JPS6317357A - 冷凍装置 - Google Patents

冷凍装置

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Publication number
JPS6317357A
JPS6317357A JP16245886A JP16245886A JPS6317357A JP S6317357 A JPS6317357 A JP S6317357A JP 16245886 A JP16245886 A JP 16245886A JP 16245886 A JP16245886 A JP 16245886A JP S6317357 A JPS6317357 A JP S6317357A
Authority
JP
Japan
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accumulator
compressor
condenser
room temperature
solenoid valve
Prior art date
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Pending
Application number
JP16245886A
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English (en)
Inventor
木下 実
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
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Publication of JPS6317357A publication Critical patent/JPS6317357A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は冷凍装置の容量制御機構に関するものである
〔従来の技術〕
第2図は従来の冷凍装置の冷媒系統図を示すものであり
、図において、1は圧縮機、2は凝縮器、3−a〜3−
cは送液用電磁弁、4−a〜4−cは膨張弁、5−a〜
5−cは蒸発器、6−a〜6−cは送風機、7はアキュ
ームレータ、8−a〜8−cは室温検知装置である。
次に動作について説明する。冷却運転中に室温が低下し
て設定室温まで低下すると、室温検知装置により発生し
た室温検知信号で送液用電磁弁をOFFすると共に送風
機も停止する。
しかし、たとえば、1つの室温検知装置8−aのみが室
温低下して、送液用電磁弁3−a、送風機6−aをOF
Fしても、他の室温検知装置が室温低下を検知しない場
合、圧縮機1は運転し冷凍サイクルを構成する必要があ
るため、残りの送液用電磁弁3−b、 3−c、送風機
6−b、 6−cはON状態を維持する。
このようにして、各室温が低下するごとに、室温に対応
した電磁弁7送風機をOFFしていき、全ての室温が設
定以下に下がった時に圧縮機1を停止する。
〔発明が解決しようとする問題点〕
従来の冷凍装置は以上のように構成されているので、各
室温が低下して送液電磁弁、送風機をOFFしていくに
従い、圧縮機容量に比較し蒸発器が小さすぎる組み合わ
せが生じ、低圧圧力が低下し、吐出温度の上昇で吐出温
度サーモが作動し、運転不能となる問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、圧縮機に対し蒸発器の組み合わせが小さくな
っても、吐出温度が上昇することなく、冷却運転ができ
る冷凍装置を得ることを目的とする。
〔問題点を解決するための手段〕
この発明に係る冷凍装置は、圧縮機の吐出口より、アキ
ュームレータ入口へ電磁弁を有するホットガスのバイパ
ス回路を構成し、凝縮器液出口よりアキュームレータ入
口へ電磁弁、膨張弁を有する送液回路を構成したもので
ある。
〔作用〕
この発明における冷凍装置は、圧縮機吐出口からアキュ
ームレータ入口へホットガスをバイパスすることにより
低圧の低下を防ぐとともに凝縮器液出口からアキューム
レータ入口への送液による熱交換で前記ホットガスのバ
イパスによる吐出温度の上昇が防止され、吸入ガス温度
の適正を保つために膨張弁で送液量をコントロールする
〔実施例〕
以下、この発明の一実施例を前記第2図と同一部分に同
一符号を付した第1図について説明する。
第1図において、9は圧縮器1の吐出口とアキュームレ
ータフの入口とを連結するホットガスのバイパス回路1
2に設けられた電磁弁、10.11は凝縮器2の液出口
とアキュームレータ7人口とを連結する送液回路13に
設けられた電磁弁、膨張弁である。
次に動作について説明する。a室の室温が温調設定値以
下まで下がったことを室温検知装置8−aが検知すると
、送液用電磁弁3−a、送風機6−aにOFF信号を出
し、a室の冷却運転を停止する。
同様にb室も室温が低下すると、同じ作動を行う。
このようにして、各室の室温が低下して、圧縮機1と蒸
発器2の組み合わせで圧縮機過大となったとき、このこ
とを不図示の制御回路で判断してホットガスバイパス用
電磁弁9と送液用電磁弁10を同時にONする。膨張弁
11は感温筒14をアキュームレータ出口に取付けてス
ーパーヒートコントロールを行い、送液量を調節する。
この調節により、圧縮機容量に比して、小さな蒸発器の
組み合わせが生じても、ホットガスのバイパス運転で圧
縮機1の吐出温度の上昇を押さえた容量制御運転が可能
となる。
なお、上記実施例では単段機の場合のホットガスバイパ
ス容量制御回路を示したが2段機の回路であってもよく
、上記実施例と同様の効果を奏する。
〔発明の効果〕
以上のように、この発明によれば、圧im機吐出口より
アキュームレータ入口へホットガスのバイパス回路を設
けるとともに凝縮器液出口よりアキュームレータ入口へ
送液回路を設けるように構成したので、圧縮機に対し蒸
発器の組み合わせが小さくなっても、圧縮機の吐出温度
が上昇することがなく、圧縮機に対し複数台の蒸発器を
個別に温調制御できる冷凍装置が得られる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の一実施例による冷凍装置を示す冷媒
系統図、第2図は従来の冷凍装置の冷媒系統図である。 1は圧縮機、2は凝縮器、5−a〜5−cは蒸発器、7
はアキュームレータ、9はホットガスバイパス用電磁弁
、10は送液用電磁弁、11は膨張弁、12はバイパス
回路、13は送液回路。 なお、図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。 第1図 1:圧綿檄。 2:二葵]二、牙5と114 5−aへ5−c:蕉梵券 7:アAニーへレータ 9:ホiトカ゛スバイパス用を石か、弁10:送5を使
用を庇昧井 11 : 月tシ 弓長すP 12:ハ′°イlマス凹斜し 13:L才E回劉ド 第2図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 吸収口にアキュームレータを連結し吐出口に凝縮器を連
    結した圧縮器と、前記アキュームレータと前記凝縮器と
    の間に互いに並列に連結した複数の蒸発器とを有する冷
    凍装置において、前記圧縮機吐出口と前記アキュームレ
    ータ入口との間に電磁弁を有するホットガスのバイパス
    回路を形成し、前記凝縮器液出口と前記アキュームレー
    タ入口との間に電磁弁、膨張弁を有する送液回路を形成
    したことを特徴とする冷凍装置。
JP16245886A 1986-07-10 1986-07-10 冷凍装置 Pending JPS6317357A (ja)

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Application Number Priority Date Filing Date Title
JP16245886A JPS6317357A (ja) 1986-07-10 1986-07-10 冷凍装置

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JP16245886A JPS6317357A (ja) 1986-07-10 1986-07-10 冷凍装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS6317357A true JPS6317357A (ja) 1988-01-25

Family

ID=15754996

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP16245886A Pending JPS6317357A (ja) 1986-07-10 1986-07-10 冷凍装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS6317357A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5084323A (en) * 1989-04-07 1992-01-28 Nippondenso Co., Ltd. Ceramic multi-layer wiring substrate and process for preparation thereof

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5084323A (en) * 1989-04-07 1992-01-28 Nippondenso Co., Ltd. Ceramic multi-layer wiring substrate and process for preparation thereof

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