JPS63157395A - 磁気バブル拡大器 - Google Patents
磁気バブル拡大器Info
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- JPS63157395A JPS63157395A JP30283486A JP30283486A JPS63157395A JP S63157395 A JPS63157395 A JP S63157395A JP 30283486 A JP30283486 A JP 30283486A JP 30283486 A JP30283486 A JP 30283486A JP S63157395 A JPS63157395 A JP S63157395A
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 14
- 230000005381 magnetic domain Effects 0.000 claims abstract description 9
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 abstract description 4
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 abstract description 4
- 230000003993 interaction Effects 0.000 abstract description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 5
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 2
- 229910000889 permalloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N gadolinium atom Chemical compound [Gd] UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
磁気バブルメモリデバイスの磁気バブル拡大器であって
、そのパターン列の中央部を軟磁性パターンで連結した
ことにより、バブル誤動作を防止し、動作特性の改善を
可能とする。
、そのパターン列の中央部を軟磁性パターンで連結した
ことにより、バブル誤動作を防止し、動作特性の改善を
可能とする。
本発明は電子計算装置等の記憶装置に用いられる磁気バ
ブルメモリ素子の磁気バブル拡大器に関するものである
。
ブルメモリ素子の磁気バブル拡大器に関するものである
。
磁気バブルメモリ素子は、例えばガドリニウム・ガリウ
ム・ガーネット単結晶等の非磁性基板の上に液相エピタ
キシャル成長法により磁性ガーネット薄膜を形成し、そ
の上にパーマロイ等の軟磁性薄膜を用いたハーフディス
ク型又はシェブロン型等のパターンを行列させたバブル
転送路を形成したものであり、バブル発生器より情報に
従って発生させたバブルを転送路に導き、そのパターン
にバブルがある場合を“1″、ない場合を“0”として
情報を記憶するようになっている。また情報の検出は、
通常パーマロイ等の軟磁性薄膜を用いて検出器を構成し
、その磁気抵抗効果を利用してバブルを検出するように
なっている。この場合、検出器の磁気抵抗変化を増すた
め、磁気バブルをストライプ状に引き伸ばす磁気バブル
拡大器が用いられる。
ム・ガーネット単結晶等の非磁性基板の上に液相エピタ
キシャル成長法により磁性ガーネット薄膜を形成し、そ
の上にパーマロイ等の軟磁性薄膜を用いたハーフディス
ク型又はシェブロン型等のパターンを行列させたバブル
転送路を形成したものであり、バブル発生器より情報に
従って発生させたバブルを転送路に導き、そのパターン
にバブルがある場合を“1″、ない場合を“0”として
情報を記憶するようになっている。また情報の検出は、
通常パーマロイ等の軟磁性薄膜を用いて検出器を構成し
、その磁気抵抗効果を利用してバブルを検出するように
なっている。この場合、検出器の磁気抵抗変化を増すた
め、磁気バブルをストライプ状に引き伸ばす磁気バブル
拡大器が用いられる。
このような磁気バブルメモリは高密度化、大容量化が進
み固体ファイルメモリに利用され始めている。高密度化
にはバブル径の微小化が必要であり、その為に高密度デ
バイスでは検出電圧が低下する。またバブル径微小化に
は飽和磁化(4πMs)を大きくしなければならず、そ
の結果として転送マージンが劣化する傾向にある。
み固体ファイルメモリに利用され始めている。高密度化
にはバブル径の微小化が必要であり、その為に高密度デ
バイスでは検出電圧が低下する。またバブル径微小化に
は飽和磁化(4πMs)を大きくしなければならず、そ
の結果として転送マージンが劣化する傾向にある。
従来の磁気バブル拡大器は第3図に示すように軟磁性薄
膜のシェブロンパターン等の基本パターン2を多段につ
み重ねたパターン列3を1ビット分の転送部とし、これ
をバブル転送路から検出器に向って多数列配置した構成
をとっている。
膜のシェブロンパターン等の基本パターン2を多段につ
み重ねたパターン列3を1ビット分の転送部とし、これ
をバブル転送路から検出器に向って多数列配置した構成
をとっている。
上記従来の磁気バブル拡大器では、パターン周期を拡大
してバブル伸長特性及び転送特性を改善させてきた。し
かしながら4πMsが大きな高密度デバイスではパター
ン2の頭部に磁化が集中し、ストラブ磁区とパターン2
との相互作用が大きくなるため、第4図のように伸長し
たストライプ磁区4が枝分かれし、その一部がパターン
にからまりマージンのバイアス磁界下限側が大きく劣化
するという欠点があった。
してバブル伸長特性及び転送特性を改善させてきた。し
かしながら4πMsが大きな高密度デバイスではパター
ン2の頭部に磁化が集中し、ストラブ磁区とパターン2
との相互作用が大きくなるため、第4図のように伸長し
たストライプ磁区4が枝分かれし、その一部がパターン
にからまりマージンのバイアス磁界下限側が大きく劣化
するという欠点があった。
本発明はこのような点に鑑みてなされたもので、バブル
のからまりによる誤動作を防止して動作特性を改善した
磁気バブル拡大器を提供することを目的としている。
のからまりによる誤動作を防止して動作特性を改善した
磁気バブル拡大器を提供することを目的としている。
このため本発明においては、第1図に例示するように、
軟磁性薄膜よりなる磁気バブル転送用の基本パターン2
をバブル転送方向に略垂直方向に複数個列状に配置し、
バブル磁区を拡大する磁気バブル拡大器において、上記
基本パターン2の中央部を軟磁性薄膜のバー状パターン
5で連結し、且つそのバー状パターン5をパターン列3
の両端部より外方に突出させたことを特徴としている。
軟磁性薄膜よりなる磁気バブル転送用の基本パターン2
をバブル転送方向に略垂直方向に複数個列状に配置し、
バブル磁区を拡大する磁気バブル拡大器において、上記
基本パターン2の中央部を軟磁性薄膜のバー状パターン
5で連結し、且つそのバー状パターン5をパターン列3
の両端部より外方に突出させたことを特徴としている。
軟磁性薄膜のバー状パターン5により基本パターン2の
頭部でのストライプ磁区との相互作用を低減させること
により、バブルのからまりを防止して転送特性の劣化を
防止することが可能となる。
頭部でのストライプ磁区との相互作用を低減させること
により、バブルのからまりを防止して転送特性の劣化を
防止することが可能となる。
第1図は本発明の実施例を示す図である。
本実施例は同図に示すように、軟磁性薄膜よりなるシェ
ブロン型等の基本パターン2をバブル転送方向に略垂直
方向に複数個列状に配置してパターン列3としたことは
第3図で説明した従来例と同様であり、本実施例の要点
は、各基本パターン2の中央部を軟磁性薄膜のバー状パ
ターン5で連結し、さらに該バー状パターン5をパター
ン列3の両端より外方に延長して設けたことである。
ブロン型等の基本パターン2をバブル転送方向に略垂直
方向に複数個列状に配置してパターン列3としたことは
第3図で説明した従来例と同様であり、本実施例の要点
は、各基本パターン2の中央部を軟磁性薄膜のバー状パ
ターン5で連結し、さらに該バー状パターン5をパター
ン列3の両端より外方に延長して設けたことである。
このように構成された本実施例は、軟磁性薄膜のバー状
パターン5により各基本パターン2が磁気的に連結され
るため、基本パターン2の頭部に集中する磁化が弱めら
れるため、引伸ばされたストライプ磁区と基本パターン
2との相互作用が小さくなる。その結果、第4図で説明
したようなストライプ磁区の枝分かれがなくなり、バブ
ルのからまりによる誤動作は防止され、第2図で示すよ
うに転送特性が改善される。
パターン5により各基本パターン2が磁気的に連結され
るため、基本パターン2の頭部に集中する磁化が弱めら
れるため、引伸ばされたストライプ磁区と基本パターン
2との相互作用が小さくなる。その結果、第4図で説明
したようなストライプ磁区の枝分かれがなくなり、バブ
ルのからまりによる誤動作は防止され、第2図で示すよ
うに転送特性が改善される。
第2図は本発明の実施例の特性を従来例と比較して示し
た図である。同図において縦軸にはバイアス磁界を、横
軸には駆動磁界をとり、曲線A(実線)で本実施例のマ
ージンを示し、曲線B(点線)で従来例のマージンを示
している。図より本実施例は従来例に比してバイアス磁
界下限側で特性が改善されていることがわかる。
た図である。同図において縦軸にはバイアス磁界を、横
軸には駆動磁界をとり、曲線A(実線)で本実施例のマ
ージンを示し、曲線B(点線)で従来例のマージンを示
している。図より本実施例は従来例に比してバイアス磁
界下限側で特性が改善されていることがわかる。
以上述べてきたように、本発明によれば、極めて簡単な
構成により磁気バブル拡大器の特性改善ができ、実用的
には極めて有用である。
構成により磁気バブル拡大器の特性改善ができ、実用的
には極めて有用である。
第1図は本発明の実施例を示す図、
第2図は本発明の実施例の特性を示す図、第3図は従来
の磁気バブル拡大器を示す図、第4図は従来の磁気バブ
ル拡大器の欠点を説明するための図である。 第1図において、 2は基本パターン、 3はパターン列、 5はバー状パターンである。
の磁気バブル拡大器を示す図、第4図は従来の磁気バブ
ル拡大器の欠点を説明するための図である。 第1図において、 2は基本パターン、 3はパターン列、 5はバー状パターンである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、軟磁性薄膜よりなる磁気バブル転送用の基本パター
ン(2)をバブル転送方向に略垂直方向に複数個列状に
配置し、バブル磁区を拡大する磁気バブル拡大器におい
て、 上記基本パターン(2)の中央部を軟磁性薄膜のバー状
パターン(5)で連結し、且つそのバー状パターン(5
)をパターン列(3)の両端部より外方に突出させたこ
とを特徴とした磁気バブル拡大器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30283486A JPS63157395A (ja) | 1986-12-20 | 1986-12-20 | 磁気バブル拡大器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30283486A JPS63157395A (ja) | 1986-12-20 | 1986-12-20 | 磁気バブル拡大器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63157395A true JPS63157395A (ja) | 1988-06-30 |
Family
ID=17913655
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP30283486A Pending JPS63157395A (ja) | 1986-12-20 | 1986-12-20 | 磁気バブル拡大器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63157395A (ja) |
-
1986
- 1986-12-20 JP JP30283486A patent/JPS63157395A/ja active Pending
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