JPS63160394A - プリント回路板の製造方法 - Google Patents
プリント回路板の製造方法Info
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- JPS63160394A JPS63160394A JP31042886A JP31042886A JPS63160394A JP S63160394 A JPS63160394 A JP S63160394A JP 31042886 A JP31042886 A JP 31042886A JP 31042886 A JP31042886 A JP 31042886A JP S63160394 A JPS63160394 A JP S63160394A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/14—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using spraying techniques to apply the conductive material, e.g. vapour evaporation
- H05K3/143—Masks therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
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- H05K3/146—By vapour deposition
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
く技術分野）
この発明は、プリント回路板の製造方法に関するもので
ある。さらに詳しくは、この発明は、プラズマビームデ
ポジション（ＰＢＤ）を用いて、高効率に高性能プリン
ト回路板を製造する方法に関する。
ある。さらに詳しくは、この発明は、プラズマビームデ
ポジション（ＰＢＤ）を用いて、高効率に高性能プリン
ト回路板を製造する方法に関する。
（背景技術）
プリント回路板の一種のフレキシブルプリント回路板は
、従来は、ポリイミドなどのプラスチックスフィルムと
銅薄膜とをラミネート加工し、その後サブトラクティブ
法によって加工して所望のパターンを形成することによ
って製造していた。
、従来は、ポリイミドなどのプラスチックスフィルムと
銅薄膜とをラミネート加工し、その後サブトラクティブ
法によって加工して所望のパターンを形成することによ
って製造していた。
また、気相薄膜形成法を用いる場合には、銅をイオンブ
レーティング法やクラスタイオンビーム法によってフィ
ルム表面に５１１ｇし、次いでサブトラクティブ法によ
ってパターン化していた。
レーティング法やクラスタイオンビーム法によってフィ
ルム表面に５１１ｇし、次いでサブトラクティブ法によ
ってパターン化していた。
また、最近では、マスキング用パターンを基板上に形成
した後、銅金属膜を電界または無電界メッキによってコ
ーティングしなり、あるいは気相法によって導体膜を形
成し、次いでマスキングパターンを除去して導体パター
ンを形成するアディティブ法が用いられてもいる。
した後、銅金属膜を電界または無電界メッキによってコ
ーティングしなり、あるいは気相法によって導体膜を形
成し、次いでマスキングパターンを除去して導体パター
ンを形成するアディティブ法が用いられてもいる。
リジット（剛性）プリント回路板の場合には、基板とし
て紙−エポキシ樹脂などのリジッドなものを用いること
により、以上と同様にして製造を行っていた。
て紙−エポキシ樹脂などのリジッドなものを用いること
により、以上と同様にして製造を行っていた。
しかしながら、いずれの場合においても、従来のラミネ
ート法や電界・無電界メッキを用いるプリント回路板の
製造方法は表面処理層や接着層が必要であり、しかも金
属膜／導体膜と基板との密着性が必ずしも良好でなく、
製造工程が複雑で、大型の装置を必要としていること、
また、気相薄膜形成形法を用いる方法は、微細パターン
の形成には有利であるものの、従来の方法では金属ｖ／
導体膜の形成速度が遅く、生産性が良好でないなどの問
題があった。
ート法や電界・無電界メッキを用いるプリント回路板の
製造方法は表面処理層や接着層が必要であり、しかも金
属膜／導体膜と基板との密着性が必ずしも良好でなく、
製造工程が複雑で、大型の装置を必要としていること、
また、気相薄膜形成形法を用いる方法は、微細パターン
の形成には有利であるものの、従来の方法では金属ｖ／
導体膜の形成速度が遅く、生産性が良好でないなどの問
題があった。
（発明の目的）
この発明は、以上のとおりの事す８を鑑みてなされたも
のであり、従来のプリント回路板製造方法のような欠点
のない金属膜／導体膜の基板への密着性に優れた高性能
プリント回路板を高効率に、かつ低コストで製造する新
しい製造方法を提供することを目的としている。
のであり、従来のプリント回路板製造方法のような欠点
のない金属膜／導体膜の基板への密着性に優れた高性能
プリント回路板を高効率に、かつ低コストで製造する新
しい製造方法を提供することを目的としている。
（発明の開示）
この発明のプリント回路板の製造方法は、上記の目的を
実現するために、プリント回路板基板、または剛体基板
の表面に水溶性インクあるいは水溶性ドライフィルムを
用いてマスキングパターンを形成し、次いでプラズマビ
ームデポジションによって導体膜を形成した後に、該マ
スキングパターンを除去することを特徴としている。
実現するために、プリント回路板基板、または剛体基板
の表面に水溶性インクあるいは水溶性ドライフィルムを
用いてマスキングパターンを形成し、次いでプラズマビ
ームデポジションによって導体膜を形成した後に、該マ
スキングパターンを除去することを特徴としている。
この方法では、プラズマビームデポジション（ＰＢＤ）
法により密着性に優れた導体膜を大きな製膜速度で形成
することを特に重要な特徴としている。
法により密着性に優れた導体膜を大きな製膜速度で形成
することを特に重要な特徴としている。
また、穴あけ剛体基板に対してはプラズマビームデポジ
ション（ＰＢＤ）が優れたステップカバレッジを与える
ことから良好なスルーホールを形成することができるこ
とをもう一つの重要な特徴としている。
ション（ＰＢＤ）が優れたステップカバレッジを与える
ことから良好なスルーホールを形成することができるこ
とをもう一つの重要な特徴としている。
このプラズマビームデポジション（ＰＢＤ）は、アルゴ
ン（Ａｒ）、水素（Ｈ２）、ヘリウム（Ｈｅ）等のガス
をプラズマガンに導入し、１■０「「程度の真空度でお
よそ５００〜８００Ｖ程度の電圧印加により放電させ、
生成するプラズマを１０〜１０ ’Ｔｏｒ「の真空度に
保たれた製膜チャンバー内に導いて、蒸着物質をプラズ
マイオン化励起して基板表面に該励起粒子のデポジショ
ンを高速で行う方法である。
ン（Ａｒ）、水素（Ｈ２）、ヘリウム（Ｈｅ）等のガス
をプラズマガンに導入し、１■０「「程度の真空度でお
よそ５００〜８００Ｖ程度の電圧印加により放電させ、
生成するプラズマを１０〜１０ ’Ｔｏｒ「の真空度に
保たれた製膜チャンバー内に導いて、蒸着物質をプラズ
マイオン化励起して基板表面に該励起粒子のデポジショ
ンを高速で行う方法である。
蒸着物質のイオン化励起は、プラズマを、蒸着物質の入
っているハースに集中させるか、あるいは、抵抗加熱、
電子ビーム照射などによって蒸発させた蒸着粒子をプラ
ズマ流と交叉させることにより行うことができる。この
いずれの方法においても、プラズマは、磁場によりその
流れを制御することが可能である。成膜速度は、０．５
μｌ／分程度と非常に大きなレベルにまで実現できる。
っているハースに集中させるか、あるいは、抵抗加熱、
電子ビーム照射などによって蒸発させた蒸着粒子をプラ
ズマ流と交叉させることにより行うことができる。この
いずれの方法においても、プラズマは、磁場によりその
流れを制御することが可能である。成膜速度は、０．５
μｌ／分程度と非常に大きなレベルにまで実現できる。
また必要ならば、ＲＦプラズマやグロー放電により金属
ＩＩ！／導体膜の成膜前に基板の表面処理を行い、基板
への密着性を改善することも可能である。
ＩＩ！／導体膜の成膜前に基板の表面処理を行い、基板
への密着性を改善することも可能である。
この発明のプリント回路板の製造方法を、多段プロセス
各工程において得られる積層体として示したものが添付
した図面の第１図である。
各工程において得られる積層体として示したものが添付
した図面の第１図である。
この第１図に沿って説明すると、第１図（ａ）に示した
ように、まず、フィルム基板、または剛体基板１の表面
に水溶性インクまたは水溶性ドライフィルムによってマ
スキングパターン２を形成する。この場合、基板として
は、ポリイミド、ポリサルフオン等のエンジニアリング
プラスチックスのフィルムまたは様々な形状の剛体が適
宜に使用できる。
ように、まず、フィルム基板、または剛体基板１の表面
に水溶性インクまたは水溶性ドライフィルムによってマ
スキングパターン２を形成する。この場合、基板として
は、ポリイミド、ポリサルフオン等のエンジニアリング
プラスチックスのフィルムまたは様々な形状の剛体が適
宜に使用できる。
マスクとしては、デンプン、ポリビニルアルコール、そ
の他の水溶性のインク、または通常のドライフィルムを
用いることができる。
の他の水溶性のインク、または通常のドライフィルムを
用いることができる。
次に第１図（ｂ）に示したように、マスキングパターン
２を形成した表面に、プラズマビームデポジション（Ｐ
ＢＤ）により銅（Ｃｕ）、あるいはＩＴＯ（酸化インジ
ウム／ｖｉ化スズ）などの金属膜／導体ｒｆｌ１３を所
定の膜厚で製膜する０通常は、５〜３０μｌであるが、
プリント回路板の用途に応じてこの膜厚は適宜に選択す
る。
２を形成した表面に、プラズマビームデポジション（Ｐ
ＢＤ）により銅（Ｃｕ）、あるいはＩＴＯ（酸化インジ
ウム／ｖｉ化スズ）などの金属膜／導体ｒｆｌ１３を所
定の膜厚で製膜する０通常は、５〜３０μｌであるが、
プリント回路板の用途に応じてこの膜厚は適宜に選択す
る。
銅（Ｃｕ）あるいはＩＴＯ（酸化インジウム／酸化スズ
）の製膜に用いるプラズマビームデボジジョンの真空度
は１０ ’Ｔｏｒｒ程度が好適であり、この真空度にお
いて蒸発粒子は衝突が激しくなり大きな段差を持った基
板の側壁にも製膜が可能となる。それゆえ、穴あけ剛体
基板を用いる場合には、良好なスルーホールが形成でき
る。
）の製膜に用いるプラズマビームデボジジョンの真空度
は１０ ’Ｔｏｒｒ程度が好適であり、この真空度にお
いて蒸発粒子は衝突が激しくなり大きな段差を持った基
板の側壁にも製膜が可能となる。それゆえ、穴あけ剛体
基板を用いる場合には、良好なスルーホールが形成でき
る。
さらに、第１図（Ｃ）に示したように、マスキングパタ
ーン２を除去して、目的とするプリント回路板４を得る
。
ーン２を除去して、目的とするプリント回路板４を得る
。
第２図は、この発明のプラズマビームデポジション（Ｐ
ＢＤ）に用いる装置の一例を示したものである。
ＢＤ）に用いる装置の一例を示したものである。
真空チャンバー５には、蒸着物質ハース６、基板７およ
び基板ホルダー８が設置される。プラズマガン９により
発生したプラズマ１０は、たとえば、ハース６に集束し
て蒸着物質１１のイオン化励起を行う、励起されたイオ
ン化粒子は、基板７の表面にデポジットされる。
び基板ホルダー８が設置される。プラズマガン９により
発生したプラズマ１０は、たとえば、ハース６に集束し
て蒸着物質１１のイオン化励起を行う、励起されたイオ
ン化粒子は、基板７の表面にデポジットされる。
プラズマガン９およびハース６には、磁石１２゜１３を
設けることにより、プラズマ１０の形状、生成状態をコ
ントロールすることができる。また、基板７は、フィル
ム状の場合には、ロール・トウロールで連続移動するも
のとしてもよい。
設けることにより、プラズマ１０の形状、生成状態をコ
ントロールすることができる。また、基板７は、フィル
ム状の場合には、ロール・トウロールで連続移動するも
のとしてもよい。
もちろん、この発明のプリント回路板の！！２遣方法は
、以上の例に限定されるものではない、様々な態様が可
能である。
、以上の例に限定されるものではない、様々な態様が可
能である。
たとえば、両面プリント板製造にも適用可能であり、本
発明の工程を表・裏画面にわたって施すことにより、ス
ルーホールを持った両面プリント板が製造できる。
発明の工程を表・裏画面にわたって施すことにより、ス
ルーホールを持った両面プリント板が製造できる。
（発明の効果）
この発明の方法により、以上のとおりの、基板への密着
性に優れたプリント回路板を高効率で製造することが可
能となる。従来法のような、複雑な工程、大型装置の必
要性、密着性の良好でないこと、低生産性などの欠点は
解消される。
性に優れたプリント回路板を高効率で製造することが可
能となる。従来法のような、複雑な工程、大型装置の必
要性、密着性の良好でないこと、低生産性などの欠点は
解消される。
第１図（ａ）（ｂ）（ｃ）は、この発明の方法の一例を
パターン形成として示した断面図である。 第２図は、この発明に用いるプラズマビームデポジショ
ン（ＰＢＤ）の装置の一例を示した要部断面図である。 図中の番号は次のものを示している。 １・・・基 板 ２・・・マスキングパターン ３・・・金属膜／導体膜 ４・・・プリント回路板 ５・・・真空チャンバー ６・・・ハース ７・・・基 板 ８・・・基板ホルダー ９・・・プラズマガン １０・・・プラズマ １１・・・蒸着物質 １２．１３・・・磁 石 代理人 弁理士 西 澤 利 夫第 １
図 （ａ） （ｂ） （Ｃ）
パターン形成として示した断面図である。 第２図は、この発明に用いるプラズマビームデポジショ
ン（ＰＢＤ）の装置の一例を示した要部断面図である。 図中の番号は次のものを示している。 １・・・基 板 ２・・・マスキングパターン ３・・・金属膜／導体膜 ４・・・プリント回路板 ５・・・真空チャンバー ６・・・ハース ７・・・基 板 ８・・・基板ホルダー ９・・・プラズマガン １０・・・プラズマ １１・・・蒸着物質 １２．１３・・・磁 石 代理人 弁理士 西 澤 利 夫第 １
図 （ａ） （ｂ） （Ｃ）
Claims (2)
- （１）フィルム基板または剛体基板の表面に水溶性イン
クあるいは水溶性ドライフィルムを用いてマスキングパ
ターンを形成し、次いでプラズマビームデポジションに
よって導体膜を形成した後に、該マスキングパターンを
除去することを特徴とするプリント回路板の製造方法、 - （２）フィルム基板としてロール状フィルムを用いて連
続的に行う特許請求の範囲第（１）項記載のプリント回
路板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31042886A JPS63160394A (ja) | 1986-12-24 | 1986-12-24 | プリント回路板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31042886A JPS63160394A (ja) | 1986-12-24 | 1986-12-24 | プリント回路板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63160394A true JPS63160394A (ja) | 1988-07-04 |
Family
ID=18005128
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31042886A Pending JPS63160394A (ja) | 1986-12-24 | 1986-12-24 | プリント回路板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63160394A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6162725A (en) * | 1996-09-20 | 2000-12-19 | Nec Corporation | Process of patterning conductive layer into electrode through lift-off using photo-resist mask imperfectly covered with the conductive layer |
-
1986
- 1986-12-24 JP JP31042886A patent/JPS63160394A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6162725A (en) * | 1996-09-20 | 2000-12-19 | Nec Corporation | Process of patterning conductive layer into electrode through lift-off using photo-resist mask imperfectly covered with the conductive layer |
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