JPS63175430A - 半導体製造方法 - Google Patents
半導体製造方法Info
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- JPS63175430A JPS63175430A JP691387A JP691387A JPS63175430A JP S63175430 A JPS63175430 A JP S63175430A JP 691387 A JP691387 A JP 691387A JP 691387 A JP691387 A JP 691387A JP S63175430 A JPS63175430 A JP S63175430A
- Authority
- JP
- Japan
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- wafer
- protrusion
- semiconductor wafer
- head
- processing head
- Prior art date
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- Pending
Links
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Landscapes
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
Ｌｌ旦悲社且立り
本発明は半導体製造工程中気相成長工程で半導体ウェハ
上に局部的に異常成長した突起を完全ζこ除去し得る半
導体製造方法に関する。
上に局部的に異常成長した突起を完全ζこ除去し得る半
導体製造方法に関する。
匡未悲皮肛
半導体ウェハ上に単結晶薄膜を成長させる際に、半導体
ウェハ上に異物が付着していると、異物が付着した部分
に多結晶体が成長し、成長速度の差異により多結晶体が
急速成長して突起となる。この突起は後工程で支障とな
るため、除去する必要がある。
ウェハ上に異物が付着していると、異物が付着した部分
に多結晶体が成長し、成長速度の差異により多結晶体が
急速成長して突起となる。この突起は後工程で支障とな
るため、除去する必要がある。
従来は突起除去方法を第５図を参照して説明する。
図中１はアルミナ板、２は半導体ウェハ３上に成長した
突起、４はテーブルを示す。
突起、４はテーブルを示す。
この方法は半導体ウェハ３をテーブル４に真空吸着等の
手段により固定し、アルミナ板１をエアシリンダ等によ
り半導体ウェハ３上に下降させて突起２を押しつぶし、
粉々に破砕した後、半導体ウェハ３を洗浄して異物を除
去するものである。
手段により固定し、アルミナ板１をエアシリンダ等によ
り半導体ウェハ３上に下降させて突起２を押しつぶし、
粉々に破砕した後、半導体ウェハ３を洗浄して異物を除
去するものである。
■ イ パ−
上記方法は突起２を破砕除去するものであるが、次のよ
うな問題があった。
うな問題があった。
（１）まず押しつぶされた突起の逃げ場がなく、完全に
突起を除去できない。また半導体ウェハに傷や割れを発
生させる。
突起を除去できない。また半導体ウェハに傷や割れを発
生させる。
（２）ウェハの厚みが不均一な場合、第６図に示すよう
に厚み差以下の突起２を除去できない。
に厚み差以下の突起２を除去できない。
、１′ｔ゛ −の
本発明は上記問題点を解決するために、加工ヘッドを半
導体ウェハ上に静圧浮上させ、半導体ウェハの表面に沿
って一定高さで相対的に移動させることによって突起を
削り、除去するもので、上′り効果的には加工ヘッドと
半導体ウェハの相対的移動方向を反転して、再度突起を
削り取るものである。
導体ウェハ上に静圧浮上させ、半導体ウェハの表面に沿
って一定高さで相対的に移動させることによって突起を
削り、除去するもので、上′り効果的には加工ヘッドと
半導体ウェハの相対的移動方向を反転して、再度突起を
削り取るものである。
１皿
加工ヘッドを半導体ウェハの表面から一定間隔を保って
相対移動させることができるから、半導体ウェハの厚み
が不均一な場合でも突起の大きさにかかわらず突起の除
去が可能となる。
相対移動させることができるから、半導体ウェハの厚み
が不均一な場合でも突起の大きさにかかわらず突起の除
去が可能となる。
支五五
以下に本発明を第１図及び第２図に示す具体的実施例か
ら詳細に説明する。
ら詳細に説明する。
まず、第１図に示す様に半導体ウェハ３を回転テーブル
６に真空吸着させ、加工ヘッド５を有するアーム７を第
２図に示す位置に下降させる。加工ヘノド５は下面に開
口した吹出し口１０より圧縮流体を吹出し、加工ヘッド
５と半導体ウェハ３の間に微小なすきま（５〜ｌＯμ）
を形成する。次に半導体ウェハ３を右回転させ、かつ加
工ヘッド５の取付けられたアーム７を移動方向Ｘ１の方
向へ移動させることにより、加工ヘッド５を半導体ウェ
ハ３上で相対移動させ、突起２を削り取る。この時半導
体ウェハ３の厚みの凹凸やソリ変形等の面振れに対し、
圧縮流体９及び板ばね８の弾性たわみにより加工ヘッド
５を半導体ウェハ３の表面から一定間隔を保って相対移
動させることができる。
６に真空吸着させ、加工ヘッド５を有するアーム７を第
２図に示す位置に下降させる。加工ヘノド５は下面に開
口した吹出し口１０より圧縮流体を吹出し、加工ヘッド
５と半導体ウェハ３の間に微小なすきま（５〜ｌＯμ）
を形成する。次に半導体ウェハ３を右回転させ、かつ加
工ヘッド５の取付けられたアーム７を移動方向Ｘ１の方
向へ移動させることにより、加工ヘッド５を半導体ウェ
ハ３上で相対移動させ、突起２を削り取る。この時半導
体ウェハ３の厚みの凹凸やソリ変形等の面振れに対し、
圧縮流体９及び板ばね８の弾性たわみにより加工ヘッド
５を半導体ウェハ３の表面から一定間隔を保って相対移
動させることができる。
加工ヘッド５が半導体ウェハ３の外周に到達すると加工
ヘッド５の取付けられたアーム７を上昇させ、再度第２
図に示す位置まで移動させる。この時点では突起の状態
は第３図のようになっている。これは加工ヘッドに沿っ
て除去されつつある突起３が途中で一番弱い半導体ウェ
ハ３との境目から脱落するためである。
ヘッド５の取付けられたアーム７を上昇させ、再度第２
図に示す位置まで移動させる。この時点では突起の状態
は第３図のようになっている。これは加工ヘッドに沿っ
て除去されつつある突起３が途中で一番弱い半導体ウェ
ハ３との境目から脱落するためである。
次に再度加工ヘッド５の取付けられたアーム７を下降さ
せ加工ヘッド５と半導体ウェハ３の間に第１回目の突起
除去時よりもさらに小さなすきま １（２〜５μ）を形
成し、今度は半導体ウェハ３を左回転させ加工ヘッドの
取付けられたアーム７を移動方向２の方向へ移動させる
ことにより加工ヘソド５と半導体ウェハ３の相対移動が
第１回目の突起除去時とは反転スる。第２回目のス起除
去も第１回目と同様に加工ヘノド５が半導体ウェハ３の
外周に到達した時に終了する。この時の突起の状態は第
４図のようになっており完全に突起が除去されている。
せ加工ヘッド５と半導体ウェハ３の間に第１回目の突起
除去時よりもさらに小さなすきま １（２〜５μ）を形
成し、今度は半導体ウェハ３を左回転させ加工ヘッドの
取付けられたアーム７を移動方向２の方向へ移動させる
ことにより加工ヘソド５と半導体ウェハ３の相対移動が
第１回目の突起除去時とは反転スる。第２回目のス起除
去も第１回目と同様に加工ヘノド５が半導体ウェハ３の
外周に到達した時に終了する。この時の突起の状態は第
４図のようになっており完全に突起が除去されている。
発１と徒采一
本発明によれば次のような効果が得られた。
（１）突起を削って除去するため削り取られた突起が残
留することなく完全に除去できる。
留することなく完全に除去できる。
（２）押しつぶされた突起による半導体ウェハの傷２割
れが認められなくなった。
れが認められなくなった。
（３）加工ヘッドが半導体ウェハ而に追従するため、従
来方法ではできなかった厚みが不均一な半導体ウェハの
突起も除去できる。
来方法ではできなかった厚みが不均一な半導体ウェハの
突起も除去できる。
閾面の簡単な説明
第１図及び第２図は本発明の実施例を示し、第１図は要
部正面図、第２図は要部平面図、第３図及び第４図はそ
れぞれ半導体ウェハの要部側断面図、第５図及び第６図
はそれぞれ従来方法の概略説明図を示す。
部正面図、第２図は要部平面図、第３図及び第４図はそ
れぞれ半導体ウェハの要部側断面図、第５図及び第６図
はそれぞれ従来方法の概略説明図を示す。
１、
第１図
第 ３ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、半導体ウェハ上に半導体薄膜を形成する気相成長工
程で、局部的に突起が異常成長した半導体ウェハ上で加
工ヘッドを静圧浮上させ、かつ半導体ウェハと加工ヘッ
ドとを相対的に移動させることにより、上記突起を除去
することを特徴とする半導体製造方法。 ２、半導体ウェハと加工ヘッドの相対的移動方向を反転
させることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半
導体製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP691387A JPS63175430A (ja) | 1987-01-14 | 1987-01-14 | 半導体製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP691387A JPS63175430A (ja) | 1987-01-14 | 1987-01-14 | 半導体製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63175430A true JPS63175430A (ja) | 1988-07-19 |
Family
ID=11651476
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP691387A Pending JPS63175430A (ja) | 1987-01-14 | 1987-01-14 | 半導体製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63175430A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS605117B2 (ja) * | 1977-08-25 | 1985-02-08 | 松下電器産業株式会社 | カラービデオ信号の記録再生方式 |
| JPS60249569A (ja) * | 1984-05-25 | 1985-12-10 | Hitachi Ltd | バニツシユ加工ヘツド |
-
1987
- 1987-01-14 JP JP691387A patent/JPS63175430A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS605117B2 (ja) * | 1977-08-25 | 1985-02-08 | 松下電器産業株式会社 | カラービデオ信号の記録再生方式 |
| JPS60249569A (ja) * | 1984-05-25 | 1985-12-10 | Hitachi Ltd | バニツシユ加工ヘツド |
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