JPS63148875U - - Google Patents
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- Publication number
- JPS63148875U JPS63148875U JP4156487U JP4156487U JPS63148875U JP S63148875 U JPS63148875 U JP S63148875U JP 4156487 U JP4156487 U JP 4156487U JP 4156487 U JP4156487 U JP 4156487U JP S63148875 U JPS63148875 U JP S63148875U
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- base
- twin transistor
- bipolar
- collector
- voltage
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- Granted
Links
- 230000032683 aging Effects 0.000 claims description 4
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- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
Description
第１図は本考案の第１の実施例、第２図は第２
の実施例および第３図は従来例をそれぞれ示す。 １，Ｂ…コレクタ端子、２，４…ベース端子、
５…共通エミツタ端子、６，９…エージング台の
コレクタ端子、７，１０…エージング台のベース
端子、８，１１…エージング台のエミツタ端子、
１２…バイポーラ・ツイン・トランジスタ、１３
…コレクタ電源、１４…エミツタ電源、１７…仮
想接地点。
の実施例および第３図は従来例をそれぞれ示す。 １，Ｂ…コレクタ端子、２，４…ベース端子、
５…共通エミツタ端子、６，９…エージング台の
コレクタ端子、７，１０…エージング台のベース
端子、８，１１…エージング台のエミツタ端子、
１２…バイポーラ・ツイン・トランジスタ、１３
…コレクタ電源、１４…エミツタ電源、１７…仮
想接地点。
Claims (1)
- 仮想接地点とエージング対象のバイポーラ・ツ
イン・トランジスタの各ベースとの間に、該バイ
ポーラ・ツイン・トランジスタのコレクタ・ベー
ス間電圧に対して無視し得る程度の電圧降下をも
たらし、かつ可及的大きな抵抗値を有する抵抗器
を設けたことを特徴とするベース接地形式の直流
電力エージング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4156487U JPH0622229Y2 (ja) | 1987-03-20 | 1987-03-20 | 直流電力エ−ジング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4156487U JPH0622229Y2 (ja) | 1987-03-20 | 1987-03-20 | 直流電力エ−ジング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63148875U true JPS63148875U (ja) | 1988-09-30 |
| JPH0622229Y2 JPH0622229Y2 (ja) | 1994-06-08 |
Family
ID=30856682
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4156487U Expired - Lifetime JPH0622229Y2 (ja) | 1987-03-20 | 1987-03-20 | 直流電力エ−ジング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0622229Y2 (ja) |
-
1987
- 1987-03-20 JP JP4156487U patent/JPH0622229Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0622229Y2 (ja) | 1994-06-08 |