JPS63168038A - レ−ザマ−キング装置 - Google Patents
レ−ザマ−キング装置Info
- Publication number
- JPS63168038A JPS63168038A JP31540186A JP31540186A JPS63168038A JP S63168038 A JPS63168038 A JP S63168038A JP 31540186 A JP31540186 A JP 31540186A JP 31540186 A JP31540186 A JP 31540186A JP S63168038 A JPS63168038 A JP S63168038A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- base plate
- optical system
- system unit
- semiconductor package
- rocked
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000010330 laser marking Methods 0.000 title claims description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 23
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 15
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 241000406668 Loxodonta cyclotis Species 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
(産業上の利用分野)
本発明は、特に樹脂製の半導体パッケージの表面にレー
ザによるマークを付ける時に使用するレーザマーキング
装置に関する。
ザによるマークを付ける時に使用するレーザマーキング
装置に関する。
(従来の技術)
上記レーザマーキング装置は、例えば第4図に示すよう
に、ベース板1に反射ミラー3、シリンドリカルレンズ
4、マスクパターンのマスク5及び集光レンズ6からな
る光学系ユニット2を直列的に固着し、レーザ発振器か
ら照射されるレーザ光を、反射ミラー3で90″変換し
て反射させ、この反射したレーザ光をシリンドリカルレ
ンズ4で集束させ、この集束光をマスクパターンのマス
ク5を透過させ、この透過光を集光レンズ6で集光させ
て半導体パッケージ7に入射させることにより、半導体
パッケージ7の表面のマーク位置Mにレーザによるマー
クを付けるものである。
に、ベース板1に反射ミラー3、シリンドリカルレンズ
4、マスクパターンのマスク5及び集光レンズ6からな
る光学系ユニット2を直列的に固着し、レーザ発振器か
ら照射されるレーザ光を、反射ミラー3で90″変換し
て反射させ、この反射したレーザ光をシリンドリカルレ
ンズ4で集束させ、この集束光をマスクパターンのマス
ク5を透過させ、この透過光を集光レンズ6で集光させ
て半導体パッケージ7に入射させることにより、半導体
パッケージ7の表面のマーク位置Mにレーザによるマー
クを付けるものである。
従来、1−記装置において半導体パッケージ7に対して
マーク位置Mを任意に変換したい場合で、新たなマーク
位置M′との変換msが小さく、2關程度以下(S≦2
IIII)の場合には、第5図に示すように、集光レン
ズ6のみを移動させたい方向に移動させることにより、
新たなマーク位置M′にマークを付けることができる。
マーク位置Mを任意に変換したい場合で、新たなマーク
位置M′との変換msが小さく、2關程度以下(S≦2
IIII)の場合には、第5図に示すように、集光レン
ズ6のみを移動させたい方向に移動させることにより、
新たなマーク位置M′にマークを付けることができる。
しかしながら、この変換全が多い時には、集光レンズ6
のみを移動させるだけでは不十分である。このため、第
6図に示すように、光学系ユニット2を固着したべ−ス
板1を二本のレール8.8でス[シ行移動自在に支持し
、この移動はを調節することにより十分な変換はを得る
ようにしたり、第7図に示すように、光学系ユニット2
を固着したベース板1を固定しておき、半導体パッケー
ジ7をリードフレーム9を介して前後勤口(1:となし
て、この前後動により十分は変換量を得るようにしたり
、また第8図に示すように、ベース板1に光学系ユニッ
ト2を固着したものを、各通路毎に並列的に設置すると
ともに、各光学系ユニット2にレーザ光を照射するよう
にすることが一般に行われたいた。
のみを移動させるだけでは不十分である。このため、第
6図に示すように、光学系ユニット2を固着したべ−ス
板1を二本のレール8.8でス[シ行移動自在に支持し
、この移動はを調節することにより十分な変換はを得る
ようにしたり、第7図に示すように、光学系ユニット2
を固着したベース板1を固定しておき、半導体パッケー
ジ7をリードフレーム9を介して前後勤口(1:となし
て、この前後動により十分は変換量を得るようにしたり
、また第8図に示すように、ベース板1に光学系ユニッ
ト2を固着したものを、各通路毎に並列的に設置すると
ともに、各光学系ユニット2にレーザ光を照射するよう
にすることが一般に行われたいた。
(発明が解決しようとする問題点)
しかしながら、上記第6図に示すものは、機構的に)M
雑となるばかりでなく、形状も大きく、しかも全体的に
重量も増大し、史に短い時間での変換が困難であった。
雑となるばかりでなく、形状も大きく、しかも全体的に
重量も増大し、史に短い時間での変換が困難であった。
また、第7図に示すものは、半導体パッケージを前後に
移動させるための機構が必要となって装置自体の機構が
複雑となり、価格がアップし、しかも生産能力にも限界
があった。
移動させるための機構が必要となって装置自体の機構が
複雑となり、価格がアップし、しかも生産能力にも限界
があった。
更に、第8図に示すものは、段数の光学系二ニットが必
要となって、価格の大幅なアップに繋がるばかりでなく
、かなり大きな設置スペースが必要であるといった問題
点があった。
要となって、価格の大幅なアップに繋がるばかりでなく
、かなり大きな設置スペースが必要であるといった問題
点があった。
本発明は1−記に鑑み、安価で、トラブルの少ない比較
的簡単な機構であって、しかも微少時間で大きな変換が
できるものを提供することを目的としてなされたもので
ある。
的簡単な機構であって、しかも微少時間で大きな変換が
できるものを提供することを目的としてなされたもので
ある。
(問題点を解決するための手段)
本発明は上記目的を達成するため、半導体パッケージの
表面にレーザマークを付ける光学系ユニットをベース板
に直列的に固着するとともに、このベース板の上端を揺
動自在に支承したものである。
表面にレーザマークを付ける光学系ユニットをベース板
に直列的に固着するとともに、このベース板の上端を揺
動自在に支承したものである。
(作 用)
而して、半導体パッケージのマーク位置を変換する場合
には、ベース板を揺動させることにより、これに伴って
このベース板に固着した光学系ユニット全体を揺動させ
、これによってこのマーク位置の変換を行うものである
。
には、ベース板を揺動させることにより、これに伴って
このベース板に固着した光学系ユニット全体を揺動させ
、これによってこのマーク位置の変換を行うものである
。
(実施例)
第1図は本発明の一実施例を示すもので、ベース板1に
は反射ミラー3、シリンドリカルレンズ4、マスクパタ
ーンのマスク5及び集光レンズ6からなる光学系ユニッ
ト2が直列的に固着されている。そして、レーザ発振器
から照射されるレーザ光を、反射ミラー3で90°変換
して反射させ、この反射したレーザ光をシリンドリカル
レンズ4で集束させた後、この集束光をマスクパターン
のマスク5を透過させ、この透過光を集光レンズ6で集
光させて半導体パッケージ7に入射させることにより、
半導体パッケージ7の表面のマーク位75Mにレーザに
よるマークを付けるよう構成されている。
は反射ミラー3、シリンドリカルレンズ4、マスクパタ
ーンのマスク5及び集光レンズ6からなる光学系ユニッ
ト2が直列的に固着されている。そして、レーザ発振器
から照射されるレーザ光を、反射ミラー3で90°変換
して反射させ、この反射したレーザ光をシリンドリカル
レンズ4で集束させた後、この集束光をマスクパターン
のマスク5を透過させ、この透過光を集光レンズ6で集
光させて半導体パッケージ7に入射させることにより、
半導体パッケージ7の表面のマーク位75Mにレーザに
よるマークを付けるよう構成されている。
」−記ベース板1の]二端には光学系ユニット2のh゛
向に突出した突出片1aが一体に連接され、この突出片
1aの上記光学系ユニット2の中心の延長方向との交点
は、枢軸10が挿着されて、この枢軸10を介してベー
ス板1が揺動自在に支承されている。
向に突出した突出片1aが一体に連接され、この突出片
1aの上記光学系ユニット2の中心の延長方向との交点
は、枢軸10が挿着されて、この枢軸10を介してベー
ス板1が揺動自在に支承されている。
而して、半導体パッケージ7のマーク位置Mを変換して
M′又はM′にマークを付ける時は、枢軸10を中心と
してベース板1を揺動させ、これによって光学系ユニッ
ト2を全体として一体に揺動させてレーザ光の光軸を振
らせてこのマーク位置の変換を行うのである。
M′又はM′にマークを付ける時は、枢軸10を中心と
してベース板1を揺動させ、これによって光学系ユニッ
ト2を全体として一体に揺動させてレーザ光の光軸を振
らせてこのマーク位置の変換を行うのである。
なお、枢軸10の設定位置は、マーク位置M。
M′及びM′の変換量に応じて任意の位置に設定するこ
とができる。ここに、この変換量が多きいほど反射ミラ
ー3から遠い位置に設定した方が、この反射ミラー3に
対する反射角と理想光軸とのずれを少なくする」二で好
ましい。
とができる。ここに、この変換量が多きいほど反射ミラ
ー3から遠い位置に設定した方が、この反射ミラー3に
対する反射角と理想光軸とのずれを少なくする」二で好
ましい。
また、第2図に示すように、ベース板1ひいては光学系
ユニット2が揺動角αだけ揺動すると、フォーカスのぼ
けlaAが生じるが、集光レンズ7は焦点深度の深いも
のほど、この瓜は少なくて済み、マークが鮮明に打てて
有利である。しかも、この時の象のひずみIlmBは非
常に微少であるため、汝のひずみには影響を受けること
はない。
ユニット2が揺動角αだけ揺動すると、フォーカスのぼ
けlaAが生じるが、集光レンズ7は焦点深度の深いも
のほど、この瓜は少なくて済み、マークが鮮明に打てて
有利である。しかも、この時の象のひずみIlmBは非
常に微少であるため、汝のひずみには影響を受けること
はない。
更に、第3図(イ)で示すように、理論光軸は反射ミラ
ー3に対して45°の角度であるが、光学系ユニット2
の揺動に伴って、同図(ロ)で示すように、実線の実際
の光軸と破線の理論光軸との間に角度βのずれが生じて
象のひずみが出るが、この角度βは非常に微少のため、
事実上問題はない。
ー3に対して45°の角度であるが、光学系ユニット2
の揺動に伴って、同図(ロ)で示すように、実線の実際
の光軸と破線の理論光軸との間に角度βのずれが生じて
象のひずみが出るが、この角度βは非常に微少のため、
事実上問題はない。
本発明は上記のような構成であるので、非常に簡単な機
構でかなり大きなマーク位置の変換を容易に行うことが
できるばかりでなく、この変換スピードも揺動運動を利
用した角度変更のため高速で行うことができる。更に、
形状的にコンパクトで、トラブルも少なく、しかも非常
に安価に製作することができるといった効果がある。
構でかなり大きなマーク位置の変換を容易に行うことが
できるばかりでなく、この変換スピードも揺動運動を利
用した角度変更のため高速で行うことができる。更に、
形状的にコンパクトで、トラブルも少なく、しかも非常
に安価に製作することができるといった効果がある。
第1図は本発明の一実施例を示す側面図、第2図は揺動
前後の光の入射の状態の説明図、第3図(イ)は理想的
な光の反射状態を示す図、同図(ロ)は本発明による揺
動後の光の反射状態を示ず図、第4図は従来の微少位置
変換前の、第5図は同じく変換後の状態を示す側面図、
第6図乃至第8図は夫々異なる従来の位置変換機構を備
えた装置の斜視図である。 1・・・ベース板、2・・・光学系ユニット、3・・・
反射ミラー、4・・・シリンドリカルレンズ、5・・・
マスク、6・・・集光レンズ、7・・半導体パッケージ
、10・・・枢軸。 出願人代理人 佐 藤 −雄 弔1目 (イ) 弔3 第2目 図
前後の光の入射の状態の説明図、第3図(イ)は理想的
な光の反射状態を示す図、同図(ロ)は本発明による揺
動後の光の反射状態を示ず図、第4図は従来の微少位置
変換前の、第5図は同じく変換後の状態を示す側面図、
第6図乃至第8図は夫々異なる従来の位置変換機構を備
えた装置の斜視図である。 1・・・ベース板、2・・・光学系ユニット、3・・・
反射ミラー、4・・・シリンドリカルレンズ、5・・・
マスク、6・・・集光レンズ、7・・半導体パッケージ
、10・・・枢軸。 出願人代理人 佐 藤 −雄 弔1目 (イ) 弔3 第2目 図
Claims (1)
- 半導体パッケージの表面にレーザマークを付ける光学系
ユニットをベース板に直列的に固着するとともに、この
ベース板の上端を揺動自在に支承したことを特徴とする
レーザマーキング装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31540186A JPS63168038A (ja) | 1986-12-27 | 1986-12-27 | レ−ザマ−キング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31540186A JPS63168038A (ja) | 1986-12-27 | 1986-12-27 | レ−ザマ−キング装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63168038A true JPS63168038A (ja) | 1988-07-12 |
Family
ID=18064947
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP31540186A Pending JPS63168038A (ja) | 1986-12-27 | 1986-12-27 | レ−ザマ−キング装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63168038A (ja) |
-
1986
- 1986-12-27 JP JP31540186A patent/JPS63168038A/ja active Pending
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