JPS6314830B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6314830B2 JPS6314830B2 JP57148002A JP14800282A JPS6314830B2 JP S6314830 B2 JPS6314830 B2 JP S6314830B2 JP 57148002 A JP57148002 A JP 57148002A JP 14800282 A JP14800282 A JP 14800282A JP S6314830 B2 JPS6314830 B2 JP S6314830B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- groove
- tanβl
- characteristic impedance
- radio wave
- small
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B6/00—Heating by electric, magnetic or electromagnetic fields
- H05B6/64—Heating using microwaves
- H05B6/76—Prevention of microwave leakage, e.g. door sealings
- H05B6/763—Microwave radiation seals for doors
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K9/00—Screening of apparatus or components against electric or magnetic fields
- H05K9/0007—Casings
- H05K9/0015—Gaskets or seals
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Constitution Of High-Frequency Heating (AREA)
- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
Description
産業上の利用分野
本発明は、高周波加熱器用の電波シールに関す
るものである。特に電子レンジ等の如く、開閉自
在のドアを有する機器に応用すれば、特に効果が
発揮できるものである。 従来例の構成とその問題点 電波シール装置としては数多く提案されてお
り、実用的に利用されているものに“チヨーク方
式”がある。さらにこの“チヨーク方式”のチヨ
ーク溝長手方向への電波伝搬に対策を施こした先
行技術もある。しかしこれらはチヨーク溝を有し
ていること、チヨーク溝開孔部からチヨーク溝終
端部までの実効的な深さが用いる電波の周波数に
対して四分の一波長であることに特徴がある。 即ち、チヨーク溝の特性インピーダンスをZo，
溝の深さｌとし、終端部を短絡したときに、チヨ
ーク溝開孔部のインピーダンスZinは、 Zin＝jZotan（2πl／λo）となる。但しλoは自由空 間波長、チヨーク方式では溝の深さｌをλo／４
と選ぶことで｜Zin｜＝Zotan（π／２）＝∝を達
成するという原理に基づいている。チヨーク溝内
を誘電体（比誘電率εr）で充填すると、電波波長
λ′はλ′＝λo／√に圧縮される。この場合、溝
の深さl′はl′≒ｌ／√と短かくなる。しかし、
l′＝λ′／４とすることに変りはない。 従がつてチヨーク方式においては、チヨーク溝
の深さが実質的に四分の一波長よりも小さくでき
ず、小型化の限界がある。第１，２図に従来の構
成例を示す。 発明の目的 本発明では、電波シール用の溝を用いる点では
チヨーク方式と類似点があるが、チヨーク溝と区
別するために小型溝と呼ぶ。本発明は、小型溝の
深さを実質的に四分の一波長よりも小さく構成す
ることを目的とする。小型化は、小形溝の深さ方
向に溝の特性インピーダンスを変えることにより
達成できる。 制限条件は、小型溝の開孔部特性インピーダン
スが溝の終端部特性インピーダンスよりも小さい
ことと、溝の幅と深さがともに実質的電波波長の
四分の一よりも小さいことである。 以下第３〜４図を用いて特性インピーダンスに
ついて説明する。第３図は平行線路の斜視図であ
り、線路幅をａ、線路間隙をｂ、誘電媒質の比誘
電率をεvとしている。 この場合の特性インピーダンスZoは周知の如
く、
るものである。特に電子レンジ等の如く、開閉自
在のドアを有する機器に応用すれば、特に効果が
発揮できるものである。 従来例の構成とその問題点 電波シール装置としては数多く提案されてお
り、実用的に利用されているものに“チヨーク方
式”がある。さらにこの“チヨーク方式”のチヨ
ーク溝長手方向への電波伝搬に対策を施こした先
行技術もある。しかしこれらはチヨーク溝を有し
ていること、チヨーク溝開孔部からチヨーク溝終
端部までの実効的な深さが用いる電波の周波数に
対して四分の一波長であることに特徴がある。 即ち、チヨーク溝の特性インピーダンスをZo，
溝の深さｌとし、終端部を短絡したときに、チヨ
ーク溝開孔部のインピーダンスZinは、 Zin＝jZotan（2πl／λo）となる。但しλoは自由空 間波長、チヨーク方式では溝の深さｌをλo／４
と選ぶことで｜Zin｜＝Zotan（π／２）＝∝を達
成するという原理に基づいている。チヨーク溝内
を誘電体（比誘電率εr）で充填すると、電波波長
λ′はλ′＝λo／√に圧縮される。この場合、溝
の深さl′はl′≒ｌ／√と短かくなる。しかし、
l′＝λ′／４とすることに変りはない。 従がつてチヨーク方式においては、チヨーク溝
の深さが実質的に四分の一波長よりも小さくでき
ず、小型化の限界がある。第１，２図に従来の構
成例を示す。 発明の目的 本発明では、電波シール用の溝を用いる点では
チヨーク方式と類似点があるが、チヨーク溝と区
別するために小型溝と呼ぶ。本発明は、小型溝の
深さを実質的に四分の一波長よりも小さく構成す
ることを目的とする。小型化は、小形溝の深さ方
向に溝の特性インピーダンスを変えることにより
達成できる。 制限条件は、小型溝の開孔部特性インピーダン
スが溝の終端部特性インピーダンスよりも小さい
ことと、溝の幅と深さがともに実質的電波波長の
四分の一よりも小さいことである。 以下第３〜４図を用いて特性インピーダンスに
ついて説明する。第３図は平行線路の斜視図であ
り、線路幅をａ、線路間隙をｂ、誘電媒質の比誘
電率をεvとしている。 この場合の特性インピーダンスZoは周知の如
く、
【式】（ｋ：比例定数）となる。
従がつて特性インピーダンスZoは、線路幅ａ
を広くすること、線路間隙ｂをせまくすること、
比誘電率εvを大きくすることで小さな値にでき
る。第４図にはドアの構成例を示す。この場合ド
ア１に設けたｘ方向にのびる壁面２，３と幅ａ，
ピツチＰの導線路群４により溝幅ｂなる溝５を構
成している。この場合は接地面に相当する壁面に
対し、導線路群４が配された電波伝搬系として作
用するが、個々の線路に対して特性インピーダン
スZoは
を広くすること、線路間隙ｂをせまくすること、
比誘電率εvを大きくすることで小さな値にでき
る。第４図にはドアの構成例を示す。この場合ド
ア１に設けたｘ方向にのびる壁面２，３と幅ａ，
ピツチＰの導線路群４により溝幅ｂなる溝５を構
成している。この場合は接地面に相当する壁面に
対し、導線路群４が配された電波伝搬系として作
用するが、個々の線路に対して特性インピーダン
スZoは
【式】（k′：比例定数）となり
平行線の場合と殆んど同様の関係が保たれる。
発明の構成
第５〜８図を用いて本発明の原理説明をする。
第５図は小型溝を２，３、ｎ個のインピーダン
ス変化させた例をａ，ｂ，ｃに示している。特性
インピーダンスZioの区間が長さliあり、インピ
ーダンス変化点から溝終端側をみたインピーダン
スがZiで、溝開孔部から溝終端側をみたインピー
ダンスがZinnとなる。ｉは添字具体的には溝を
２分割した(a)の場合、 Z2＝jZ20Tanβl2≡jx2以下βはβ＝2π／λo Zin2＝Z10Z2＋jZ10tanβl1／Z10＋jZ2tanβl1 但し（Z10＜Z20） (b)の場合 Z3＝jZ30tanβl3 Z2＝Z20Z3＋jZ20tanβl2／Z20＋jZ3tanβl2≡jx3 Zin3＝Z10Z2＋jZ10tanβl1／Z10＋jZ2tanβ1 但し（Z10＜Z20＜Z30） (c)の場合 Zo＝jZoptanβlo Zo-1＝Ｚ（ｎ−１）ｏZo＋jZ（ｎ−１）otanβl（ｎ
−１）／Ｚ（ｎ−１）ｏ＋jZotanβl（ｎ−１）…但し
（Z10＜Z20…＜Z30） Z2＝Z20Z3＋jZ20tanβl2／Z20＋jZ2tanβl2≡jxo Zinn＝Z10Z2＋jZ10tanβl1／Z10＋jZ2tanβl1 となる。 従がつて小型溝開孔からみたインピーダンスは
ｎ個の不連続特性インピーダンスの場合に Zinn＝Z10Z2＋jZ10tanβl1／Z10＋jZ2tanβl1 ＝jZ10xn＋Z10tanβl1／Z10−xntanβl1 となる。上式はZ10とxntanβl1が等しくなれば｜
Zinn｜＝∝にできることを意味する。即ち、Z10
＝xntanβl1が溝開孔部でのインピーダンスを大き
くする要件になることがわかる。 λo＝122.4mm（＝2450MHz）λo／４＝30.8mmの例 でａ図の２個不連続、ｂ図の３個不連続の場合に
ついて、Z10≒xotanβl1の条件を満たす。l1，l2
（l3），ltotalの組合せを開孔部特性インピーダン
スZ10と終端部特性インピーダンスZ20またはZ30
の比を１対２として計算すると次の如くなる。
ス変化させた例をａ，ｂ，ｃに示している。特性
インピーダンスZioの区間が長さliあり、インピ
ーダンス変化点から溝終端側をみたインピーダン
スがZiで、溝開孔部から溝終端側をみたインピー
ダンスがZinnとなる。ｉは添字具体的には溝を
２分割した(a)の場合、 Z2＝jZ20Tanβl2≡jx2以下βはβ＝2π／λo Zin2＝Z10Z2＋jZ10tanβl1／Z10＋jZ2tanβl1 但し（Z10＜Z20） (b)の場合 Z3＝jZ30tanβl3 Z2＝Z20Z3＋jZ20tanβl2／Z20＋jZ3tanβl2≡jx3 Zin3＝Z10Z2＋jZ10tanβl1／Z10＋jZ2tanβ1 但し（Z10＜Z20＜Z30） (c)の場合 Zo＝jZoptanβlo Zo-1＝Ｚ（ｎ−１）ｏZo＋jZ（ｎ−１）otanβl（ｎ
−１）／Ｚ（ｎ−１）ｏ＋jZotanβl（ｎ−１）…但し
（Z10＜Z20…＜Z30） Z2＝Z20Z3＋jZ20tanβl2／Z20＋jZ2tanβl2≡jxo Zinn＝Z10Z2＋jZ10tanβl1／Z10＋jZ2tanβl1 となる。 従がつて小型溝開孔からみたインピーダンスは
ｎ個の不連続特性インピーダンスの場合に Zinn＝Z10Z2＋jZ10tanβl1／Z10＋jZ2tanβl1 ＝jZ10xn＋Z10tanβl1／Z10−xntanβl1 となる。上式はZ10とxntanβl1が等しくなれば｜
Zinn｜＝∝にできることを意味する。即ち、Z10
＝xntanβl1が溝開孔部でのインピーダンスを大き
くする要件になることがわかる。 λo＝122.4mm（＝2450MHz）λo／４＝30.8mmの例 でａ図の２個不連続、ｂ図の３個不連続の場合に
ついて、Z10≒xotanβl1の条件を満たす。l1，l2
（l3），ltotalの組合せを開孔部特性インピーダン
スZ10と終端部特性インピーダンスZ20またはZ30
の比を１対２として計算すると次の如くなる。
【表】
【表】
【表】
この結果は次のことを意味する。
特性インピーダンスをZ10＜Z20又はZ10＜Z20
＜Z30とすることにより溝の深さｌ（total）が
四分の１波長よりも小さくできる。 溝の深さの寸法圧縮率は開孔部特性インピー
ダンスZ10と終端部特性インピーダンスZnoに
よりほとんど決まり、特性インピーダンスの変
化数ｎにはほとんど左右されない。 上記説明はZ20／Z10＝Z30／Z10＝２の場合であ
るが、第６図には、２分割の場合に寸法l1とl2の
比を１〜５まで変化させたときの特性インピーダ
ンス比と、チヨーク溝深さに対し小型溝深さが寸
法圧縮された圧縮比の関係を示している。特性イ
ンピーダンスの選定を工夫すればチヨーク溝の十
分の一以下にもできることをこのグラフは示す。 第７図には寸法l1を12mmとしたとき、寸法l2を
パラメータに開孔部特性インピーダンス絶対値を
プロツトしたもので、寸法ｌ（total）が24mmと25
mmのところで極大値をとることを示している。 第８図には電波漏洩実測値を示す。この結果も
l2寸法が23.5mmと24.5mmの間で最小値を示してお
り、これは次のことを意味するものである。 小型溝の開孔部インピーダンスの絶対値を大
きくすることが、電波漏洩量を少なくする。 小型溝の開孔部インピーダンスを大きくする
溝の深さ寸法（l1，l2）は計算値と実測値が精
度よく合致すること。 チヨーク溝の深さにくらべて確実に小型化が
できることである。 本発明の小型化について説明を加えると次の如
くなる。実質波長λ′は光速Ｃ，周波数∝，比誘電
率をεrとしたときに
＜Z30とすることにより溝の深さｌ（total）が
四分の１波長よりも小さくできる。 溝の深さの寸法圧縮率は開孔部特性インピー
ダンスZ10と終端部特性インピーダンスZnoに
よりほとんど決まり、特性インピーダンスの変
化数ｎにはほとんど左右されない。 上記説明はZ20／Z10＝Z30／Z10＝２の場合であ
るが、第６図には、２分割の場合に寸法l1とl2の
比を１〜５まで変化させたときの特性インピーダ
ンス比と、チヨーク溝深さに対し小型溝深さが寸
法圧縮された圧縮比の関係を示している。特性イ
ンピーダンスの選定を工夫すればチヨーク溝の十
分の一以下にもできることをこのグラフは示す。 第７図には寸法l1を12mmとしたとき、寸法l2を
パラメータに開孔部特性インピーダンス絶対値を
プロツトしたもので、寸法ｌ（total）が24mmと25
mmのところで極大値をとることを示している。 第８図には電波漏洩実測値を示す。この結果も
l2寸法が23.5mmと24.5mmの間で最小値を示してお
り、これは次のことを意味するものである。 小型溝の開孔部インピーダンスの絶対値を大
きくすることが、電波漏洩量を少なくする。 小型溝の開孔部インピーダンスを大きくする
溝の深さ寸法（l1，l2）は計算値と実測値が精
度よく合致すること。 チヨーク溝の深さにくらべて確実に小型化が
できることである。 本発明の小型化について説明を加えると次の如
くなる。実質波長λ′は光速Ｃ，周波数∝，比誘電
率をεrとしたときに
【式】で定義でき
る。具体的には周波数を2450MHzにした場合、溝
内に誘電体を入れぬ場合の（無装荷）波長は約
122.4mmである。溝内に比誘電率εr＝４の誘電体
を装荷すると波長圧縮により波長は約61mmにな
る。従来例では溝の幾何学的寸法を無装荷時は
122／４≒30.8mm、装荷時は15.8mmといずれも実質波 長の４分の１にすることで電波洩れを防止してい
た。 本発明では第７図の如く、特性インピーダンス
の比をZ20／Z10＝２とすることにより無装荷時は
約24mm、装荷時は約12mmと実装波長の４分の１よ
り短かい寸法で電波洩れが防止できるのである。 実施例の説明 本発明は小型溝を構成する壁面群のうち少なく
とも１つの壁面が導線幅をピツチよりも小さくし
たものにおいて各線路群の導線幅を溝開孔部の導
線幅a1が、短絡終端部のそれより（a2）も大きく
する構成をとる。第１２図に基本構成例を示す。
壁面群６，７，８により小型溝９は構成される。
特に壁面８は、開孔部の導線幅a1が短絡終端部導
線幅a2よりも大きい点に特徴を有する。第１３図
には本発明内容を高周波加熱器に実施した２つの
例を示している。１０は外溝、１１は外溝壁面で
ある。１２は本体である。 発明の効果 (1) 本質的に小形溝の深さを四分の一波長より小
さくできる。 (2) 小形溝を構成する壁面のうち少なくとも１つ
の壁面は線路群からなるので、ｘ方向の電波伝
搬成分を少なくでき、電波シール性能の向上が
はかれる。 (3) 導線幅を変化させるという簡単な構成で電波
シール装置の小型化がはかれる。 (4) 第１３図ａの如き構成の場合外溝１０も小型
溝として動作する。
内に誘電体を入れぬ場合の（無装荷）波長は約
122.4mmである。溝内に比誘電率εr＝４の誘電体
を装荷すると波長圧縮により波長は約61mmにな
る。従来例では溝の幾何学的寸法を無装荷時は
122／４≒30.8mm、装荷時は15.8mmといずれも実質波 長の４分の１にすることで電波洩れを防止してい
た。 本発明では第７図の如く、特性インピーダンス
の比をZ20／Z10＝２とすることにより無装荷時は
約24mm、装荷時は約12mmと実装波長の４分の１よ
り短かい寸法で電波洩れが防止できるのである。 実施例の説明 本発明は小型溝を構成する壁面群のうち少なく
とも１つの壁面が導線幅をピツチよりも小さくし
たものにおいて各線路群の導線幅を溝開孔部の導
線幅a1が、短絡終端部のそれより（a2）も大きく
する構成をとる。第１２図に基本構成例を示す。
壁面群６，７，８により小型溝９は構成される。
特に壁面８は、開孔部の導線幅a1が短絡終端部導
線幅a2よりも大きい点に特徴を有する。第１３図
には本発明内容を高周波加熱器に実施した２つの
例を示している。１０は外溝、１１は外溝壁面で
ある。１２は本体である。 発明の効果 (1) 本質的に小形溝の深さを四分の一波長より小
さくできる。 (2) 小形溝を構成する壁面のうち少なくとも１つ
の壁面は線路群からなるので、ｘ方向の電波伝
搬成分を少なくでき、電波シール性能の向上が
はかれる。 (3) 導線幅を変化させるという簡単な構成で電波
シール装置の小型化がはかれる。 (4) 第１３図ａの如き構成の場合外溝１０も小型
溝として動作する。
第１図，第２図はチヨーク溝従来例を示す図、
第３図は平行線路を示す図、第４図は変形平行線
路による溝の構成例を示す斜視図、第５〜８図は
本発明の原理を説明するための図、第９図ａ，
ｂ，ｃは本発明における溝部の電界解析図、第１
０図ａ，ｂ，ｃは915MHzにおける装置の断面図、
側面図、特性図、第１１図ａ，ｂ，ｃは2450MHz
における装置の断面図、側面図、特性図、第１２
図は本発明の実施例の装置の斜視図、第１３図
ａ，ｂは同装置の断面図である。 ６，７，８…溝壁群、a1…小型構開孔部導線
幅、a2…小型溝短絡終端部の導線幅、Ｐ…ピツ
チ。
第３図は平行線路を示す図、第４図は変形平行線
路による溝の構成例を示す斜視図、第５〜８図は
本発明の原理を説明するための図、第９図ａ，
ｂ，ｃは本発明における溝部の電界解析図、第１
０図ａ，ｂ，ｃは915MHzにおける装置の断面図、
側面図、特性図、第１１図ａ，ｂ，ｃは2450MHz
における装置の断面図、側面図、特性図、第１２
図は本発明の実施例の装置の斜視図、第１３図
ａ，ｂは同装置の断面図である。 ６，７，８…溝壁群、a1…小型構開孔部導線
幅、a2…小型溝短絡終端部の導線幅、Ｐ…ピツ
チ。
Claims (1)
- １ 開閉自在のドアを有する高周波加熱器のドア
又は本体の少なくとも一方に溝壁面群でかこまれ
た溝開孔部と短絡終端部をもつ１つ以上の小型溝
を有し、壁面群のうち少なくとも１つの壁面はｘ
方向に導体幅よりもピツチが大きくなるようにし
た線路群で構成し、かつ溝の開孔部の導体幅が短
絡終端部の導体幅よりも大きくなるように構成す
るとともに小型溝の実質的深さを使用波長の1/4
よりも小さくした電波シール装置。
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57148002A JPS5937693A (ja) | 1982-08-25 | 1982-08-25 | 電波シ−ル装置 |
| US07/185,757 USRE33657E (en) | 1982-08-25 | 1983-08-18 | Electromagnetic wave energy seal arrangement |
| US06/599,434 US4584447A (en) | 1982-08-25 | 1983-08-18 | Electromagnetic wave energy seal arrangement |
| PCT/JP1983/000269 WO1984001083A1 (en) | 1982-08-25 | 1983-08-18 | Radio-wave sealing device |
| AU18868/83A AU569581B2 (en) | 1982-08-25 | 1983-08-18 | An electromagnetic wave energy seal arrangement |
| DE8383902648T DE3380869D1 (en) | 1982-08-25 | 1983-08-18 | Radio-wave sealing device |
| EP83902648A EP0116648B1 (en) | 1982-08-25 | 1983-08-18 | Radio-wave sealing device |
| CA000435220A CA1213001A (en) | 1982-08-25 | 1983-08-24 | Device for sealing electric waves |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57148002A JPS5937693A (ja) | 1982-08-25 | 1982-08-25 | 電波シ−ル装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5937693A JPS5937693A (ja) | 1984-03-01 |
| JPS6314830B2 true JPS6314830B2 (ja) | 1988-04-01 |
Family
ID=15442910
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57148002A Granted JPS5937693A (ja) | 1982-08-25 | 1982-08-25 | 電波シ−ル装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5937693A (ja) |
| AU (1) | AU569581B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7079238B2 (en) | 1997-09-19 | 2006-07-18 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Sample inspection system |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4742201A (en) * | 1984-11-20 | 1988-05-03 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Door assembly for microwave heating apparatus |
| DE102024104267B3 (de) * | 2024-02-15 | 2025-06-12 | Miele & Cie. Kg | Gargerät mit Mikrowellenfunktion und Mikrowellenfallen |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA956701A (en) * | 1971-05-20 | 1974-10-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Microwave oven |
| JPS5126178A (en) * | 1974-08-26 | 1976-03-03 | Takeji Kawahara | Kanzumeinryono seizoho |
| US3966277A (en) * | 1974-09-06 | 1976-06-29 | Cupler Ii John A | Vee bearing having adjustable V journal profile |
| JPS5910054B2 (ja) * | 1975-06-30 | 1984-03-06 | ソニー株式会社 | マスク原版のパタ−ン精度確認方法 |
| DE2853616C2 (de) * | 1977-12-13 | 1984-11-29 | Hitachi Heating Appliances Co., Ltd., Kashiwa, Chiba | Abdichtungsanordnung gegen den Austritt elektromagnetischer Wellen aus einer HF-Erwärmungseinrichtung |
-
1982
- 1982-08-25 JP JP57148002A patent/JPS5937693A/ja active Granted
-
1983
- 1983-08-18 AU AU18868/83A patent/AU569581B2/en not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7079238B2 (en) | 1997-09-19 | 2006-07-18 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Sample inspection system |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| AU1886883A (en) | 1984-03-29 |
| JPS5937693A (ja) | 1984-03-01 |
| AU569581B2 (en) | 1988-02-11 |
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