JPS6317361B2 - - Google Patents
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- JPS6317361B2 JPS6317361B2 JP57139083A JP13908382A JPS6317361B2 JP S6317361 B2 JPS6317361 B2 JP S6317361B2 JP 57139083 A JP57139083 A JP 57139083A JP 13908382 A JP13908382 A JP 13908382A JP S6317361 B2 JPS6317361 B2 JP S6317361B2
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- 208000019300 CLIPPERS Diseases 0.000 claims description 12
- 208000021930 chronic lymphocytic inflammation with pontine perivascular enhancement responsive to steroids Diseases 0.000 claims description 12
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 6
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 6
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 7
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 4
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- MTRJKZUDDJZTLA-UHFFFAOYSA-N iron yttrium Chemical compound [Fe].[Y] MTRJKZUDDJZTLA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
- H01P1/215—Frequency-selective devices, e.g. filters using ferromagnetic material
- H01P1/218—Frequency-selective devices, e.g. filters using ferromagnetic material the ferromagnetic material acting as a frequency selective coupling element, e.g. YIG-filters
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/18—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance
- H03B5/1882—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a magnetic-field sensitive resonator, e.g. a Yttrium Iron Garnet or a magnetostatic surface wave resonator
- H03B5/1888—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a magnetic-field sensitive resonator, e.g. a Yttrium Iron Garnet or a magnetostatic surface wave resonator the active element in the amplifier being a semiconductor device
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B2201/00—Aspects of oscillators relating to varying the frequency of the oscillations
- H03B2201/02—Varying the frequency of the oscillations by electronic means
- H03B2201/0225—Varying the frequency of the oscillations by electronic means the means being associated with an element comprising distributed inductances and capacitances
- H03B2201/0241—Varying the frequency of the oscillations by electronic means the means being associated with an element comprising distributed inductances and capacitances the element being a magnetically variable element, e.g. an Yttrium Iron Garnet
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、YIG共振器、特に、YIG発振器、フ
イルター及び他のYIG同調装置用の電圧制御式
YIG共振器に関する。
イルター及び他のYIG同調装置用の電圧制御式
YIG共振器に関する。
LC同調回路に接続したダイオードクリツパ回
路を使用してLC同調回路の電圧を制御すること
は知られている。この電圧制御技術の不利な点
は、ダイオードが電圧依存静電容量を有しいかな
るダイオード電圧（静電容量）の変化も、同調回
路の共振周波数の変化を生じさせることである。
低周波において、静電容量の変化は、回路の静電
容量に関して小さいから、この変化は無視でき
る。しかしながら、同調回路静電容量が小さい高
周波において、ダイオード静電容量は、共振周波
数に上述した影響を与える。その結果、ダイオー
ドクリツパ技術は、高周波では使用されなかつ
た。
路を使用してLC同調回路の電圧を制御すること
は知られている。この電圧制御技術の不利な点
は、ダイオードが電圧依存静電容量を有しいかな
るダイオード電圧（静電容量）の変化も、同調回
路の共振周波数の変化を生じさせることである。
低周波において、静電容量の変化は、回路の静電
容量に関して小さいから、この変化は無視でき
る。しかしながら、同調回路静電容量が小さい高
周波において、ダイオード静電容量は、共振周波
数に上述した影響を与える。その結果、ダイオー
ドクリツパ技術は、高周波では使用されなかつ
た。
YIG発振器と他のYIG同調装置はこれまで、電
力（電圧）出力を、別のPINダイオード回路で制
御していた。出力回路のPINダイオードのRF抵
抗を変化させる減衰では、不整合とそれに対応し
て負荷に供給される電力（電圧）の低下とを生じ
る。減衰PINダイオード回路は操作において固有
の問題を有する。即ち、電力が減衰すると、不整
合が生じ、ノイズと高調波水準が増加し、減衰帯
域が制限されることである。更に、減衰PINダイ
オード回路と一諸に使用される回路は帯域幅を制
限し、更に複雑になり、全体のコストと寸法を相
当に増加させる。
力（電圧）出力を、別のPINダイオード回路で制
御していた。出力回路のPINダイオードのRF抵
抗を変化させる減衰では、不整合とそれに対応し
て負荷に供給される電力（電圧）の低下とを生じ
る。減衰PINダイオード回路は操作において固有
の問題を有する。即ち、電力が減衰すると、不整
合が生じ、ノイズと高調波水準が増加し、減衰帯
域が制限されることである。更に、減衰PINダイ
オード回路と一諸に使用される回路は帯域幅を制
限し、更に複雑になり、全体のコストと寸法を相
当に増加させる。
YIG共振器にダイオードクリツパ回路を組み込
むことによつて、マイクロ波周波数を通して及び
それ以上の周波数においてYIG電圧振幅制御と変
調とを行なう装置を提供できることがわかつた。
又、YIG共振器の独特の性質によつて、共振周波
数が、クリツパダイオードの容量の変化に敏感で
ないことがわかつた。
むことによつて、マイクロ波周波数を通して及び
それ以上の周波数においてYIG電圧振幅制御と変
調とを行なう装置を提供できることがわかつた。
又、YIG共振器の独特の性質によつて、共振周波
数が、クリツパダイオードの容量の変化に敏感で
ないことがわかつた。
本発明の目的は、改良電圧制御式イツトリウム
鉄ガーネツト（YIG）共振器を提供することであ
る。
鉄ガーネツト（YIG）共振器を提供することであ
る。
本発明のもう１つの目的は、YIG発振器、YIG
フイルタ、及び他のYIG同調装置に使用される電
圧制御式イツトリウム、鉄、ガーネツト共振器を
提供することである。
フイルタ、及び他のYIG同調装置に使用される電
圧制御式イツトリウム、鉄、ガーネツト共振器を
提供することである。
本発明の他の目的は、安価で、構造の簡単な電
圧制御式YIG共振器を提供することである。
圧制御式YIG共振器を提供することである。
さらに、本発明の他の目的は、電圧が減衰する
とき、ノイズと高調波とを減少させる電圧制御
YIG共振器を提供することである。
とき、ノイズと高調波とを減少させる電圧制御
YIG共振器を提供することである。
前述した及び他の目的は、YIG球と、前記球に
結合された入力結合ループと、共振器に発生する
最大電圧を制限するために共振器に結合されたダ
イオードとからなるYIG共振器によつて達成され
る。
結合された入力結合ループと、共振器に発生する
最大電圧を制限するために共振器に結合されたダ
イオードとからなるYIG共振器によつて達成され
る。
本発明は、次の図面を参照してなされる次の説
明からさらに明らかに理解されるであろう。
明からさらに明らかに理解されるであろう。
第１図を参照すると、YIG球１３とエネルギー
結合している入力結合ループ１２に、直列に結合
されたヒ化ガリウムダイオード１１を有するYIG
同調ヒ化ガリウム発振器が示されている。矢印１
４によつて示されている直流同調磁界Hoが、
YIG発振器の共振周波数を決定する。出力ループ
１６が同軸ケーブル１７に信号電圧を与えるため
に、結合されている。ループ１６は、ループ１２
に直角である。概略線図２では第１図と同じ部品
に同じ参随数字が与えられている。
結合している入力結合ループ１２に、直列に結合
されたヒ化ガリウムダイオード１１を有するYIG
同調ヒ化ガリウム発振器が示されている。矢印１
４によつて示されている直流同調磁界Hoが、
YIG発振器の共振周波数を決定する。出力ループ
１６が同軸ケーブル１７に信号電圧を与えるため
に、結合されている。ループ１６は、ループ１２
に直角である。概略線図２では第１図と同じ部品
に同じ参随数字が与えられている。
同調YIG半導体発振器と、その操作はよく知ら
れている。基本的には、発振周波数は、加えられ
た直流磁界によつて同調周波数を制御するYIG球
の同調可能な共振特性によつて決定される。送電
線又は、集中定数発振器の場合、高調波発振が生
じないから、非常に広範な同調範囲を得ることが
できる。YIG材料の同調特性は、マイクロ波にお
けるその低損失、高Ｑ性能故に他の同調装置より
すぐれている。一般的に、YIG発振器の操作は、
水晶内における各分子の磁器モーメントを生じる
回転電子によつて説明できる。外部直流磁界の印
加によつて、磁気双極子が、強い磁化を生じる磁
界の方向に整列する。磁界に直角などのような磁
力によつても、磁界の囲りで、双極子の歳差運動
を生じる。歳差運動の周波数は磁界の強さとYIG
材料の特性による。一般的に、出力電圧は、周波
数とともに変化する。一定の出力電圧を維持する
ことができるだけでなく、電圧の振幅の制御も行
なうことが望ましい。
れている。基本的には、発振周波数は、加えられ
た直流磁界によつて同調周波数を制御するYIG球
の同調可能な共振特性によつて決定される。送電
線又は、集中定数発振器の場合、高調波発振が生
じないから、非常に広範な同調範囲を得ることが
できる。YIG材料の同調特性は、マイクロ波にお
けるその低損失、高Ｑ性能故に他の同調装置より
すぐれている。一般的に、YIG発振器の操作は、
水晶内における各分子の磁器モーメントを生じる
回転電子によつて説明できる。外部直流磁界の印
加によつて、磁気双極子が、強い磁化を生じる磁
界の方向に整列する。磁界に直角などのような磁
力によつても、磁界の囲りで、双極子の歳差運動
を生じる。歳差運動の周波数は磁界の強さとYIG
材料の特性による。一般的に、出力電圧は、周波
数とともに変化する。一定の出力電圧を維持する
ことができるだけでなく、電圧の振幅の制御も行
なうことが望ましい。
本発明によれば、クリツパダイオードをYIG発
振器に結合することによつて、電圧を制限するこ
とが可能になる。しかしながら、YIG球の高Ｑ特
性によつて、周波数の動揺がなく、出力信号が、
正弦波のままである。
振器に結合することによつて、電圧を制限するこ
とが可能になる。しかしながら、YIG球の高Ｑ特
性によつて、周波数の動揺がなく、出力信号が、
正弦波のままである。
特に第１図及び第２図を参照すると、入力ルー
プ１２とYIG球１３とからなるYIG１３とからな
るYIG発振器に平列に結合されたクリツパダイオ
ード１８とバイパスコンデンサ１９の直列の組み
合せが示されている。変調制御電圧即ち直流電圧
Vmがダイオードとコンデンサの共通端子に印加
される。電圧Vmを選択することによつて、クリ
ツパダイオードは、電圧Vmと、ダイオード１８
の降伏電圧によつて決定される所定の電圧で導通
する。これは、ループ間のRF電圧の振幅を制限
し、それによつて、出力線１７における出力ルー
プ１６の電圧を制限する。
プ１２とYIG球１３とからなるYIG１３とからな
るYIG発振器に平列に結合されたクリツパダイオ
ード１８とバイパスコンデンサ１９の直列の組み
合せが示されている。変調制御電圧即ち直流電圧
Vmがダイオードとコンデンサの共通端子に印加
される。電圧Vmを選択することによつて、クリ
ツパダイオードは、電圧Vmと、ダイオード１８
の降伏電圧によつて決定される所定の電圧で導通
する。これは、ループ間のRF電圧の振幅を制限
し、それによつて、出力線１７における出力ルー
プ１６の電圧を制限する。
第３図及び第４図は、本発明を取入れた他の発
振器を示す。発振器は、YIG球２３に結合された
トランジスタ２２のエミツタ回路に結合ループ２
１を有する。バイアス電圧が、コンデンサ２６に
よつてバイパスされたエミツタに抵抗２４を通し
て、又、コレクタにインダクタンスコイル３７を
通して印加される。電圧制御クリツパ回路は、ク
リツパダイオード２７とコンデンサ２８を有す
る。制御電圧Vmがダイオード２７とコンデンサ
２８の共通端子に加えられる。帰還信号がインダ
クタンスコイル３４を通して、トランジスタ２２
のベースで得られる。発振器の出力は、コンデン
サ３６を通してコレクタから得られる。前述の如
く、出力電圧の振幅がダイオード２７のバイアス
によつて決められ、ダイオード２７はループ２１
の電圧振幅を制限し、したがつて出力の電圧を制
限する。
振器を示す。発振器は、YIG球２３に結合された
トランジスタ２２のエミツタ回路に結合ループ２
１を有する。バイアス電圧が、コンデンサ２６に
よつてバイパスされたエミツタに抵抗２４を通し
て、又、コレクタにインダクタンスコイル３７を
通して印加される。電圧制御クリツパ回路は、ク
リツパダイオード２７とコンデンサ２８を有す
る。制御電圧Vmがダイオード２７とコンデンサ
２８の共通端子に加えられる。帰還信号がインダ
クタンスコイル３４を通して、トランジスタ２２
のベースで得られる。発振器の出力は、コンデン
サ３６を通してコレクタから得られる。前述の如
く、出力電圧の振幅がダイオード２７のバイアス
によつて決められ、ダイオード２７はループ２１
の電圧振幅を制限し、したがつて出力の電圧を制
限する。
第３図の回路は、第４図の薄いフイルムの構造
で示されている。斜線領域は、絶縁層３８の上の
金属化を現わしている。構成要素の数字は第３図
の構成要素の数字と同じものである。
で示されている。斜線領域は、絶縁層３８の上の
金属化を現わしている。構成要素の数字は第３図
の構成要素の数字と同じものである。
第５図はYIG球４１、入力ループ４２、出力ル
ープ４３を含む帯域フイルタを示す。電圧振幅
は、ダイオード４４と、可変電圧Vmによつて制
御される。
ープ４３を含む帯域フイルタを示す。電圧振幅
は、ダイオード４４と、可変電圧Vmによつて制
御される。
第６図は、YIG球４８に結合された直列結合ル
ープ４７を有する帯域消去フイルターを示す。出
力電圧制御を、ダイオード４９と可変電圧Vmに
よつて行なう。
ープ４７を有する帯域消去フイルターを示す。出
力電圧制御を、ダイオード４９と可変電圧Vmに
よつて行なう。
第７図は、もう１つの帯域フイルターを示す。
このフイルターでは、電圧制御ダイオード５２と
バイパスコンデンサ５３を、YIG球５６に結合さ
れた出力ループ５４に結合する。これは、クリツ
パダイオードが、YIG発振器の入力ループ又は出
力ループのいずれかに結合されてもよいことを示
す。
このフイルターでは、電圧制御ダイオード５２と
バイパスコンデンサ５３を、YIG球５６に結合さ
れた出力ループ５４に結合する。これは、クリツ
パダイオードが、YIG発振器の入力ループ又は出
力ループのいずれかに結合されてもよいことを示
す。
かくして、RF電圧をクリツパダイオードと制
御電圧によつて制御するYIG発振器が提供され
た。
御電圧によつて制御するYIG発振器が提供され
た。
第１図は、YIG同調ヒ化ガリウム発振器の概略
図である、第２図は第１図のYIG発振器の概略的
な回路図である、第３図は、本発明の実施例の他
のYIG発振器の概略図である、第４図は第３図の
YIG共振器の斜視図である、第５図は、本発明の
組み込んだYIG同調帯域フイルターの概略図であ
る、第６図は、本発明を組み込んだ帯域消去YIG
フイルターの概略図である、第７図は、他のYIG
共振装置の概略図である。 １１……ヒ化ガリウムダイオード、１２，４
２，５７……入力結合ループ、１３，２３，４
１，４８，５６……YIG球、１６……出力ルー
プ、１７，４３，５４……同軸ケーブル。
図である、第２図は第１図のYIG発振器の概略的
な回路図である、第３図は、本発明の実施例の他
のYIG発振器の概略図である、第４図は第３図の
YIG共振器の斜視図である、第５図は、本発明の
組み込んだYIG同調帯域フイルターの概略図であ
る、第６図は、本発明を組み込んだ帯域消去YIG
フイルターの概略図である、第７図は、他のYIG
共振装置の概略図である。 １１……ヒ化ガリウムダイオード、１２，４
２，５７……入力結合ループ、１３，２３，４
１，４８，５６……YIG球、１６……出力ルー
プ、１７，４３，５４……同軸ケーブル。
Claims (1)
- １ 電圧制御YIG共振器であつて、YIG球と、前
記球に結合された入力結合ループと、前記YIG球
に磁界を与える装置と、共振器に発生する電圧を
制限するために、前記入力結合ループに結合され
たダイオードとからなり、前記ダイオードが共振
器の同調をほとんどずらさない電圧クリツパ装置
として作動することを特徴とする電圧制御式YIG
共振器。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US291618 | 1981-08-10 | ||
| US06/291,618 US4420731A (en) | 1981-08-10 | 1981-08-10 | Controlled voltage yttrium iron garnet (YIG) resonator apparatus |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58136109A JPS58136109A (ja) | 1983-08-13 |
| JPS6317361B2 true JPS6317361B2 (ja) | 1988-04-13 |
Family
ID=23121063
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57139083A Granted JPS58136109A (ja) | 1981-08-10 | 1982-08-10 | 電圧制御式イツトリウム鉄ガ−ネツト（ｙｉｇ）共振装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4420731A (ja) |
| JP (1) | JPS58136109A (ja) |
| DE (1) | DE3229043A1 (ja) |
| GB (1) | GB2105541B (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0628332B2 (ja) * | 1984-06-05 | 1994-04-13 | ソニー株式会社 | 受信機 |
| US4755772A (en) * | 1987-06-05 | 1988-07-05 | Avantek, Inc. | Switchable microwave oscillator |
| US4965539A (en) * | 1989-06-02 | 1990-10-23 | Watkins-Johnson Company | Microwave notch filter using pin diode shunted YIG resonators |
| US5294899A (en) * | 1992-07-29 | 1994-03-15 | Hewlett-Packard Company | YIG-tuned circuit with rotatable magnetic polepiece |
| US5291163A (en) * | 1992-07-29 | 1994-03-01 | Hewlett-Packard Company | YIG sphere positioning apparatus |
| US5955776A (en) * | 1996-12-04 | 1999-09-21 | Ball Semiconductor, Inc. | Spherical shaped semiconductor integrated circuit |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS49123752A (ja) * | 1973-03-30 | 1974-11-27 | ||
| JPS51108508A (ja) * | 1975-02-25 | 1976-09-25 | Hewlett Packard Yokogawa |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3067394A (en) * | 1960-07-22 | 1962-12-04 | Polarad Electronics Corp | Carrier wave overload protector having varactor diode resonant circuit detuned by overvoltage |
| US3435385A (en) * | 1966-03-04 | 1969-03-25 | Loral Corp | Electronically tunable yig filter having an electronically variable bandwidth |
| US3448414A (en) * | 1967-05-16 | 1969-06-03 | Us Army | Fast recovery switch limiter circuit |
| US3836875A (en) * | 1973-01-17 | 1974-09-17 | Ferranti Ltd | Microwave limiter having variable capacitance diode in tuned cavity |
-
1981
- 1981-08-10 US US06/291,618 patent/US4420731A/en not_active Expired - Fee Related
-
1982
- 1982-08-04 DE DE19823229043 patent/DE3229043A1/de not_active Withdrawn
- 1982-08-09 GB GB08222905A patent/GB2105541B/en not_active Expired
- 1982-08-10 JP JP57139083A patent/JPS58136109A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS49123752A (ja) * | 1973-03-30 | 1974-11-27 | ||
| JPS51108508A (ja) * | 1975-02-25 | 1976-09-25 | Hewlett Packard Yokogawa |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3229043A1 (de) | 1983-02-24 |
| GB2105541B (en) | 1985-02-27 |
| JPS58136109A (ja) | 1983-08-13 |
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| US4420731A (en) | 1983-12-13 |
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