JPS6315233A - 光波長変換素子の製造方法 - Google Patents
光波長変換素子の製造方法Info
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- JPS6315233A JPS6315233A JP15929386A JP15929386A JPS6315233A JP S6315233 A JPS6315233 A JP S6315233A JP 15929386 A JP15929386 A JP 15929386A JP 15929386 A JP15929386 A JP 15929386A JP S6315233 A JPS6315233 A JP S6315233A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は結晶性右Ｉ非線形光学材籾によって光導波路を
形成してなる先導波路型の光波長変換素子の製造方法、
特に詳細には上記光学ｖＩ料を単結晶状態で十分に長く
形成できるようにした光波長変換素子の製造方法に関す
るものである。
形成してなる先導波路型の光波長変換素子の製造方法、
特に詳細には上記光学ｖＩ料を単結晶状態で十分に長く
形成できるようにした光波長変換素子の製造方法に関す
るものである。
（従来の技術）
従来より、非線形光学材料による第２高調波発生を利用
して、レーザー光を波長変換〈短波長化）する試みが種
々なされている。このようにして波長変換を行なう光波
長変換素子として具体的には、例えば特開昭５１−２６
５１号に示されるようなバルク結晶型のもの、あるいは
例えば特開昭６０−１４２２２号に示されるような光導
波路型のむのがよく知られている。バルク結晶型の光波
長変ｊｆＡ累γと光４波路型の光波長変換素子とを比較
りる場合、（（省の方が前者に比べで小さい領域に光を
閉じ込めることができるのでパワー密度を−Ｆげること
ができ、そのためより高い波長変換効率を得ることがで
きる。そこで最近では、光導波路型の光波長変換素子に
ついての細穴が盛んになされている。
して、レーザー光を波長変換〈短波長化）する試みが種
々なされている。このようにして波長変換を行なう光波
長変換素子として具体的には、例えば特開昭５１−２６
５１号に示されるようなバルク結晶型のもの、あるいは
例えば特開昭６０−１４２２２号に示されるような光導
波路型のむのがよく知られている。バルク結晶型の光波
長変ｊｆＡ累γと光４波路型の光波長変換素子とを比較
りる場合、（（省の方が前者に比べで小さい領域に光を
閉じ込めることができるのでパワー密度を−Ｆげること
ができ、そのためより高い波長変換効率を得ることがで
きる。そこで最近では、光導波路型の光波長変換素子に
ついての細穴が盛んになされている。
一方、非線形光学材料としては従来より、１−ｉＮｂ（
）３、ＫＤＰ （ＫＨ２ＰＯ４）等が用いられてきたが
、近年、これらの無機材ｒ１に比べて非線形光学定数が
極めて大きい有機非線形光学材料が見い出されている。
）３、ＫＤＰ （ＫＨ２ＰＯ４）等が用いられてきたが
、近年、これらの無機材ｒ１に比べて非線形光学定数が
極めて大きい有機非線形光学材料が見い出されている。
この有機非線形光学材料としては、例えば特開昭６０−
２５０３３４号に示されるＭＮＡ （２−メチル−４−
ニトロアニリン）、ｍＮＡ （メタニトロアニリン）、
ＰＯＭ（３−メチル−４−二トロピニジンー１−オキナ
イド）、尿素等が挙げられる。例えばＭＮＡは、無機非
線形光学材料であるＬｉＮｂＯ３に比べると２０００倍
程度高い波長変換効率を有するので、この有機非線形光
学材料を光導波路とした光導波路型光波長変換素子を用
いれば、一般的な小型かつ低コストの半導体レーザーか
らの赤外レーザー光を基本波として第２高調波を発生さ
せることにより、青領域の短波長レーザー光を得ること
も可能となる。
２５０３３４号に示されるＭＮＡ （２−メチル−４−
ニトロアニリン）、ｍＮＡ （メタニトロアニリン）、
ＰＯＭ（３−メチル−４−二トロピニジンー１−オキナ
イド）、尿素等が挙げられる。例えばＭＮＡは、無機非
線形光学材料であるＬｉＮｂＯ３に比べると２０００倍
程度高い波長変換効率を有するので、この有機非線形光
学材料を光導波路とした光導波路型光波長変換素子を用
いれば、一般的な小型かつ低コストの半導体レーザーか
らの赤外レーザー光を基本波として第２高調波を発生さ
せることにより、青領域の短波長レーザー光を得ること
も可能となる。
（発明が解決しようとする問題点）
上記有機非線形光学材料を用いて前述の先導波路型光波
長変換素子を形成する試みは従来より種々なされている
が、従来は上記光学材料を単結晶状態で長く形成するこ
とができず、そのため、得られた光波長変換素子の波長
変換効率がどうしても低くなるという問題があった。
長変換素子を形成する試みは従来より種々なされている
が、従来は上記光学材料を単結晶状態で長く形成するこ
とができず、そのため、得られた光波長変換素子の波長
変換効率がどうしても低くなるという問題があった。
そこで本発明は、光導波路を構成する有機非線形光学材
料を単結晶状態で十分に長く形成することができる、光
波長変換素子の製造方法を提供することを目的とするも
のである。
料を単結晶状態で十分に長く形成することができる、光
波長変換素子の製造方法を提供することを目的とするも
のである。
（問題点を解決するための手段）
本発明の光波長変換素子の製造方法は、２枚の基板の少
なくとも一方の片表面に互いに間隔をおいて複数の溝を
並設し、 これらの基板を、上記片表面を内側にし微小間隙をおい
て相対向するように互いに固定し、上記間隙内に基板材
料よりも高屈折率の前記ＭＮＡ等の結晶性有機非線形光
学材料を充てんさせた後、 前記基板を、上記光学材料の融点より高い温度に保たれ
た炉内から、該融点より低い温度に保たれた炉外に徐々
に引き出すことにより、８融状態の上記光学材料を炉外
への引出し部分から結晶化させることを特徴とするもの
である。
なくとも一方の片表面に互いに間隔をおいて複数の溝を
並設し、 これらの基板を、上記片表面を内側にし微小間隙をおい
て相対向するように互いに固定し、上記間隙内に基板材
料よりも高屈折率の前記ＭＮＡ等の結晶性有機非線形光
学材料を充てんさせた後、 前記基板を、上記光学材料の融点より高い温度に保たれ
た炉内から、該融点より低い温度に保たれた炉外に徐々
に引き出すことにより、８融状態の上記光学材料を炉外
への引出し部分から結晶化させることを特徴とするもの
である。
（作 用）
主述のように基板間の間隙内に結晶性有機非線形光学材
料を充てんし、該基板を上記のような温度に保たれた炉
内に置くと、結晶性光学材料が溶融状態となる。次いで
該基板を炉外に引き出すと、結晶性光学材料の液相と固
相の境界面で少しずつ光学材料単結晶が成長して行（。
料を充てんし、該基板を上記のような温度に保たれた炉
内に置くと、結晶性光学材料が溶融状態となる。次いで
該基板を炉外に引き出すと、結晶性光学材料の液相と固
相の境界面で少しずつ光学材料単結晶が成長して行（。
この際基板内側の面（つまり光学材料に接する側の而）
に上述のような溝が形成されていると、各単結晶はこれ
らの溝の間の狭い領域内でそれぞれが独自に成長するの
で、極めて長い単結晶状態の光学材料からなる光導波路
が形成されるようになる。
に上述のような溝が形成されていると、各単結晶はこれ
らの溝の間の狭い領域内でそれぞれが独自に成長するの
で、極めて長い単結晶状態の光学材料からなる光導波路
が形成されるようになる。
（実 施 例）
以下、図面に示ず実施例に基づいて本発明の詳細な説明
する。
する。
第１．２および３図は、本発明の一実施例方法により光
波長変換素子を製造する様子を順を追って示すものであ
る。まず第１図に示されるように、後述のＭＮＡよりも
低屈折率の２枚の平板状ガラス基板５ａ、５ｂが用意さ
れる。一方のガラス基板５ａの片表面には、公知のフォ
トリソグラフィ技術により、互いに平行な多数本の溝６
ａが形成されている。これらの溝６８は一例として、間
隔Ｑ、５＋ｎｎ＋、深さ５μｍ程度に形成され、またガ
ラス基板５ａの長手方向Ａ（これは後述の炉からの引出
し方向である）に対して一例として約５０゜の角度で形
成される。また他方のガラス基板５ｂの片表面にも、上
記溝６８と同様の溝６ｂが形成されている。これらの溝
６ｂは、後述のように両ガラス基板５ａ、５ｂが互いに
対向するように固定されたとき、それぞれが’ｔＶｔ
６ ａと整合するように、該溝６ａと同じ間隔、角度で
形成される。また上記他方のガラス基板５ｂには、溝６
ｂが形成された而（第１図の下側の面）の一端部におい
て線形回折格子（Ｌｉｎｅａｒ ＧｒａｔｉｎｇＣ０
ＬＪｐｌｅｒ；以下Ｌ−Ｇ Ｃと称する）７が形成され
、この面と反対側の面（第１図の上側の面）には上記Ｌ
ＧＣ７と十分に間隔をおいて集光性回折格子（「ｏｃｕ
ｓｉｎｇ Ｑｒａｔｉｎｇ Ｃｏｕｐｌｅｒ；以下
ＦＧＣと称する）８が形成されている。これらのＬＧＣ
７、ＦＧＣ８も、公知のフォトリソグラフィ技術によっ
て形成され、格子間ロザイズは一例として２ Ｘ ２
ｍｍ程度とされる。
波長変換素子を製造する様子を順を追って示すものであ
る。まず第１図に示されるように、後述のＭＮＡよりも
低屈折率の２枚の平板状ガラス基板５ａ、５ｂが用意さ
れる。一方のガラス基板５ａの片表面には、公知のフォ
トリソグラフィ技術により、互いに平行な多数本の溝６
ａが形成されている。これらの溝６８は一例として、間
隔Ｑ、５＋ｎｎ＋、深さ５μｍ程度に形成され、またガ
ラス基板５ａの長手方向Ａ（これは後述の炉からの引出
し方向である）に対して一例として約５０゜の角度で形
成される。また他方のガラス基板５ｂの片表面にも、上
記溝６８と同様の溝６ｂが形成されている。これらの溝
６ｂは、後述のように両ガラス基板５ａ、５ｂが互いに
対向するように固定されたとき、それぞれが’ｔＶｔ
６ ａと整合するように、該溝６ａと同じ間隔、角度で
形成される。また上記他方のガラス基板５ｂには、溝６
ｂが形成された而（第１図の下側の面）の一端部におい
て線形回折格子（Ｌｉｎｅａｒ ＧｒａｔｉｎｇＣ０
ＬＪｐｌｅｒ；以下Ｌ−Ｇ Ｃと称する）７が形成され
、この面と反対側の面（第１図の上側の面）には上記Ｌ
ＧＣ７と十分に間隔をおいて集光性回折格子（「ｏｃｕ
ｓｉｎｇ Ｑｒａｔｉｎｇ Ｃｏｕｐｌｅｒ；以下
ＦＧＣと称する）８が形成されている。これらのＬＧＣ
７、ＦＧＣ８も、公知のフォトリソグラフィ技術によっ
て形成され、格子間ロザイズは一例として２ Ｘ ２
ｍｍ程度とされる。
上述の２枚のガラス基板５ａ、５ｂは、第１図図示のよ
うに溝６ａ、５ｂが形成された面がそれぞれ内側を向く
ようにして重ね合わせられる。この際、溝６ａと溝６ｂ
とが互いに整合するように側基板５ａ、５ｂの向きが厳
密に揃えられる。こうして両ガラス基板５ａ、５ｂ＠重
ね合わせた後、両者が接着される。すると両ガラス基根
５ａ、５ｂの間には、０．５〜１．０μｍ＋５！ｆ５１
の微小間隙が形成される。
うに溝６ａ、５ｂが形成された面がそれぞれ内側を向く
ようにして重ね合わせられる。この際、溝６ａと溝６ｂ
とが互いに整合するように側基板５ａ、５ｂの向きが厳
密に揃えられる。こうして両ガラス基板５ａ、５ｂ＠重
ね合わせた後、両者が接着される。すると両ガラス基根
５ａ、５ｂの間には、０．５〜１．０μｍ＋５！ｆ５１
の微小間隙が形成される。
次に上記ガラス基板５ａ、５ｂの間の微小間隙内に、結
晶性有機非線形光学材料である前述のＭＮＡが、光導波
路を構成するために充てんされる。
晶性有機非線形光学材料である前述のＭＮＡが、光導波
路を構成するために充てんされる。
このＭＮＡの充てんは、第２図図示のようにしで行なわ
れる。４−なりら炉内等においてＭＮＡ９を融液状態に
保ち、この融液内に上記ガラス基板５ａ、５ｂの一端部
を浸入させる。すると毛慣管現蒙により、融液状態のＭ
ＮＡ９が上記間隙Ｓ内に進入する。なＪ５該融液の温度
は、ＭＮＡ９の分解を防止するため、その融点（１３２
℃）よりも僅かに高い温度とする。その後ガラス基板５
ａ、５ｂを急冷させると、上記間隙Ｓ内に’ｒＩＬ入し
ていたＭＮＡ９が固化する。
れる。４−なりら炉内等においてＭＮＡ９を融液状態に
保ち、この融液内に上記ガラス基板５ａ、５ｂの一端部
を浸入させる。すると毛慣管現蒙により、融液状態のＭ
ＮＡ９が上記間隙Ｓ内に進入する。なＪ５該融液の温度
は、ＭＮＡ９の分解を防止するため、その融点（１３２
℃）よりも僅かに高い温度とする。その後ガラス基板５
ａ、５ｂを急冷させると、上記間隙Ｓ内に’ｒＩＬ入し
ていたＭＮＡ９が固化する。
上述のようにしてガラス基板５ ｄ ｓ ５ ｂ間にＭ
ＮＡ９の層が形成されてなる光導波路素子１５は次に炉
に入れられ、ＭＮＡ９が再溶融される。本実施例におい
ては上記の炉として、第３図図示のＪ：うに真ちゅう製
のブロック１０内に電熱下段１１が埋設されてなる真ち
ゅう熱浴１２が用いられる。この真ちゅう熱浴１２の中
央部には、四角い断面形状を有する細長い穴１４が設け
られている。そして電熱手段１１には温度制御回路１３
を介して電流が供給され、上記穴１４内の温度は所望温
度に保たれるようになっている。光導波路素子１５は、
この穴１４内に挿入される。
ＮＡ９の層が形成されてなる光導波路素子１５は次に炉
に入れられ、ＭＮＡ９が再溶融される。本実施例におい
ては上記の炉として、第３図図示のＪ：うに真ちゅう製
のブロック１０内に電熱下段１１が埋設されてなる真ち
ゅう熱浴１２が用いられる。この真ちゅう熱浴１２の中
央部には、四角い断面形状を有する細長い穴１４が設け
られている。そして電熱手段１１には温度制御回路１３
を介して電流が供給され、上記穴１４内の温度は所望温
度に保たれるようになっている。光導波路素子１５は、
この穴１４内に挿入される。
このように光導波路素子１５が収められる真ちゅう熱浴
１２の温度（正確には穴１４内の温度）も、ＭＮＡ９の
融点より僅かに高い１４１℃程度に保たれる。なお、真
らゆう熱浴１２の穴１４内に例えばグリースを注入して
おけば、真ちゅう熱浴１２から光導波路素子１５への熱
伝導が良好になり、また後述する引き出しのスピードが
一定になって好ましい。
１２の温度（正確には穴１４内の温度）も、ＭＮＡ９の
融点より僅かに高い１４１℃程度に保たれる。なお、真
らゆう熱浴１２の穴１４内に例えばグリースを注入して
おけば、真ちゅう熱浴１２から光導波路素子１５への熱
伝導が良好になり、また後述する引き出しのスピードが
一定になって好ましい。
上記穴１４は、ブロック１０の一端面（第３図の手前側
の端面）に開口しているが、その反対側は閉じられてい
る。この閉じられている部分には、穴１４内に連通丈る
細孔（図示せず）が設けられており、この細孔には４金
１６が挿通される。この針金１６はラック１７に固定さ
れ、該ラック１７にはモータ１８によって回転されるビ
ニオン１９が噛合されている。
の端面）に開口しているが、その反対側は閉じられてい
る。この閉じられている部分には、穴１４内に連通丈る
細孔（図示せず）が設けられており、この細孔には４金
１６が挿通される。この針金１６はラック１７に固定さ
れ、該ラック１７にはモータ１８によって回転されるビ
ニオン１９が噛合されている。
したがってモータ１８が駆動されてビニオン１９が矢印
Ｂ方向に回転されると、針金１６が矢印Ｃ方向に移動し
て、穴１４内の光導波路素子１５をブロック１０外に押
し出す。なＪ３真らゆう熱浴１２外の温度は、ＭＮＡ９
の融点よりも低い湿度（例えば室温程度）とされる。
Ｂ方向に回転されると、針金１６が矢印Ｃ方向に移動し
て、穴１４内の光導波路素子１５をブロック１０外に押
し出す。なＪ３真らゆう熱浴１２外の温度は、ＭＮＡ９
の融点よりも低い湿度（例えば室温程度）とされる。
上記のように光導波路素子１５を真らゆう熱浴１２内に
収めておくことにより、ガラス基板５ａ１５ｂ間のＭＮ
Ａ９は再度溶融状態となる。そしてこの状態からモータ
１８を低速回転させ、釣合１Ｇを前述のように移動さぼ
る。それにより光導波路素子１５は、真ちゅう熱浴１２
外に徐々に引き出される。
収めておくことにより、ガラス基板５ａ１５ｂ間のＭＮ
Ａ９は再度溶融状態となる。そしてこの状態からモータ
１８を低速回転させ、釣合１Ｇを前述のように移動さぼ
る。それにより光導波路素子１５は、真ちゅう熱浴１２
外に徐々に引き出される。
この光導波路素子１５の引出し速度は、−例として１．
５〜２．０ＣＩｌ＋／時間程度に設定する３、こうして
光導波路素子１５を徐々に真ちゅう熱浴１２外に引き出
すと、ＭＮＡ９の液相と固相の境界部〈これは当然なが
ら真ちゅう熱浴１２の外部に位置する）で少しずつＭＮ
Ａｌｔｉ結晶が成長していく。したがって、頁らゆう熱
浴１２から引き出された光導波路素子１５には、長距離
（例えば数ｃｍ）に亘ってｌｉｔへ＋１品状態で結晶方
位も一定に揃ったＭＮＡからなる光導波路９′が形成さ
れる。このＭＮＡ川結用は、前述の溝６８．６ｂの間の
領域（詳細には溝６ａと６ａの間でかつ）苫６ｂと６ｂ
の間の領域）単位で形成され、各領域毎に結晶方位は異
なるようになる。この状態は、先導波路素子１５を偏光
顕微鏡の直交ニコル間に配して消光を観察することによ
って確認できる。こうして、１１１結品状態のＭＮＡか
らなる光導波路９′を有する光導波路素子（光波長変換
素子）１５が得られる。
５〜２．０ＣＩｌ＋／時間程度に設定する３、こうして
光導波路素子１５を徐々に真ちゅう熱浴１２外に引き出
すと、ＭＮＡ９の液相と固相の境界部〈これは当然なが
ら真ちゅう熱浴１２の外部に位置する）で少しずつＭＮ
Ａｌｔｉ結晶が成長していく。したがって、頁らゆう熱
浴１２から引き出された光導波路素子１５には、長距離
（例えば数ｃｍ）に亘ってｌｉｔへ＋１品状態で結晶方
位も一定に揃ったＭＮＡからなる光導波路９′が形成さ
れる。このＭＮＡ川結用は、前述の溝６８．６ｂの間の
領域（詳細には溝６ａと６ａの間でかつ）苫６ｂと６ｂ
の間の領域）単位で形成され、各領域毎に結晶方位は異
なるようになる。この状態は、先導波路素子１５を偏光
顕微鏡の直交ニコル間に配して消光を観察することによ
って確認できる。こうして、１１１結品状態のＭＮＡか
らなる光導波路９′を有する光導波路素子（光波長変換
素子）１５が得られる。
以下、上述のようにして製造された光波長変換素子１５
の波長変換効率について、第４図を参照して説明する。
の波長変換効率について、第４図を参照して説明する。
この光波長変換素子１５は一例として全長１．２ｃｍに
形成されている。基本波発生手段としてＱスイッチＹ
Ａ Ｇレーザー（波長＝１．０６μｍ）３０を用い、対
物レンズ３１で集光したレーザー光（基本波）３２を前
記ＬＧＣ７の部分に照）１することにより、該レーザー
光３２を光導波路９′内に入射させた。位相整合は、基
本波の先導波路９′での導波モードによって生成された
非線形分極波から基板部へのｔｌｌｒＪ１モードとして
第２高調波を発生ずるチェレンコフ放射である。そして
この第２高調波３２′を、ＦＧＣ８から基本波と分離し
て取り出１．なおこの例において、第２高調波３２′は
ＦＧＣ８により集光される。
形成されている。基本波発生手段としてＱスイッチＹ
Ａ Ｇレーザー（波長＝１．０６μｍ）３０を用い、対
物レンズ３１で集光したレーザー光（基本波）３２を前
記ＬＧＣ７の部分に照）１することにより、該レーザー
光３２を光導波路９′内に入射させた。位相整合は、基
本波の先導波路９′での導波モードによって生成された
非線形分極波から基板部へのｔｌｌｒＪ１モードとして
第２高調波を発生ずるチェレンコフ放射である。そして
この第２高調波３２′を、ＦＧＣ８から基本波と分離し
て取り出１．なおこの例において、第２高調波３２′は
ＦＧＣ８により集光される。
以上のようにして第２高調波３２′を冑、その強度をレ
ーザーパワーメータ３３で測定した。波長変換効率は、
基本波光出力に対するこの測定光強度の比率であるが、
基本波光出力が数百ｍＷ程度の場合で、０．１％’ｆ１
度であった。しかもこの波長変換効率は基本波の光出力
にも比例するから、基本波光出力をさらに上げた場合に
は、従来の光波長変換素子に比べて２桁以上高い効率を
（ｑることしできる。
ーザーパワーメータ３３で測定した。波長変換効率は、
基本波光出力に対するこの測定光強度の比率であるが、
基本波光出力が数百ｍＷ程度の場合で、０．１％’ｆ１
度であった。しかもこの波長変換効率は基本波の光出力
にも比例するから、基本波光出力をさらに上げた場合に
は、従来の光波長変換素子に比べて２桁以上高い効率を
（ｑることしできる。
な３３以上説明した実施例にＪ３いては、ガラス基板５
ｂにＬＧＣ７とＦＧＣ８とを設けているが、特にこのよ
うな回折格子は設けず、光導波路の端面から基本波を光
波長変換素子内に入射させるようにしても構わない。ま
た上記のような回折帽子を設ける場合でも、ＦＧＣ８に
代えてＬＧＣを形成し、第２高調波を平行ビームとして
光波長変換素子から出射させるようにしてもよい。
ｂにＬＧＣ７とＦＧＣ８とを設けているが、特にこのよ
うな回折格子は設けず、光導波路の端面から基本波を光
波長変換素子内に入射させるようにしても構わない。ま
た上記のような回折帽子を設ける場合でも、ＦＧＣ８に
代えてＬＧＣを形成し、第２高調波を平行ビームとして
光波長変換素子から出射させるようにしてもよい。
また前述した通り、本発明方法によって１りられる光波
長変換素子においては、基板の溝と溝との間の領域毎に
有機非線形光学材料の結晶方位が異なるから、上述のよ
うなＬＧＣ７やＦＧＣ８を、上記溝間領域の多くに亘っ
て延びるように十分大きく形成しておけば、所望の結晶
方位の光導波路を任意に選択して利用可能となる。
長変換素子においては、基板の溝と溝との間の領域毎に
有機非線形光学材料の結晶方位が異なるから、上述のよ
うなＬＧＣ７やＦＧＣ８を、上記溝間領域の多くに亘っ
て延びるように十分大きく形成しておけば、所望の結晶
方位の光導波路を任意に選択して利用可能となる。
さらに、上記実施例においては２枚のガラス基板５ａ、
５ｂの双方に溝（３ａ、５ｂを形成しているが、一方の
基板のみに溝を設けても、有機非線形光学材料をある程
度良好に単結晶化させる効果が得られる。一方の基板の
みに嵩を設置プる場合には、前述のような回折格子が設
けられない方の基板に溝を設ければ、この溝および回折
格子の形成が容易になる。またこのような溝は、炉から
の基板用法ぎ方向に対して平行とされてもよいが、該方
向に対して前述程度の角度をなすように形成されていれ
ば、有機非線形光学材Ｖ［の単結晶化がとくに良好に行
なわれる。
５ｂの双方に溝（３ａ、５ｂを形成しているが、一方の
基板のみに溝を設けても、有機非線形光学材料をある程
度良好に単結晶化させる効果が得られる。一方の基板の
みに嵩を設置プる場合には、前述のような回折格子が設
けられない方の基板に溝を設ければ、この溝および回折
格子の形成が容易になる。またこのような溝は、炉から
の基板用法ぎ方向に対して平行とされてもよいが、該方
向に対して前述程度の角度をなすように形成されていれ
ば、有機非線形光学材Ｖ［の単結晶化がとくに良好に行
なわれる。
また以上、有機非線形光学材料としてＭＮＡを用いた実
施例について説明したが、本発明はその他の結晶性有機
非線形光学材料を用いて光導波路型光波長変換素子を製
造する場合にも、同様に適用することができる。
施例について説明したが、本発明はその他の結晶性有機
非線形光学材料を用いて光導波路型光波長変換素子を製
造する場合にも、同様に適用することができる。
（発明の効果）
以上詳細に説明した通り本発明の光波長変換素子の製造
方法によれば、従来に比べて波長変換効率が飛躍的に高
い光導波路型光波長変換素子を１りることができ、した
がって光出力の小さい低コストの半導体レーデ−を用い
て、コンパクトで消費電力が少なく、かつ安ｌｉ！ｌｉ
な短波長レーザーを自在に形成可能となる。また本発明
方法によれば、基板の溝間の領域毎に異なった結晶方位
の光導波路を形成できるから、光波長変換に利用する領
域を選択することにより、導波方向に対して所望の結晶
方位を設定することが可能となる。
方法によれば、従来に比べて波長変換効率が飛躍的に高
い光導波路型光波長変換素子を１りることができ、した
がって光出力の小さい低コストの半導体レーデ−を用い
て、コンパクトで消費電力が少なく、かつ安ｌｉ！ｌｉ
な短波長レーザーを自在に形成可能となる。また本発明
方法によれば、基板の溝間の領域毎に異なった結晶方位
の光導波路を形成できるから、光波長変換に利用する領
域を選択することにより、導波方向に対して所望の結晶
方位を設定することが可能となる。
第１．２おにび３図は、本発明の一実施例による光波長
変換素子の製造方法の各ステップを示す斜視図、 第４図は本発明方法によって形成された光波長変換素子
の波長変換効率の測定の様子を示す斜視図である。 ５ａ、５ｂ・・・ガラス基板 ６ａ、６ｂ・・・基板の
満７・・・線形回折格子 ８・・・集光性回折格
子Ｏ・・・〜ＡＮ△ ９′・・・光導波路
１１・・・電熱手段 １２・・・真らゆう熱
浴１３− 温ｆ’ｌ ｔ’ｌ ’ｉｎ回路１５・・・光
導波路素子（光波長変換素子）１６・・・針金
１７・・・ラック１８・・・モータ
１９・・・ビニオン３２・・・駐本波
３２′・・・第２高調波Ｓ・・・七４板間の間隙 第１図 第２図
変換素子の製造方法の各ステップを示す斜視図、 第４図は本発明方法によって形成された光波長変換素子
の波長変換効率の測定の様子を示す斜視図である。 ５ａ、５ｂ・・・ガラス基板 ６ａ、６ｂ・・・基板の
満７・・・線形回折格子 ８・・・集光性回折格
子Ｏ・・・〜ＡＮ△ ９′・・・光導波路
１１・・・電熱手段 １２・・・真らゆう熱
浴１３− 温ｆ’ｌ ｔ’ｌ ’ｉｎ回路１５・・・光
導波路素子（光波長変換素子）１６・・・針金
１７・・・ラック１８・・・モータ
１９・・・ビニオン３２・・・駐本波
３２′・・・第２高調波Ｓ・・・七４板間の間隙 第１図 第２図
Claims (2)
- （１）２枚の基板の少なくとも一方の片表面に互いに間
隔をおいて複数の溝を並設し、 これらの基板を、前記柱表面を内側にし微小間隙をおい
て相対向するように互いに固定し、前記間隙内に基板材
料よりも高屈折率の結晶性有機非線形光学材料を充てん
させた後、 前記基板を、前記光学材料の融点より高い温度に保たれ
た炉内から、該融点より低い温度に保たれた炉外に徐々
に引き出すことにより、溶融状態の前記光学材料を炉外
への引出し部分から結晶化させることを特徴とする光波
長変換素子の製造方法。 - （２）前記２枚の基板の双方に前記溝を形成し、これら
の基板を、それぞれの溝が相対向するように固定するこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光波長変換
素子の製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15929386A JPS6315233A (ja) | 1986-07-07 | 1986-07-07 | 光波長変換素子の製造方法 |
| US07/070,442 US4820011A (en) | 1986-07-07 | 1987-07-07 | Optical wavelength conversion device, and a method of making the same |
| EP87109804A EP0254921B1 (en) | 1986-07-07 | 1987-07-07 | Optical wavelength conversion device, and a method of making the same |
| DE87109804T DE3788468T2 (de) | 1986-07-07 | 1987-07-07 | Vorrichtung zur Umwandlung optischer Wellenlängen und Verfahren zu ihrer Herstellung. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15929386A JPS6315233A (ja) | 1986-07-07 | 1986-07-07 | 光波長変換素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6315233A true JPS6315233A (ja) | 1988-01-22 |
Family
ID=15690627
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15929386A Pending JPS6315233A (ja) | 1986-07-07 | 1986-07-07 | 光波長変換素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6315233A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4838638A (en) * | 1987-02-16 | 1989-06-13 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Optical wavelength conversion device |
-
1986
- 1986-07-07 JP JP15929386A patent/JPS6315233A/ja active Pending
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| APPLIED OPYICS=1986 * |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4838638A (en) * | 1987-02-16 | 1989-06-13 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Optical wavelength conversion device |
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