JPS63124482A - Device for driving semiconductor laser - Google Patents
Device for driving semiconductor laserInfo
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- JPS63124482A JPS63124482A JP26859586A JP26859586A JPS63124482A JP S63124482 A JPS63124482 A JP S63124482A JP 26859586 A JP26859586 A JP 26859586A JP 26859586 A JP26859586 A JP 26859586A JP S63124482 A JPS63124482 A JP S63124482A
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、光ディスク等の記録媒体への情報書込みお
よび読込み手段となる半導体レーザの駆動装置に関する
ものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a driving device for a semiconductor laser serving as a means for writing and reading information into and from a recording medium such as an optical disk.
従来、この種の装置としては第3図に示すような装置が
提案されている。Conventionally, as this type of device, a device as shown in FIG. 3 has been proposed.
第3図は従来の半導体レーザ駆動装置の構成を説明する
ブロック図であり、21は半導体レーザで、定電流回路
22により再生時の光出力が制御され、定電流回路23
により記録時の光出力が制御される。24はスイッチで
、入力される記録信号25に基づいて閉じられ、定電流
回路23に印加される電流増加により半導体レーザ21
の発光出力を記録レベルまで増加させる。26はフォト
ダイオードで、半導体レーザ21の発光出力をモニタし
、発光出力に応じた電圧値がサンプルホールド回路28
に入力する。サンプルホールド回路28は記録信号25
に基づいて発光出力値に対応する電圧値をサンプルホー
ルドする。27は電流電圧変換抵抗器で、フォトダイオ
ード26に入力される発光出力に基づいてフォトダイオ
ード26を流れる電流値を電圧値に変換する。29は誤
差増幅器で、サンプルホールド回路28に保持される再
生時の発光出力とあらかじめ設定される基準電圧との差
を増幅し、差分信号を定電流回路22に印加する。FIG. 3 is a block diagram illustrating the configuration of a conventional semiconductor laser driving device, in which 21 is a semiconductor laser, the optical output during reproduction is controlled by a constant current circuit 22, and a constant current circuit 23
controls the optical output during recording. 24 is a switch which is closed based on the input recording signal 25, and the semiconductor laser 21 is closed by increasing the current applied to the constant current circuit 23.
increase the light emission output of the device to a recording level. 26 is a photodiode that monitors the light emission output of the semiconductor laser 21, and the voltage value corresponding to the light emission output is sent to the sample and hold circuit 28.
Enter. The sample hold circuit 28 receives the recording signal 25
A voltage value corresponding to the light emission output value is sampled and held based on. A current-voltage conversion resistor 27 converts the current value flowing through the photodiode 26 into a voltage value based on the light emission output input to the photodiode 26. Reference numeral 29 denotes an error amplifier that amplifies the difference between the light emission output during reproduction held in the sample and hold circuit 28 and a preset reference voltage, and applies a difference signal to the constant current circuit 22.
半導体レーザ21は定電流回路22により再生時の光出
力が制御されており、記録レベル時は記録信号25によ
ってスイッチ24を閉じることにより、定電流回路23
に供給される電流の増加部によって半導体レーザ21の
光出力を記録レベルまで増加させている。The optical output of the semiconductor laser 21 during reproduction is controlled by a constant current circuit 22, and when the recording level is reached, the constant current circuit 23 is closed by closing the switch 24 in response to the recording signal 25.
The optical output of the semiconductor laser 21 is increased to the recording level by the increasing portion of the current supplied to the semiconductor laser 21 .
また、フォトダイオード26.電流電圧変換抵抗器27
とによって検出された半導体レーザ21の発光出力の電
圧値はサンプルホールド回路28によって再生レベル時
にサンプルされ、記録レベル時は再生レベル時の値をホ
ールドし、誤差増幅器29の出力によって定電流回路2
2の電流を制御し、再生レベル時の半導体レーザ21の
光出力を一定に保持している。In addition, the photodiode 26. Current voltage conversion resistor 27
The voltage value of the light emission output of the semiconductor laser 21 detected by the sample and hold circuit 28 is sampled at the reproduction level, and the value at the reproduction level is held at the recording level.
2 is controlled to keep the optical output of the semiconductor laser 21 constant at the reproduction level.
次に第4図を参照しながら半導体レーザ駆動装置の問題
点について説明する。Next, problems with the semiconductor laser driving device will be explained with reference to FIG.
第4図は、第3図に示した半導体レーザ21の特性を説
明する図であり、縦軸は発光出力Pを示し、横軸はレー
ザ駆動電流Iを示す。FIG. 4 is a diagram for explaining the characteristics of the semiconductor laser 21 shown in FIG. 3, in which the vertical axis shows the light emission output P and the horizontal axis shows the laser drive current I.
この図において、aは発光特性で、温度がtlの場合の
発光出力とレーザ駆動電流との関係を示したものである
。bは発光特性を示し、温度がtl (tl>t+ )
の場合の発光出方とレーザ駆動電流との関係を示したも
のである。In this figure, a is the light emission characteristic, which shows the relationship between the light emission output and the laser drive current when the temperature is tl. b shows luminescence characteristics, and the temperature is tl (tl>t+)
This figure shows the relationship between the way light is emitted and the laser drive current in the case of .
この図かられかるように、半導体レーザ21は温度上昇
に伴ってレーザ発振のスレッショルド電流値が増加し、
レーザ発振領域での単位発光出力/単位駆動電流(ΔP
/Δ工)が減少することが一般的特性として知られてい
る。As can be seen from this figure, the threshold current value for laser oscillation of the semiconductor laser 21 increases as the temperature rises.
Unit light emission output/unit drive current (ΔP) in the laser oscillation region
It is known as a general characteristic that the value of
今、温度がtlからtlに変化した場合を想定すると、
再生時の発光出力PRは一定を保持するようにレーザ駆
動電流工がIlt+からlR2へと制御されるが、従来
記録時の電流増加分を担う定電流回路23は固定である
ため、記録時の駆動電流はIRI+I賢+ lR2と
なり、I R1−I R2< I騨2−I賀lであるか
ら、Iw++ lR2−IH<In2となり、記録時の
発光出力Pは発光出力FWに到達しなくなる重大な問題
点があった。Now, assuming that the temperature changes from tl to tl,
The laser drive current is controlled from Ilt+ to lR2 so that the light emission output PR during reproduction remains constant, but since the constant current circuit 23, which is responsible for the current increase during recording, is conventionally fixed, The drive current is IRI + I + lR2, and since I R1 - I R2 < I2 - Iga l, Iw + + lR2 - IH < In2, and the light emission output P during recording will not reach the light emission output FW. There was a problem.
今後記録密度の上昇とともに記録パワーの正確な制御が
昨今要求されつつあるという現状からも、上記問題点の
改善が強く切望されている。In view of the current situation where accurate control of recording power is required as recording density increases in the future, there is a strong desire to improve the above-mentioned problems.
この発明は、上記の問題点を解消するためになされたも
ので、情報書込み時に半導体レーザから発射される発光
パワーをモニタして、半導体レーザに供給される駆動電
流を架線させることにより、情報書込みレベルの発光レ
ベルを外的な影響に左右されることなく規定の書込みレ
ベルに保持できる半導体レーザ駆動装置を得ることを目
的とする。This invention was made to solve the above-mentioned problems, and it is possible to write information by monitoring the light emission power emitted from the semiconductor laser during information writing and by connecting the drive current supplied to the semiconductor laser. An object of the present invention is to obtain a semiconductor laser driving device that can maintain the light emission level at a prescribed writing level without being affected by external influences.
この発明に係る半導体レーザ駆動装置は、情報書込み時
に半導体レーザから照射される発光パワーをモニタする
モニタ手段と、このモニタ手段からモニタされる情報書
込み時の発光パワーをあらかじめ設定される規定値と比
較して、半導体レーザに供給する駆動電流を可変制御す
る電流制御手段とを設けたものである。The semiconductor laser driving device according to the present invention includes a monitor means for monitoring the light emission power emitted from the semiconductor laser during information writing, and a comparison between the light emission power monitored by the monitor means and the light emission power during information writing with a specified value set in advance. A current control means for variably controlling the drive current supplied to the semiconductor laser is provided.
この発明においては、モニタ手段が半導体レーザから照
射される発光パワーをモニタする。このモニタ結果を電
流制御手段があらかじめ設定される規定値と比較して、
半導体レーザに供給する駆動電流を可変制御する。In this invention, the monitor means monitors the power of light emitted from the semiconductor laser. The current control means compares this monitoring result with the preset value,
Variably controls the drive current supplied to the semiconductor laser.
C実施例〕
第1図はこの発明の一実施例を示す半導体レーザ駆動装
置の構成を説明するブロック図であり、第3図と同一の
ものには同じ符号を付しである。Embodiment C] FIG. 1 is a block diagram illustrating the configuration of a semiconductor laser driving device showing an embodiment of the present invention, and the same components as in FIG. 3 are given the same reference numerals.
この図において、1はサンプルホールド回路で、記録信
号25に応じて記録レベル時の発光出力の電圧値をサン
プリングし、再生レベル時は記録レベル時の電圧値をホ
ールドする。2は誤差増幅器で、基準電圧源3から供給
される基準電圧3aとサンプルホールド回路1から出力
される電圧値との差分を増幅する。4はレベル検出器で
、誤差増幅器2の出力、すなわち誤差電圧を、例えば+
、0.−の3段階に評価し、その旨を示す信号をカウン
タ5に出力する。カウンタ5は入力される記録信号25
をレベル検出器4からの出力に基づいてカウントアツプ
(+)、カウント停止(0)、カラン)・ダウン(−)
を行う。6はD/A変換器で、カウンタ5にカウントさ
れたカウント値をアナログ信号に変換して加算器7に出
力する。加算器7には基準電圧源3から供給される基準
電圧3aが印加されているので、この基準電圧3aとカ
ウンタ5のカウント値との加算結果を定電流回路23に
フィードバックされ、定電流回路23に印加される電流
が制御される。なお、上記21〜29の動作は従来例と
同一なので説明は省略する。In this figure, reference numeral 1 denotes a sample and hold circuit which samples the voltage value of the light emission output at the recording level in accordance with the recording signal 25, and holds the voltage value at the recording level at the reproduction level. Reference numeral 2 denotes an error amplifier that amplifies the difference between the reference voltage 3a supplied from the reference voltage source 3 and the voltage value output from the sample and hold circuit 1. 4 is a level detector that detects the output of the error amplifier 2, that is, the error voltage, for example, +
,0. - is evaluated in three stages, and a signal indicating the evaluation is output to the counter 5. The counter 5 receives the input recording signal 25
Count up (+), stop counting (0), count down (-) based on the output from level detector 4
I do. 6 is a D/A converter which converts the count value counted by the counter 5 into an analog signal and outputs it to the adder 7. Since the reference voltage 3a supplied from the reference voltage source 3 is applied to the adder 7, the addition result of the reference voltage 3a and the count value of the counter 5 is fed back to the constant current circuit 23, and the result is fed back to the constant current circuit 23. The current applied to the is controlled. Note that the operations 21 to 29 described above are the same as those of the conventional example, so the explanation thereof will be omitted.
サンプルホールド回路1は記録信号25が入力されると
、記録レベル時の発光出力に対応する電圧値をサンプリ
ングし、再生レベル時は記録レベル時にサンプリングさ
れた電圧値をホールドする。これに応じて誤差増幅器2
は基準電圧源3から供給される基準電圧3aとの差分を
増幅して差分信号をレベル検出器4に出力する。レベル
検出器4は差分信号をあらかじめ設定される値に基づい
て、例えば+、O9−の3段階に評価し、その旨を示す
信号をカウンタ5に出力する。この結果カウンタ5は入
力される記録信号25のカウントアツプ、カウント停止
、カウントダウンを実行し、カウント結果をD/A変換
器6に出力する。When the recording signal 25 is input, the sample and hold circuit 1 samples the voltage value corresponding to the light emission output at the recording level, and holds the voltage value sampled at the recording level at the reproduction level. Accordingly, the error amplifier 2
amplifies the difference with the reference voltage 3a supplied from the reference voltage source 3 and outputs the difference signal to the level detector 4. The level detector 4 evaluates the difference signal into three levels, for example, + and O9-, based on a preset value, and outputs a signal indicating this to the counter 5. As a result, the counter 5 counts up, stops counting, and counts down the input recording signal 25, and outputs the count result to the D/A converter 6.
なお、光出力が再生レベル時にはカウンタ5はカウント
値を保持している。D/A変換器6はカウンタ5から出
力されたカラン)・値をD/A変換して加算器7に出力
する。このため、加算器7は基準電圧源3から供給され
ている基準電圧3aとカウント値との加算を行い、定電
流回路23に印加される電流を増加、維持、減少させる
結果、信号を定電流回路23にフィードバックさせる。Note that the counter 5 holds a count value when the optical output is at the reproduction level. The D/A converter 6 D/A converts the value outputted from the counter 5 and outputs it to the adder 7. For this reason, the adder 7 adds the reference voltage 3a supplied from the reference voltage source 3 and the count value, and increases, maintains, or decreases the current applied to the constant current circuit 23, thereby changing the signal to a constant current. It is fed back to the circuit 23.
このため、温度上昇に伴ない記録レベル時に必要な発光
出力が得られなくなると、レベル検出器4の評価が「+
」となり、カウンタ5に入力される記録信号25に同期
してカウントアツプし、カウント値がD/A変換器6に
入力されるため、加算器7からは基準電圧3aにカウン
ト値をD/A変換した値が加算された結果、信号が停電
流口路23にフィードバックされ、半導体レーザ21を
駆動させる電流が増加し、規定の記録レベルが得られる
ように制御されることになる。For this reason, if the necessary light emission output at the recording level cannot be obtained due to a rise in temperature, the evaluation of the level detector 4 will be "+".
”, the count is increased in synchronization with the recording signal 25 input to the counter 5, and the count value is input to the D/A converter 6, so the adder 7 outputs the count value to the reference voltage 3a. As a result of the addition of the converted values, a signal is fed back to the power failure flow path 23, the current for driving the semiconductor laser 21 is increased, and the control is performed so that a specified recording level is obtained.
第2図はこの発明の他の実施例を示す半導体レーザ駆動
回路を説明するブロック図であり、第1図と同一のもの
には同じ符号を付しである。FIG. 2 is a block diagram illustrating a semiconductor laser drive circuit showing another embodiment of the present invention, and the same components as in FIG. 1 are given the same reference numerals.
この図において、11はA/D変換器で、半導体レーザ
21の発光出力の電圧値を入力される記録信号25に基
づいてA/D変換する。12は誤差演算器で、基準値設
定器17から供給される設定値とA/D変換器11から
のA/D変換出力との差分を演算する。13はレベル比
較器で、誤差演算器12で演算された誤差レベルをあら
かじめ設定される基準レベルと比較し、比較結果をカウ
ンタ5に出力する。カウンタ5にはクロック発生器14
から発生されるクロック信号(記録信号15の周波数よ
りも高周波数)が単発の記録信号15が入力されている
ときのみ入力されるように、ゲート回路16が設けられ
ている。In this figure, 11 is an A/D converter which A/D converts the voltage value of the light emission output of the semiconductor laser 21 based on the input recording signal 25. Reference numeral 12 denotes an error calculator that calculates the difference between the set value supplied from the reference value setter 17 and the A/D conversion output from the A/D converter 11. A level comparator 13 compares the error level calculated by the error calculator 12 with a preset reference level and outputs the comparison result to the counter 5. The counter 5 has a clock generator 14
A gate circuit 16 is provided so that a clock signal (having a higher frequency than the recording signal 15) generated from the recording signal 15 is inputted only when the single recording signal 15 is inputted.
この図から分かるように、基準設定器17により
リカウンタ5にカウント値をあらかじめ設定できるよう
に構成すれば、カウント値に応じた光出力レベル制御が
行えるとともに、単発の記録信号15が入力される場合
にも、光出力し・ベルを制御できる。As can be seen from this figure, if the count value is set in advance in the counter 5 by the reference setter 17, the optical output level can be controlled according to the count value, and when a single recording signal 15 is input. It also outputs light and can control the bell.
なお、上記実施例では入力される記録信号15に基づい
て光出力レベル制御を実行する場合について説明したが
、電源投入時に光出力レベル制御を実行し、以後入力さ
れる記録信号15に基づいて光出力レベルを微細に制御
するように構成してもよい。In the above embodiment, the case where the optical output level control is executed based on the input recording signal 15 has been explained, but the optical output level control is executed when the power is turned on, and the optical output level control is executed based on the input recording signal 15 thereafter. It may be configured to finely control the output level.
以上説明したように、この発明は情報書込み時に半導体
レーザから照射される発光パワーをモニタするモニタ手
段と、このモニタ手段からモニタされる情報書込み時の
発光パワーをあらかじめ設定される規定値と比較して、
半導体レーザに供給する駆動電流を可変制御する電流制
御手段とを設けたので、情報書込み時に半導体レーザの
発光パワーを可変させることができ、温度情報に伴なう
外気条件が変動しても、最適な書込みレベルで情報を光
ディスクに書き込める優れた利点を有する。As explained above, the present invention includes a monitor means for monitoring the light emitting power emitted from a semiconductor laser when writing information, and a comparison between the light emitting power monitored by the monitor means and the light emitting power during writing the information with a predetermined value. hand,
Since a current control means for variably controlling the drive current supplied to the semiconductor laser is provided, the emission power of the semiconductor laser can be varied when writing information, and even if the outside air conditions change due to temperature information, the optimum It has the excellent advantage of being able to write information on optical discs at a high writing level.
第1図はこの発明の一実施例を示す半導体レーザ駆動装
置の構成を説明するブロック図、第2図はこの発明の他
の実施例を示す半導体レーザ駆動回路を説明するブロッ
ク図、第3図は従来の半導体レーザ駆動装置の構成を説
明するブロック図、第4図は、第3図に示した半導体レ
ーザの特性を説明する図である。
図中、1はサンプルホールド回路、2は誤差増幅器、3
は基準電圧源、4はレベル検出器、5はカウンタ、6は
D/A変換器、7は加算器、11はA/D変換器、12
は誤差演算器、13はレベル比較器、14はクロック発
生器、15は記録信号、16はゲート回路、21は半導
体レーザ、22.23は定電流回路である。FIG. 1 is a block diagram explaining the configuration of a semiconductor laser driving device showing one embodiment of the invention, FIG. 2 is a block diagram explaining a semiconductor laser driving circuit showing another embodiment of the invention, and FIG. 3 4 is a block diagram illustrating the configuration of a conventional semiconductor laser driving device, and FIG. 4 is a diagram illustrating the characteristics of the semiconductor laser shown in FIG. 3. In the figure, 1 is a sample hold circuit, 2 is an error amplifier, and 3
is a reference voltage source, 4 is a level detector, 5 is a counter, 6 is a D/A converter, 7 is an adder, 11 is an A/D converter, 12
13 is a level comparator, 14 is a clock generator, 15 is a recording signal, 16 is a gate circuit, 21 is a semiconductor laser, and 22.23 is a constant current circuit.
Claims (1)
を情報再生時または情報書込み時とで可変させながら記
録媒体に照射する半導体レーザ駆動装置において、前記
情報書込み時に前記半導体レーザから照射される発光パ
ワーをモニタするモニタ手段と、このモニタ手段からモ
ニタされる情報書込み時の発光パワーをあらかじめ設定
される規定値と比較して、前記半導体レーザに供給する
駆動電流を可変制御する電流制御手段とを具備したこと
を特徴とする半導体レーザ駆動装置。In a semiconductor laser drive device that irradiates a recording medium while varying the light emitting power of a laser beam emitted from a semiconductor laser during information reproduction or information writing, the light emitting power emitted from the semiconductor laser during information writing is monitored. and current control means for variably controlling the driving current supplied to the semiconductor laser by comparing the light emission power during information writing monitored by the monitoring means with a preset standard value. A semiconductor laser drive device characterized by:
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26859586A JPS63124482A (en) | 1986-11-13 | 1986-11-13 | Device for driving semiconductor laser |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26859586A JPS63124482A (en) | 1986-11-13 | 1986-11-13 | Device for driving semiconductor laser |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63124482A true JPS63124482A (en) | 1988-05-27 |
Family
ID=17460713
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP26859586A Pending JPS63124482A (en) | 1986-11-13 | 1986-11-13 | Device for driving semiconductor laser |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63124482A (en) |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62286292A (en) * | 1986-06-04 | 1987-12-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Laser diode driving circuit |
-
1986
- 1986-11-13 JP JP26859586A patent/JPS63124482A/en active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62286292A (en) * | 1986-06-04 | 1987-12-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Laser diode driving circuit |
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