンバ ５６・・・シャッター ６０・・・パイプ ６１・・・カセット ６２・・・カセットチェンバ ６３・・・ウェハ ６６・・・カセットエレベータ ６８・・・マニピュレータアーム ６９・・・モータ ７０・・・ブレード ７２・・・リフティングアーム ７３・・・時空間シールド ７４・・・セラミックフィンガー ７６・・・チャック ７８・・・金属面 ８０・・・ステンレス・スチール壁 ８２・・・バックリング ８４・・・水冷却チャネル ８６・・・バックプレート ８８・・・金属スクリーン ９２・・・穴 ・９６・・・円周溝 ９８・・・加熱ランプ １００・・・供給ライン １０２・・・時空間シールド １１０・・・コンピュータ １１４、１１６．１１８・・・バルブ １２０・・・ＲＦ電源 １２２・・・マス・フロー・コントローラ代　理　人　
　弁理士　竹　内　澄　夫（他２名） 図面の浄書ζ内容に変更なし） １ニ　り古　輔　Ｔ〔貴 丁　飢　千■　止　−自°　（方式） ％式％ １、　事件の表示　　　昭和６２年　特　許　願　第１
９５０号２、発明の名称　化学蒸着装置 ３、　補正をする者 事件との関係　特許出願人 名　称　　　　パリアン・アソシエイツ・インコーホレ
イテッド４、代理人 住　所　　　　東京都港区西新橋１丁目６番２１号大和
銀行虎ノ門ビルディング ６、　補正の対象　　　（１）明細書の浄書（内容に変
更なし）（２）図面の浄Ｗ（内容に変更なし） ７、　補正の内容　　　別紙のとおり ４二　ｋ古　輔　７０　士 丁飢柵止盲 昭和６２年３月１９日 特許庁長官　黒゛１）明　雄　殿 １、　事件の表示　　　昭和６２年　特　許　願　第１
９５０号２、　発明の名称　　化学蒸着装置 ３、　　ｔｌｒｉ正をする者 事件との関係　特許出願人 名　称　　　　パリアン・アソシエイツ・インコーホレ
イテッド４、代理人 住　所　　　　東京都港区西新橋１丁目６番２１号大和
銀行虎ノ門ビルディング ５、　補正命令の日付　自　　　　発 ６、　補正の対象　　　明細書の特許請求の範囲の欄（
別　紙） 特許請求の範囲 １、以下の手段および特徴がら成る、被加工物に化学蒸
着をするための装置： 蒸着反応チェンバ； 該蒸着反応チェンバに連通ずるガス混合チェンバ； 前記蒸着反応チェンバに真空排気手段を接続するための
接続手段； 前記ガス混合チェンバにガスを導入するためのガス供給
手段； 前記ガス混合チェンバから前記蒸着反応チェンバへのガ
スの流れを制御するための、前記ガス混合チェンバと前
記蒸着反応チェンバとの間の調節可１ｍバッフル手段で
あって、中心付近において細長い支持体に付着している
ほぼ平坦で薄いボディーを含むバッフル手段； 弓　　　　　　エンペ　に位置し　被加工物の温度を制
御するためのチャック手段；ならびに 前記チャック手段に対して被加工物を保持するためのウ
ェハ保持手段。 ２、特許請求の範囲第１項に記載された装置であって： 前記調節可能バッフル手段が、当該バッフル内を流れる
流体により冷却される； ところの装置。 ３、特許請求の範囲第２項に記載された装置であって： 前記調節可能バッフル手段が、支持体上に取付けられた
ディスクを含む； ところの装置。 ４、特許請求の範囲第１項に記載された装置であって： 前記ガス供給ｉ段が、小さな穴を多数有してリング状に
形成された少なくとも１つの中空パイプを含む； ところの装置。 ５、特許請求の範囲第４項に記載された装置であって： 前記ガス供給手段が、それぞれ小さな穴を多数有してリ
ング状に形成された少なくとも２つの近接配置した中空
パイプを含む； ところの装置。 ６、特許請求の範囲第１項に記載された装置であって： 前記接続手段が、前記蒸着反応チェンバ内に少なくとも
３つの出口を含み； 各前記出口が、それぞれの流れを独立に調節するための
シャッター手段を有している；ところの装置。 ７、特許請求の範囲第１項に記載された装置であって： 前記チャック手段が、前記チャックと被加工物との間に
熱接触のために、被加工物の背後にガスを流すための手
段を含む； ところの装置。 ８、特許請求の範囲第７項に記載された装置でありさら
に： 前記チャック手段を放射加熱するための手段：を含む装
置。 ９．特許請求の範囲第７項に記載された装置であって： 前記チャック手段が、そこに接触する被加工物の表面上
にプラズマ放電を支持するための手段を含む； ところの装置。 １０、特許請求の範囲第９項に記載された装置であって
さらに： 前記チャック手段を輻射加熱するための手段；を含む装
置。 １１、特許請求の範囲第１０項に記載された装置であっ
て： 前記ウェハ保持手段が、被加工物を下方から支持する多
数のセラミックフィンガーを含む；ところの装置。 １２、特許請求の範囲第３項に記載された装置であって
： 前記ガス供給手段が、それぞれ小さな穴を多数の有して
リング状に形成された少なくとも２つの近接配置した中
空パイプを含む； ところの装置。 １３、特許請求の範囲第１２項に記載された装置であっ
て： 前記チャック手段が、熱接触のために被加工物の背後に
ガスを流れすための手段を含む；ところの装置。 １４、　ｖ１許請求の範囲第１３項に記載された装置で
あってさらに： 前記チャック手段を輻射加熱するための手段：を含む装
置。 １５、特許請求の範囲第１４項に記載された装置であっ
て： 前記チャック手段が、そこに接触する被加工物の表面上
にプラズマ放電を支持するための手段を含む； ところの装置。 １６、特許請求の範囲第１４項に記載された装置であっ
てさらに： 当該装置をプラズマ清浄するための手段；を含む装置。 １７、特許請求の範囲第１４項に記載された装置であっ
てさらに： 当該装置を反応性イオン清浄するための手段：を含む装
置。 １８、以下の手段および特徴から成る、被加工物に化学
蒸着をするための装Ｗ： 内部循環流体により冷却される壁を有する蒸着反応チェ
ンバ； 該蒸着反応チェンバに連通ずるガス混合チェンバ； 該蒸着反応チェンバに真空排気手段を接続するための接
続手段であって、前記蒸着反応チェンバ内に少なくとも
３つの出口を含み、これら出口の各々がそこを流れる流
れを独立に調節するためのシャッター手段を有する、と
ころの接続手段； 前記ガス混合チェンバにガスを導入するためのガス供給
手段であって、それぞれ小さな穴を多数有してリング状
に形成された少なくとも２つの近接配置した中空パイプ
を含む、ガス供給手段； 前記ガス混合チェンバから前記蒸着反応チェンバへのガ
スの流れを制御するための、前記ガス混合チェンバと前
記蒸着反応チェンバとの間の調節可能バッフル手段であ
って、そこを流れる流体により冷却され、支持体上に取
付けられたディスクを含む、バッフル手段； 前記蒸着反応チェンバ内に位置し、被加工物の温度を制
御するためのチャック手段であって、熱接触のため被加
工物の背後にガスを流すための手段と、当該チャック手
段を輻射加熱するための手段と、当該チャック手段に接
触する被加工物の表面上にプラズマ放電を支持するため
の手段とを含むチャック手段；ならびに 前記チャック手段に対して被加工物を保持するための保
持手段であって、被加工物を下方から支持する多数のセ
ラミックフィンガーを含む保持手段。 １９、特許請求の範囲第１８項に記載された装置であっ
てさらに： 当該装置をプラズマ清浄するための手段；を含む装置。 ２、特許請求の範囲第１８項に記載された装置であって
さらに： 当該装置を反応性イオン清浄するための手段；を含む装
置。 ２１、以下の手段および特徴から成る、被加工物に化学
蒸着をするための装置： 蒸着反応チェンバ； 該蒸着反応チェンバの下方に位置し、前記蒸着反応チェ
ンバに連通ずるガス混合チェンバ；前記ガス混合チェン
バから前記蒸着反応チェンバへのガスの流れを制御する
ための、前記ガス混合チェンバと前記蒸着反応チェンバ
との間のバッフル手段；ならびに 前記被加工物の蒸着を受ける方の表面が下を向くように
前記被加工物を保持するための、前記蒸着反応チェンバ
内に位置するウェハ保持手段。 ２、特許請求の範囲第２３項に記載された装置であって
さらに： 前記被加工物を加熱するための手段； を含む装置。 ２、特許請求の範囲第２４項に記載された装置であって
さらに： 前記被加工物にＲＦバイアスを印加するための手段； を含む装置。 ２４、以下の手段および特徴がら成る、被加工物に化学
蒸着をするための装置： 蒸着反応チェンバ； 該蒸着反応チェンバの下方に位置し、前記蒸着反応チェ
ンバに連通ずるガス混合チェンバ；ならびに 前記被加工物の蒸着を受ける方の表面が下を向くように
前記被加工物を保持するための、前記蒸着反応チェンバ
内に位置するウェハ保持手段。 ２、特許請求の範囲第２４項に記載された装置であって
さらに： 前記被加工物を加熱するための手段； を含む装置。 ２、特許請求の範囲第２５項番こ記載された装置であっ
てさらに： 前記被加工物にＲＦバイアスを印力Ｕするための手段； を含む装置。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、以下の手段および特徴から成る、被加工物に化学蒸
   着をするための装置： 蒸着反応チェンバ； 該蒸着反応チェンバに連通するガス混合チェンバ； 前記蒸着反応チェンバに真空排気手段を接続するための
   接続手段； 前記ガス混合チェンバにガスを導入するためのガス供給
   手段； 前記ガス混合チェンバから前記蒸着反応チェンバへのガ
   スの流れを制御するための、前記ガス混合チェンバと前
   記蒸着反応チェンバとの間の調節可能バッフル手段であ
   って、中心付近において細長い支持体に付着しているほ
   ぼ平坦で薄いボディーを含むバッフル手段；被加工物の
   温度を制御するためのチャック手段；ならびに 前記チャック手段に対して被加工物を保持するためのウ
   ェハ保持手段。 ２、特許請求の範囲第１項に記載された装置であって： 前記調節可能バッフル手段が、当該バッフル内を流れる
   流体により冷却される； ところの装置。 ３、特許請求の範囲第２項に記載された装置であって： 前記調節可能バッフル手段が、支持体上に取付けられた
   ディスクを含む； ところの装置。 ４、特許請求の範囲第１項に記載された装置であって： 前記ガス供給手段が、小さな穴を多数有してリング状に
   形成された少なくとも１つの中空パイプを含む； ところの装置。 ５、特許請求の範囲第４項に記載された装置であって： 前記ガス供給手段が、それぞれ小さな穴を多数有してリ
   ング状に形成された少なくとも２つの近接配置した中空
   パイプを含む； ところの装置。 ６、特許請求の範囲第１項に記載された装置であって： 前記接続手段が、前記蒸着反応チェンバ内に少なくとも
   ３つの出口を含み； 各前記出口が、それぞれの流れを独立に調節するための
   シャッター手段を有している； ところの装置。 ７、特許請求の範囲第１項に記載された装置であって： 前記チャック手段が、前記チャックと被加工物との間の
   熱接触のために、被加工物の背後にガスを流すための手
   段を含む； ところの装置。 ８、特許請求の範囲第７項に記載された装置であってさ
   らに： 前記チャック手段を放射加熱するための手段；を含む装
   置。 ９、特許請求の範囲第７項に記載された装置であって： 前記チャック手段が、そこに接触する被加工物の表面上
   にプラズマ放電を支持するための手段を含む； ところの装置。 １０、特許請求の範囲第９項に記載された装置であって
   さらに： 前記チャック手段を輻射加熱するための手段；を含む装
   置。 １１、特許請求の範囲第１０項に記載された装置であっ
   て： 前記ウェハ保持手段が、被加工物を下方から支持する多
   数のセラミックフィンガーを含む；ところの装置。 １２、特許請求の範囲第３項に記載された装置であって
   ： 前記ガス供給手段が、それぞれ小さな穴を多数有してリ
   ング状に形成された少なくとも２つの近接配置した中空
   パイプを含む； ところの装置。 １３、特許請求の範囲第１２項に記載された装置であっ
   て： 前記チャック手段が、熱接触のために被加工物の背後に
   ガスを流すための手段を含む； ところの装置。 １４、特許請求の範囲第１３項に記載された装置であっ
   てさらに： 前記チャック手段を輻射加熱するための手段；を含む装
   置。 １５、特許請求の範囲第１４項に記載された装置であっ
   て： 前記チャック手段が、そこに接触する被加工物の表面上
   にプラズマ放電を支持するための手段を含む； ところの装置。 １６、特許請求の範囲第１４項に記載された装置であっ
   てさらに： 当該装置をプラズマ清浄するための手段； を含む装置。 １７、特許請求の範囲第１４項に記載された装置であっ
   てさらに： 当該装置を反応性イオン清浄するための手段；を含む装
   置。 １８、以下の手段および特徴から成る、被加工物に化学
   蒸着をするための装置： 内部循環流体により冷却される壁を有する蒸着反応チェ
   ンバ； 該蒸着反応チェンバに連通するガス混合チェンバ； 該蒸着反応チェンバに真空排気手段を接続するための接
   続手段であって、前記蒸着反応チェンバ内に少なくとも
   ３つの出口を含み、これら出口の各々がそこを流れる流
   れを独立に調節するためのシャッター手段を有する、と
   ころの接続手段； 前記ガス混合チェンバにガスを導入するためのガス供給
   手段であって、それぞれ小さな穴を多数有してリング状
   に形成された少なくとも２つの近接配置した中空パイプ
   を含む、ガス供給手段； 前記ガス混合チェンバから前記蒸着反応チェンバへのガ
   スの流れを制御するための、前記ガス混合チェンバと前
   記蒸着反応チェンバとの間の調節可能バッフル手段であ
   って、そこを流れる流体により冷却され、支持体上に取
   付けられたディスクを含む、バッフル手段；被加工物の
   温度を制御するためのチャック手段であって、熱接触の
   ため被加工物の背後にガスを流すための手段と、当該チ
   ャック手段を輻射加熱するための手段と、当該チャック
   手段に接触する被加工物の表面上にプラズマ放電を支持
   するための手段とを含むチャック手段；ならびに 前記チャック手段に対して被加工物を保持するための保
   持手段であって、被加工物を下方から支持する多数のセ
   ラミックフィンガーを含む保持手段。 １９、特許請求の範囲第１８項に記載された装置であっ
   てさらに： 当該装置をプラズマ清浄するための手段； を含む装置。 ２０、特許請求の範囲第１８項に記載された装置であっ
   てさらに： 当該装置を反応性イオン清浄するための手段；を含む装
   置。