JPS63125919A - 光ソリトン発生方法 - Google Patents
光ソリトン発生方法Info
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- JPS63125919A JPS63125919A JP27199886A JP27199886A JPS63125919A JP S63125919 A JPS63125919 A JP S63125919A JP 27199886 A JP27199886 A JP 27199886A JP 27199886 A JP27199886 A JP 27199886A JP S63125919 A JPS63125919 A JP S63125919A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、光ファイバ中のカー効果による自己位相変調
効果とファイバ中での異常分散がつり合うことによって
生ずる光ソリトンの発生方法に関し、特に半導体レーザ
の微弱な光パルスを、光ファイバ中での誘導ラマン散乱
により自己位相変調効果が発生するレベルにまでパルス
強度を増幅し、異常分散とのつり合いによって波長可変
なソリトンパルスを発生させる方法に関するものである
。
効果とファイバ中での異常分散がつり合うことによって
生ずる光ソリトンの発生方法に関し、特に半導体レーザ
の微弱な光パルスを、光ファイバ中での誘導ラマン散乱
により自己位相変調効果が発生するレベルにまでパルス
強度を増幅し、異常分散とのつり合いによって波長可変
なソリトンパルスを発生させる方法に関するものである
。
[従来の技術]
光ソリトンの存在の可能性が1973年Ba1l研究所
のA、HasegawaおよびP、Tappert (
八pp1.l’hys。
のA、HasegawaおよびP、Tappert (
八pp1.l’hys。
Lett、、Vol、23.P、L42 ”−Tran
smission ofstationary non
口near optical pulses 1ndi
spersive dielectric fiber
s’ )により指摘されて以来、非線形波動の伝搬に関
する研究が盛んになってきている。中でもソリトンを実
証したMo1lenauer等の実験を期に飛躍的にそ
の研究が進んでいる(L、F、 Mo1lenauer
、R,H,5tolen。
smission ofstationary non
口near optical pulses 1ndi
spersive dielectric fiber
s’ )により指摘されて以来、非線形波動の伝搬に関
する研究が盛んになってきている。中でもソリトンを実
証したMo1lenauer等の実験を期に飛躍的にそ
の研究が進んでいる(L、F、 Mo1lenauer
、R,H,5tolen。
J、P、Gordon; Phys、Rev、Let
t、、Vol、45.P、1095゜1980″Exp
erimental observation o
f picosecondpulse narro
wing and 5olitons in
opticalfibers″ )。
t、、Vol、45.P、1095゜1980″Exp
erimental observation o
f picosecondpulse narro
wing and 5olitons in
opticalfibers″ )。
今までのソリトンの実験に例外なく用いられてきたFセ
ンタ(色中心)レーザの構成図を第9図に示す。図にお
いて1はモード同期YAGレーザ、2、2’ 、2”は
レーザ鏡、3はFセンタ結晶、4は結晶冷却用液体N2
デユワ−15は波長可変用複屈折フィルタである。、F
センタレーザはYAG レーザ1により励起される同期
レーザであり、レーザ鏡2″より透過して得られる出力
はピーク出力100W程度、幅8ps、1.48〜1.
60μmにて波長可変な特性をもつ。しかし、レーザ結
晶をいつも液体N2温度に冷却しておかなければならな
いこと、パルスの繰り返しが’/AGレーザの周期に固
定され可変ではないこと、結晶の寿命が短いこと、パル
ス幅が高出力のままで可変できないこと等の欠点があっ
た。このためソリトン研究はごく一部のFセンタレーザ
保有グループによりその成果が発表されてきた。
ンタ(色中心)レーザの構成図を第9図に示す。図にお
いて1はモード同期YAGレーザ、2、2’ 、2”は
レーザ鏡、3はFセンタ結晶、4は結晶冷却用液体N2
デユワ−15は波長可変用複屈折フィルタである。、F
センタレーザはYAG レーザ1により励起される同期
レーザであり、レーザ鏡2″より透過して得られる出力
はピーク出力100W程度、幅8ps、1.48〜1.
60μmにて波長可変な特性をもつ。しかし、レーザ結
晶をいつも液体N2温度に冷却しておかなければならな
いこと、パルスの繰り返しが’/AGレーザの周期に固
定され可変ではないこと、結晶の寿命が短いこと、パル
ス幅が高出力のままで可変できないこと等の欠点があっ
た。このためソリトン研究はごく一部のFセンタレーザ
保有グループによりその成果が発表されてきた。
第1O図にFセンタレーザによるソリトンの発生方法と
測定方法について示す。第9図に示したFセンタレーザ
6からの光パルスは単一モード光ファイバ7に入射する
。光パルスの波長はもともと1.30μmより長い波長
の異常分散域に設定されているため、単一モード光ファ
イバ中の自己位相変調効果とつり合い、最終的に光ソリ
トンが発生する。光ファイバからのソリトンパルスを半
透過鏡8、位置可変用コーナーキューブ9、対物レンズ
10、第2高調波発生用結晶11、光検出器12から成
る自己相関計に入射させ、位置可変用コーナーキューブ
9を移動させることにより自己相関をとる。ソリトンパ
ルス幅は、自己相関により得られた波形より求められる
。このようにして得られたソリトンの波形を第11図に
示す。第11図(八)は光ファイバ人力波形であり、そ
のビークパワーを変化させた時の光ファイバ出力波形を
第11図(B)に示す。入力パワーが1.2W程度まで
はレーザ出力波形と光ファイバ出力波形は変化がない。
測定方法について示す。第9図に示したFセンタレーザ
6からの光パルスは単一モード光ファイバ7に入射する
。光パルスの波長はもともと1.30μmより長い波長
の異常分散域に設定されているため、単一モード光ファ
イバ中の自己位相変調効果とつり合い、最終的に光ソリ
トンが発生する。光ファイバからのソリトンパルスを半
透過鏡8、位置可変用コーナーキューブ9、対物レンズ
10、第2高調波発生用結晶11、光検出器12から成
る自己相関計に入射させ、位置可変用コーナーキューブ
9を移動させることにより自己相関をとる。ソリトンパ
ルス幅は、自己相関により得られた波形より求められる
。このようにして得られたソリトンの波形を第11図に
示す。第11図(八)は光ファイバ人力波形であり、そ
のビークパワーを変化させた時の光ファイバ出力波形を
第11図(B)に示す。入力パワーが1.2W程度まで
はレーザ出力波形と光ファイバ出力波形は変化がない。
パワーを5Wにまで増加するとパルス幅は狭くなり始め
N=1ソリトンが形成されていく様子がわかる。さらに
人力を11.4Wとすると、高次ソリトンが励振されて
いくことがわかる。
N=1ソリトンが形成されていく様子がわかる。さらに
人力を11.4Wとすると、高次ソリトンが励振されて
いくことがわかる。
[発明が解決しようとする問題点]
以上示したようにFセンタレーザにより光ソリトンの発
生は充分可能であるものの、ソリトンの繰り返し、パル
ス幅の可変性、波長可変性等のソリトンの制御性が悪い
。例えばソリトンの超短パルス性によるI Gbit/
sの通信の可能性を追求する場合、現状のFセンタレー
ザを用いる限り0.1Gbit/sがその限界となって
いる。また、冷却装置が不可欠であることはレーザの汎
用性を欠くとともに、安定なパルス動作を維持すること
が難しかった。加えて、このレーザにファイバ端面もし
くは光学系からの反射が帰還されるとその発振が停止す
る欠点があり、わずかな反射もレーザ発振を不安定にす
る要因となっていた。
生は充分可能であるものの、ソリトンの繰り返し、パル
ス幅の可変性、波長可変性等のソリトンの制御性が悪い
。例えばソリトンの超短パルス性によるI Gbit/
sの通信の可能性を追求する場合、現状のFセンタレー
ザを用いる限り0.1Gbit/sがその限界となって
いる。また、冷却装置が不可欠であることはレーザの汎
用性を欠くとともに、安定なパルス動作を維持すること
が難しかった。加えて、このレーザにファイバ端面もし
くは光学系からの反射が帰還されるとその発振が停止す
る欠点があり、わずかな反射もレーザ発振を不安定にす
る要因となっていた。
本発明は半導体レーザからの微弱な光パルスを誘導ラマ
ン散乱により増幅し、異常分散によりパルスを圧縮する
ことにより今までの欠点を解決し、定常的に安定でかつ
幅の狭いソリトンパルス列を提供することを目的とする
。また、半導体レーザ光の繰り返し周波数の可変性およ
び誘導ラマン散乱の広帯域性に着目し、任意の繰り返し
周期でかつ波長可変な光ソリトンパルス列を提供するこ
とを目的とする。
ン散乱により増幅し、異常分散によりパルスを圧縮する
ことにより今までの欠点を解決し、定常的に安定でかつ
幅の狭いソリトンパルス列を提供することを目的とする
。また、半導体レーザ光の繰り返し周波数の可変性およ
び誘導ラマン散乱の広帯域性に着目し、任意の繰り返し
周期でかつ波長可変な光ソリトンパルス列を提供するこ
とを目的とする。
[問題点を解決するための手段]
このような目的を達成するために、本発明の光ソリトン
発生方法の第1の態様は光ファイバ中の自己位相変調効
果と群速度分散とがつり合うことによって生ずる光ソリ
トンを発生させるにおいて、異常分散波長域で動作する
半導体レーザからの光パルスを誘導ラマン散乱により直
接光増幅することにより波長可変な光ソリトンを発生さ
せることを特徴とする。
発生方法の第1の態様は光ファイバ中の自己位相変調効
果と群速度分散とがつり合うことによって生ずる光ソリ
トンを発生させるにおいて、異常分散波長域で動作する
半導体レーザからの光パルスを誘導ラマン散乱により直
接光増幅することにより波長可変な光ソリトンを発生さ
せることを特徴とする。
また本発明の光ソリトン発生方法の第2の態様は光ファ
イバ中の自己位相変調効果と群速度分散とがつり合うこ
とによって生ずる光ソリトンを発生させる方法において
、連続波発振する2つの信号光を同時に光ファイバに入
射させ、誘導ラマン散乱と変調不安定性を用いて、2つ
の信号光の周波数差と同じくり返しのソリトン列を作る
ことを特徴とする。
イバ中の自己位相変調効果と群速度分散とがつり合うこ
とによって生ずる光ソリトンを発生させる方法において
、連続波発振する2つの信号光を同時に光ファイバに入
射させ、誘導ラマン散乱と変調不安定性を用いて、2つ
の信号光の周波数差と同じくり返しのソリトン列を作る
ことを特徴とする。
[作 用]
本発明においては光ソリトンを発生するために微弱な光
パルスを発生する半導体レーザと高利得な誘導ラマン散
乱を組み合わせる。
パルスを発生する半導体レーザと高利得な誘導ラマン散
乱を組み合わせる。
本方法は従来不可能とされていたFセンタレーザ以外に
よるソリトン発生を、半導体レーザと誘導ラマン散乱に
よって可能にし、加えて、半導体レーザのパルス幅は任
意に変化できるので、ソリトンの幅も可変できる。
よるソリトン発生を、半導体レーザと誘導ラマン散乱に
よって可能にし、加えて、半導体レーザのパルス幅は任
意に変化できるので、ソリトンの幅も可変できる。
また、変調不安定性により正弦波的に振動をくり返す信
号光を光ソリトン列に変換できるとともに、2つの連続
波発振する信号光を誘導ラマン散乱と変調不安定性を用
いて数T)lzのくり返しを有するソリトンパルス列に
変換できる。
号光を光ソリトン列に変換できるとともに、2つの連続
波発振する信号光を誘導ラマン散乱と変調不安定性を用
いて数T)lzのくり返しを有するソリトンパルス列に
変換できる。
[実施例]
以下に、図面を参照して、本発明の詳細な説明する。
第1図は本発明の実施例の構成図である。図において、
7は単一モード光ファイバ、13は誘導ラマン敗乱励起
用光源、14はダイクロイックミラー、15は信号光用
半導体レーザ光源である。
7は単一モード光ファイバ、13は誘導ラマン敗乱励起
用光源、14はダイクロイックミラー、15は信号光用
半導体レーザ光源である。
これを動作するにはシリカ系単一モード光ファイバの零
分散波長1.30μmより長波長側にある光源を誘導ラ
マン散乱励起用光源13として用いる。波長1.32μ
m、 1.34 μm、 1.44μmの発振線をもつ
YAGレーザ、Er3+レーザ、もしくはFセンタレー
ザが光源として適している。中でもYAGレーザは高出
力であり、ラマン増幅による第1ストークス波長はシフ
ト景が460 cm−’であることからそれぞれ、1.
41μm、1.43μm、1.54μmとなりいずれの
波長でもソリトンが形成される。
分散波長1.30μmより長波長側にある光源を誘導ラ
マン散乱励起用光源13として用いる。波長1.32μ
m、 1.34 μm、 1.44μmの発振線をもつ
YAGレーザ、Er3+レーザ、もしくはFセンタレー
ザが光源として適している。中でもYAGレーザは高出
力であり、ラマン増幅による第1ストークス波長はシフ
ト景が460 cm−’であることからそれぞれ、1.
41μm、1.43μm、1.54μmとなりいずれの
波長でもソリトンが形成される。
さて、この励起光は、半導体レーザからの信号光15と
ダイクロイクミラ−14で重ね合わされ、単一モード光
ファイバ7に導かれる。ダイクロイックミラー14は波
長選択性のある鏡で励起光は全通過、信号光は全反射し
て効率よくファイバに結合する。信号光波長はラマン利
得が最大となるストークス波長に設定しておく。単一モ
ード光ファイバ7中をその2つの波が伝搬するにつれ、
誘導ラマン散乱により励起光のエネルギーは信号光に移
り増幅される。増幅媒体として偏波保持ファイバを用い
た時の誘導ラマン増幅の特性はM、Nakazawa、
”Highly Efficient RamanA
mplification in a Polariz
ation−PreservingOptical F
iber ” (Appl、phys、Lett、、 Vol、46
P、62B−630,1985)によれば第2図ないし
第4図のようになる。第2図に示すようにラマン利得は
IWの連続波もしくはパルス励起人力に対して20dB
以上の利得がある。
ダイクロイクミラ−14で重ね合わされ、単一モード光
ファイバ7に導かれる。ダイクロイックミラー14は波
長選択性のある鏡で励起光は全通過、信号光は全反射し
て効率よくファイバに結合する。信号光波長はラマン利
得が最大となるストークス波長に設定しておく。単一モ
ード光ファイバ7中をその2つの波が伝搬するにつれ、
誘導ラマン散乱により励起光のエネルギーは信号光に移
り増幅される。増幅媒体として偏波保持ファイバを用い
た時の誘導ラマン増幅の特性はM、Nakazawa、
”Highly Efficient RamanA
mplification in a Polariz
ation−PreservingOptical F
iber ” (Appl、phys、Lett、、 Vol、46
P、62B−630,1985)によれば第2図ないし
第4図のようになる。第2図に示すようにラマン利得は
IWの連続波もしくはパルス励起人力に対して20dB
以上の利得がある。
従って信号光人力がlOm Wの場合、ストークス光の
出力はIW以上に容易になり得る。
出力はIW以上に容易になり得る。
光ファイバ中のソリトンは非線形シュレディンガ方程式
で与えられることがH,llasegawa等により理
論的に示されており(11,1(asegawa an
dF、Tappert;前掲論文)前述したように19
80年Mo1lenauer等によって観測された。単
一モード光ファイバでのN=1ソリトン発生に必要なパ
ワーPH= 1はコア断面積をAeff、ストークスパ
ルスの幅をτS、群速度分散をD、非線形屈折率をn2
、波長をλ5とすると て与えられる(中沢正隆“ソリトンレーザー”固体物理
、第21巻、9 P、47.1986)、 従って
通常の単一モード光ファイバの場合、1Dl=16ps
/km −nm、 r 5−7ps 、 λ s
−1,55μ m、 Asrr−5〜10−’cm
2 とすると、PH= 1はPN□=0.5〜1.OW となる。誘導ラマン散乱でのストークス出力はIW程度
になるので、上記の計算から容易に光ソリトンが形成さ
れること力作かる。第3図はラマン波長帯域を示してお
り、130c+n−’の幅であり、これに光速をかける
と、3.9T)lzの帯域となる。すなわちlpsのパ
ルスを増幅するのに充分広い帯域であることがわかる。
で与えられることがH,llasegawa等により理
論的に示されており(11,1(asegawa an
dF、Tappert;前掲論文)前述したように19
80年Mo1lenauer等によって観測された。単
一モード光ファイバでのN=1ソリトン発生に必要なパ
ワーPH= 1はコア断面積をAeff、ストークスパ
ルスの幅をτS、群速度分散をD、非線形屈折率をn2
、波長をλ5とすると て与えられる(中沢正隆“ソリトンレーザー”固体物理
、第21巻、9 P、47.1986)、 従って
通常の単一モード光ファイバの場合、1Dl=16ps
/km −nm、 r 5−7ps 、 λ s
−1,55μ m、 Asrr−5〜10−’cm
2 とすると、PH= 1はPN□=0.5〜1.OW となる。誘導ラマン散乱でのストークス出力はIW程度
になるので、上記の計算から容易に光ソリトンが形成さ
れること力作かる。第3図はラマン波長帯域を示してお
り、130c+n−’の幅であり、これに光速をかける
と、3.9T)lzの帯域となる。すなわちlpsのパ
ルスを増幅するのに充分広い帯域であることがわかる。
また第4図は信号光レベルを示しており、雑音レベルと
の差より24dB程度のS/N比がとれることがわかり
、低雑音ソリトン増幅が可能であることを示している。
の差より24dB程度のS/N比がとれることがわかり
、低雑音ソリトン増幅が可能であることを示している。
第5図に光ソリトンの発生をより容易にする方法を示す
。図において16は高利得ラマン増幅用単一モード光フ
ァイバで、例えばコアにGem2を高濃度にドープした
単一モード光ファイバが用いられる。他の構成は第1図
の実施例と同じである。光ファイバ16は通常のシリカ
系ファイバに比べて9倍程度のラマン利得が得られる。
。図において16は高利得ラマン増幅用単一モード光フ
ァイバで、例えばコアにGem2を高濃度にドープした
単一モード光ファイバが用いられる。他の構成は第1図
の実施例と同じである。光ファイバ16は通常のシリカ
系ファイバに比べて9倍程度のラマン利得が得られる。
したがってストークスパワーを大きくし、容易にソリト
ンが形成できる。
ンが形成できる。
第6図は励起用光源13からの励起光と信号用光源15
からの信号光を光ファイバカップラ17によって高利得
ラマン増幅用単一モード光ファイバ16に入射させ、光
ソリトンを光ファイバカップラ17’から出射させるよ
うにしたものである。
からの信号光を光ファイバカップラ17によって高利得
ラマン増幅用単一モード光ファイバ16に入射させ、光
ソリトンを光ファイバカップラ17’から出射させるよ
うにしたものである。
第5図および第6図に示したいずれの方法においても、
半導体レーザの繰り返しを変化させることにより任意の
繰り返しのソリトン列を発生できる。
半導体レーザの繰り返しを変化させることにより任意の
繰り返しのソリトン列を発生できる。
励起光人力を増加していくと、誘導ラマン散乱による第
1ストークス光の利得は大きくなるが、ある励起入力パ
ワー以上になると第2ストークス光が発生し、それ以上
第1ストークス光の利得がふえない。このためソリトン
の振幅の上限が限定されるが、これは次のような方法に
より解決できる。■単一モード光ファイバのコア部に重
水素を封入し、そのラマン散乱を用いると、波長1.0
6μmの光に対して第1ストーク光が1.56μmとな
る。2次ストークス光は2μm近傍となるが、この波長
ではシリカ系光ファイバは損失が非常に大きいため成長
しない。■P2O5をコア材料としたファイバを用い、
波長1.32もしくは1.34μm励起で第1ストーク
ス波長を1.5〜1.6 μmに設定し、■と同様に2
次ストークス光を抑制する。■ファイバを小径に巻くこ
とによって生ずる光損失が2次ストークスにおいて極端
に大きくなることを用いる、等がある。
1ストークス光の利得は大きくなるが、ある励起入力パ
ワー以上になると第2ストークス光が発生し、それ以上
第1ストークス光の利得がふえない。このためソリトン
の振幅の上限が限定されるが、これは次のような方法に
より解決できる。■単一モード光ファイバのコア部に重
水素を封入し、そのラマン散乱を用いると、波長1.0
6μmの光に対して第1ストーク光が1.56μmとな
る。2次ストークス光は2μm近傍となるが、この波長
ではシリカ系光ファイバは損失が非常に大きいため成長
しない。■P2O5をコア材料としたファイバを用い、
波長1.32もしくは1.34μm励起で第1ストーク
ス波長を1.5〜1.6 μmに設定し、■と同様に2
次ストークス光を抑制する。■ファイバを小径に巻くこ
とによって生ずる光損失が2次ストークスにおいて極端
に大きくなることを用いる、等がある。
第7図および第8図にそれぞれ本発明の他の実施例を示
す。ともに2個の信号光用半導体レーザ光源15.15
’ を有しているが、それ以外の構成は第7図の例は第
5図に示した例と、第8図の例は第6図に示した例と同
様である。ここで2個の信号光用半導体レーザ光源から
の信号光を人力し、誘導ラマン散乱と変調不安定性(A
、tlasegawa 。
す。ともに2個の信号光用半導体レーザ光源15.15
’ を有しているが、それ以外の構成は第7図の例は第
5図に示した例と、第8図の例は第6図に示した例と同
様である。ここで2個の信号光用半導体レーザ光源から
の信号光を人力し、誘導ラマン散乱と変調不安定性(A
、tlasegawa 。
Generation of a train
of 5oliton pulses byi
nduced modulational 1nsta
bility in opticalfibers”
Opt、Lett、、 Vol、 9 、 P、288
1984) とを用いて二つの信号光源の発振周波数
差と等しい繰り返しのソリトンパルス列が得られる。従
って発振周波数差を数THzとすれば数THzの超高速
の繰り返しのソリトンパルス列が得られる。変調不安定
性とはわずかに変調のかかった正弦波状の連続波がファ
イバの分散と自己位相変調効果により゛最終的にソリト
ンになる現象である。ファイバ入射端で微弱であった光
源15と15’ からの信号のビート成分がラマン増幅
され、さらに変調不安定性により、その正弦波がソリト
ン化していく。従って、ビート周波数を変化させること
により、任意の繰り返しのパルス列が出力できることに
なる。
of 5oliton pulses byi
nduced modulational 1nsta
bility in opticalfibers”
Opt、Lett、、 Vol、 9 、 P、288
1984) とを用いて二つの信号光源の発振周波数
差と等しい繰り返しのソリトンパルス列が得られる。従
って発振周波数差を数THzとすれば数THzの超高速
の繰り返しのソリトンパルス列が得られる。変調不安定
性とはわずかに変調のかかった正弦波状の連続波がファ
イバの分散と自己位相変調効果により゛最終的にソリト
ンになる現象である。ファイバ入射端で微弱であった光
源15と15’ からの信号のビート成分がラマン増幅
され、さらに変調不安定性により、その正弦波がソリト
ン化していく。従って、ビート周波数を変化させること
により、任意の繰り返しのパルス列が出力できることに
なる。
[発明の効果コ
以上説明したように、本発明により初めて任意のくり返
し周期を有するソリトンパルス列を容易に作り出すこと
ができるとともに、ソリトンの幅および波長も誘導ラマ
ン散乱の帯域内で自由に変化することができる利点があ
る。 また、変調不安定性により正弦波的に振動をくり
返す信号光を光ソリトン列に変換できるとともに、2つ
の連続波発振する信号光を誘導ラマン散乱と変調不安定
性を用いて数THzのくり返しを有するソリトンパルス
列に変換できる利点がある。
し周期を有するソリトンパルス列を容易に作り出すこと
ができるとともに、ソリトンの幅および波長も誘導ラマ
ン散乱の帯域内で自由に変化することができる利点があ
る。 また、変調不安定性により正弦波的に振動をくり
返す信号光を光ソリトン列に変換できるとともに、2つ
の連続波発振する信号光を誘導ラマン散乱と変調不安定
性を用いて数THzのくり返しを有するソリトンパルス
列に変換できる利点がある。
第1図は本発明の実施例の構成図、
第2図は励起入力とラマン利得との関係を示す特性図、
第3図はラマン波長帯域と利得との関係を示す特性図、
第4図は励起人力と信号光および雑音レベルとの関係を
示す特性図、 第5図および第6図はそれぞれ本発明の他の実施例の構
成図、 第7図および第8図はそれぞれ本発明のさらに他の実施
例の構成図、 第9図はFセンタレーザの構成図、 第10図は従来の光ソリトンの発生および測定方法の構
成図、 第11図(A) 、 (B)はそれぞれFセンタレーザ
の出力波形図およびソリトンの波形図である。 l・・・モード同期YAGレーザ光源、2、2’ 、
2”・・・Fセンタレーザ共振器用レーザ鏡、3・・・
Fセンタレーザ結晶、 4・・・冷却用デユワ−1 5・・・複屈折フィルター、 6・・・Fセンタレーザ、 7・・・単一モード光ファイバ、 8・・・半透過鏡、 9・・・コーナーキューブ、 lO・・・対物レンズ、 11・・・第2高調波発生用結晶、 12・・・光検出器、 13・・・誘導ラマン散乱励起用光源、14・・・ダイ
クロイックミラー、 15、15’ ・・・信号光用半導体レーザ光源、16
・・・高利得ラマン増幅用単一モード光ファイバ、17
・・・光ファイバカップラー。
示す特性図、 第5図および第6図はそれぞれ本発明の他の実施例の構
成図、 第7図および第8図はそれぞれ本発明のさらに他の実施
例の構成図、 第9図はFセンタレーザの構成図、 第10図は従来の光ソリトンの発生および測定方法の構
成図、 第11図(A) 、 (B)はそれぞれFセンタレーザ
の出力波形図およびソリトンの波形図である。 l・・・モード同期YAGレーザ光源、2、2’ 、
2”・・・Fセンタレーザ共振器用レーザ鏡、3・・・
Fセンタレーザ結晶、 4・・・冷却用デユワ−1 5・・・複屈折フィルター、 6・・・Fセンタレーザ、 7・・・単一モード光ファイバ、 8・・・半透過鏡、 9・・・コーナーキューブ、 lO・・・対物レンズ、 11・・・第2高調波発生用結晶、 12・・・光検出器、 13・・・誘導ラマン散乱励起用光源、14・・・ダイ
クロイックミラー、 15、15’ ・・・信号光用半導体レーザ光源、16
・・・高利得ラマン増幅用単一モード光ファイバ、17
・・・光ファイバカップラー。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)光ファイバ中の自己位相変調効果と群速度分散とが
つり合うことによって生ずる光ソリトンを発生させる方
法において、異常分散波長域で動作する半導体レーザか
らの光パルスを、誘導ラマン散乱により直接光増幅する
ことにより波長可変な光ソリトンを発生させることを特
徴とする光ソリトン発生方法。 2)光ファイバ中の自己位相変調効果と群速度分散とが
つり合うことによって生ずる光ソリトンを発生させる方
法において、連続波発振する2つの信号光を同時に光フ
ァイバに入射させ、誘導ラマン散乱と変調不安定性を用
いて、前記2つの信号光の周波数差と同じくり返しのソ
リトン列を作ることを特徴とする光ソリトン発生方法。 3)前記周波数差が数THzであることを特徴とする特
許請求の範囲第2項記載の光ソリトン発生方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27199886A JPH087356B2 (ja) | 1986-11-17 | 1986-11-17 | 光ソリトン発生方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27199886A JPH087356B2 (ja) | 1986-11-17 | 1986-11-17 | 光ソリトン発生方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63125919A true JPS63125919A (ja) | 1988-05-30 |
JPH087356B2 JPH087356B2 (ja) | 1996-01-29 |
Family
ID=17507723
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP27199886A Expired - Fee Related JPH087356B2 (ja) | 1986-11-17 | 1986-11-17 | 光ソリトン発生方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH087356B2 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4941726A (en) * | 1988-08-31 | 1990-07-17 | The Unites States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Tapered fiber amplifier |
WO1990013163A1 (en) * | 1989-04-25 | 1990-11-01 | British Telecommunications Public Limited Company | High gain semiconductor laser amplifier package |
WO1999021053A1 (en) * | 1997-10-17 | 1999-04-29 | Corning Incorporated | Soliton pulse generator |
JP2002006348A (ja) * | 2000-06-21 | 2002-01-09 | Mitsubishi Electric Corp | 光増幅器 |
JP2002031823A (ja) * | 2000-07-14 | 2002-01-31 | Japan Atom Energy Res Inst | 高出力短パルスレーザー光の発生システム |
-
1986
- 1986-11-17 JP JP27199886A patent/JPH087356B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4941726A (en) * | 1988-08-31 | 1990-07-17 | The Unites States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Tapered fiber amplifier |
WO1990013163A1 (en) * | 1989-04-25 | 1990-11-01 | British Telecommunications Public Limited Company | High gain semiconductor laser amplifier package |
US5134621A (en) * | 1989-04-25 | 1992-07-28 | British Telecommunications Public Limited Company | High gain semiconductor laser amplifier package |
WO1999021053A1 (en) * | 1997-10-17 | 1999-04-29 | Corning Incorporated | Soliton pulse generator |
US6449408B1 (en) | 1997-10-17 | 2002-09-10 | Corning Incorporated | Soliton pulse generator |
JP2002006348A (ja) * | 2000-06-21 | 2002-01-09 | Mitsubishi Electric Corp | 光増幅器 |
JP2002031823A (ja) * | 2000-07-14 | 2002-01-31 | Japan Atom Energy Res Inst | 高出力短パルスレーザー光の発生システム |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH087356B2 (ja) | 1996-01-29 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |