JPS63140672A - Power converter - Google Patents

Power converter

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JPS63140672A
JPS63140672A JP61288006A JP28800686A JPS63140672A JP S63140672 A JPS63140672 A JP S63140672A JP 61288006 A JP61288006 A JP 61288006A JP 28800686 A JP28800686 A JP 28800686A JP S63140672 A JPS63140672 A JP S63140672A
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JP
Japan
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cascode
series
semiconductor switch
circuit
switch circuit
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JP61288006A
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Japanese (ja)
Inventor
Tadao Mizutani
忠夫 水谷
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Fuji Electric Co Ltd
Original Assignee
Fuji Electric Co Ltd
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Publication date
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Abstract

PURPOSE:To upgrade an apparatus for high performance, by turning ON one of the series-connected semiconductor circuits while others are in the period of turning OFF, and by suppressing the large current flow due to arm shorts by means of a saturable transformer inserted in series. CONSTITUTION:Four sets of cascode-connected semiconductor switching circuits 30-60 composed of a bipolar transistor and a MOSFET in direct connection are connected in a single-phase bridge. By ON-OFF operating switching circuits 30-60 in sequence, the power of a DC power source 10 is converted into AC power to supply to a load 20. Saturable transformers 31-61, in which the secondary winding as current suppressing means is shorted by resistances 36-66, are connected in series to the respective switching circuits 30-60. The ON-OFF signal to the switching circuit 50 is given to the bipolar transistor from a base drive circuit 52 through a signal insulation circuit 54 and to the MOSFET from a gate drive circuit 53, with which the switching circuits 30-60 are driven and controlled.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、バイポーラトランジスタと金属酸化物半導
体電界効果トランジスタとをカスコード接続することで
構成されているカスコード接続半導体スイッチ回路を使
用した電力変換装置に関する。
[Detailed Description of the Invention] [Industrial Application Field] The present invention provides a power conversion device using a cascode-connected semiconductor switch circuit configured by cascode-connecting a bipolar transistor and a metal oxide semiconductor field effect transistor. Regarding.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

たとえば直流を交流に変換する電力変換装置、いわゆる
インバータは、ブリッジ接続されているスイッチング素
子を順次オン・オフ動作させることで電力変換動作をす
るのであるが、パルス幅変調制御を行うインパークなど
では、特に高い周波数でのスイッチングが可能なスイッ
チング素子が望まれている。
For example, a power conversion device that converts direct current to alternating current, a so-called inverter, performs power conversion by sequentially turning on and off switching elements connected in a bridge. In particular, a switching element capable of switching at high frequencies is desired.

第3図はカスコード接続半導体スイッチ回路の例を示す
回路図であって、大電流特性の良好なバイポーラトラン
ジスタ3と、高速スイッチング特性が良好な金属酸化物
半導体電界効果トランジスタ(以下ではMOS  FE
Tと略記する)4とを直列に接続し、さらにダイオード
5 (あるいは定電圧ダイオードでも可)とフライホイ
ールダイオード6とを図示のように接続することでカス
コード接続半導体スイッチ回路2を形成している。
FIG. 3 is a circuit diagram showing an example of a cascode-connected semiconductor switch circuit, in which a bipolar transistor 3 with good large current characteristics and a metal oxide semiconductor field effect transistor (hereinafter MOS FE) with good high-speed switching characteristics are used.
A cascode-connected semiconductor switch circuit 2 is formed by connecting 4 (abbreviated as T) in series, and further connecting a diode 5 (or a constant voltage diode) and a flywheel diode 6 as shown. .

このカスコード接続半導体スイッチ回路2のオン・オフ
動作は次のようにして行われる。すなわちベース駆動回
路7を介してバイポーラトランジスタ3に点弧信号を与
えると同時にゲート駆動回路8を介してMOS  FE
T4に点弧信号を与えることにより両者をターンオンさ
せると、当該カスコード接続半導体スイッチ回路2の正
極側から負極側へ電流が流れる。この電流を遮断するた
めに、バイポーラトランジスタ3とMOS  FET4
とに与えている点弧信号を取り去ると、高速スイッチン
グ動作のMOS  FET4が先にターンオフするので
、いままで流れていた電流はこのMOS  FETをバ
イパスする経路、すなわちバイポーラトランジスタ3の
コレクターバイポーラトランジスタ30ベース→ダイオ
ード5→MO3FET4のソース側なる経路で流れるの
で、バイポーラトランジスタ3も安全にかつ高速でター
ンオフすることができる。
The on/off operation of the cascode-connected semiconductor switch circuit 2 is performed as follows. That is, an ignition signal is applied to the bipolar transistor 3 via the base drive circuit 7, and at the same time, the ignition signal is applied to the MOS FE via the gate drive circuit 8.
When both are turned on by applying an ignition signal to T4, a current flows from the positive side to the negative side of the cascode-connected semiconductor switch circuit 2. In order to cut off this current, bipolar transistor 3 and MOS FET 4
When the ignition signal applied to is removed, the high-speed switching MOS FET 4 is turned off first, so the current that was flowing until now is diverted to a path that bypasses this MOS FET, that is, the collector of the bipolar transistor 3 and the base of the bipolar transistor 30. Since the current flows through the path of →diode 5 →source side of MO3FET 4, bipolar transistor 3 can also be turned off safely and at high speed.

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problem that the invention seeks to solve]

しかしながら、オン状態にあるカスー−ド接続半導体ス
イッチ回路2をターンオフする以前に、この回路に流れ
ていた電流が零になっていると、点弧信号を取り去るこ
とでMOS  FET4がターンオフした後に、バイポ
ーラトランジスタ3はそのコレクタからベースへ流れる
べき電流が零であるために、ベースから注入されたキャ
リヤが素早く消滅しないので、当該バイポーラトランジ
スタ3のターンオフ時間が長くなる。そのためにこのバ
イポーラトランジスタ3がターンオフ完了以前に直列に
接続された他方のアームのカスコード接続半導体スイッ
チ回路が点弧すると、いわゆるアーム短絡状態となって
過大な電流が流れることがあり、素子を破損させるなど
の不都合を発生することとなる。そこでこのようなアー
ム短絡事故を防止するために、一方のアームの点弧信号
を取り去ってから一定時間が経過しなければ他方のアー
ムに点弧信号が与えられないような信号遅延要素を設け
ると、高い周波数でのスイッチング動作が阻害されるこ
とになり、バイポーラトランジスタ3とMOS  FE
T4とで構成されたカスコード接続半導体スイッチ回路
2の特徴が失われるという欠点を生ずる。
However, if the current flowing through the circuit becomes zero before turning off the cascade-connected semiconductor switch circuit 2 which is in the on state, by removing the ignition signal, the bipolar Since the current that should flow from the collector to the base of the transistor 3 is zero, the carriers injected from the base do not disappear quickly, so the turn-off time of the bipolar transistor 3 becomes long. Therefore, if the cascode-connected semiconductor switch circuit of the other arm connected in series is fired before the bipolar transistor 3 is turned off, a so-called arm short circuit may occur and an excessive current may flow, damaging the element. Such inconveniences may occur. Therefore, in order to prevent such arm short-circuit accidents, a signal delay element is provided so that the firing signal is not given to the other arm until a certain period of time has passed after the firing signal of one arm is removed. , the switching operation at high frequencies will be inhibited, and the bipolar transistor 3 and MOS FE
This results in a disadvantage that the characteristics of the cascode-connected semiconductor switch circuit 2 configured with T4 are lost.

そこでこの発明は、バイポーラトランジスタとMOS 
 FETとの直列接続で構成されたカスコード接続半導
体スイッチ回路を使用して、アーム短絡時に素子を破損
させるような過大電流を生じることなく、高い周波数で
スイッチング動作をさせることができる電力変換装置を
提供することを目的とする。
Therefore, this invention combines bipolar transistors and MOS
Provides a power conversion device that uses a cascode-connected semiconductor switch circuit configured with a series connection with an FET to perform switching operation at a high frequency without generating excessive current that would damage the element in the event of an arm short circuit. The purpose is to

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving problems]

上記の目的を達成するために、この発明によればカスコ
ード接続されたバイポーラトランジスタと金属酸化物半
導体電界効果トランジスタの両者に点弧信号を与えてタ
ーンオンさせ、また両者への点弧信号を取り去ってター
ンオフさせているカスコード接続半導体スイッチ回路の
2組を電源に対して直列に接続し、両カスコード接続半
導体スイッチ回路を交互にオン・オフ動作を繰り返させ
ることで、両者の結合点から変換された電力を取り出す
よう構成されている電力変換装置において、2次側巻線
をインピーダンスで短絡した可飽和変圧器の1次側巻線
をそれぞれのカスコード接続半導体スイッチ回路に別個
に直列に接続し、一方のカスコード接続半導体スイッチ
回路がターンオフ期間中に、他方のカスコード接続半導
体スイッチ回路をターンオンさせる動作を交互に繰り返
させる手段を備えるものであるが、あるいはそれぞれの
カスコード接続半導体スイッチ回路に別個の可飽和変圧
器を直列接続するかわりに、2次側巻線をインピーダン
スで短絡した可飽和変圧器のセンタタップを有する1次
側巻線を、直列接続された前記両カスコード接続半導体
スイッチ回路の結合点に直列に挿入することによっても
前記の目的は達成される。
In order to achieve the above object, according to the present invention, a firing signal is applied to both a cascode-connected bipolar transistor and a metal oxide semiconductor field effect transistor to turn them on, and the firing signal to both is removed. By connecting two sets of cascode-connected semiconductor switch circuits that are turned off in series to a power supply, and repeating on and off operations of both cascode-connected semiconductor switch circuits alternately, the power converted from the connection point of both In a power conversion device configured to take out the means for causing the cascode-connected semiconductor switch circuit to alternately turn on the other cascode-connected semiconductor switch circuit during its turn-off period, or a separate saturable transformer for each cascode-connected semiconductor switch circuit; Instead of connecting in series, the primary winding having a center tap of a saturable transformer whose secondary winding is short-circuited by impedance is connected in series to the connection point of both the cascode-connected semiconductor switch circuits connected in series. The above object is also achieved by the insertion.

〔作用〕[Effect]

この発明は、バイポーラトランジスタとMOSFETと
の直列接続で構成されたカスコード接続半導体スイッチ
回路の2組を電源に対して直列に接続し、一方のカスコ
ード接続半導体スイッチ回路がオンのときは、他方のそ
れをオフとする状態を交互に繰り返させることで、両カ
スコード接続半導体スイッチ回路の結合点から変換され
た電力を取り出すにあたって、信号遅延要素を設けるこ
となく、一方のカスコード接続半導体スイッチ回路にオ
フ信号を与えてターンオフ期間であるときに、他方のそ
れにオン信号を与えることでターンオフ中のバイポーラ
トランジスタのキャリヤを素早く消滅させるようにして
、高い周波数でのスイッチング動作を実現させるのであ
るが、このような高速度スイッチング動作に伴って生じ
るアーム短絡電流は、2次側巻線を適宜なインピーダン
スで短絡している可飽和変圧器の1次側巻線を、これら
カスコード接続半導体スイッチ回路に直列に挿入するこ
とで抑制し、素子が破損するのを未然に防止する。また
可飽和変圧器を両カスコード接続半導体スイッチ回路に
別個に直列接続するかわりに、両者の結合点にセンタタ
ップ付きの可飽和変圧器を挿入し、この可飽和変圧器の
2次側巻線をインピーダンスで短絡することで、アーム
短絡電流を抑制しつつこの可飽和変圧器のセンタタップ
から変換された電力を取り出すこともできる。
This invention connects two sets of cascode-connected semiconductor switch circuits each consisting of a bipolar transistor and a MOSFET connected in series to a power supply, and when one cascode-connected semiconductor switch circuit is on, the other cascode-connected semiconductor switch circuit is turned on. By alternately repeating the off state, when extracting the converted power from the connection point of both cascode-connected semiconductor switch circuits, it is possible to send an OFF signal to one of the cascode-connected semiconductor switch circuits without providing a signal delay element. By applying an on signal to the other bipolar transistor when it is in its turn-off period, the carriers in the bipolar transistor that is turned off are quickly extinguished, thereby realizing switching operation at a high frequency. The arm short-circuit current that occurs due to speed switching operation can be solved by inserting the primary winding of a saturable transformer whose secondary winding is short-circuited with an appropriate impedance into these cascode-connected semiconductor switch circuits in series. to prevent element damage. Also, instead of separately connecting a saturable transformer in series with both cascode-connected semiconductor switch circuits, a center-tapped saturable transformer is inserted at the connection point between the two, and the secondary winding of this saturable transformer is By short-circuiting with impedance, it is also possible to extract the converted power from the center tap of this saturable transformer while suppressing the arm short-circuit current.

〔実施例〕〔Example〕

第1図は本発明の実施例を示す回路図である。 FIG. 1 is a circuit diagram showing an embodiment of the present invention.

この第1図において、4組のカスコード接続スイッチ回
路30.40.50.60を単相ブリッジ接続し、各カ
スコード接続スイッチ回路を順次オン・オフ動作させる
ことにより、直流電源10からの直流電力は交流電力に
変換されて負荷20に供給される。
In FIG. 1, the DC power from the DC power supply 10 is It is converted into AC power and supplied to the load 20.

ここでそれぞれのカスコード接続スイッチ回路は第3図
に図示の回路図と同じ構成であり、これらのカスコード
接続スイッチ回路30.40.50.60にはそれぞれ
電流抑制手段用として、2次側巻線がそれぞれインピー
ダンスとしての抵抗36.46.56゜66で短絡され
ている可飽和変圧器31.41.51.61が直列に接
続されている。なお可飽和変圧器の2次側巻線を短絡す
るインピーダンスとして、第1図においては抵抗が使用
されているが、リアクトルを用いて2次側巻線を短絡す
ることもできる。
Here, each of the cascode connection switch circuits has the same configuration as the circuit diagram shown in FIG. Saturable transformers 31,41,51,61 are connected in series, each of which is short-circuited by a resistor 36,46,56,66 as impedance. Although a resistor is used in FIG. 1 as an impedance for short-circuiting the secondary winding of the saturable transformer, it is also possible to short-circuit the secondary winding using a reactor.

直流電源10の正極側に接続されているカスコード接続
スイッチ回路50へのオン・オフ信号は信号絶縁回路5
4を介してバイポーラトランジスタへはベース駆動回路
52から、またMOS  FETへはゲート駆動回路5
3から与えられる。また直流電源10の負極側に接続さ
れているカスコード接続スイッチ回路60へは上記と同
一のオン・オフ信号が反転素子65と信号絶縁回路64
とを介してベース駆動回路62とゲート駆動回路63と
から与えられる。他のカスコード接続スイッチ回路30
と40とにも、図示は省略しているが、上述のカスコー
ド接続スイッチ回路50と60に付属のものと同様に構
成された回路が設けられており、これによりオン・オフ
動作が行われるようになっている。
The on/off signal to the cascode connection switch circuit 50 connected to the positive side of the DC power supply 10 is sent to the signal isolation circuit 5.
4 to the bipolar transistor from the base drive circuit 52, and to the MOS FET from the gate drive circuit 5.
Given from 3. Furthermore, the same on/off signal as above is sent to the cascode connection switch circuit 60 connected to the negative pole side of the DC power supply 10 through the inverting element 65 and the signal isolation circuit 64.
The signal is applied from a base drive circuit 62 and a gate drive circuit 63 via. Other cascode connection switch circuit 30
Although not shown, circuits 40 and 40 are also provided with circuits configured similarly to those attached to the above-mentioned cascode connection switch circuits 50 and 60, so that on/off operations are performed. It has become.

第1図に示す回路構成により、たとえばオン状態にある
正極側のカスコード接続スイッチ回路5゜への点弧信号
が取り去られてターンオフ動作が始まると同時に、負極
側のカスコード接続スイッチ回路60には点弧信号が与
えられることになるので、かりにこの直前に正極側のカ
スコード接続スイッチ回路50に流れる電流が零である
ために、バイポーラトランジスタのベースから注入され
たキャリヤの消滅が素早くなくてターンオフ時間が長く
なっても、負極側のカスコード接続スイッチ回路60が
点弧することにより積極的に電流を流して前記のバイポ
ーラトランジスタの素早いターンオフを実現させる。し
かしてこのときに流れるアーム短絡電流はそれぞれのカ
スコード接続スイッチ回路に直列に挿入された可飽和変
圧器51と61と、これの2次側に接続された抵抗56
.66とにより抑制されるので過大電流の通流による素
子破壊のおそれも生じない。
With the circuit configuration shown in FIG. 1, for example, at the same time that the ignition signal to the positive side cascode connection switch circuit 5° in the on state is removed and the turn-off operation begins, the negative side cascode connection switch circuit 60 is Since the ignition signal is given, the current flowing through the positive side cascode connection switch circuit 50 immediately before this is zero, so the carriers injected from the base of the bipolar transistor do not disappear quickly and the turn-off time is shortened. Even if the length of the bipolar transistor becomes long, the cascode connection switch circuit 60 on the negative side is fired to actively flow current, thereby realizing quick turn-off of the bipolar transistor. However, the arm short-circuit current that flows during levering is caused by the saturable transformers 51 and 61 inserted in series in each cascode-connected switch circuit, and the resistor 56 connected to the secondary side of this.
.. 66, there is no risk of element destruction due to excessive current flow.

第2図は本発明の第2の実施例を示す回路図である。こ
の第2図において、4組のカスコード接続スイッチ回路
30.40.50.60で単相インバータを形成させて
直流電源10からの直流電力を交流電力に変換して負荷
20に供給することと、直流電源lOの正極側のカスコ
ード接続スイッチ回路50には信号絶縁回路54を介し
てベース駆動回路52とゲート駆動回路53とからオン
・オフ信号が与えられること、また負極側のカスコード
接続スイッチ回路60へは、反転素子65と信号絶縁回
路64とを介してベース駆動回路62とゲート駆動回路
63とから、オン・オフ信号が与えられるようになって
いるのは、第1図に示す実施例の場合と同じである。
FIG. 2 is a circuit diagram showing a second embodiment of the present invention. In FIG. 2, four sets of cascode-connected switch circuits 30, 40, 50, and 60 form a single-phase inverter to convert DC power from the DC power supply 10 into AC power and supply the AC power to the load 20; The cascode connection switch circuit 50 on the positive side of the DC power source IO is supplied with on/off signals from the base drive circuit 52 and the gate drive circuit 53 via the signal isolation circuit 54, and the cascode connection switch circuit 60 on the negative side In the embodiment shown in FIG. Same as the case.

第2図に示す第2の実施例回路では、センタタップ付き
の可飽和変圧器81がカスコード接続スイッチ回路30
と40との結合点に直列に挿入され、同様にセンタタッ
プ付き可飽和変圧器91がカスコード接続スイッチ回路
50と60との結合点に直列に挿入され、負荷20はこ
の両センタタップに接続されている。またこれら可飽和
変圧器81と91の2次側巻線はそれぞれ抵抗82と9
2(あるいは抵抗の代わりにリアクトルを用いることも
できる)で短絡する。高速スイッチング動作により、一
方のカスコード接続スイッチ回路がターンオフ期間中に
他方がターンオンしても、これらセンタタップ可飽和変
圧器81.91により過大電流が抑制できる。
In the second embodiment circuit shown in FIG.
Similarly, a saturable transformer 91 with a center tap is inserted in series at the connection point between the cascode connection switch circuits 50 and 60, and the load 20 is connected to both center taps. ing. The secondary windings of these saturable transformers 81 and 91 have resistors 82 and 9, respectively.
2 (or a reactor can be used instead of a resistor) to short circuit. Due to the high speed switching operation, these center tap saturable transformers 81, 91 can suppress excessive current even if one cascode connected switch circuit is turned on while the other is turned off.

第1図または第2図に図示の実施例回路において、可飽
和変圧器の2次側巻線に接続されるインピーダンスの値
は、カスコード接続スイッチ回路を構成している素子を
破損することなく、かつ高速度でターンオフできる程度
の電流を流せるように選定すればよく、そのときに当該
可飽和変圧器に定常的に流れる電流では殆ど電圧降下を
生じない。
In the example circuit shown in FIG. 1 or FIG. 2, the value of the impedance connected to the secondary winding of the saturable transformer is determined so as not to damage the elements constituting the cascode-connected switch circuit. The transformer may be selected so that a current that can be turned off at a high speed can flow, and at that time, the current that steadily flows through the saturable transformer causes almost no voltage drop.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

この発明によれば、バイポーラトランジスタとMOS 
 FETとを直列接続して構成されているカスコード接
続半導体スイッチ回路をブリッジ接続することで電力変
換装置を形成させ、電源に対して直列に接続された2組
のカスコード接続半導体スイッチ回路を交互にオン・オ
フ動作させるにあたって、一方がターンオフ期間中にあ
る間に他方をターンオンさせることにより、強制的に電
流を通流させて素早いターンオフを実現させるとともに
アーム短絡による大電流はこれらカスコード接続半導体
スイッチ回路に直列に挿入した可飽和変圧器により抑制
することができるので、高周波数でのスイッチング動作
を目的として使用するカスコード接続半導体スイッチ回
路の性能を十分に発揮させることができる効果を挙げる
。さらにこの可飽和変圧器の2次側巻線を短絡するイン
ピーダンスの値を調整することで、素子破壊のおそれが
なくて高速スイッチングに十分な電流を流すとともに、
定常時の電圧降下も無視できるように、その設定を自由
に変化できる利点も合わせて有するので、高性能の電力
変換装置を実現できる。
According to this invention, a bipolar transistor and a MOS
A power converter is formed by bridge-connecting cascode-connected semiconductor switch circuits configured by connecting FETs in series, and alternately turns on two sets of cascode-connected semiconductor switch circuits connected in series to a power supply.・In turning off, one side is turned on while the other is in the turn-off period, thereby forcing current to flow and achieving quick turn-off, and the large current due to the arm short circuit is transferred to these cascode-connected semiconductor switch circuits. Since this can be suppressed by the saturable transformer inserted in series, the performance of a cascode-connected semiconductor switch circuit used for high-frequency switching operation can be fully demonstrated. Furthermore, by adjusting the value of the impedance that short-circuits the secondary winding of this saturable transformer, sufficient current can flow for high-speed switching without the risk of element destruction.
It also has the advantage of being able to freely change its settings so that the voltage drop during steady state can be ignored, making it possible to realize a high-performance power conversion device.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の実施例を示す回路図であり、第2図は
本発明の第2の実施例を示す回路図、第3図はカスコー
ド接続半導体スイッチ回路・0例を示す回路図である。 2)30.40.50.60  カスコード接続スイッ
チ回路、3 バイポーラトランジスタ、4 MO3F 
E T 、 5タイオード、6 フライホイールダイオ
ード、7.52.62  ベース駆動回路、8.53゜
63  ゲート駆動回路、10  直流電源、20  
負荷、31、41.51.61  可飽和変圧器、54
.64  信号絶縁回路、65  反転素子、36.4
6.56.66、82.92インピーダンスとしての抵
抗、81.91  センタタップ可飽和変圧器。
Fig. 1 is a circuit diagram showing an embodiment of the present invention, Fig. 2 is a circuit diagram showing a second embodiment of the invention, and Fig. 3 is a circuit diagram showing an example of a cascode-connected semiconductor switch circuit. be. 2) 30.40.50.60 Cascode connection switch circuit, 3 Bipolar transistor, 4 MO3F
E T , 5 diode, 6 flywheel diode, 7.52.62 base drive circuit, 8.53゜63 gate drive circuit, 10 DC power supply, 20
Load, 31, 41.51.61 Saturable transformer, 54
.. 64 Signal isolation circuit, 65 Inversion element, 36.4
6.56.66, 82.92 Resistance as impedance, 81.91 Center tap saturable transformer.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1)カスコード接続されたバイポーラトランジスタと金
属酸化物半導体電界効果トランジスタの両者に点弧信号
を与えてターンオンさせ、また両者への点弧信号を取り
去ってターンオフさせているカスコード接続半導体スイ
ッチ回路の2組を電源に対して直列に接続し、両カスコ
ード接続半導体スイッチ回路を交互にオン・オフ動作を
繰り返させることで、両者の結合点から変換された電力
を取り出すよう構成されている電力変換装置において、
2次側巻線をインピーダンスで短絡した可飽和変圧器の
1次側巻線をそれぞれのカスコード接続半導体スイッチ
回路に別個に直列に接続し、一方のカスコード接続半導
体スイッチ回路がターンオフ期間中に、他方のカスコー
ド接続半導体スイッチ回路をターンオンさせる動作を交
互に繰り返させる手段が備えてあることを特徴とする電
力変換装置。 2)特許請求の範囲第1項記載の電力変換装置において
、2次側巻線をインピーダンスで短絡した可飽和変圧器
のセンタタップを有する1次側巻線を、直列接続された
前記両カスコード接続半導体スイッチ回路の結合点に直
列に挿入することを特徴とする電力変換装置。
[Claims] 1) A cascode connection in which a cascode-connected bipolar transistor and a metal oxide semiconductor field effect transistor are both turned on by applying a firing signal, and are turned off by removing the firing signal to both. Two sets of semiconductor switch circuits are connected in series to a power supply, and both cascode-connected semiconductor switch circuits are alternately turned on and off to extract converted power from the connection point between the two. In the power conversion equipment that
The primary winding of a saturable transformer with its secondary winding impedance shorted is connected separately in series to each cascode-connected semiconductor switch circuit, so that during the turn-off period of one cascode-connected semiconductor switch circuit, the other 1. A power conversion device comprising means for alternately repeating an operation of turning on a cascode-connected semiconductor switch circuit. 2) In the power conversion device according to claim 1, the primary winding having a center tap of a saturable transformer whose secondary winding is short-circuited by impedance is connected in series to both the cascodes. A power conversion device characterized by being inserted in series at a connection point of a semiconductor switch circuit.
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