JPS6315037U - - Google Patents

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JPS6315037U
JPS6315037U JP10713086U JP10713086U JPS6315037U JP S6315037 U JPS6315037 U JP S6315037U JP 10713086 U JP10713086 U JP 10713086U JP 10713086 U JP10713086 U JP 10713086U JP S6315037 U JPS6315037 U JP S6315037U
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JP
Japan
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layer
insulating layer
melting point
leaving
low melting
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JP10713086U
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Publication date
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  • Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Description

【図面の簡単な説明】
第1図は、本考案の固体電解コンデンサの構造
を示した一部透視の斜視図、第2図は、同コンデ
ンサに用いる陰極端子の一部を残してその上下面
にエポキシ樹脂などの絶縁塗料をコートし絶縁し
た状態を示す斜視図、第3図は低融点金属導体を
、絶縁層の形成されていない陰極金属部より絶縁
層の上面から下面にかけて形成した状態を示す斜
視図、第4図は従来のヒユーズ内蔵型の固体電解
コンデンサの構造を示す断面図である。 9…コンデンサ素子、10…陽極端子、11…
陰極端子、12…絶縁層、13…低融点金属導体
層、15…樹脂外装。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 (1) タンタル、アルミニウムなどの弁作用金属
    を電極体として、これに誘電体性の酸化皮膜を形
    成させ、更にこの上面に二酸化マンガンなどの電
    解質層を形成させ、順次、カーボン層、陰極層な
    どを形成させてなるコンデンサ素子に陽極端子を
    接続するとともに、その一部を残して上下面に絶
    縁層が形成され、絶縁層の形成されていないのこ
    された金属部より、絶縁層の上下面にかけて錫又
    は鉛を主成分とする低融点金属導体層を形成した
    陰極端子を上記下面の低融点金属導体部がコンデ
    ンサ素子の陰極部に接続され、全体に樹脂外装を
    形成した固体電解コンデンサ。 (2) 低融点金属導体層が蒸着法、スパツタリン
    グ法、溶射法などにより形成された導体部からな
    ることを特徴とする実用新案登録請求の範囲第1
    項記載の固体電解コンデンサ。
JP10713086U 1986-07-11 1986-07-11 Pending JPS6315037U (ja)

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JP10713086U JPS6315037U (ja) 1986-07-11 1986-07-11

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JP10713086U JPS6315037U (ja) 1986-07-11 1986-07-11

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JPS6315037U true JPS6315037U (ja) 1988-02-01

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JP10713086U Pending JPS6315037U (ja) 1986-07-11 1986-07-11

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01117313A (ja) * 1987-10-30 1989-05-10 Nec Corp ヒューズ付きチップ状固体電解コンデンサおよびその製造方法
JPH02162713A (ja) * 1988-12-15 1990-06-22 Nec Corp ヒューズ付き固体電解コンデンサ
KR100434217B1 (ko) * 2001-12-28 2004-06-04 파츠닉(주) 탄탈 콘덴서의 구조

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01117313A (ja) * 1987-10-30 1989-05-10 Nec Corp ヒューズ付きチップ状固体電解コンデンサおよびその製造方法
JPH02162713A (ja) * 1988-12-15 1990-06-22 Nec Corp ヒューズ付き固体電解コンデンサ
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