JPS63159825A - Manufacture of liquid crystal electrooptical element - Google Patents
Manufacture of liquid crystal electrooptical elementInfo
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
この発明は強誘電性液晶を使用した液晶電気光学素子の
製造方法に係わり、特に強誘電性液晶分子の配向方法に
関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Object of the Invention] (Industrial Application Field) The present invention relates to a method for manufacturing a liquid crystal electro-optical element using ferroelectric liquid crystal, and particularly to a method for aligning ferroelectric liquid crystal molecules.
（従来の技術）
強誘電性液晶は、カイラルスメクティック相を示しかつ
そのらせん軸及び分子の長軸のどちらにも垂直な方向の
成分を持つ永久双極子を有する液晶である。この双極子
と電界の相互作用により液晶分子を駆動することができ
る。この強誘電性液晶を使用した液晶素子は、高速応答
、蓄積形表示が可能である等の特徴を持つため、従来の
ネマティック液晶を用いた液晶表示素子に比べて走査線
の数を増した大面積で大表示容巳の表示パネルや、高速
の光シヤツターが実説可能であると言われている。しか
しその反面、強誘電性液晶はネマティック液晶に比べて
均一で良好な配向を得ることが困難であり、実用的な素
子を製作する上で大きな問題となっている。(Prior Art) A ferroelectric liquid crystal is a liquid crystal that exhibits a chiral smectic phase and has a permanent dipole having a component perpendicular to both its helical axis and the long axis of the molecules. The interaction between this dipole and the electric field can drive liquid crystal molecules. Liquid crystal devices using this ferroelectric liquid crystal have features such as high-speed response and storage-type display, so they are designed to have a large number of scanning lines compared to liquid crystal display devices using conventional nematic liquid crystals. It is said that it is possible to demonstrate display panels with large display areas and high-speed optical shutters. However, on the other hand, it is more difficult to obtain uniform and good alignment with ferroelectric liquid crystals than with nematic liquid crystals, which poses a major problem in manufacturing practical devices.
強誘電性液晶の配向方法としては、以下のような方法が
ある。As a method for aligning ferroelectric liquid crystal, there are the following methods.
（１） 従来のネマティック液晶の場合と同様に、基
板表面に適当な膜を形成してこれをラビングするか、ま
たはシリコン酸化物等を斜方蒸着する等の配向膜を形成
し、徐冷により液晶分子を配向させる方法。(1) As in the case of conventional nematic liquid crystals, an appropriate film is formed on the surface of the substrate and rubbed, or an alignment film such as silicon oxide is formed by oblique evaporation, and then slowly cooled. A method of aligning liquid crystal molecules.
（２）延伸されたポリエチレンテレフタレート等のフィ
ルムを２枚の基板間のスペーサとして使用し、その延伸
方向に切断されたエツジからスメクティック相を結晶成
長させる方法。(2) A method in which a stretched film of polyethylene terephthalate or the like is used as a spacer between two substrates, and a smectic phase is grown as a crystal from edges cut in the stretching direction.
（３） シアリング法。(3) Shearing method.
（４））磁場をかけて配向させる方法。(4)) A method of applying a magnetic field for orientation.
（２）の方法については例えば、「応用物理」の第５４
巻第５号（１９８５年）の４２４頁から４２５頁にかけ
て述べられている。また、（３）の方法の文献としては
、例えば、ノーエル・ニー・クラークとスベン・チー・
ラゲルバルによるアプライド・フィジックス・レターの
第３１（１９８０年）８９９頁からの論文がおる。Regarding method (2), for example, see the 54th chapter of "Applied Physics".
It is described on pages 424 to 425 of Volume No. 5 (1985). In addition, literature on method (3) includes, for example, Noel N. Clark and Sven Chee.
There is a paper by Lagerval from Applied Physics Letters No. 31 (1980), page 899.
（発明が解決しようとする問題点）
ここで実用的な液晶デバイスに要求される配向法の条件
としては、
（イ）再現性、安定性が良好であること（ロ）セルの全
面にわたり均一な配向が得られること
（ハ）配向力に記憶効果があること
（ニ）セルのギャップ制御を妨げないこと（ホ）生産性
が良好であること
等がある。(Problems to be solved by the invention) The conditions for the alignment method required for a practical liquid crystal device are: (a) good reproducibility and stability; and (b) uniform alignment over the entire surface of the cell. (c) orientation force has a memory effect; (d) cell gap control is not hindered; and (e) productivity is good.
この観点から前述の（１）〜（４）の方法を検討すると
、（２）の方法については広い面積にわたって均一な配
向を得ることが困難であり、ギャップの制御も難しく、
生産性も良くない。また（３）及び（４）は、配向力に
記憶効果がないので、液晶の配向が一度乱れると再び配
向処理を行わない限り、液晶の配向は回復しない。ざら
に生産性も良くなく、ギャップの制御の点でも問題があ
る。従って、実用的な強誘電性液晶電気光学素子の製作
には、（１）の配向方法即ち、基板表面に配向膜を施す
方法が最も適していると考えられる。Considering methods (1) to (4) above from this point of view, it is difficult to obtain uniform orientation over a wide area with method (2), and it is also difficult to control the gap.
Productivity is also not good. Further, in (3) and (4), since there is no memory effect in the alignment force, once the alignment of the liquid crystal is disturbed, the alignment of the liquid crystal will not be recovered unless the alignment treatment is performed again. Furthermore, productivity is not good, and there are also problems in terms of gap control. Therefore, the alignment method (1), that is, the method of applying an alignment film to the substrate surface, is considered to be the most suitable for manufacturing a practical ferroelectric liquid crystal electro-optical element.
しかし、一般に（１）の方法を用いた場合、カイラルス
メクティックＣ相のらせんがほどけた状態では、ラビン
グ方向に対して対称に２つの安定状態が存在し、分子は
比較的自由にこの２つの状態のどちらかの状態をとりう
る。このため配向の均一性が損われ、更に、この不均一
性により表示品質が低下することになる。However, in general, when method (1) is used, in the uncoiled state of the chiral smectic C phase, two stable states exist symmetrically with respect to the rubbing direction, and molecules are relatively free to move between these two states. It can be in either of the following states. This impairs the uniformity of alignment, and furthermore, this non-uniformity causes a deterioration in display quality.
この発明はこの様な状況に鑑み成されたもので、生産性
が良く、セルギャップの制御も比較的に容易な液晶電気
光学素子の製造方法であり、基板表面に配向膜を形成し
、これをラビングした基板を使用して組み立てたセルに
液晶を注入し、徐冷することによって配向を制御する方
法において、徐冷中に液晶分子に電界を印加し再徐冷す
ることで、均一で良好な液晶分子の配向を持つ液晶電気
光学素子を作成することを目的とする。The present invention was made in view of the above circumstances, and is a method for manufacturing a liquid crystal electro-optical element with good productivity and relatively easy control of the cell gap. In this method, liquid crystal is injected into a cell assembled using a rubbed substrate and the alignment is controlled by slow cooling. By applying an electric field to the liquid crystal molecules during slow cooling and slow cooling again, uniform and good liquid crystal can be obtained. The aim is to create a liquid crystal electro-optical device with molecular orientation.
［発明の構成］
（問題点を解決するための手段）
即ちこの発明は、一主面上に透明電極と配向膜が順次形
成された第１及び第２基板間に強誘電性液晶を挟持して
なる液晶電気光学素子であり、強誘電性液晶を配向させ
るために徐冷を行う際に、強誘電性液晶分子に電界を印
加し、この模セルを加熱し再び徐冷を行うことを特徴と
する。[Structure of the Invention] (Means for Solving the Problems) That is, the present invention has a method in which a ferroelectric liquid crystal is sandwiched between first and second substrates on which a transparent electrode and an alignment film are sequentially formed on one principal surface. It is a liquid crystal electro-optical device consisting of a ferroelectric liquid crystal, and is characterized by applying an electric field to the ferroelectric liquid crystal molecules during slow cooling to orient the ferroelectric liquid crystal, heating this model cell, and then slow cooling again. shall be.
（作用）
前述したように、ラビングを施した配向膜を用いて徐冷
により強誘電性液晶分子を配向させる方法を用いた場合
に配向が不均一となるのは、カイラルスメクテイツクＣ
相のらせんがほどけた状態では、ラビング方向に対して
対称に２つの安定状態が存在し、分子は比較的自由にこ
の２つの状態のどちらかの状態をとりうるからである。(Function) As mentioned above, when using a method of aligning ferroelectric liquid crystal molecules by slow cooling using a rubbed alignment film, the alignment becomes non-uniform due to chiral smectic C.
This is because when the helix of the phase is unwound, two stable states exist symmetrically with respect to the rubbing direction, and molecules can relatively freely assume either of these two states.
従って、２つの安定状態のどちらかをとるような強制力
を外部から与えることが、配向を均一とするのに有効で
ある。Therefore, it is effective to make the orientation uniform by applying a forcing force from the outside to take one of the two stable states.
相転移系列中でスメクティックＡ相からカイラルスメク
ティックＣ相となるような強誘電性液晶材料では、スメ
クティックＡ相で層構造が形成され、カイラルスメクテ
ィックＣ相への相転移温度となると分子が傾き、カイラ
ルスメクティックＣ相が形成される。このようにスメク
ティックＡ相からカイラルスメクティックＣ相へ相転移
し分子が傾く際に、分子の配向方向を安定な一状態に均
一に配向させれば良い。In a ferroelectric liquid crystal material that changes from smectic A phase to chiral smectic C phase in the phase transition series, a layered structure is formed in the smectic A phase, and when the phase transition temperature to the chiral smectic C phase is reached, the molecules tilt and the chiral smectic phase changes. A smectic C phase is formed. In this manner, when the molecules tilt due to the phase transition from the smectic A phase to the chiral smectic C phase, the orientation direction of the molecules may be uniformly oriented in a stable state.
この発明では強制力として電界を用い、適当な温度範囲
で電界を印加することで均一な配向を得る。一方、電界
を印加することで強誘電性液晶の特徴であるメモリ特性
が劣化する現象が現れることがしばしば見られるが、改
めてセルを加熱し再び徐冷を行うことにより、電界を印
加することで生じた片安定状態（例えば配向膜の電荷蓄
積等が考えられる）が緩和されてメモリ特性が回復し、
配向が均一でメモリ特性も優れた強誘電性液晶を用いた
液晶電気光学素子を作成することができる。In this invention, an electric field is used as a forcing force, and uniform orientation is obtained by applying the electric field in an appropriate temperature range. On the other hand, when applying an electric field, it is often seen that the memory characteristics, which are characteristic of ferroelectric liquid crystals, deteriorate. The resulting monostable state (possibly caused by charge accumulation in the alignment film, for example) is relaxed, and the memory characteristics are restored.
It is possible to create a liquid crystal electro-optical element using ferroelectric liquid crystal that has uniform orientation and excellent memory properties.
（実施例） 以下この発明の詳細を図面を参照して説明する。(Example) The details of this invention will be explained below with reference to the drawings.
第１図はこの発明の一実施例を示す図である。FIG. 1 is a diagram showing an embodiment of the present invention.
即ち、第１及び第２基板（１）、（２）例えばガラス基
板の１主面（１ａ）、（２ａ）上にはそれぞれ例えばＩ
ＴＯ（インジウム・チン・オキサイド）からなる透明電
極〈３）が形成されており、第１及び第２基板（１）、
（２＞上のそれぞれの透明電極（３）上には適当な配向
膜（４）、（５）例えばナイロン６６、ナイロン６及び
ＪＩＢ（日本合成ゴム社製）などが塗布されており、こ
れらは焼成俊、ラビングにより処理されている。この場
合、配向膜（４）と配向膜（５）の組み合せは同種及び
異種のいずれでも差し支えない。第１基板（１）と第２
基板（２）はスペーサ（６）例えばアルミナのビーズを
介して、それぞれ１主面（ｌａ＞、（２ａ＞が対向した
状態で一体となるように、液晶の注入口となる部分を除
いて例えばエポキシ系の接着剤からなる封着材（７）に
よって貼り合わされている。そしてこの注入口より、第
１基板（１）と第２基板（２）の間には強誘電性液晶（
８）が注入されており、更に注入機は、例えばエポキシ
系の接着剤からなる封止材（９）で注入口を封止しセル
（１０）を形成する。ここで強誘電性液晶（８）は、相
転移系列中にスメクティックＡ相を含み、スメクティッ
クＡ相から力イラルスメクティックＣ相へ相転移する材
料からなる。そして強誘電性液晶（８）を配向させるた
めに、強誘電性液晶（８）が等方相になるまで加熱し、
毎分約２℃或いはそれ以下の速さで徐冷する。更に徐冷
中の適当な温度範囲で、透明電極（３）に定電圧源（１
１）より電圧を印加することにより、液晶分子に電界を
印加する。That is, on the first and second substrates (1) and (2), for example, one main surface (1a) and (2a) of the glass substrate, for example, I
A transparent electrode (3) made of TO (indium tin oxide) is formed, and the first and second substrates (1),
(2> Appropriate alignment films (4), (5) such as nylon 66, nylon 6, and JIB (manufactured by Japan Synthetic Rubber Co., Ltd.) are coated on each of the transparent electrodes (3) above. The treatment is performed by firing and rubbing.In this case, the alignment film (4) and the alignment film (5) may be of the same type or different types.The first substrate (1) and the second substrate
The substrate (2) is assembled with a spacer (6), for example, an alumina bead, so that the main surfaces (la> and (2a>) are facing each other and are integrated, except for the part that will become the liquid crystal injection port, for example. The ferroelectric liquid crystal (
8) is injected, and the injection machine further seals the injection port with a sealant (9) made of, for example, an epoxy adhesive to form a cell (10). Here, the ferroelectric liquid crystal (8) is made of a material that includes a smectic A phase in its phase transition series and undergoes a phase transition from the smectic A phase to the radial smectic C phase. Then, in order to orient the ferroelectric liquid crystal (8), the ferroelectric liquid crystal (8) is heated until it becomes an isotropic phase.
Cool slowly at a rate of about 2°C per minute or less. Furthermore, in an appropriate temperature range during slow cooling, a constant voltage source (1) is applied to the transparent electrode (3).
1) An electric field is applied to the liquid crystal molecules by applying a voltage.
電圧を印加する温度範囲は液晶材料により異なるが、ス
メクティックＡ相からカイラルスメクティックＣ相へ相
転移する温度を舎むようにする。The temperature range in which the voltage is applied varies depending on the liquid crystal material, but it is designed to maintain the temperature at which the phase transition from the smectic A phase to the chiral smectic C phase occurs.
例えば、株式会社チッソ製の強誘電性液晶でおるＯ８−
１０１５を使用した場合、スメクティックＡ相からカイ
ラルスメクティックＣ相への相転移温度は５７．１℃で
ある。従って、徐冷中の温度が約６０℃となった時点か
ら電圧を印加すればよい。For example, O8- is a ferroelectric liquid crystal manufactured by Chisso Corporation.
When 1015 is used, the phase transition temperature from smectic A phase to chiral smectic C phase is 57.1°C. Therefore, the voltage may be applied from the time when the temperature during slow cooling reaches about 60°C.
印加電圧の一例として直流電圧を印加した場合は、配向
は均一となるがメモリ特性が劣化してしまう。そこで、
電圧を印加して徐冷を行った後、改めてセルを加熱し今
度は徐冷を電圧を印加せずに行う。この場合の温度範囲
はスメクテイツクＡ相からカイラルスメクテイツクＣ相
への相転移温度５７．１℃よりも低い温度から徐冷を行
う。そしてこの処理が終わった後、第１及び第２塁板（
１）、（２）の他主面（ｌｂ）、（２ｂ）側にはそれぞ
れ偏光板（１２）、ａｍｍ根板１３）及び反射板（１４
）を被着する。この実施例では、前述の様な徐冷を行う
ことで均一な配向を保ったままメモリ特性を回復させる
ことができ、コントラスト比が向上し表示品質が改善さ
れる。また、配向の均一化によってメモリ時のドメイン
の発生が最小限に抑えられることから、メモリ表示のコ
ントラスト比も向上する。If a DC voltage is applied as an example of the applied voltage, the orientation will be uniform, but the memory characteristics will deteriorate. Therefore,
After slow cooling is performed by applying a voltage, the cell is heated again, and this time slow cooling is performed without applying a voltage. In this case, slow cooling is performed from a temperature lower than the phase transition temperature from smectic A phase to chiral smectic C phase, 57.1°C. After this process is completed, the first and second baseboards (
On the other main surfaces (lb) and (2b) of 1) and (2), there are a polarizing plate (12), an amm root plate 13) and a reflecting plate (14), respectively.
). In this example, by performing the slow cooling as described above, the memory characteristics can be restored while maintaining uniform orientation, and the contrast ratio and display quality are improved. Furthermore, since the uniform orientation minimizes the occurrence of domains during memory, the contrast ratio of memory display is also improved.
上記の例は印加電圧として直流電圧を印加した一例であ
るが、例えば方形波、三角波及び台形波などの交流電圧
を印加した場合も均一な配向が得られる。この場合は直
流電圧を印加した場合と比較してメモリ特性の劣化が小
さいが、配向膜の組み合せ及び液晶材料によっては充分
なメモリ特性を得ることは困難である。そこで上記の例
と同様に改めてセルを加熱し再徐冷を行うと、均一な配
向を保ったままメモリ特性を回復させることができ、コ
ントラスト比が向上し表示品質が改善される。また、配
向の均一化によってメモリ時のドメインの発生が最小限
に抑えられることから、メモリ表示のコントラスト比も
向上する。Although the above example is an example in which a DC voltage is applied as the applied voltage, uniform orientation can also be obtained when an AC voltage such as a square wave, a triangular wave, or a trapezoidal wave is applied. In this case, the deterioration of memory characteristics is smaller than when a DC voltage is applied, but it is difficult to obtain sufficient memory characteristics depending on the combination of alignment films and liquid crystal material. Therefore, if the cell is heated again and slowly cooled again as in the above example, the memory characteristics can be restored while maintaining uniform orientation, the contrast ratio will be improved, and the display quality will be improved. Furthermore, since the uniform orientation minimizes the occurrence of domains during memory, the contrast ratio of memory display is also improved.
ざらに印加電圧としてパルス電圧、例えば正のパルス電
圧を印加した後に電圧を零とし、次に負のパルス電圧を
印加するという動作を繰り返してなるパルス電圧を印加
した場合は、交流電圧を印加した場合と比較してメモリ
特性の劣化を抑えることが可能であるが、この場合も配
向膜の組み合せ及び液晶材料によっては充分なメモリ特
性を得ることは困難である。そこで電圧を印加して徐冷
を行った後、改めてセルを加熱し再び徐冷を電圧を印加
せずに行うと、均一な配向を保ったままメモリ特性を回
復させることが可能であり、前述と同様の効果が得られ
る。When applying a pulse voltage, for example, applying a positive pulse voltage, reducing the voltage to zero, and then applying a negative pulse voltage repeatedly, an alternating current voltage is applied. Although it is possible to suppress the deterioration of the memory characteristics compared to the case where the memory characteristics are deteriorated, it is difficult to obtain sufficient memory characteristics depending on the combination of alignment films and the liquid crystal material in this case as well. Therefore, if a voltage is applied to slowly cool the cell, then the cell is heated again and then slowly cooled again without applying a voltage, it is possible to restore the memory characteristics while maintaining uniform orientation. The same effect can be obtained.
なお今までは、配向膜（４）、（５）をラビング処理が
なされたものとしたが、シリコン酸化物等を斜方蒸着し
て形成したものであっても良いことは言うまでもない。Up to now, the alignment films (4) and (5) have been subjected to a rubbing treatment, but it goes without saying that they may be formed by obliquely depositing silicon oxide or the like.
［発明の効果］
この発明は、セルを形成して加熱した後の徐冷中に電界
を印加した後、改めてセルを加熱し再び徐冷を行うこと
により均一で良好な配向が得られ、液晶電気光学素子の
表示品質を向上させることが可能であり、またメモリ特
性の向上も合わせて実現できる。[Effects of the Invention] This invention provides uniform and good alignment by applying an electric field during slow cooling after forming and heating the cell, then heating the cell again and performing slow cooling again. It is possible to improve the display quality of the device, and it is also possible to improve the memory characteristics.
第１図はこの発明の一実施例を模式的に表した断面図で
おる。
（１）・・・・・・第１基板
（２）・・・・・・第２基板
（３）・・・・・・透明電極
（４）、（５）・・・・・・配向膜
（８）・・・・・・強誘電性液晶
（１Ｑ）・・・・・・セルFIG. 1 is a sectional view schematically showing an embodiment of the present invention. (1)...First substrate (2)...Second substrate (3)...Transparent electrodes (4), (5)...Alignment film (8)...Ferroelectric liquid crystal (1Q)...Cell
Claims (7)
を順次形成する工程と、前記一主面が対向した状態で前
記第１及び第２基板が一体となるように液晶の注入口と
なる部分を除いて周囲を封着する工程と、前記注入口よ
り強誘電性液晶を注入した後前記注入口を封止してセル
を形成する工程と、このセルを前記強誘電性液晶が等方
相になるまで加熱した後に徐冷を行いこの徐冷中に電界
を印加する工程と、前記セルを再び加熱した後に再徐冷
する工程とを備えたことを特徴とする液晶電気光学素子
の製造方法。(1) A step of sequentially forming a transparent electrode and an alignment film on one main surface of the first and second substrates, and a step of forming the liquid crystal so that the first and second substrates are integrated with the one main surface facing each other. a step of sealing the periphery of the ferroelectric liquid crystal except for a portion that will become an injection port; a step of injecting ferroelectric liquid crystal through the injection port and then sealing the injection port to form a cell; A liquid crystal electro-optical device comprising the steps of: heating the liquid crystal until it becomes an isotropic phase, then slowly cooling it and applying an electric field during this slow cooling; and heating the cell again and then slowly cooling it again. Method of manufacturing elements.
とする特許請求の範囲第１項記載の液晶電気光学素子の
製造方法。(2) The method for manufacturing a liquid crystal electro-optical element according to claim 1, wherein the electric field is a direct current or symmetrical in positive and negative directions.
た後に電界を零とし、次に負のパルス電界を印加すると
いう動作を繰り返してなるパルス電界であることを特徴
とする特許請求の範囲第２項記載の液晶電気光学素子の
製造方法。(3) The electric field with positive and negative symmetry is a pulsed electric field formed by repeating the operation of applying a positive pulsed electric field, reducing the electric field to zero, and then applying a negative pulsed electric field. A method for manufacturing a liquid crystal electro-optical element according to Scope 2.
晶材料の相転移系列中にスメクティックＡ相を含みスメ
クティックＡ相からカイラルスメクティックＣ相へ相転
移する液晶材料であることを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載の液晶電気光学素子の製造方法。(4) A patent characterized in that the liquid crystal material used as the ferroelectric liquid crystal is a liquid crystal material that includes a smectic A phase in the phase transition series of the liquid crystal material and undergoes a phase transition from the smectic A phase to the chiral smectic C phase. A method for manufacturing a liquid crystal electro-optical element according to claim 1.
少なくともスメクティックＡ相からカイラルスメクティ
ックＣ相への相転移温度を含むことを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載の液晶電気光学素子の製造方法。(5) The liquid crystal electro-optical element according to claim 1, wherein when the electric field is applied during slow cooling, the temperature range includes at least a phase transition temperature from a smectic A phase to a chiral smectic C phase. manufacturing method.
ックＡ相からカイラルスメクティックＣ相への相転移温
度以下であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の液晶電気光学素子の製造方法。(6) The liquid crystal electro-optical element according to claim 1, wherein the temperature range when performing the slow cooling again is below the phase transition temperature from the smectic A phase to the chiral smectic C phase. Production method.
ていることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の液
晶電気光学素子の製造方法。(7) The method for manufacturing a liquid crystal electro-optical element according to claim 1, wherein at least one of the alignment films is subjected to a rubbing treatment.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30650986A JPS63159825A (en) | 1986-12-24 | 1986-12-24 | Manufacture of liquid crystal electrooptical element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30650986A JPS63159825A (en) | 1986-12-24 | 1986-12-24 | Manufacture of liquid crystal electrooptical element |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63159825A true JPS63159825A (en) | 1988-07-02 |
Family
ID=17957882
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30650986A Pending JPS63159825A (en) | 1986-12-24 | 1986-12-24 | Manufacture of liquid crystal electrooptical element |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63159825A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04136914A (en) * | 1990-09-28 | 1992-05-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Ferroelectric liquid crystal panel |
| JPH04181919A (en) * | 1990-11-16 | 1992-06-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Ferroelectric liquid crystal panel |
-
1986
- 1986-12-24 JP JP30650986A patent/JPS63159825A/en active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04136914A (en) * | 1990-09-28 | 1992-05-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Ferroelectric liquid crystal panel |
| JPH04181919A (en) * | 1990-11-16 | 1992-06-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Ferroelectric liquid crystal panel |
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