JPS6315675B2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPS6315675B2
JPS6315675B2 JP59038532A JP3853284A JPS6315675B2 JP S6315675 B2 JPS6315675 B2 JP S6315675B2 JP 59038532 A JP59038532 A JP 59038532A JP 3853284 A JP3853284 A JP 3853284A JP S6315675 B2 JPS6315675 B2 JP S6315675B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
magnetic
detector
magnetic bubble
transfer path
bubble
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP59038532A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPS59167893A (en
Inventor
Makoto Suzuki
Junshi Asano
Masatoshi Takeshita
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP59038532A priority Critical patent/JPS59167893A/en
Publication of JPS59167893A publication Critical patent/JPS59167893A/en
Publication of JPS6315675B2 publication Critical patent/JPS6315675B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C11/00Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/02Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
    • G11C11/14Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using thin-film elements

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は磁気バブル記憶素子の検出器に関する
ものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a magnetic bubble storage element detector.

通常、磁気バブル記憶素子は磁気バブルの発生
及び消去を制御する回路、磁気バブルを記憶する
回路、磁気バブルを複製する回路、そして磁気バ
ブルの存在を検出して電気信号として取り出す検
出器などを具備している。
Typically, a magnetic bubble storage element includes a circuit that controls generation and erasure of magnetic bubbles, a circuit that stores magnetic bubbles, a circuit that replicates magnetic bubbles, and a detector that detects the presence of magnetic bubbles and extracts them as electrical signals. are doing.

特に、磁気バブル検出器としては、近時第1図
に示すように、パーマロイなどの軟磁性体の磁気
抵抗効果を利用したものが多く用いられている。
同図において、1はパーマロイなどからなるシエ
ブロン形転送路パターン、2はパーマロイなどか
らなる磁気バブル検出線、3は磁気バブル注入部
である。
In particular, as shown in FIG. 1, many magnetic bubble detectors have recently been used that utilize the magnetoresistive effect of soft magnetic materials such as permalloy.
In the figure, 1 is a chevron-shaped transfer path pattern made of permalloy or the like, 2 is a magnetic bubble detection line made of permalloy or the like, and 3 is a magnetic bubble injection part.

第2図a,bは磁気バブルを転送するための機
構を示す原理図であり、磁気バブルはA→B→C
→D→Eの経路を経て転送される。なお、この磁
気バブルは同図bに示す面内回転磁界のA→B→
C→D→Eの時計方向の回転にともなつて転送さ
れる。この場合、第2図aのA〜Eと同図bのA
〜Eとは同期しており、この結果、磁気バブルは
面内回転磁界の回転に追従して1ビツト毎に転送
されることになる。このような原理にもとづいて
転送される磁気バブルは、第1図で示した磁気バ
ブル注入部3から注入し、図示の上方向に転送さ
れて順次拡大してゆき、検出線2を横切る際には
充分拡大された磁気バブルにより検出線2の磁気
抵抗効果があらわれ電気信号として感知されるこ
とになる。
Figures 2a and b are principle diagrams showing the mechanism for transferring magnetic bubbles, and the magnetic bubbles are transferred from A to B to C.
It is transferred via the route →D→E. Note that this magnetic bubble is generated by the in-plane rotating magnetic field A→B→ shown in figure b.
It is transferred as it rotates clockwise from C to D to E. In this case, A to E in Figure 2a and A in Figure 2b
~E are synchronized, and as a result, the magnetic bubble follows the rotation of the in-plane rotating magnetic field and is transferred bit by bit. The magnetic bubbles transferred based on this principle are injected from the magnetic bubble injector 3 shown in FIG. Due to the sufficiently enlarged magnetic bubble, the magnetoresistive effect of the detection line 2 appears and is sensed as an electrical signal.

磁気バブルの信号を検出する場合、次のような
問題が発生する。すなわち、検出線2は信号とし
ての磁気バブルのもれ磁界のほかにノイズとして
面内回転磁界による磁気抵抗変化のノイズ消去が
必要となる。このノイズ消去対策として、従来は
第3図に示すように磁気バブル注入部のない、す
なわち、磁気バブルの転送に無関係な転送パター
ン(通称ダミー検出器と呼ぶ)を設けて正規の検
出線2とダミー検出線2aを同一増幅器に接続し
同相雑音を消去している。なお、第3図では第1
図と同じものは同じ符号を用いてある。第4図は
磁気バブル検出回路構成を示したものである。図
において、検出線2、ダミー検出線2a、抵抗
4,4aはホイーストンブリツジ(Wheatstone
bridge)接続されている。5は差動増幅器であ
り、+Vは電源である。この回路の動作は面内回
転磁界により磁気バブルが検出線2に入ると磁気
バブルが作る磁界により検出線2の電気抵抗が変
化し、一方ダミー検出線2aの電気抵抗は不変に
保たれる。この結果、ブリツジのバランスがくず
れ、差動増幅器5に入力が入り、増幅器5はこれ
を増幅して磁気バブルの存在を示す信号を出力す
る。
When detecting magnetic bubble signals, the following problems occur. That is, in the detection line 2, in addition to the leakage magnetic field of the magnetic bubble as a signal, it is necessary to eliminate the noise of the magnetic resistance change due to the in-plane rotating magnetic field as noise. As a measure against this noise cancellation, conventionally, as shown in Fig. 3, a transfer pattern (commonly called a dummy detector) without a magnetic bubble injector, that is, unrelated to the transfer of magnetic bubbles, is provided to connect the normal detection line 2. The dummy detection line 2a is connected to the same amplifier to eliminate common mode noise. In addition, in Figure 3, the first
Components that are the same as those in the figure are given the same reference numerals. FIG. 4 shows the configuration of the magnetic bubble detection circuit. In the figure, the detection line 2, dummy detection line 2a, and resistors 4 and 4a are connected to Wheatstone Bridge (Wheatstone Bridge).
bridge) connected. 5 is a differential amplifier, and +V is a power supply. The operation of this circuit is such that when a magnetic bubble enters the detection line 2 due to an in-plane rotating magnetic field, the electrical resistance of the detection line 2 changes due to the magnetic field created by the magnetic bubble, while the electrical resistance of the dummy detection line 2a remains unchanged. As a result, the bridge becomes unbalanced, and an input is input to the differential amplifier 5, which amplifies this and outputs a signal indicating the presence of a magnetic bubble.

さて、ダミー検出器(図示していないが、実際
には磁気バブルが進入しないようにダミー検出器
部パターンの外周は周知のTバー等からなるガー
ドレールが設けられている。)は周知のごとく第
3図のように正規の検出器と同様に大きな面積を
占める(このようにすることによつて磁気的環境
を正規の検出器と同じにする。)ため、チツプ当
りのビツト密度向上の阻害要因の1つとなつてい
る。
Now, as is well known, the dummy detector (not shown, but actually a guardrail made of a well-known T-bar or the like is provided around the outer periphery of the dummy detector pattern to prevent magnetic bubbles from entering). As shown in Figure 3, it occupies a large area like a regular detector (by doing so, the magnetic environment is the same as that of a regular detector), which is a factor that inhibits the improvement of bit density per chip. It has become one of the

従つて、本発明の目的は上記問題点を解決する
新規な磁気バブル検出器を提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, an object of the present invention is to provide a novel magnetic bubble detector that solves the above problems.

上記目的を達成するため、本発明においてはダ
ミー検出器を構成するパターン中の磁気バブル進
入路側に前記第1および第2の検出器を構成する
磁気バブル転送路パターンと実質的に同一の転送
路パターンを約180゜回転して形成した磁気バブル
排除用転送路を設けたことを特徴としている。
In order to achieve the above object, in the present invention, a transfer path substantially the same as the magnetic bubble transfer path pattern forming the first and second detectors is provided on the magnetic bubble entry path side in the pattern forming the dummy detector. It is characterized by the provision of a transfer path for eliminating magnetic bubbles formed by rotating the pattern by approximately 180 degrees.

ダミー検出器をこのような構成とすることによ
つて、従来の必要占有面積を約40%削減でき、そ
の結果、チツプ当りのビツト密度向上に大きく寄
与することができる。
By configuring the dummy detector in this manner, the area required for conventional detection can be reduced by about 40%, and as a result, it can greatly contribute to improving the bit density per chip.

以下、本発明を図面を用いて詳細に説明する。 Hereinafter, the present invention will be explained in detail using the drawings.

第5図は本発明によるダミー検出器の全体構成
を示す図である。同図にはシエブロンパターンを
使用して構成した磁気バブル検出器のうちのダミ
ー検出器部分のみを示してある。6はパーマロイ
パターンなどからなる軟磁性体を直列接続した検
出線である。7は磁気バブル転送路であり、8は
本発明による磁気バブル排除用転送路であり、磁
気バブル転送路7と同じシエブロンパターンを用
いている。第2図bに示したような面内回転磁界
が加えられるので、磁気バブルは図面の下方から
上方に向つて進む。しかしながら、磁気バブル排
除用転送路8が他の正規な磁気バブル転送路7に
対して180゜回転して設けられているため、磁気バ
ブルは進入することができない。すなわち、この
磁気バブル排除用転送路8は従来のダミー検出器
を取り囲んでいる磁気バブル進入阻止用ガードレ
ール(Tバーバターンからなつている)の役割を
受け持つ。さらには、正規の検出器と同じ磁気的
環境をつくり出す役割をもになつている。従つ
て、従来のTバーからなるガードレールを使用せ
ずに全く同じシエブロンパターンを使用し、ただ
180゜回転しているだけなので、ガードレール使用
時と較べてその磁気的環境が非常につくり易い。
なぜならば、Tバーパターンとシエブロンパター
ンという互いに異質なパターンを接近して使用す
るダミー検出器と、シエブロンパターンのみから
なる正規の検出器とではその磁気的環境が相違す
るので、ダミー検出器はその磁気的環境を整合す
る意味でも正規の検出器と同じ構成にする必要が
あるが、ガードレールを使用しない場合は同じ構
成にしなくてもその磁気的環境を整えられるから
である。それゆえ、ダミー検出線6と磁気バブル
排除用転送路8との間にある磁気バブル転送路7
の列数を減少させることが可能となる。実験結果
によると、その数は1〜2列で充分であることが
判明した。また、磁気バブル排除用転送路8の列
数も図示のごとく2列で充分であることがわかつ
た。ただし、ダミー検出線6の図面上で上側の磁
気バブル転送路7は従来と同じ列数であるが、普
通、磁気バブルを検出した後は縮小することなく
そのまま磁気バブル消去器(例えば、パーマロイ
のバーなど)に送り込むのでそのための転送路の
列数は少なくてよい。従つてダミー検出線6のそ
れも少なくて済む。
FIG. 5 is a diagram showing the overall configuration of a dummy detector according to the present invention. The figure shows only the dummy detector portion of the magnetic bubble detector constructed using the Chevron pattern. Reference numeral 6 denotes a detection line in which soft magnetic materials such as permalloy patterns are connected in series. 7 is a magnetic bubble transfer path, and 8 is a magnetic bubble elimination transfer path according to the present invention, which uses the same chevron pattern as the magnetic bubble transfer path 7. Since an in-plane rotating magnetic field as shown in FIG. 2b is applied, the magnetic bubble advances from the bottom to the top of the drawing. However, since the transfer path 8 for removing magnetic bubbles is rotated by 180 degrees with respect to the other regular magnetic bubble transfer path 7, magnetic bubbles cannot enter. That is, this transfer path 8 for removing magnetic bubbles plays the role of a guardrail (consisting of a T-bar pattern) for preventing the entry of magnetic bubbles surrounding the conventional dummy detector. Furthermore, it also plays the role of creating the same magnetic environment as a regular detector. Therefore, instead of using the traditional T-bar guardrail, we used the exact same chevron pattern and simply
Since it only rotates 180 degrees, it is much easier to create a magnetic environment compared to when using a guardrail.
This is because the magnetic environment is different between a dummy detector that uses mutually different patterns such as a T-bar pattern and a Chevron pattern close to each other, and a regular detector that consists only of a Chevron pattern. It is necessary to have the same configuration as a regular detector in order to match the magnetic environment, but if a guardrail is not used, the magnetic environment can be adjusted without having the same configuration. Therefore, the magnetic bubble transfer path 7 between the dummy detection line 6 and the magnetic bubble elimination transfer path 8
It becomes possible to reduce the number of columns. According to experimental results, it has been found that one or two rows is sufficient. Furthermore, it has been found that two rows of magnetic bubble elimination transfer paths 8 as shown in the figure is sufficient. However, although the magnetic bubble transfer path 7 on the upper side of the drawing of the dummy detection line 6 has the same number of rows as the conventional one, normally, after detecting a magnetic bubble, a magnetic bubble eraser (for example, permalloy) is used without reducing the size. bar, etc.), the number of rows of transfer paths for this purpose may be small. Therefore, the number of dummy detection lines 6 can also be reduced.

従つて、本発明により、ダミー検出器のパター
ン構成中のダミー検出線6と磁気バブル排除用転
送路8との間の磁気バブル転送路7の列数が削減
でき、その削減列数を占有面積に換算すると約40
%となる。この削減により生じた面積はそつくり
磁気バブルの記憶回路用として転用でき、その結
果、チツプ当りのビツト密度の向上に大きく寄与
することとなる。ちなみに、チツプの有効面積中
に占めるダミー検出器の割合は約10%であるの
で、記憶回路用として振り向けられる面積は全体
の約4%となる。この数値は一見小さいようであ
るが、最近の高密度実装を実現するためには重要
な数値である。
Therefore, according to the present invention, the number of columns of the magnetic bubble transfer path 7 between the dummy detection line 6 and the magnetic bubble elimination transfer path 8 in the pattern configuration of the dummy detector can be reduced, and the reduced number of columns can be reduced by the occupied area. Approximately 40
%. The area created by this reduction can be used for the memory circuit of the warped magnetic bubble, and as a result, it greatly contributes to improving the bit density per chip. Incidentally, since the dummy detector occupies approximately 10% of the effective area of the chip, the area allocated to the memory circuit is approximately 4% of the total area. This number may seem small at first glance, but it is an important number in order to realize recent high-density packaging.

上述の説明ではその使用パターンとして基本的
なシエブロン形を用いているが、磁気バブル転送
路7および磁気バブル排除用転送路8ともにTバ
ーパターンで形成するとか、種々の変形を加えた
パターンでも同じ効果が得られることはもちろん
である。
In the above explanation, a basic chevron shape is used as the pattern used, but the same effect can be obtained by forming both the magnetic bubble transfer path 7 and the magnetic bubble elimination transfer path 8 in a T-bar pattern, or in other patterns with various modifications. Of course, it is effective.

以上述べたごとく、本発明によつてダミー検出
器の磁気的環境を正規の検出器のそれと同様に保
ちながら、しかも、その占有面積を正規の検出器
のそれより大幅に削減でき、それによつて、チツ
プ当りの記憶容量の増加、すなわち、ビツト密度
の向上を図ることが可能となつた。
As described above, according to the present invention, the magnetic environment of the dummy detector can be maintained similar to that of the regular detector, while the area occupied by the dummy detector can be significantly reduced compared to that of the regular detector. It has become possible to increase the storage capacity per chip, that is, to improve the bit density.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は磁気バブル拡大検出器の説明図、第2
図a,bはシエブロン形転送パターンの転送順序
を説明する図、第3図は正規の検出器とダミー検
出器とのパターン構成図、第4図は磁気バブル検
出回路の構成図、第5図は本発明によるダミー検
出器のパターン構成図である。 6…検出線、7…磁気バブル転送路、8…磁気
バブル排除用転送路。
Figure 1 is an explanatory diagram of the magnetic bubble expansion detector, Figure 2
Figures a and b are diagrams explaining the transfer order of the Chevron type transfer pattern, Figure 3 is a pattern configuration diagram of a regular detector and a dummy detector, Figure 4 is a configuration diagram of a magnetic bubble detection circuit, and Figure 5 FIG. 2 is a pattern configuration diagram of a dummy detector according to the present invention. 6...Detection line, 7...Magnetic bubble transfer path, 8...Magnetic bubble elimination transfer path.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 磁気バブルを拡大検出する第1の検出器と磁
気バブルを拡大検出しない第2の検出器とを含む
磁気バブル検出器において、 上記第2の検出器の磁気バブル進入路側に、前
記第1および第2の検出器を構成する磁気バブル
転送路パターンと実質的に同一の転送路パターン
を約180゜回転して形成した磁気バブル排除用転送
路を設けたことを特徴とする磁気バブル検出器。
[Scope of Claims] 1. A magnetic bubble detector including a first detector that magnifies and detects magnetic bubbles and a second detector that does not magnify and detect magnetic bubbles, wherein the second detector is located on the magnetic bubble entry road side. A transfer path for eliminating magnetic bubbles is provided, which is formed by rotating a transfer path pattern substantially the same as the magnetic bubble transfer path pattern constituting the first and second detectors by about 180 degrees. magnetic bubble detector.
JP59038532A 1984-03-02 1984-03-02 Magnetic bubble detector Granted JPS59167893A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59038532A JPS59167893A (en) 1984-03-02 1984-03-02 Magnetic bubble detector

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59038532A JPS59167893A (en) 1984-03-02 1984-03-02 Magnetic bubble detector

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP7320278A Division JPS5827910B2 (en) 1978-06-19 1978-06-19 magnetic bubble detector

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS59167893A JPS59167893A (en) 1984-09-21
JPS6315675B2 true JPS6315675B2 (en) 1988-04-05

Family

ID=12527888

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP59038532A Granted JPS59167893A (en) 1984-03-02 1984-03-02 Magnetic bubble detector

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS59167893A (en)

Also Published As

Publication number Publication date
JPS59167893A (en) 1984-09-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5309387A (en) Tamper resistant module with logical elements arranged on a substrate to protect information stored in the same module
JP5046189B2 (en) Magnetic random access memory
US3858189A (en) Magneto resistive signal multiplier for sensing magnetic bubble domains
JPS6315675B2 (en)
JPS5827910B2 (en) magnetic bubble detector
US20030022476A1 (en) Data bus architecture for integrated circuit devices having embedded dynamic random access memory (DRAM) with a large aspect ratio providing reduced capacitance and power requirements
JPS63244877A (en) Semiconductor memory device
JPS583314B2 (en) jiki bubble memory soshi
US4229806A (en) Consecutive bit bubble memory detector
JPS63211195A (en) Semiconductor memory
JPS6252396B2 (en)
JP4124844B2 (en) Magnetic thin film memory
JPS54158827A (en) Semiconductor integrated circuit
JPS5913111B2 (en) magnetic bubble memory element
US4506347A (en) Placement of clock circuits for semiconductor memory
US4358830A (en) Bubble memory with enhanced bit density storage area
JPS6126274A (en) Magnetic rotary sensor
US4468758A (en) Magnetic bubble memory chip
JPS6243890A (en) Magnetic bubble device
JP2564570B2 (en) Semiconductor memory
JPS5637899A (en) Memory malfunction detection system
JPS61239489A (en) Magnetic bubble memory element
JPS6366785A (en) Magnetic bubble memory device
JP2560813B2 (en) Semiconductor integrated circuit
Sinclair et al. A practical 256K GMR NV memory for high shock applications