JPS63165754A - 半導体中の格子欠陥測定方法 - Google Patents
半導体中の格子欠陥測定方法Info
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 25
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 23
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 58
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 55
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 38
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 37
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 37
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 36
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 36
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 36
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims description 25
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims description 11
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 10
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 claims description 4
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 abstract description 6
- 230000008859 change Effects 0.000 abstract description 5
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 abstract description 2
- 230000009545 invasion Effects 0.000 abstract 1
- 230000009102 absorption Effects 0.000 description 9
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 9
- 238000005293 physical law Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- CVOFKRWYWCSDMA-UHFFFAOYSA-N 2-chloro-n-(2,6-diethylphenyl)-n-(methoxymethyl)acetamide;2,6-dinitro-n,n-dipropyl-4-(trifluoromethyl)aniline Chemical compound CCC1=CC=CC(CC)=C1N(COC)C(=O)CCl.CCCN(CCC)C1=C([N+]([O-])=O)C=C(C(F)(F)F)C=C1[N+]([O-])=O CVOFKRWYWCSDMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 1
- 238000000516 activation analysis Methods 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000053 physical method Methods 0.000 description 1
- 229910001414 potassium ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 238000003908 quality control method Methods 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 description 1
- 239000002023 wood Substances 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N29/00—Investigating or analysing materials by the use of ultrasonic, sonic or infrasonic waves; Visualisation of the interior of objects by transmitting ultrasonic or sonic waves through the object
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N29/00—Investigating or analysing materials by the use of ultrasonic, sonic or infrasonic waves; Visualisation of the interior of objects by transmitting ultrasonic or sonic waves through the object
- G01N29/04—Analysing solids
- G01N29/07—Analysing solids by measuring propagation velocity or propagation time of acoustic waves
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N2291/00—Indexing codes associated with group G01N29/00
- G01N2291/02—Indexing codes associated with the analysed material
- G01N2291/028—Material parameters
- G01N2291/02827—Elastic parameters, strength or force
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N2291/00—Indexing codes associated with group G01N29/00
- G01N2291/02—Indexing codes associated with the analysed material
- G01N2291/028—Material parameters
- G01N2291/02881—Temperature
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- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N2291/00—Indexing codes associated with group G01N29/00
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- G01N2291/028—Material parameters
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
半導体中において非調和系励起を呈する格子欠陥の濃度
又は密度の測定方法において、半導体の弾性定数を測定
して、格子欠陥濃度又は格子欠陥密度に換算することに
より、高濃度ドープの半導体に対しても、その格子欠陥
の濃度又は密度を非破壊で、精度良く測定できるように
したものである。
又は密度の測定方法において、半導体の弾性定数を測定
して、格子欠陥濃度又は格子欠陥密度に換算することに
より、高濃度ドープの半導体に対しても、その格子欠陥
の濃度又は密度を非破壊で、精度良く測定できるように
したものである。
本発明は半導体中の格子欠陥測定方法に係り、特にシリ
コン結晶中の侵入型（格子間型）不純物酸素の濃度測定
に関する。
コン結晶中の侵入型（格子間型）不純物酸素の濃度測定
に関する。
ＶＬＳＩの基板などの半導体デバイスに広く使用される
シリコン結晶はできるだけ高純度であることが要求され
ているが、不純動杆によっては逆にそれを利用する場合
もある。この不純物のうち、最も濃度が＾い侵入型不純
物酸素がその典型例であり、これは熱処理により析出し
、それに伴う結晶欠陥を利用する（ＩＧ技＃４）ために
、その不純物調度の規定及びそれに応じたプロセス条件
の最適化が必要とされる。また、シリコン結晶の製造や
品質管埋においても、それに含まれる不純物酸素濃度の
評価を必要とする。このため、侵入型不純物ｌ！索濃度
を測定し、把握することが不要となる。
シリコン結晶はできるだけ高純度であることが要求され
ているが、不純動杆によっては逆にそれを利用する場合
もある。この不純物のうち、最も濃度が＾い侵入型不純
物酸素がその典型例であり、これは熱処理により析出し
、それに伴う結晶欠陥を利用する（ＩＧ技＃４）ために
、その不純物調度の規定及びそれに応じたプロセス条件
の最適化が必要とされる。また、シリコン結晶の製造や
品質管埋においても、それに含まれる不純物酸素濃度の
評価を必要とする。このため、侵入型不純物ｌ！索濃度
を測定し、把握することが不要となる。
従来、シリコン結晶中の格子欠陥である侵入型不純物酸
素濃度は、それに固有な波長の吸収を起こりことを利用
した赤外吸収法や遠赤外吸収法により、吸収強度から比
例換算することによつ′Ｃ測定されていた。
素濃度は、それに固有な波長の吸収を起こりことを利用
した赤外吸収法や遠赤外吸収法により、吸収強度から比
例換算することによつ′Ｃ測定されていた。
侵入型不純物酸素に固有な赤外吸収のうち、最も広く用
いられているのは、波数１１０６０−１の吸収バンドで
ある。低温（〜２ＯＫ以下）においては、遠赤外域での
固有吸収（２５〜７０ｍ’）を利用することができ、精
度的には赤外吸収を上回るが、低湿装置を必要とするこ
とから、ルーチンワークとしては不向きである。
いられているのは、波数１１０６０−１の吸収バンドで
ある。低温（〜２ＯＫ以下）においては、遠赤外域での
固有吸収（２５〜７０ｍ’）を利用することができ、精
度的には赤外吸収を上回るが、低湿装置を必要とするこ
とから、ルーチンワークとしては不向きである。
これらの赤外線や遠赤外線を用いた光学的評価方法は、
シリコン結晶中に含まれるドーパント（Ｐ、Ｂ、Ａｓ
、Ｓｂなど）′ａ度が高くなるにつれて、徐々に困難と
なり、実用度の高い抵抗率０．０５〜ｏ、 ｏｏｓΩ・
ｃｍの低抵抗（ａｉ淵度ドープ）のシリコン結晶に対し
ては、下記の表に示す理由から室温及び低温のどちらの
場合にも、侵入型不純物酸素濃度の測定は不可能であっ
た。
シリコン結晶中に含まれるドーパント（Ｐ、Ｂ、Ａｓ
、Ｓｂなど）′ａ度が高くなるにつれて、徐々に困難と
なり、実用度の高い抵抗率０．０５〜ｏ、 ｏｏｓΩ・
ｃｍの低抵抗（ａｉ淵度ドープ）のシリコン結晶に対し
ては、下記の表に示す理由から室温及び低温のどちらの
場合にも、侵入型不純物酸素濃度の測定は不可能であっ
た。
一方、上記の光学的方法以外の方法で、特に高漠庶ドー
プのシリコン結晶中における不純物酸素の濃度定量を行
なう方法として、従来より■２次イＡン質吊分析（ＳＩ
ＭＳ分析）、■放射化分析。
プのシリコン結晶中における不純物酸素の濃度定量を行
なう方法として、従来より■２次イＡン質吊分析（ＳＩ
ＭＳ分析）、■放射化分析。
■Ｐ、１ネルギー電ｆ線電調線照射てアクセプタを補償
した後に、赤外吸収測定を行なう１ノ法などが知られて
いる。
した後に、赤外吸収測定を行なう１ノ法などが知られて
いる。
しかし、上記の■及び■の方法では、結晶に含まれるす
べての酸素が、その状態の如何に拘らず、甲に不純物酸
素として、ひとまとめの形で検出されてしまい、半導体
デバイスｙＪ造上、最ム重要視される侵入型不純物酸素
だけを区別して定植することが原理的に不可能であった
。
べての酸素が、その状態の如何に拘らず、甲に不純物酸
素として、ひとまとめの形で検出されてしまい、半導体
デバイスｙＪ造上、最ム重要視される侵入型不純物酸素
だけを区別して定植することが原理的に不可能であった
。
また、■の方法は、侵入型不純物酸素だけを区別して定
量することができるが、高１ネルギーの電子線照射を行
なうため、非常な手間をｆ５でるだけでなく、高エネル
ギー電子線照射のために測定対象のシリコン結晶の状態
を変化させてしまっている疑いもあり、−秤の破壊性測
定と８える。更に、■の方法はその方法上、Ｐ４１の結
晶のみにしかｌ】効でなかった。
量することができるが、高１ネルギーの電子線照射を行
なうため、非常な手間をｆ５でるだけでなく、高エネル
ギー電子線照射のために測定対象のシリコン結晶の状態
を変化させてしまっている疑いもあり、−秤の破壊性測
定と８える。更に、■の方法はその方法上、Ｐ４１の結
晶のみにしかｌ】効でなかった。
本発明は上記の点に鑑みて創伯されたもので、格子欠陥
の濃度（又は密度）を非破壊で精度良く測定することが
できる半導体中の格子欠陥測定方法を提供することを目
的とする。
の濃度（又は密度）を非破壊で精度良く測定することが
できる半導体中の格子欠陥測定方法を提供することを目
的とする。
本発明は、近ｑようやり認識されつつある次のような物
理法則を利用したちのである。その物理法則と１、ｔ、
結晶中に、外的な歪と強く結合する圧力に対し′Ｃ敏感
な非調和性の低エネルギー量子準位（低［ネルギー素励
起）が存在する場合には、そのｆｆｉ″Ｆ準位いのエネ
ルギー間隔Δとボルツンン定数にとの比Δ／に程度の絶
対ｆＡ度で、結晶の弾性定数は、そのような５子準位が
ない場合に比べて異常な温度変化を示す、というもので
ある。
理法則を利用したちのである。その物理法則と１、ｔ、
結晶中に、外的な歪と強く結合する圧力に対し′Ｃ敏感
な非調和性の低エネルギー量子準位（低［ネルギー素励
起）が存在する場合には、そのｆｆｉ″Ｆ準位いのエネ
ルギー間隔Δとボルツンン定数にとの比Δ／に程度の絶
対ｆＡ度で、結晶の弾性定数は、そのような５子準位が
ない場合に比べて異常な温度変化を示す、というもので
ある。
本発明８雪は、この物理法則が１１調和木励起を呈づる
格子欠陥を含む半導体に対しても適用できることを知見
し、本発明を完成させるに至った。
格子欠陥を含む半導体に対しても適用できることを知見
し、本発明を完成させるに至った。
すなわら、本発明は半導体中においてノ１調相素励起を
呈する格子欠陥の濃度又は密度の測定において、半導体
の弾性定数を測定し、その測定値を格子欠陥のａ度又は
密ｒαに換算することを特徴とする半導体中の格子欠陥
測定方法である。
呈する格子欠陥の濃度又は密度の測定において、半導体
の弾性定数を測定し、その測定値を格子欠陥のａ度又は
密ｒαに換算することを特徴とする半導体中の格子欠陥
測定方法である。
これまでに、不純物結晶系における、前記した弾性異常
（不純物がない場合に比べての異常温度変化）の例は少
数確認されているが、それらは大体イオン性結晶や金属
中の小さな不純物によるものである。これらの系では、
母体結晶中の大きなすきま（置換型では母体結晶イオン
のスペース）の中に、原子（イオン）Ｙ径の小さな不純
物がゆるく束縛されて存在するために、不純物原子は多
数の安定位置を巡るトンネル運動、あるいは広い運動領
域を有する非調和運動をすることになり、これが弾性異
常にとって重要な低エネルギー素励起となっていた。
（不純物がない場合に比べての異常温度変化）の例は少
数確認されているが、それらは大体イオン性結晶や金属
中の小さな不純物によるものである。これらの系では、
母体結晶中の大きなすきま（置換型では母体結晶イオン
のスペース）の中に、原子（イオン）Ｙ径の小さな不純
物がゆるく束縛されて存在するために、不純物原子は多
数の安定位置を巡るトンネル運動、あるいは広い運動領
域を有する非調和運動をすることになり、これが弾性異
常にとって重要な低エネルギー素励起となっていた。
この様子を、イオン結晶不純物系であるＫＣ之：１−ｉ
を例にとって第４図に丞す。同図中、Ｋ＋イオンの大き
なすきま１の中に、置換型不純物としてｌ ｉ＋イオン
２がゆるく束縛されており、１−ｉ＋イオン２はこのす
きま１内を黒丸３で示す如く多数の安定位置を巡るトン
ネル運動（非調和運動）をする。
を例にとって第４図に丞す。同図中、Ｋ＋イオンの大き
なすきま１の中に、置換型不純物としてｌ ｉ＋イオン
２がゆるく束縛されており、１−ｉ＋イオン２はこのす
きま１内を黒丸３で示す如く多数の安定位置を巡るトン
ネル運動（非調和運動）をする。
一方、半導体中において非調和素励起を♀する格子欠陥
としては、シリコン（Ｓｉ ）結晶中の侵入型不純物ｌ
素が挙げられ、この侵入型不純物酸素の非調和振動によ
る低エネルギー量子準位は第５図に示す如くになる。し
かし、この侵入型不純物酸素が呈する低エネルギー素励
起のメカニズムは、前記イオン性結晶不純物系のそれと
は大分穴なる。
としては、シリコン（Ｓｉ ）結晶中の侵入型不純物ｌ
素が挙げられ、この侵入型不純物酸素の非調和振動によ
る低エネルギー量子準位は第５図に示す如くになる。し
かし、この侵入型不純物酸素が呈する低エネルギー素励
起のメカニズムは、前記イオン性結晶不純物系のそれと
は大分穴なる。
寸なわち、この系では不純物酸素は侵入型であるために
、必ずしも母体結晶中の大ぎなすきまの中に弱く束縛さ
れているという描像はあてはまらない。不純物酸素の共
有結合原子半径もそれ程小さいとはいえない。むしろ、
不純物酸素は第６図に０で示す如く、母体結晶のすきま
としては最も小さな５ｉ−８ｉ共有結合軸のほぼ中間に
取り込まれることになる。
、必ずしも母体結晶中の大ぎなすきまの中に弱く束縛さ
れているという描像はあてはまらない。不純物酸素の共
有結合原子半径もそれ程小さいとはいえない。むしろ、
不純物酸素は第６図に０で示す如く、母体結晶のすきま
としては最も小さな５ｉ−８ｉ共有結合軸のほぼ中間に
取り込まれることになる。
しかしながら、この不純物酸素は、その両側の２つのシ
リコン原子と共有結合を結び、その結合ボデンシャルの
引力部分と斥力部分との微妙な競合の結果（あるいは、
一種のヤーン・アラ−効果の結果）、斥力がやや優勢と
なり、もとの５ｉ−３ｉ結合軸から少しはずれた場所に
位蔽することになる。その結果、第６図に示すように、
不純物！！素はその結合軸の回りに回転を含んだ非調和
性の振動運動をすることになり、これが低エネルギー素
励起となっている。
リコン原子と共有結合を結び、その結合ボデンシャルの
引力部分と斥力部分との微妙な競合の結果（あるいは、
一種のヤーン・アラ−効果の結果）、斥力がやや優勢と
なり、もとの５ｉ−３ｉ結合軸から少しはずれた場所に
位蔽することになる。その結果、第６図に示すように、
不純物！！素はその結合軸の回りに回転を含んだ非調和
性の振動運動をすることになり、これが低エネルギー素
励起となっている。
Ｊなわち、シリコン結晶中の侵入へり不純物酸素の場合
は、その低エネルギー素励起の発生ヤ）メカニズムを、
前記した絶縁体（イオン性結晶）や金属などの場合から
は類推することのできない角質の系であるといえる。事
実、−口に低エネルギー素励起といっても、イオン性結
晶や金属の系では、そのオリジンのために吊子準位のエ
ネルギー間隔は大略０．１〜０．３ｍｃＶであるのに対
し、シリコン結晶中の侵入型不純物酸素のｍ了準位のエ
ネルギ−間ｒ４Ａ（第５図にΔで示す）は、これよりも
１桁大きくなっている。
は、その低エネルギー素励起の発生ヤ）メカニズムを、
前記した絶縁体（イオン性結晶）や金属などの場合から
は類推することのできない角質の系であるといえる。事
実、−口に低エネルギー素励起といっても、イオン性結
晶や金属の系では、そのオリジンのために吊子準位のエ
ネルギー間隔は大略０．１〜０．３ｍｃＶであるのに対
し、シリコン結晶中の侵入型不純物酸素のｍ了準位のエ
ネルギ−間ｒ４Ａ（第５図にΔで示す）は、これよりも
１桁大きくなっている。
しかしながら、本発明者等は、前記した物理法則がシリ
コン結晶中の侵入型不純物酸素の場合にも成立すること
を見い出した。すなわち、侵入型不純物酸素が入ったシ
リコン結晶と、侵入型不純物Ｐ！県を含まないシリコン
結晶とでは、弾性定数の温度変化は顕著な違いを生ずる
ことを実験的に確認し、理論的考察もてれを裏付ける結
果となった。
コン結晶中の侵入型不純物酸素の場合にも成立すること
を見い出した。すなわち、侵入型不純物酸素が入ったシ
リコン結晶と、侵入型不純物Ｐ！県を含まないシリコン
結晶とでは、弾性定数の温度変化は顕著な違いを生ずる
ことを実験的に確認し、理論的考察もてれを裏付ける結
果となった。
シリコン結晶中の侵入型不純物酸素の回転的非調和振動
に起因する低エネルギー吊子準位は大体Δ〜４ ｌｅＶ
であり、敏感な圧力依存性を示すことが知られていた。
に起因する低エネルギー吊子準位は大体Δ〜４ ｌｅＶ
であり、敏感な圧力依存性を示すことが知られていた。
そこで、周波数が１０ＭＨｚの超ｎ波のハ速を測定する
ことによって弾性定数を測定した。侵入型不純物酸素を
含むシリコン結晶の弾性定数が、侵入型不純物酸素を含
まないシリコン結晶の弾性定数に比し大きく異なる＠（
異常量）δは、相対値にして１０’！！ｉ！度であるが
、音速測定の精度は同様な相対精度にして１０−６まで
保証できるので、２桁稈Ｔｑの余裕があり、十分に信頼
性のある測定ができたといえる。
ことによって弾性定数を測定した。侵入型不純物酸素を
含むシリコン結晶の弾性定数が、侵入型不純物酸素を含
まないシリコン結晶の弾性定数に比し大きく異なる＠（
異常量）δは、相対値にして１０’！！ｉ！度であるが
、音速測定の精度は同様な相対精度にして１０−６まで
保証できるので、２桁稈Ｔｑの余裕があり、十分に信頼
性のある測定ができたといえる。
前記した物理法１１１Ｊによれば、侵入型不純物酸素の
濃度と、上記の異常量δとは、通常の濃度範囲では比例
関係にあるので、この異常量δを測定することによって
、侵入型不純物酸素の１１度を定量することができる。
濃度と、上記の異常量δとは、通常の濃度範囲では比例
関係にあるので、この異常量δを測定することによって
、侵入型不純物酸素の１１度を定量することができる。
本発明によれば、赤外又は遠赤外を用いた従来の光学的
評ｒｌｌｊｈ法では測定不可能であったへ淵度ドープ（
ドナー又はアクセプタ不純物を０．ｌｐｐｍ以上含む）
のシリコン結晶中の侵入〜１不純物酸素の濃１αを、高
波（弾性波）を用いることによって測定することができ
、また、侵入型不純物酸素のｉ１１度だけを区別して非
破壊で精度Ｑく測定することができる。更に、Ｐ型結晶
だけでなく Ｎ ’ｌ’ｌ結晶中の侵入型不純物酸素の
濃度も測定することができる。
評ｒｌｌｊｈ法では測定不可能であったへ淵度ドープ（
ドナー又はアクセプタ不純物を０．ｌｐｐｍ以上含む）
のシリコン結晶中の侵入〜１不純物酸素の濃１αを、高
波（弾性波）を用いることによって測定することができ
、また、侵入型不純物酸素のｉ１１度だけを区別して非
破壊で精度Ｑく測定することができる。更に、Ｐ型結晶
だけでなく Ｎ ’ｌ’ｌ結晶中の侵入型不純物酸素の
濃度も測定することができる。
第１図は超音波音速測定によるシリコン結晶の弾性定数
測定結束の一実！例を示す。この測定結果は第２図に示
寸低温クライオスタットにより測定したしのである。
測定結束の一実！例を示す。この測定結果は第２図に示
寸低温クライオスタットにより測定したしのである。
第２図において、低温クライオスタット５は３つの槽６
，７及び８からなり、そのうちの第１の槽６は真空断熱
槽（〜１０−６ｔｏｒｒ） 、第２の槽７は液体窒素が
封入されている冷媒槽、第３の１ｆｆ８は液体ヘリウム
が封入されている冷媒槽である。
，７及び８からなり、そのうちの第１の槽６は真空断熱
槽（〜１０−６ｔｏｒｒ） 、第２の槽７は液体窒素が
封入されている冷媒槽、第３の１ｆｆ８は液体ヘリウム
が封入されている冷媒槽である。
低温クライオスタット５の中央内部には、試料室９を先
端に有する測定棒１０が挿入され、測定棒１０の他端は
超音波パルスの発振、検知用電気系へ接続されるコード
１１．１２、試料の温調のためヒータコントローラに接
続されるコード１３、及び熱電対１４などが接続されて
いる。
端に有する測定棒１０が挿入され、測定棒１０の他端は
超音波パルスの発振、検知用電気系へ接続されるコード
１１．１２、試料の温調のためヒータコントローラに接
続されるコード１３、及び熱電対１４などが接続されて
いる。
試料室９の内部は第３図に示す如く構成されており、試
料（ここではシリコン結晶で、５顯×５層角、長さ１５
ｊｗ）１５の上部と下部に、ピエゾ素子を用いた超８波
パルストランスデ１−サ１６及び１７を接着したものが
内蔵されている。また、それらに接近して、温度分布を
一様にするための金属性ホルダがあり、そこに熱雷対１
８が取付けられている。更に、それら全体が温調用ヒー
タ線が巻回された円筒ソレノイド１９内に収納されてい
る。
料（ここではシリコン結晶で、５顯×５層角、長さ１５
ｊｗ）１５の上部と下部に、ピエゾ素子を用いた超８波
パルストランスデ１−サ１６及び１７を接着したものが
内蔵されている。また、それらに接近して、温度分布を
一様にするための金属性ホルダがあり、そこに熱雷対１
８が取付けられている。更に、それら全体が温調用ヒー
タ線が巻回された円筒ソレノイド１９内に収納されてい
る。
温調範囲（下限）は通常６Ｋまでであるが、冷媒槽８を
真空引きすれば、２Ｋまでが可能である。
真空引きすれば、２Ｋまでが可能である。
また、超音波パルスの周波数は通常１０ＭＨｚ。
必要に応じて１０ｋＨｚ〜Ｉ Ｍ Ｈｚが可能である。
木実施例においては、試料１５として、侵入型不純物酸
素を３０ｐｐｓ＆度含むシリコン結晶を使用し、また１
０ＭＨｚの超音波の音速を測定するという方法によって
、このシリコン結晶の弾性定数（（Ｃｎ −ＣＩ２ ＞
／ ２ ）を１０ｏＫ〜２にの温度範囲で測定したと
ころ、第１図に曲線■で示す測定結果が得られた。
素を３０ｐｐｓ＆度含むシリコン結晶を使用し、また１
０ＭＨｚの超音波の音速を測定するという方法によって
、このシリコン結晶の弾性定数（（Ｃｎ −ＣＩ２ ＞
／ ２ ）を１０ｏＫ〜２にの温度範囲で測定したと
ころ、第１図に曲線■で示す測定結果が得られた。
第１図中、■は侵入型不純物酸素を含まないシリコン結
晶（バックグラウンド）の弾性定数対温度特性を示す。
晶（バックグラウンド）の弾性定数対温度特性を示す。
温度が４にのときの弾性定数を“１″としたときの弾性
定数の相対１ａは、前記した物理法則における温度Δ／
ｋがシリコン結晶の場合、２５に程度であるが、第１図
かられかるように確かに２５に付近で、侵入型不純物酸
素を含むシリコン結晶の弾性定数は、バックグラウンド
に比し異常な変化量δを示すことが確められた。
定数の相対１ａは、前記した物理法則における温度Δ／
ｋがシリコン結晶の場合、２５に程度であるが、第１図
かられかるように確かに２５に付近で、侵入型不純物酸
素を含むシリコン結晶の弾性定数は、バックグラウンド
に比し異常な変化量δを示すことが確められた。
この変化量δを測定することによって、侵入型不純物Ｍ
ｉの温度を定量することができる。
ｉの温度を定量することができる。
なお、本発明は上記の実施例に限定されるものではない
。
。
第１図は超音波音速測定による不純物酸素を含むシリコ
ン結晶の弾性定数測定の結果の一実施例を示す図、 第２図は本発明の一実施例で使用する低温クライオスタ
ットの断面図、 第３図は第２図中の試料室内部を示す断面図、第４図は
イオン結晶不純物系ＫＣ２： Ｌｉにおける不純物Ｌｉ
の運動の模式図、 第５図はシリコン結晶中の侵入型不純物酸素の非調和振
動による低エネルギー吊子準位の模式第６図は侵入型不
純物ＰＩｉ累を含むシリコン結晶における侵入型不純物
酸素の運動模式図である。 図において、 ■は不純物酸素３０ｐｐ−を含むシリ」ン結晶の弾性定
数対温度特性、 ■は不純物ｍ素を含まないシリコン結晶の弾性定数対温
度特性、 ５は低温クライオスタット、 ９は試料室、 １０は測定棒、 １５は試料（シリコン結晶）である。 代理人 弁理士 井 桁 １Ｍ７− 罎 第１図 第３図 窮５区 第６図
ン結晶の弾性定数測定の結果の一実施例を示す図、 第２図は本発明の一実施例で使用する低温クライオスタ
ットの断面図、 第３図は第２図中の試料室内部を示す断面図、第４図は
イオン結晶不純物系ＫＣ２： Ｌｉにおける不純物Ｌｉ
の運動の模式図、 第５図はシリコン結晶中の侵入型不純物酸素の非調和振
動による低エネルギー吊子準位の模式第６図は侵入型不
純物ＰＩｉ累を含むシリコン結晶における侵入型不純物
酸素の運動模式図である。 図において、 ■は不純物酸素３０ｐｐ−を含むシリ」ン結晶の弾性定
数対温度特性、 ■は不純物ｍ素を含まないシリコン結晶の弾性定数対温
度特性、 ５は低温クライオスタット、 ９は試料室、 １０は測定棒、 １５は試料（シリコン結晶）である。 代理人 弁理士 井 桁 １Ｍ７− 罎 第１図 第３図 窮５区 第６図
Claims (6)
- （１）半導体中において非調和素励起を呈する格子欠陥
の濃度又は密度を測定する半導体中の格子欠陥測定方法
において、 該半導体の弾性定数を測定し、その測定値を格子欠陥の
濃度又は密度に換算することを特徴とする半導体中の格
子欠陥測定方法。 - （２）前記半導体はシリコン結晶であることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載の半導体中の格子欠陥測定
方法。 - （３）前記格子欠陥は侵入型（格子間型）不純物酸素で
あることを特徴とする特許請求の範囲第２項記載の半導
体中の格子欠陥測定方法。 - （４）前記弾性定数の測定は、超音波の音速を測定する
ことにより行なうことを特徴とする特許請求の範囲第１
項記載の半導体中の格子欠陥測定方法。 - （５）前記半導体はドナー又はアクセプタ不純物を０．
１ｐｐｍ以上含むシリコン結晶であることを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載の半導体中の格子欠陥測定方
法。 - （６）前記弾性定数の測定は、１５０Ｋ以下の温度で行
なうことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導
体中の格子欠陥測定方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61314984A JPS63165754A (ja) | 1986-12-26 | 1986-12-26 | 半導体中の格子欠陥測定方法 |
| US07/136,691 US4803884A (en) | 1986-12-26 | 1987-12-22 | Method for measuring lattice defects in semiconductor |
| EP87119146A EP0273395B1 (en) | 1986-12-26 | 1987-12-23 | Method for measuring lattice defects in a semiconductor |
| DE8787119146T DE3783022T2 (de) | 1986-12-26 | 1987-12-23 | Verfahren zur messung von gitterfehlstellen in einem halbleiter. |
| KR1019870014860A KR900005247B1 (ko) | 1986-12-26 | 1987-12-24 | 반도체내의 격자결함 측정방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61314984A JPS63165754A (ja) | 1986-12-26 | 1986-12-26 | 半導体中の格子欠陥測定方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63165754A true JPS63165754A (ja) | 1988-07-09 |
Family
ID=18060019
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61314984A Pending JPS63165754A (ja) | 1986-12-26 | 1986-12-26 | 半導体中の格子欠陥測定方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4803884A (ja) |
| EP (1) | EP0273395B1 (ja) |
| JP (1) | JPS63165754A (ja) |
| KR (1) | KR900005247B1 (ja) |
| DE (1) | DE3783022T2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0651860U (ja) * | 1992-09-08 | 1994-07-15 | ローム株式会社 | 半導体ウエハ弾性係数測定装置 |
| JP2014168043A (ja) * | 2013-01-31 | 2014-09-11 | Niigata Univ | シリコンウェーハ中の原子空孔濃度の絶対値の決定方法 |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5641906A (en) * | 1988-03-23 | 1997-06-24 | Texas Instruments Incorporated | Apparatus and method for automated non-destructive inspection of integrated circuit packages |
| JP2705245B2 (ja) * | 1989-09-27 | 1998-01-28 | キヤノン株式会社 | ヘッドアップディスプレイ装置 |
| US5469742A (en) * | 1993-03-09 | 1995-11-28 | Lee; Yong J. | Acoustic temperature and film thickness monitor and method |
| US5996415A (en) | 1997-04-30 | 1999-12-07 | Sensys Instruments Corporation | Apparatus and method for characterizing semiconductor wafers during processing |
| US6019000A (en) * | 1997-11-20 | 2000-02-01 | Sensys Instruments Corporation | In-situ measurement of deposition on reactor chamber members |
| US7083327B1 (en) * | 1999-04-06 | 2006-08-01 | Thermal Wave Imaging, Inc. | Method and apparatus for detecting kissing unbond defects |
| US6865948B1 (en) * | 2002-01-29 | 2005-03-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Method of wafer edge damage inspection |
| US20090217866A1 (en) * | 2006-03-03 | 2009-09-03 | Sumco Corporation | METHOD FOR PRODUCING Si SINGLE CRYSTAL INGOT BY CZ METHOD |
| DE102006040486A1 (de) * | 2006-08-30 | 2008-03-13 | Wacker Chemie Ag | Verfahren zur zerstörungsfreien Materialprüfung von hochreinem polykristallinen Silicium |
| US8987843B2 (en) | 2012-11-06 | 2015-03-24 | International Business Machines Corporation | Mapping density and temperature of a chip, in situ |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4342518A (en) * | 1980-12-01 | 1982-08-03 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Subseafloor environmental simulator |
| US4366713A (en) * | 1981-03-25 | 1983-01-04 | General Electric Company | Ultrasonic bond testing of semiconductor devices |
| JPS58150856A (ja) * | 1982-03-03 | 1983-09-07 | Hitachi Ltd | 金属材料中の介在物量測定法 |
| US4621233A (en) * | 1984-01-13 | 1986-11-04 | Rensselaer Polytechnic Institute | Non-destructive testing of semiconductors using acoustic wave method |
-
1986
- 1986-12-26 JP JP61314984A patent/JPS63165754A/ja active Pending
-
1987
- 1987-12-22 US US07/136,691 patent/US4803884A/en not_active Expired - Lifetime
- 1987-12-23 EP EP87119146A patent/EP0273395B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1987-12-23 DE DE8787119146T patent/DE3783022T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1987-12-24 KR KR1019870014860A patent/KR900005247B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0651860U (ja) * | 1992-09-08 | 1994-07-15 | ローム株式会社 | 半導体ウエハ弾性係数測定装置 |
| JP2014168043A (ja) * | 2013-01-31 | 2014-09-11 | Niigata Univ | シリコンウェーハ中の原子空孔濃度の絶対値の決定方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3783022T2 (de) | 1993-06-24 |
| EP0273395A2 (en) | 1988-07-06 |
| EP0273395B1 (en) | 1992-12-09 |
| DE3783022D1 (de) | 1993-01-21 |
| KR880008023A (ko) | 1988-08-30 |
| EP0273395A3 (en) | 1990-04-25 |
| KR900005247B1 (ko) | 1990-07-21 |
| US4803884A (en) | 1989-02-14 |
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