JPS63155819A - Base drive circuit - Google Patents

Base drive circuit

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JPS63155819A
JPS63155819A JP61301464A JP30146486A JPS63155819A JP S63155819 A JPS63155819 A JP S63155819A JP 61301464 A JP61301464 A JP 61301464A JP 30146486 A JP30146486 A JP 30146486A JP S63155819 A JPS63155819 A JP S63155819A
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JP
Japan
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transistor
power
resistor
base
fet
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Pending
Application number
JP61301464A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kiyotaka Kadofuji
清隆 角藤
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Mitsubishi Heavy Industries Ltd
Original Assignee
Mitsubishi Heavy Industries Ltd
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Publication date
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Abstract

PURPOSE:To enable the high-speed switching of a single type power transistor by driving respective transistors by using the output of a high-speed photocoupler to supply a forward/reverse bias base current. CONSTITUTION:If an input signal is inputted to the input terminals 1, 2 of the high-speed photocoupler 71, said 71 is turned on, transistor TR 31 turns on, and Tr 35, Tr 36, and power MOSFET 41 are sequentially turn on, and a forward bias base current flows from the positive terminal 3 of power supply through the FET 41 and a base current limiting resistor 24, and through a power transistor TR 81, base.emitter diodes 51-53, and reaches a ground terminal 4. During this process, an electric field capacitor 62 is charged to a potential equal to the forward voltage of the diodes 51-53. Inversely, if no signal is inputted to the terminals 1, 2, the coupler 71 turns off, the Tr 32 turns off, the Tr 33 on, the Tr 34 on, and also, an FET 42 turns on, accordingly, a reverse bias base current flows from the positive terminal of the capacitor 62 through the base.emitter and the FET 42, and reaches the negative terminal of the capacitor 62.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はトランジスタインバータ、サー?ア/グ、DC
−DCコンバータおよびスイッチングレギュレータの主
回路等に適用されるノ々ワートランジスタのベースドラ
イブ回路に関する。
[Detailed Description of the Invention] [Field of Industrial Application] The present invention is applicable to transistor inverters, A/G, DC
-Relates to a base drive circuit for a nower transistor applied to main circuits of DC converters, switching regulators, etc.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

(構成) 従来のベースドライブ回路を第3図に示す、パワートラ
ンジスタ20のペースに抵抗11を介して接続されたト
ランジスタ14と、トランジスタに4のペースに接続さ
れたトランジスタ13と、トランジスタ13のペースに
接続されたトランジスタ12と、トランジスタ12のペ
ースに抵抗7を介して接続されたホトカプラ19と、パ
ワートランジスタ20に接続されたトランジスタ15と
、ノPワートランジスタ20に接続された2個直列のダ
イオード16.17および電界コンデンサ1st具備し
、電源プラス端子3にホトカプラ19のコレクタと、ト
ランジスタ130ペースに接続された抵抗9と、トラン
ジスタ14のペースに接続袋れた抵抗10とが接続され
、グランド端子4に、トランジスタ120ベースに接続
された抵抗8と、トランジスタ12.13の各エミッタ
と、トランジスタ15のコレクタと、ダイオード160
カンードと、電界コンデンサ18の負端子とが接続され
た構成になっている。なお、1,2はホトカプラ19の
入力端子である。
(Configuration) A conventional base drive circuit is shown in FIG. 3, which includes a transistor 14 connected to the power transistor 20 through a resistor 11, a transistor 13 connected to the transistor 4, and a transistor 13 connected to the power transistor 20 through a resistor 11. a photocoupler 19 connected to the base of the transistor 12 via a resistor 7, a transistor 15 connected to the power transistor 20, and two diodes connected in series to the power transistor 20. 16.17 and an electrolytic capacitor 1st, the collector of the photocoupler 19 is connected to the power supply positive terminal 3, the resistor 9 connected to the transistor 130 pace, and the resistor 10 connected to the transistor 14 base are connected, and the ground terminal 4, a resistor 8 connected to the base of the transistor 120, each emitter of the transistors 12 and 13, the collector of the transistor 15, and the diode 160.
The configuration is such that the cand and the negative terminal of the electrolytic capacitor 18 are connected. Note that 1 and 2 are input terminals of the photocoupler 19.

(作用) ホトカプラJ9の入力端子1.2に信号が入力されると
ホトカプラ19の受光素子がONし、これによシトラン
ジスタ12がONI、、トランジスタ13がOFF L
、最後にトランジスタ14がONする。これにより、電
源プラス端子3からトランジスタ14および抵抗11t
通り、パワートランジスタ2Qのペース・エミッタおよ
びダイオード16.17’1通ってグランド端子4へ順
バイアスペース電流が流れる。またこの時、電界コンデ
ンサ18は、ダイオード16.17の順方向電圧と等し
い電圧に充電嘔れる。逆に、入力端子1.2に信号が入
力されないとホトカプラ19の受光素子がOFF l、
、トランジスタ12がOFF l、、トランジスタ13
がONし、最後にトランジスタ15がONすることによ
シ、電界コンデンサ18の正端子から、ノ5ワートラン
ジスタ20のエミッタ・ペースおよびトランジスタ15
を通って、電界コンデンサ18の負端子へ、逆バイアス
ペース電流が流れる。
(Function) When a signal is input to the input terminal 1.2 of the photocoupler J9, the light receiving element of the photocoupler 19 is turned on, which causes the transistor 12 to turn on, and the transistor 13 to turn off.
, and finally the transistor 14 is turned on. As a result, the transistor 14 and the resistor 11t are connected to the power supply positive terminal 3.
Accordingly, a forward biased space current flows to the ground terminal 4 through the space emitter of the power transistor 2Q and the diode 16.17'1. At this time, the electrolytic capacitor 18 is charged to a voltage equal to the forward voltage of the diodes 16 and 17. Conversely, if no signal is input to the input terminal 1.2, the light receiving element of the photocoupler 19 is turned off.
, transistor 12 is OFF l, , transistor 13
is turned on, and finally transistor 15 is turned on, so that the current is transferred from the positive terminal of electrolytic capacitor 18 to the emitter paste of transistor 20 and transistor 15.
A reverse bias space current flows through to the negative terminal of electrolytic capacitor 18.

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problem that the invention seeks to solve]

上記したように従来のベースドライブ回路は一般に、ダ
ーリントン形のパワートランジスタで使用される。した
がって、それ全シングル形パワートランジスタに適用す
る場合は、次のことを変更すればよい。それは、回路は
全く同じ物で問題はナイカ、パワートランジスタに供給
するペース電流が、一般に0.5ム(ダーリントン)か
ら10人(シングル)と大きくなるので、回路中の順バ
イアスペース電流や逆・ぐイアスペース電流を供給して
いるトラン・ゾスタ′f:0.5ム級のトランジスタか
ら10人級のノ々ワ・−トランジスタに変えることであ
る。以上の変更によりシングル形にも適用可能になる。
As mentioned above, conventional base drive circuits are commonly used with Darlington type power transistors. Therefore, when applying it to all single-type power transistors, the following should be changed. The circuit is exactly the same, but the problem is that the pace current supplied to the power transistor is generally large, from 0.5 μm (Darlington) to 10 μm (single), so the forward bias space current in the circuit and the reverse Transformer'f: 0.5 μm class transistors supplying wire space current to 10 μm class transistors. With the above changes, it can also be applied to a single type.

しかし、ベースドライブ回路中にパワートランジスタを
使用すると、それのスイッチングにおける上昇時間、及
び下降時間などが長いので、高速スイッチングが可能な
ペース電流をシングル形パワートランジスタに供給する
ことができず問題になる。
However, when a power transistor is used in the base drive circuit, the rise time and fall time during switching are long, so it becomes impossible to supply a pace current that enables high-speed switching to a single type power transistor, which becomes a problem. .

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving problems]

本発明は、高速ホトカプラの出力をもとにシングル形パ
ワートランジスタをドライブするドライブ回路であって
、高速ホトカプラの受ff:、素子のコレクタがペース
に接続される第1トランジスタと、前記高速ホトカプラ
の受光素子のエミッタが抵抗を介してペースに接続され
る第2トランジスタと、第2トランゾスタのコレクタが
ペースに接続される第3トランジスタと、第3トランジ
スタのコレクタが抵抗を介してペースに接続てれる第4
トランジスタと、前記第1トラン・ゾスタのコレクタが
抵抗を介して接続される第5トランソスタと、第5トラ
ンジスタのコレクタが抵抗を介して接続逼れる第6トラ
ンジスタと、第6トランジスタのコレクタが)i′a−
1−トに接続される第1パワーMO8・F’ETと、前
記第4トランジスタのコレクタがff−)に接続される
第2ノ母ワーMO8・FETと、前記第1/J?ワ−M
OS−FETのソースが抵抗を介して前記第2パワーM
O8@FITのドレインに接続され、その接続点がペー
スに接続されるシングル形ノ’?ワートランジスタと、
シングル形パワートランジスタのエミッタとグランドと
の間VC接続された逆バイアス印加用電源と、ドライブ
用の第1及び第2電源とを具備し、第1電源のプラス側
端子には、前記第1トランジスタのエミッタと、第1ト
ランジスタのペースに接続された抵抗と、前記第3トラ
ンジスタのペースK11lされた抵抗と、前記第1ノや
ワーMOS・FETのドレインとを接続し、第2電源の
プラス側端子には、前記第4トランジスタのエミッタと
、第4トランジスタのペースに接続された抵抗と、前記
第6トツンジスタのエミッタと、第6トランジスタのペ
ースに接続された抵抗とを接続し、前記各電源のグラン
ド端子には、前記第2.第3および第5トランジスタの
各エミッタと、第2および第5トランジスタのペースに
接続された各抵抗と、前記第1および第2パワーMO8
・FETのダートに接続された各抵抗とを接続した構成
としたものである。尚、上記第1電源および第2電源は
独立した電源系、又は共通電源の何れであってもよい。
The present invention is a drive circuit that drives a single power transistor based on the output of a high-speed photocoupler, the first transistor having a collector connected to the receiver ff of the high-speed photocoupler, a second transistor in which the emitter of the light-receiving element is connected to the pace through a resistor; a third transistor in which the collector of the second transistor is connected to the pace; and a collector of the third transistor is connected to the pace through the resistor. Fourth
a fifth transistor to which the collector of the first transistor is connected via a resistor; a sixth transistor to which the collector of the fifth transistor is connected via a resistor; 'a-
a first power MO8 F'ET connected to the first /J? W-M
The source of the OS-FET is connected to the second power M via a resistor.
A single type which is connected to the drain of O8@FIT and its connection point is connected to the pace. power transistor,
A power supply for applying a reverse bias is connected by VC between the emitter of the single power transistor and the ground, and first and second power supplies for driving are provided, and the positive terminal of the first power supply is connected to the first transistor. The emitter of the first transistor, a resistor connected to the first transistor, a resistor connected to the third transistor, and the drain of the first power MOS/FET are connected, and the positive side of the second power supply is connected. A resistor connected to the emitter of the fourth transistor and the pace of the fourth transistor, and a resistor connected to the emitter of the sixth transistor and the pace of the sixth transistor are connected to the terminal, and each of the power supplies The ground terminal of the second. each emitter of the third and fifth transistors and each resistor connected to the pace of the second and fifth transistor; and the first and second power MO8.
・It has a configuration in which each resistor is connected to the dirt of the FET. Note that the first power source and the second power source may be either independent power systems or a common power source.

〔作用〕[Effect]

高速ホトカプラに信号が入力されると、第1トランジス
タがONし、第5トランジスタがONし、第6トランジ
スタがONし、最後に第1パワーMOS・FETがON
I、、シングル形パワートランジスタに順バイアスペー
ス電流が供給される。逆に、高速ホト力f2に信号が入
力されないと、第2トランジスタがOFF L、第3ト
ランジスタがONし。
When a signal is input to the high-speed photocoupler, the first transistor turns on, the fifth transistor turns on, the sixth transistor turns on, and finally the first power MOS/FET turns on.
I, a forward bias space current is supplied to a single power transistor. Conversely, if no signal is input to the high-speed photopower f2, the second transistor is turned off and the third transistor is turned on.

第4トランジスタがONI、、最後に第2パワーMOS
・FETがONL、、前記シングル形パワートランジス
タに逆バイアスペース電流が供給される。
The fourth transistor is ONI, and finally the second power MOS
- When the FET is ONL, a reverse bias space current is supplied to the single power transistor.

〔実施例〕〔Example〕

(構成) 本発明の一実施例を2電源方式を例にと9第1図及び第
2図を参照して説明する。
(Structure) An embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 and 2, taking a two-power supply system as an example.

シングル形パワートランジスタ8ノのペースK。Pace K with 8 single power transistors.

ペース電流制限抵抗24t−介して接続された第1パワ
ーMOS・F’ET 41と、第1/4ワーMO8@F
ET 41のダートに接続された第6トランジスタ36
と、第6トランジスタ36のペースに抵抗22t−介し
て接続された第5トランジスタ35と、第5トランジス
タ35のペースに抵抗19t−介して接続された第1ト
ランジスタ31と第1トラyゾスタ31のペースに接続
された高速ホトカブラ71と、前記シングル形パワート
ランジスタ81のペースに接続された第2ノ譬ワーMO
S・FET 42 ト第2パワー MOS−FET 4
 Jのff−)に接続された第4トランゾスタ34と、
第4トランジスタ3イのペースに抵抗17を介して接続
された第3トランジスタ33と、第3トランジスタ33
のペースに接続された第2トランジスタ32と、前記シ
ングル形ノ々ワートランジスタ81のエミッタに接続さ
れた3個直列のダイオード51,52.53および電界
コンデンサ62を具備し、第1電源のプラス端子3には
、前記第1トランジスタ31のエミッタと、第1トラン
ジスタ31のペースに接続された抵抗14と、前記第3
トランジスタ33のペースに接続された抵抗15と、前
記第1パワーMOS・PET41のドレインとを接続し
、第2電源のプラス端子5には、前記第4トランジスタ
34のエミッタと、第4トランジスタ34のペースに接
続された抵抗16と、前記第6トランジスタ36のエミ
ッタと、第6トランジスタ36のペースに接続された抵
抗21とを接続し、グランド端子4には、前記第2.第
3および第5トランジスタ32 、33゜35の各エミ
ッタと、第2パワーMO8@FgT 42のソースと、
第2および第5トランジスタ32.35のペースに接続
された各抵抗13.20と、前記第1および第2/#ワ
ーMO3−FET 41 、42のダートに接続された
各抵抗23.18と、前記ダイオード51のカソードと
、前記電界コンデンサ62の負端子とを接続した構成に
なっている。なお。
The first power MOS/F'ET 41 connected through the pace current limiting resistor 24t and the 1/4th power MO8@F
6th transistor 36 connected to the dart of ET 41
, the fifth transistor 35 connected to the pace of the sixth transistor 36 through the resistor 22t, the first transistor 31 connected to the pace of the fifth transistor 35 through the resistor 19t, and the first tryzoster 31. a high-speed photo coupler 71 connected to the pace; and a second power MO connected to the pace of the single type power transistor 81.
S・FET 42 2nd power MOS-FET 4
a fourth transistor 34 connected to ff-) of J;
A third transistor 33 connected to the pace of the fourth transistor 3a via a resistor 17;
, a second transistor 32 connected to the terminal of the first power supply, three series diodes 51, 52, 53 and an electrolytic capacitor 62 connected to the emitter of the single type lower transistor 81, and a positive terminal of the first power supply. 3 includes a resistor 14 connected to the emitter of the first transistor 31 and the pace of the first transistor 31;
A resistor 15 connected to the pace of the transistor 33 and the drain of the first power MOS/PET 41 are connected, and the positive terminal 5 of the second power supply is connected to the emitter of the fourth transistor 34 and the drain of the first power MOS/PET 41. A resistor 16 connected to the pace, the emitter of the sixth transistor 36, and a resistor 21 connected to the pace of the sixth transistor 36 are connected, and the ground terminal 4 is connected to the second... the respective emitters of the third and fifth transistors 32, 33°35, and the source of the second power MO8@FgT 42;
each resistor 13.20 connected to the pace of the second and fifth transistors 32.35; each resistor 23.18 connected to the dart of the first and second/#Wer MO3-FETs 41, 42; The cathode of the diode 51 and the negative terminal of the electrolytic capacitor 62 are connected. In addition.

1.2は高速ホトカプラ71の入力端子で6.?、又抵
抗11、及び電界コンデンサ61は高速ホトカブラ71
を動作きせるのに必要なものである。
1.2 is the input terminal of the high-speed photocoupler 71; 6. ? , and the resistor 11 and the electrolytic capacitor 61 are replaced by a high-speed photocoupler 71.
It is necessary to make it work.

(1乍用 ) 高速ホトカブラ71の入力端子1,2に信号が入力され
ると、高速ホトカブラツノがONL第1トランジスタ3
ノがONL、第5トランジスタ35がONI、、第6ト
ランジスタ36がONL、最後に第1/#ワーMOS・
FET 47がONすることにより、第1電源プラス端
子3から第1パワーMOB−FET 4 Jおよびペー
ス電流制限抵抗24ft通り、シフグル形/ぐワートラ
ンジスタ81のペース・エミッタおよびダイオード51
,52.53fI:通ってグランド端子4へ屓バイアス
ペース亀流が流れる。なお、この時ダイオード51,5
2.53の順方向電圧と等しい電圧に、電界コンデンサ
62は充電される。逆に入力端子1,2に信号が入力さ
れないと高速ホトカプラ71が0FFj、、、第2トラ
ンジスタ32がOFF l、、第3トランジスタ33が
ONし、第4トラ/:)スタ34がONし、最後に第2
ノぐワーMO8参FET 42がONすることで、電界
コンデンサ62の正端子から、シングル形パワートラン
ジスタ81のエミッタ・ペースおよび第2ノぐワーMO
S・FET 4 、?を通りて電界コンデンサ62の負
端子へ逆バイアスペース電流が流れる。
(For 1 unit) When a signal is input to the input terminals 1 and 2 of the high-speed photocoupler 71, the high-speed photocoupler outputs the ONL first transistor 3.
# is ONL, the fifth transistor 35 is ONI, the sixth transistor 36 is ONL, and finally the first/#war MOS・
When the FET 47 is turned on, the first power MOB-FET 4 J and the pace current limiting resistor 24ft are connected from the first power supply positive terminal 3 to the pace emitter of the shifter type/grower transistor 81 and the diode 51.
, 52.53fI: The bottom bias space current flows to the ground terminal 4 through the ground terminal 4. In addition, at this time, the diodes 51, 5
The electrolytic capacitor 62 is charged to a voltage equal to the forward voltage of 2.53. Conversely, if no signals are input to the input terminals 1 and 2, the high-speed photocoupler 71 turns 0FFj, the second transistor 32 turns OFF l, the third transistor 33 turns on, and the fourth transistor/:) star 34 turns on, Finally the second
By turning ON the nozzle MO8 reference FET 42, the emitter paste of the single type power transistor 81 and the second nozzle MO8 are connected from the positive terminal of the electrolytic capacitor 62.
S・FET 4,? A reverse bias space current flows through to the negative terminal of electrolytic capacitor 62.

以上、第1電源および第2電源を共通にした場合も全く
同じでらる。
The same result can be obtained even when the first power source and the second power source are used in common.

第2図に、上記実施例の回路によって得もわ7るペース
電流の波形と、従来の回路によ・2て得られるペース電
流の波形を示す。上記実施例の場合は、ペース電流を供
給しているのがパワーMOS・FETなので、従来の場
合の・ぐワートランジスタと違って、上昇時間および下
降時間が短いので、図示し7たように、0からONまで
上昇する時間が従来でIr、t aで示す時間だけかか
るものが、上記実施例ではbで示す時間に短縮され、さ
らに、ONからOFF −%、下降する時間が、従来C
で示す時間だけかかつているものが上記実施例ではdで
示す時間に短縮烙れている。したがフて、上記実施例で
は、ペース電流の上昇や下降において大幅な時間短縮を
行うことができたので、それのパルス幅金小さくするこ
とが可能になシ、シングル形ノクワートランジスタの高
速スイッチングが行えるようになる。
FIG. 2 shows the waveform of the pace current obtained by the circuit of the above embodiment and the waveform of the pace current obtained by the conventional circuit. In the case of the above embodiment, since it is the power MOS/FET that supplies the pace current, the rise time and fall time are short, unlike the power transistor in the conventional case. Conventionally, the time required to rise from 0 to ON is the time indicated by Ir, ta, but in the above embodiment, the time required to rise from 0 to ON is shortened to the time indicated by b.
In the above embodiment, the time required as indicated by d is reduced to the time indicated by d. Therefore, in the above embodiment, it was possible to significantly shorten the time for the rise and fall of the pace current, which made it possible to reduce the pulse width of the pace current, thereby increasing the speed of the single-type knocker transistor. Switching becomes possible.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上詳記したように本発明によるシングル形ノ9ワート
ランジスタのベースドライブ回路によれば、シングル形
ハワートランジスタのペースに、ペース電流制限抵抗を
介して接続された第1パワーMOS・FETと、第1 
ノ4’)−MOS−F’ETC)r −)に接続された
第6トランジスタと、第6トランジスタのペースに抵抗
を介して接続された第5トランジスタと、第5トランジ
スタのペースに抵抗を介して接続嘔れた第1トランゾス
タと第1トランジスタのペースに接続された高速ホトカ
ブラと、前記シングル形パワートランジスタのペースに
接続されり第2 ノ47−M2S−FETと第2 ノ4
 ’7− MOS−FET Or−トに接続された第4
トランジスタと、第4トラ/ソスタのペースに抵抗全弁
して*@−Gれた第3トランジスタと、第3トランジス
タのペースに接続嘔れた第2トランジスタと、前記シン
グル形ノ4ワートランジスタのエミッタとグランドとの
間に接続嘔れた逆バイアス印加用電源とを具備し、第1
m源のプラス側端子には、前、記第1トランジスタのエ
ミッタと、第1トランノスタのペースに接続された抵抗
と、前記第3トランジスタのペースに接続された抵抗と
、前記第1パワーMOS・FETのドレインとを接続し
、第2電源のプラス側端子には、前記第4トランジスタ
のエミッタと、第4トランジスタのペースに接続された
抵抗と、前記第6トランジスタのエミッタと、第6トラ
ンジスタのペースに接続された抵抗とを接続し、前記各
電源のグランド端子には、前記第2.第3および第5ト
ランジスタの各エミッタと、第2および第5トランジス
タのペースに接続された各抵抗と、前記第1および第2
パワーMOS・FETのゲートに接続された各抵抗とを
接続した構成としたことにより、シングル形パワートラ
ンジスタのペース電流の上昇や下降において大幅な時間
短縮を行なうことができ、これによりシングル形/4′
ワートランジスタの高速スイッチングが行なえる。
As described in detail above, according to the base drive circuit for a single-type 9-Wah transistor according to the present invention, the first power MOS/FET connected to the pace of the single-type Hower transistor via the pace current limiting resistor, 1
4')-MOS-F'ETC)r-), a fifth transistor connected to the pace of the sixth transistor through a resistor, and a fifth transistor connected to the pace of the fifth transistor through a resistor. A first transistor connected to the first transistor, a high-speed photocoupler connected to the first transistor pace, a second No.47-M2S-FET connected to the single type power transistor pace, and a second No.47-M2S-FET connected to the first transistor pace.
'7- 4th connected to MOS-FET Or-to
A transistor, a third transistor whose resistance is fully connected to the pace of the fourth transistor/soster, a second transistor which is connected to the pace of the third transistor, and the single type four-power transistor. It is equipped with a power supply for applying a reverse bias connected between the emitter and ground, and
The positive terminal of the m source includes the emitter of the first transistor, a resistor connected to the pace of the first transistor, a resistor connected to the pace of the third transistor, and the first power MOS. The drain of the FET is connected to the positive terminal of the second power supply, and the emitter of the fourth transistor, a resistor connected to the pace of the fourth transistor, the emitter of the sixth transistor, and the positive terminal of the second power supply are connected to the drain of the FET. The second . each emitter of the third and fifth transistors and each resistor connected to the pace of the second and fifth transistors;
By connecting each resistor to the gate of the power MOS/FET, it is possible to significantly shorten the time required to increase or decrease the pace current of a single type power transistor. ′
High-speed switching of power transistors is possible.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の一実施例を示す回路図、第2図は上記
実施り1」のペース電流波形を従来の回路による同波形
と対比して示す図、第3図は従来の回路図である。 1.2・・・入力端子、3,5・・・プラス端子、4・
トゲランド端子、6,7・・・シングル形パワートラン
ジスタのコレクタおよびエミッタ(出力端)、11〜2
3・・・抵抗、24・・・ペース電流制御抵抗、31〜
36・・・トランジスタ、41.42・・・パワーMo
5−FET 、  51 、52.、5 J−・・ダイ
オード、61゜62・・・電界コンデンサ、71・・・
高速ホトカブラ。 81・・・シングル形パワートランジスタ。
Fig. 1 is a circuit diagram showing an embodiment of the present invention, Fig. 2 is a diagram showing the pace current waveform of the above embodiment 1 in comparison with the same waveform of a conventional circuit, and Fig. 3 is a conventional circuit diagram. It is. 1.2...Input terminal, 3,5...Plus terminal, 4.
Togeland terminals, 6, 7...Collector and emitter (output end) of single type power transistor, 11-2
3...Resistance, 24...Pace current control resistance, 31~
36...Transistor, 41.42...Power Mo
5-FET, 51, 52. , 5 J-...diode, 61°62... electrolytic capacitor, 71...
High speed hotocabura. 81...Single type power transistor.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] シングル形パワートランジスタのベースドライブ回路に
おいて、シングル形パワートランジスタのベースにベー
ス電流制限抵抗を介して接続された第1パワーMOS・
FETと、第1パワーMOS・FETのゲートに接続さ
れた第6トランジスタと、第6トランジスタのベースに
抵抗を介して接続された第5トランジスタと、第5トラ
ンジスタのベースに抵抗を介して接続された第1トラン
ジスタと、第1トランジスタのベースに接続された高速
ホトカプラと、前記シングル形パワートランジスタのベ
ースに接続された第2パワーMOS・FETと第2パワ
ーMOS・FETのゲートに接続された第4トランジス
タと、第4トランジスタのベースに抵抗を介して接続さ
れた第3トランジスタと、第3トランジスタのベースに
接続された第2トランジスタと、前記シングル形パワー
トランジスタのエミッタとグランドとの間に接続された
逆バイアス印加用電源と、ドライブ用の第1及び第2電
源とを具備し、第1電源のプラス側端子には、前記第1
トランジスタのエミッタと、第1トランジスタのベース
に接続された抵抗と、前記第3トランジスタのベースに
接続された抵抗と、前記第1パワーMOS・FETのド
レインとを接続し、第2電源のプラス側端子には、前記
第4トランジスタのエミッタと、第4トランジスタのベ
ースに接続された抵抗と、前記第6トランジスタのエミ
ッタと、第6トランジスタのベースに接続された抵抗と
を接続し、前記各電源のグランド端子には、前記第2、
第3および第5トランジスタの各エミッタと、第2およ
び第5トランジスタのベースに接続された各抵抗と、前
記第1および第2パワーMOS・FETのゲートに接続
された各抵抗とを接続したことを特徴とするシングル形
パワートランジスタのベースドライブ回路。
In the base drive circuit of a single type power transistor, a first power MOS connected to the base of the single type power transistor via a base current limiting resistor.
FET, a sixth transistor connected to the gate of the first power MOS/FET, a fifth transistor connected to the base of the sixth transistor via a resistor, and a fifth transistor connected to the base of the fifth transistor via a resistor. a high-speed photocoupler connected to the base of the first transistor; a second power MOS/FET connected to the base of the single power transistor; and a second power MOS/FET connected to the gate of the second power MOS/FET. a fourth transistor, a third transistor connected to the base of the fourth transistor via a resistor, a second transistor connected to the base of the third transistor, and a connection between the emitter of the single type power transistor and ground. a power supply for applying a reverse bias, and first and second power supplies for driving, and the positive terminal of the first power supply has the first
The emitter of the transistor, a resistor connected to the base of the first transistor, a resistor connected to the base of the third transistor, and the drain of the first power MOS/FET are connected, and the positive side of the second power supply is connected. The emitter of the fourth transistor, a resistor connected to the base of the fourth transistor, the emitter of the sixth transistor, and a resistor connected to the base of the sixth transistor are connected to the terminal, and each of the power supplies The ground terminal of the second
Connecting each emitter of the third and fifth transistors, each resistor connected to the base of the second and fifth transistor, and each resistor connected to the gate of the first and second power MOS/FET. A single-type power transistor base drive circuit featuring:
JP61301464A 1986-12-19 1986-12-19 Base drive circuit Pending JPS63155819A (en)

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