JPS63128808A - Ｆｅｔ電力増幅器の過駆動制御装置 - Google Patents
Ｆｅｔ電力増幅器の過駆動制御装置Info
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- JPS63128808A JPS63128808A JP62265552A JP26555287A JPS63128808A JP S63128808 A JPS63128808 A JP S63128808A JP 62265552 A JP62265552 A JP 62265552A JP 26555287 A JP26555287 A JP 26555287A JP S63128808 A JPS63128808 A JP S63128808A
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- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03G—CONTROL OF AMPLIFICATION
- H03G3/00—Gain control in amplifiers or frequency changers
- H03G3/20—Automatic control
- H03G3/30—Automatic control in amplifiers having semiconductor devices
- H03G3/3036—Automatic control in amplifiers having semiconductor devices in high-frequency amplifiers or in frequency-changers
- H03G3/3042—Automatic control in amplifiers having semiconductor devices in high-frequency amplifiers or in frequency-changers in modulators, frequency-changers, transmitters or power amplifiers
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/52—Circuit arrangements for protecting such amplifiers
- H03F1/523—Circuit arrangements for protecting such amplifiers for amplifiers using field-effect devices
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明はＦＥＴ電力増幅器、更に具体的に云えば、砒
化ガリウム（ＧａＡｓ）ＦＥＴ電力増幅器に対する過駆
動の保護に関する。
化ガリウム（ＧａＡｓ）ＦＥＴ電力増幅器に対する過駆
動の保護に関する。
発明の背景
雨足通信システムに使われる固体電力増幅器は地上局の
端末装置からアクセスされる。固体電力増幅器にある砒
化ガリウムＦＥＴ出力装置を過駆動する惧れのある制御
されないアップリンクの電力が起る惧れがある。こうい
うＦＥＴ装置はＭＥＳＦＥＴ （金属半導体装置と呼ば
れることもある。衛星に設けられた固体電力増幅器はあ
る範囲の入力電力を受取る様になっている。例えば、地
上局が、降雨状態にあり、入力電力を低下させる状態を
補正する為に、入力電力量を増加し、天候状態が変わっ
た時に、直ちにもとに戻らない時、一層高い範囲の入力
電力が起り得る。大幅の過駆動は、到来マイクロ波信号
によって過大なゲート電流が誘起される為に、固体増幅
器の信頼性を低下させる惧れがある。こういうＦＥＴ装
置は非常に細い（０，５ミクロン前後）のゲート金属構
造を利用しており、これは過大な電流密度によって損傷
を受ける惧れがある。
端末装置からアクセスされる。固体電力増幅器にある砒
化ガリウムＦＥＴ出力装置を過駆動する惧れのある制御
されないアップリンクの電力が起る惧れがある。こうい
うＦＥＴ装置はＭＥＳＦＥＴ （金属半導体装置と呼ば
れることもある。衛星に設けられた固体電力増幅器はあ
る範囲の入力電力を受取る様になっている。例えば、地
上局が、降雨状態にあり、入力電力を低下させる状態を
補正する為に、入力電力量を増加し、天候状態が変わっ
た時に、直ちにもとに戻らない時、一層高い範囲の入力
電力が起り得る。大幅の過駆動は、到来マイクロ波信号
によって過大なゲート電流が誘起される為に、固体増幅
器の信頼性を低下させる惧れがある。こういうＦＥＴ装
置は非常に細い（０，５ミクロン前後）のゲート金属構
造を利用しており、これは過大な電流密度によって損傷
を受ける惧れがある。
従って、衛星、即ち、増幅器に、過大なゲート電流が開
始したことを感知して、損傷（信頼性の低下）の閾値を
越える前に、増幅器に印加されるマイクロ波電力を制限
する何等かの手段を設けることが望ましい。
始したことを感知して、損傷（信頼性の低下）の閾値を
越える前に、増幅器に印加されるマイクロ波電力を制限
する何等かの手段を設けることが望ましい。
発明の要約
この発明の１実施例で□は、砒化ガリウム（ＧａＡｓ）
ＦＥＴ固体ＲＦ電力増幅器に対する過駆動制御装置を提
供する。この過駆動制御装置は、電力増幅器の入力に結
合されていて、１つの入力の制御信号に応答して、それ
に印加される入力ＲＦ信号の振幅レベルを制限する可変
減衰器と、電力増幅器のゲート電極に結合されていて、
前記増幅器に対する前記制御信号を発生する手段とを有
する。制御信号は、電力増幅器で感知されたゲート電流
に比例する。・ 好ましい実施例の説明 第１図には、通信衛星の固体電力増幅器に見られる様な
固体電力増幅器１０全体のブロック図が示されている。
ＦＥＴ固体ＲＦ電力増幅器に対する過駆動制御装置を提
供する。この過駆動制御装置は、電力増幅器の入力に結
合されていて、１つの入力の制御信号に応答して、それ
に印加される入力ＲＦ信号の振幅レベルを制限する可変
減衰器と、電力増幅器のゲート電極に結合されていて、
前記増幅器に対する前記制御信号を発生する手段とを有
する。制御信号は、電力増幅器で感知されたゲート電流
に比例する。・ 好ましい実施例の説明 第１図には、通信衛星の固体電力増幅器に見られる様な
固体電力増幅器１０全体のブロック図が示されている。
周知の様に、地上局から送信されるアップリンク信号は
、例えば１４ＧＩＩｚの様なアップリンク周波数で送信
され、衛星で受信されて、例えば１２Ｇ１１ｚの様なダ
ウンリンク周波数に変換され、増幅されて衛星から地球
へ送信される。ダウンリンク周波数に変換されたアップ
リンク信号が、再送信出来る位に増幅される様に、第１
図の端子１１に存在する。こういうＲＦ倍信号ＰＩＮダ
イオード減衰器１５に印加される。この減衰器の両側は
アイソレータ・サーキュレータ１７．１９によって隔離
されている。この後ＲＦ入力信号が一連のＧａＡｓ
ＦＥＴ電力増幅器２１乃至２６によって増幅される。こ
れらのＦＥＴ′増幅器はペアに分けて接続され、各ベア
の間には、隔離用サーキュレータ２７，２８で示す様な
隔離用サーキュレータがある。増幅器は全部ＧａＡｓ
ＦＥＴ固体電力増幅器であり、それらが中間電力レベ
ルの信号を増幅する。増幅器２６の出力に出る増幅され
た信号が、トリー形式の３ｄｂカツプラ３１乃至４５と
ＧａＡｓ ＦＥＴｆｆ１力増幅器４６乃至５１で構成
された電力分割及び増幅回路に印加され、１６個のＧａ
Ａｓ ＦＥＴ電力増幅器６０乃至７５に対する１６個
の出力を発生する。増幅器６０乃至７５もＧａＡｓ
ＦＥＴ電力増幅器であって、入力信号を増幅する。中間
増幅器を用いないａｄｂカップラ８０乃至９４のトリー
形式に配置された組合せ回路が電力を組合せて、カップ
ラ９４に大電力出力を発生する。好ましい実施例では、
全てのＧａＡｓ ＦＥＴ装置が共通のモノリシックφ
マイクロ波集積回路にある。これらの装置はＭＥＳＦＥ
Ｔ金属半導体電界効果トランジスタと呼ばれることもあ
る。
、例えば１４ＧＩＩｚの様なアップリンク周波数で送信
され、衛星で受信されて、例えば１２Ｇ１１ｚの様なダ
ウンリンク周波数に変換され、増幅されて衛星から地球
へ送信される。ダウンリンク周波数に変換されたアップ
リンク信号が、再送信出来る位に増幅される様に、第１
図の端子１１に存在する。こういうＲＦ倍信号ＰＩＮダ
イオード減衰器１５に印加される。この減衰器の両側は
アイソレータ・サーキュレータ１７．１９によって隔離
されている。この後ＲＦ入力信号が一連のＧａＡｓ
ＦＥＴ電力増幅器２１乃至２６によって増幅される。こ
れらのＦＥＴ′増幅器はペアに分けて接続され、各ベア
の間には、隔離用サーキュレータ２７，２８で示す様な
隔離用サーキュレータがある。増幅器は全部ＧａＡｓ
ＦＥＴ固体電力増幅器であり、それらが中間電力レベ
ルの信号を増幅する。増幅器２６の出力に出る増幅され
た信号が、トリー形式の３ｄｂカツプラ３１乃至４５と
ＧａＡｓ ＦＥＴｆｆ１力増幅器４６乃至５１で構成
された電力分割及び増幅回路に印加され、１６個のＧａ
Ａｓ ＦＥＴ電力増幅器６０乃至７５に対する１６個
の出力を発生する。増幅器６０乃至７５もＧａＡｓ
ＦＥＴ電力増幅器であって、入力信号を増幅する。中間
増幅器を用いないａｄｂカップラ８０乃至９４のトリー
形式に配置された組合せ回路が電力を組合せて、カップ
ラ９４に大電力出力を発生する。好ましい実施例では、
全てのＧａＡｓ ＦＥＴ装置が共通のモノリシックφ
マイクロ波集積回路にある。これらの装置はＭＥＳＦＥ
Ｔ金属半導体電界効果トランジスタと呼ばれることもあ
る。
この発明の好ましい実施例では、ＰＩＮダイオード減衰
器１５に制御信号を供給する。この制御信号は、１段の
電力増幅器、更に具体的に云えば、１つの中間段のゲー
ト電流を感知することによつて発生される。好ましい実
施例では、”この感知が第１図の最後の中間ＧａＡｓ
ＦＥＴ増幅器段２６で行なわれる。この感知は、減衰
器に続く任意の段で行なうことが出来る。最後の中間Ｆ
ＥＴ増幅器段２６のゲート電流を感知して、減衰器制御
袋ｙｔ３Ｇで制御信号を取出す。制御装置３０が、Ｇａ
Ａｓ ＦＥＴ電力増幅器２６のゲート電流を整流して
整流信号を発生し、この整流信号が適当な閾値レベルを
越えたことによって、制御信号を発生する。制御信号が
ＰＩＮダイオード減衰器１５に印加され、ゲート電流が
予定の閾値を越える時ここの感知されたゲート電流に比
例して、増幅器段２１乃至２６に対するＲＦ大入力減少
する。
器１５に制御信号を供給する。この制御信号は、１段の
電力増幅器、更に具体的に云えば、１つの中間段のゲー
ト電流を感知することによつて発生される。好ましい実
施例では、”この感知が第１図の最後の中間ＧａＡｓ
ＦＥＴ増幅器段２６で行なわれる。この感知は、減衰
器に続く任意の段で行なうことが出来る。最後の中間Ｆ
ＥＴ増幅器段２６のゲート電流を感知して、減衰器制御
袋ｙｔ３Ｇで制御信号を取出す。制御装置３０が、Ｇａ
Ａｓ ＦＥＴ電力増幅器２６のゲート電流を整流して
整流信号を発生し、この整流信号が適当な閾値レベルを
越えたことによって、制御信号を発生する。制御信号が
ＰＩＮダイオード減衰器１５に印加され、ゲート電流が
予定の閾値を越える時ここの感知されたゲート電流に比
例して、増幅器段２１乃至２６に対するＲＦ大入力減少
する。
減衰器１５が同じ集積回路にあることが望ましいことが
ある。更にある用途では、減衰器が前置増幅器２１．２
２より後にあることが望ましいことがある。
゛ 第２図には第１図に示した全体図の内の一部分の回路図
が示されている。第２図にあって、第１図の素子と対応
する素子には同じ参照数字がつけである゛。第２図に示
す様に、ＰＩＮダイオード減衰器１５がサーキュレータ
１７及び１９の間にある。ＰＩＮダイオード減衰器１５
が１対のＰＩＮダイオード２０１，２０３を持ち、それ
らの陽極が減衰器１５の入力／出力線２０４に接続され
る。
ある。更にある用途では、減衰器が前置増幅器２１．２
２より後にあることが望ましいことがある。
゛ 第２図には第１図に示した全体図の内の一部分の回路図
が示されている。第２図にあって、第１図の素子と対応
する素子には同じ参照数字がつけである゛。第２図に示
す様に、ＰＩＮダイオード減衰器１５がサーキュレータ
１７及び１９の間にある。ＰＩＮダイオード減衰器１５
が１対のＰＩＮダイオード２０１，２０３を持ち、それ
らの陽極が減衰器１５の入力／出力線２０４に接続され
る。
ダイオード２０１．２０３の陰極端子が大地電位に結合
される。ダイオード２０１，２．０３の陽極には、減衰
器制御装置３Ｇからの制御信号が導線２０５を介して印
加される。減衰器１５からの出力がサーキュレータ１９
を介して中間段の砒化ガリウムＦＥＴ増幅器２１乃至２
５に印加されるが、これらの増幅器は第２図ではブロッ
ク２１，２２゜２５及び破線２０６だけで示されている
。増幅器２５からの出力が結合キャパシタ２０７及びイ
ンピーダンス整合部分２０９を介してＧａＡｓ ＦＥ
Ｔ電力トランジスタ増幅器２６のゲート電極２６１に結
合される。増幅器２６は単一ゲートＧａＡｓ ＦＥＴ
）ランジスタ装置を持ち、このトランジスタ装置は大地
に結合されたソース電極２６２、及び例えば約９ボルト
の源電圧で装置をバイアスする為に、＋Ｖ、で表わすド
レイン源に結合されたドレイン電極２６３を持っている
。出力がドレイン電極２６３から取出され、インピーダ
ンス整合回路２１１を介して第１図に示す電力分割段に
印加される。
される。ダイオード２０１，２．０３の陽極には、減衰
器制御装置３Ｇからの制御信号が導線２０５を介して印
加される。減衰器１５からの出力がサーキュレータ１９
を介して中間段の砒化ガリウムＦＥＴ増幅器２１乃至２
５に印加されるが、これらの増幅器は第２図ではブロッ
ク２１，２２゜２５及び破線２０６だけで示されている
。増幅器２５からの出力が結合キャパシタ２０７及びイ
ンピーダンス整合部分２０９を介してＧａＡｓ ＦＥ
Ｔ電力トランジスタ増幅器２６のゲート電極２６１に結
合される。増幅器２６は単一ゲートＧａＡｓ ＦＥＴ
）ランジスタ装置を持ち、このトランジスタ装置は大地
に結合されたソース電極２６２、及び例えば約９ボルト
の源電圧で装置をバイアスする為に、＋Ｖ、で表わすド
レイン源に結合されたドレイン電極２６３を持っている
。出力がドレイン電極２６３から取出され、インピーダ
ンス整合回路２１１を介して第１図に示す電力分割段に
印加される。
ゲート・バイアス電圧−ｖ９が感知抵抗２１５を介して
ゲート電極２６１に印加される。マイクロ波チョークが
誘導子２１４によって構成され、ゲート・バイアス電圧
源のＲＦ側路がキャパシタ２１６によって作られる。感
知用差動増幅器段を含む、感知増幅器が差動増幅器２１
７によって構成される。反転端子（−）が抵抗２１９を
介して抵抗２１５のゲート側の端に結合され、非反転端
子（＋）が抵抗２２０を介して抵抗２１５のゲート電圧
側の端に結合される。分圧抵抗２２１の正の端子（＋）
側の端が抵抗２２０に結合され、差動増幅器２１０の正
の端子（＋）に対して基準レベルの電圧を供給する。増
幅器の利得制御が、出力及び負の入力の間の帰還ループ
にある帰還抵抗２１８によって行なわれる。差動増幅器
２１９の出力が閾値ダイオード２４０に結合され、感知
された制御信号を抵抗２４１を介して別の差動増幅器２
５０の入力に供給する。増幅器２５０の負の入力に対し
ては抵抗２５１，２５５によって基準電圧が供給され、
帰還抵抗２５６によって利得制御が行なわれる。この為
増幅器２５０は定電流源として構成されており、抵抗２
４１，２５１，２５５．２５６は同じ抵抗値を持つ。こ
の値は、ＰＩＮダイオード２０１，２０３を減衰特性の
所望の領域にバイアスする様に選ばれる。
ゲート電極２６１に印加される。マイクロ波チョークが
誘導子２１４によって構成され、ゲート・バイアス電圧
源のＲＦ側路がキャパシタ２１６によって作られる。感
知用差動増幅器段を含む、感知増幅器が差動増幅器２１
７によって構成される。反転端子（−）が抵抗２１９を
介して抵抗２１５のゲート側の端に結合され、非反転端
子（＋）が抵抗２２０を介して抵抗２１５のゲート電圧
側の端に結合される。分圧抵抗２２１の正の端子（＋）
側の端が抵抗２２０に結合され、差動増幅器２１０の正
の端子（＋）に対して基準レベルの電圧を供給する。増
幅器の利得制御が、出力及び負の入力の間の帰還ループ
にある帰還抵抗２１８によって行なわれる。差動増幅器
２１９の出力が閾値ダイオード２４０に結合され、感知
された制御信号を抵抗２４１を介して別の差動増幅器２
５０の入力に供給する。増幅器２５０の負の入力に対し
ては抵抗２５１，２５５によって基準電圧が供給され、
帰還抵抗２５６によって利得制御が行なわれる。この為
増幅器２５０は定電流源として構成されており、抵抗２
４１，２５１，２５５．２５６は同じ抵抗値を持つ。こ
の値は、ＰＩＮダイオード２０１，２０３を減衰特性の
所望の領域にバイアスする様に選ばれる。
第２図に示した実施例の動作では、端子１１に印加され
たマイクロ波信号がＰＩＮダイオード減衰器１５を介し
て増幅器２１乃至増幅器２５に印加される。増幅器２５
からの出力がキャパシタ２０７及びインピーダンス整合
回路２０９を介してＦＥＴ増幅器２６のゲート２６１に
結合される。
たマイクロ波信号がＰＩＮダイオード減衰器１５を介し
て増幅器２１乃至増幅器２５に印加される。増幅器２５
からの出力がキャパシタ２０７及びインピーダンス整合
回路２０９を介してＦＥＴ増幅器２６のゲート２６１に
結合される。
第２図に示したソース接地形増幅器のゲート−ソース入
力で、入って来るマイクロ波エネルギが増加する時、Ｇ
ａＡｓ ＦＥＴ装置に固有のショットキー障壁形接合
に固有のゲート・ソース間ダイオードによって、ゲート
電流が整流される為に、ダイナミックなゲート電流が増
加する。ゲート・バイアス電流が抵抗２２０．２２１を
通り、増幅器２１７の十端子に基準電圧を設定する。ゲ
ート・ソース間ダイオードの整流によって、ダイナミッ
ク電流が増加する時、抵抗２１５の両端の電圧降下が増
加し、差動増幅器２１７の十及び一端子の電圧の差が一
層大きくなり、出力が増加する。
力で、入って来るマイクロ波エネルギが増加する時、Ｇ
ａＡｓ ＦＥＴ装置に固有のショットキー障壁形接合
に固有のゲート・ソース間ダイオードによって、ゲート
電流が整流される為に、ダイナミックなゲート電流が増
加する。ゲート・バイアス電流が抵抗２２０．２２１を
通り、増幅器２１７の十端子に基準電圧を設定する。ゲ
ート・ソース間ダイオードの整流によって、ダイナミッ
ク電流が増加する時、抵抗２１５の両端の電圧降下が増
加し、差動増幅器２１７の十及び一端子の電圧の差が一
層大きくなり、出力が増加する。
この出力が入力ダイオード２４０の閾値を越えると、Ｐ
ＩＮダイオード減衰器１５の入力に対して制御信号が供
給され、ＰＩＮダイオードを更に導電させ、こうしてサ
ーキュレータ１７からサーキュレータ１９に通過する印
加されたマイクロ波エネルギの量を減少する。
ＩＮダイオード減衰器１５の入力に対して制御信号が供
給され、ＰＩＮダイオードを更に導電させ、こうしてサ
ーキュレータ１７からサーキュレータ１９に通過する印
加されたマイクロ波エネルギの量を減少する。
当業者には、この発明のこの他の実施例が容易に考えら
れよう。例えば、制御信号は、任意の１個のＦＥＴ装置
にある１個のゲート電極から取出・してもよいし、ある
いはＦＥＴ装ｇ２１．２２゜２３．２４，２５，２６．
４６乃至５１及び６０乃至７５の任意の組合せのゲート
電極から取出された電流の組合せにしてもよい。例えば
、破線２７で示す様に、増幅器２５からの電流も制御装
置３０に印加することが出来る。減衰器１５は例えば最
初の入力段２１．２２の後に設けて、減衰器に続＜Ｇａ
Ａｓ ＦＥＴ段の過駆動に対する保護作用を保ちなが
ら、増幅器の雑音指数を改善することが出来る。
れよう。例えば、制御信号は、任意の１個のＦＥＴ装置
にある１個のゲート電極から取出・してもよいし、ある
いはＦＥＴ装ｇ２１．２２゜２３．２４，２５，２６．
４６乃至５１及び６０乃至７５の任意の組合せのゲート
電極から取出された電流の組合せにしてもよい。例えば
、破線２７で示す様に、増幅器２５からの電流も制御装
置３０に印加することが出来る。減衰器１５は例えば最
初の入力段２１．２２の後に設けて、減衰器に続＜Ｇａ
Ａｓ ＦＥＴ段の過駆動に対する保護作用を保ちなが
ら、増幅器の雑音指数を改善することが出来る。
１実施例では、第２図の回路に典型的には次の値を用い
ている。
ている。
抵抗２１８，２２１，２１９．２２２・・・・・・１キ
ロオーム抵抗２１５・・・・・・５キロオーム 抵抗２４１，２５Ｌ、２５５，２６８・・・・・・１０
０キロオーム差動増幅器２５０．２１７・・・・・・７
４７ＡＩ’形ダイオード２４Ｇ・・・・・・ｌＮ４１９
誘導子２１４・・・・・・印刷配線のｌへ波長チョーク
ＰＩＮダイオード２０１．２０３・・・・・・アルファ
φインダストリーズ社から入手し得るＤＳＢ ８９０７
−９９ＦＥ７２６・・・・・・フジツーから入手し得る
ＦＬＫ ０２２ＶＧキヤパシタ２１Ｂ・・・・・・１マ
イクロフアラツドゲートバイアス−ｖ９・・・・・・−
５ボルト
ロオーム抵抗２１５・・・・・・５キロオーム 抵抗２４１，２５Ｌ、２５５，２６８・・・・・・１０
０キロオーム差動増幅器２５０．２１７・・・・・・７
４７ＡＩ’形ダイオード２４Ｇ・・・・・・ｌＮ４１９
誘導子２１４・・・・・・印刷配線のｌへ波長チョーク
ＰＩＮダイオード２０１．２０３・・・・・・アルファ
φインダストリーズ社から入手し得るＤＳＢ ８９０７
−９９ＦＥ７２６・・・・・・フジツーから入手し得る
ＦＬＫ ０２２ＶＧキヤパシタ２１Ｂ・・・・・・１マ
イクロフアラツドゲートバイアス−ｖ９・・・・・・−
５ボルト
第１図はこの発明の１実施例による過駆動保護作用を持
つ固体電力増幅器システムの全体的なブロック図、第２
図は第１図の１つのＧａＡｓ ＦＥＴｍ力増幅力投幅
器段器制御回路及びＰＩＮダイオード減衰器の回路図で
ある。 主な符号の説明 １０：増幅器 １５：減衰器 ３０：減衰器制御装置
つ固体電力増幅器システムの全体的なブロック図、第２
図は第１図の１つのＧａＡｓ ＦＥＴｍ力増幅力投幅
器段器制御回路及びＰＩＮダイオード減衰器の回路図で
ある。 主な符号の説明 １０：増幅器 １５：減衰器 ３０：減衰器制御装置
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ＦＥＴ電力増幅器の過駆動制御装置に於て、該電力増幅
器の入力に結合されていて、当該減衰器の一方の入力の
制御信号に応答して、それを介して前記増幅器に印加さ
れる任意のＲＦ信号の振幅レベルを制限する可変減衰器
と、 前記増幅器のゲート電極に結合されていて、該ゲート電
極で感知された電流に比例する制御信号を前記増幅器に
供給する手段とを有する過駆動制御装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US924,315 | 1986-10-29 | ||
| US06/924,315 US4737733A (en) | 1986-10-29 | 1986-10-29 | Overdrive control of FET power amplifier |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63128808A true JPS63128808A (ja) | 1988-06-01 |
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