JPH03245327A - Light emission power control circuit for semiconductor laser - Google Patents
Light emission power control circuit for semiconductor laserInfo
- Publication number
- JPH03245327A JPH03245327A JP2042101A JP4210190A JPH03245327A JP H03245327 A JPH03245327 A JP H03245327A JP 2042101 A JP2042101 A JP 2042101A JP 4210190 A JP4210190 A JP 4210190A JP H03245327 A JPH03245327 A JP H03245327A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- power
- semiconductor laser
- recording
- current
- current value
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 55
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 10
- 230000004907 flux Effects 0.000 claims 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 11
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 4
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 4
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Optical Head (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、光ディスク装置において記録、再生又は消去
用の光源として用いられる半導体レーザの発光パワー制
御回路に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Field of the Invention The present invention relates to a light emitting power control circuit for a semiconductor laser used as a light source for recording, reproducing, or erasing in an optical disk device.
従来の技術
一般に、光ディスク装置では半導体レーザを光源として
用い、この半導体レーザから出射させた光束を対物レン
ズにより光ディスク、光磁気ディスク等の情報記録媒体
上に集光させて情報の記録、再生又は消去を行なうよう
にしている。この場合、記録時(必要に応じて消去時を
含む・・・以下、特に消去時には触れないが、同じとす
る)には所定値以上のパワーの光を照射させるのが一般
的である。2. Description of the Related Art In general, optical disk devices use a semiconductor laser as a light source, and the light beam emitted from the semiconductor laser is focused onto an information recording medium such as an optical disk or magneto-optical disk using an objective lens to record, reproduce, or erase information. I try to do this. In this case, it is common to irradiate light with a power equal to or higher than a predetermined value during recording (including erasing, if necessary; hereinafter, erasing will not be discussed in particular, but the same will apply).
このため、記録モード時の半導体レーザの発光パターン
は、一般に、第4図(a)に示すように記録パワーPw
は、再生パワーPRに所定の発光パワーを重畳させたも
のとしている。即ち、半導体レーザの発光パワーのベー
スを再生パワーPRに設定しておき、記録したい部分で
は所定パワーを重畳させて記録パワーPwとするもので
ある。このようなパワー変化を伴うための半導体レーザ
駆動回路としては、特開昭6.3−129537号公報
に示されるものがある。この駆動方式は、再生時の半導
体レーザ駆動電流を、記録時にはサンプルホールドし、
記録電流を重畳させるというものである。第3図(a)
に対応する半導体レーザ駆動電流は同図(b)に示すよ
うになる。1wが記録駆動電流、■3が再生駆動電流を
示す。Therefore, the light emission pattern of the semiconductor laser in the recording mode is generally as shown in FIG. 4(a) at the recording power Pw.
It is assumed that a predetermined light emitting power is superimposed on the reproduction power PR. That is, the base of the emission power of the semiconductor laser is set to the reproduction power PR, and a predetermined power is superimposed on the portion to be recorded to obtain the recording power Pw. As a semiconductor laser drive circuit for causing such a power change, there is one disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 6.3-129537. This drive method samples and holds the semiconductor laser drive current during playback and during recording.
This method involves superimposing recording currents. Figure 3(a)
The semiconductor laser drive current corresponding to is as shown in FIG. 1w indicates the recording drive current, and 3 indicates the reproduction drive current.
ところが、この方式の場合、光ディスクの記録すべきビ
ットとビットの間が、再生パワーPRで光が照射されて
いるため、正しくビットを形成できない場合がある。However, in this method, since light is irradiated with the reproduction power PR between the bits to be recorded on the optical disc, it may not be possible to form bits correctly.
このような欠点をなくすため、第5図(a)に示すよう
な半導体レーザパワー制御方法もある。これは、再生パ
ワーP11よりも弱いバイアスパワーP11を用いるも
ので、通常レベルとしてはバイアスパワーPBに設定し
ておき、記録したい部分ではこれに所定パワーを重畳さ
せて記録パワーPwとするものである。同図(b)は対
応する半導体レーザ駆動電流を示す。このようなバイア
スパワーP6発光制御法としては、特開昭59−542
81号公報に示されるものがある。これは、半導体レー
ザの各温度においてバイアスパワーPBを出すためのバ
イアス電流IBを予め測定しておき、温度変化に応じた
バイアス電流■8を流してバイアスパワーPBを出力さ
せるものである。In order to eliminate such drawbacks, there is also a semiconductor laser power control method as shown in FIG. 5(a). This uses a bias power P11 that is weaker than the reproduction power P11, and the normal level is set to the bias power PB, and in the part to be recorded, a predetermined power is superimposed on this to set the recording power Pw. . FIG. 5B shows the corresponding semiconductor laser drive current. Such a bias power P6 emission control method is described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 59-542.
There is one shown in Publication No. 81. In this method, the bias current IB for outputting the bias power PB is measured in advance at each temperature of the semiconductor laser, and the bias current 8 corresponding to the temperature change is caused to flow to output the bias power PB.
ちなみに、第6図(a)に示すように、記録モードにお
いて記録する部分には記録パワーPWを照射させるが記
録しない部分ではパワーを完全に0にしてしまう方法も
ある。同図(b)は対応する半導体レーザ駆動電流を示
す。Incidentally, as shown in FIG. 6(a), there is also a method in which the recording power PW is applied to the portion to be recorded in the recording mode, but the power is completely set to 0 in the portion not to be recorded. FIG. 5B shows the corresponding semiconductor laser drive current.
発明が解決しようとする課題
ところが、上記特開昭59−5428]号公報方式によ
る場合、半導体レーザの劣化には対応できず、経時的に
はバイアスパワーPBか弱くなってしまう。また、半導
体レーザの温度依存の特性変化を予め測定するというの
は手間がかかり面倒かつコスト高となる。即ち、バイア
ス電流ないしはバイアスパワーの設定ないしは安定化に
問題がある。Problems to be Solved by the Invention However, the method disclosed in Japanese Unexamined Patent Publication No. 59-5428 cannot cope with deterioration of the semiconductor laser, and the bias power PB becomes weaker over time. Further, it takes time and effort to measure temperature-dependent changes in characteristics of a semiconductor laser in advance, resulting in high costs. That is, there is a problem in setting or stabilizing the bias current or bias power.
また、第6図方式によると、記録したい部分でスイッチ
ングする駆動電流■いが大きいため、高速スイッチング
が困難である。Furthermore, according to the method shown in FIG. 6, the driving current required for switching at the portion to be recorded is large, making high-speed switching difficult.
課題を解決するための手段
再生電流による再生パワーより弱く設定されたバイアス
パワーで半導体レーザを発光させるバイアス電流に、記
録電流を重畳させた駆動電流で前記半導体レーザを駆動
させて記録パワーで発光させ、この記録パワーの光束を
対物レンズにより情報記録媒体」二に集光させて情報の
記録を行なうようにした光ディスク装置における半導体
レーザの発光パワー制御装置において、前記半導体レー
ザに接続した第1定電流源と、前記半導体レーザの発光
量を検出する光検出器と、この光検出器から得られる光
電流出力を電圧信号に変換する電流電圧変換器と、この
電流−電圧変換器の出力電圧をサンプリングしホールド
するサンプルホールド回路と、このサンプルホールド回
路の出力電圧と前記再生電流値に対応する所定の第1基
準電圧とを比較する比較部を備えてこの比較部出力に応
じて前記第1定電流源の第1電流値を制御する制御回路
とにより第1の制御ループを形成し、所定タイミングで
前記電流−電圧変換器の出力電圧と前記バイアス電流値
に対応する所定の第2基準電圧とを比較する比較器と、
この比較器出力に応じてアップ又はダウン動作するアッ
プダウンカウンタと、このアップダウンカウンタの出力
をアナログ信号に変換するデジタル・アナログ変換器と
、所定タイミングでスイッチングされるスイッチ素子を
介して前記半導体レーザに接続されこのデジタル・アナ
ログ変換器出力に応じて第2電流値が制御される第2定
電流源とにより第2の制御ループを形成し、最初に前記
第1の制御ループのみにより第1定電流源の第1電流値
を制御して前記半導体レーザの発光パワーを前記再生パ
ワーに制御し、その後、前記スイッチ素子をオンさせて
前記第1−
−
電流値と第2電流値との重畳電流値による半導体レーザ
駆動状態で前記第1の制御ループによる第1電流値のみ
の制御により前記半導体レーザの発光パワーを前記再生
パワーに制御しながら所定タイミングで前記スイッチ素
子をオフさせてその時の第1電流値のみで前記半導体レ
ーザが前記バイアスパワーとなるように第2電流値を第
2の制御ループにより制御するようにした。Means for Solving the Problem The semiconductor laser is driven with a drive current in which a recording current is superimposed on a bias current that causes the semiconductor laser to emit light with a bias power set to be weaker than the reproduction power of a reproduction current, so that the semiconductor laser emits light with a recording power. In the light emitting power control device for a semiconductor laser in an optical disk device, which records information by condensing a light beam of this recording power onto an information recording medium by an objective lens, a first constant current connected to the semiconductor laser; a photodetector for detecting the amount of light emitted by the semiconductor laser; a current-voltage converter for converting the photocurrent output obtained from the photodetector into a voltage signal; and sampling the output voltage of the current-voltage converter. a sample-and-hold circuit for holding the sample-and-hold circuit; and a comparator for comparing the output voltage of the sample-and-hold circuit with a predetermined first reference voltage corresponding to the reproduced current value. A control circuit for controlling a first current value of the source forms a first control loop, and the output voltage of the current-voltage converter and a predetermined second reference voltage corresponding to the bias current value are set at a predetermined timing. A comparator to compare,
An up/down counter that operates up or down according to the output of this comparator, a digital-to-analog converter that converts the output of this up/down counter into an analog signal, and a switching element that is switched at a predetermined timing to control the semiconductor laser. A second constant current source is connected to the digital-to-analog converter and the second current value is controlled according to the output of the digital-to-analog converter to form a second control loop. The first current value of the current source is controlled to control the emission power of the semiconductor laser to the reproduction power, and then the switch element is turned on to generate a superimposed current of the first current value and the second current value. While controlling the emission power of the semiconductor laser to the reproduction power by controlling only the first current value by the first control loop in the semiconductor laser drive state according to the current value, the switch element is turned off at a predetermined timing to control the first current value at that time. The second current value is controlled by the second control loop so that the semiconductor laser has the bias power based only on the current value.
作用
基本的には、記録時の駆動が再生パワーより弱く設定さ
れたバイアスパワーをベースとし、これに所定パワーを
重畳させて記録パワーとするものであり、正しいビット
形成が可能で、かつ、高速スイッチングによる記録が可
能となる。この際、バイアスパワー発光のためのバイア
ス電流の設定が、必須の再生パワー制御に併せて再生パ
ワーを基準に行なわれるため、半導体レーザの劣化等に
も対応した正確なものとなり、かつ、予め温度による特
性変化を測定するといった面倒なこともなくなる。Basically, the drive during recording is based on a bias power set to be weaker than the reproduction power, and a predetermined power is superimposed on this to obtain the recording power, which allows correct bit formation and high speed. Recording by switching becomes possible. At this time, the bias current for bias power emission is set based on the reproduction power in addition to the essential reproduction power control, so it is accurate to cope with the deterioration of the semiconductor laser, and it is possible to set the This eliminates the trouble of measuring changes in characteristics due to
実施例
本発明の一実施例を第1図ないし第3図に基づいて説明
する。まず、第1電流値■1 の第1定電流源1により
駆動される半導体レーザ2が設けられている。この半導
体レーザ2の発光量を受光検出する光検出器としてフォ
トダイオード3が設けられている。フォトダイオード3
にはその光電流出力を電圧信号に変換する電流−電圧変
換器4が接続されている。電流−電圧変換器4には出力
電圧についてサンプルホールド信号による所定タイミン
グでサンプリングを行ない、結果をホールドするサンプ
ルホールド回路(S / H回路)5が接続されている
。このS / I−f回路5には前記第1定電流源1の
電流値1 を制御する制御回路6が接続されている。こ
の制御回路6は比較部を有し、前記S/H回路5の出力
電圧と所定の第1基準電圧VRREF(再生電流値に対
応する)とを比較し、出力電圧が第1基準電圧vIIR
EFに一致するように前記第1定電流源lの電流値■
を制御するものである。これらのループにより第1の制
御ループ7が形成されている。Embodiment An embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 3. First, a semiconductor laser 2 driven by a first constant current source 1 with a first current value 1 is provided. A photodiode 3 is provided as a photodetector for receiving and detecting the amount of light emitted from the semiconductor laser 2. Photodiode 3
A current-voltage converter 4 is connected to convert the photocurrent output into a voltage signal. A sample-and-hold circuit (S/H circuit) 5 is connected to the current-voltage converter 4 for sampling the output voltage at a predetermined timing according to a sample-and-hold signal and holding the result. A control circuit 6 for controlling the current value 1 of the first constant current source 1 is connected to the S/I-f circuit 5. This control circuit 6 has a comparison section, and compares the output voltage of the S/H circuit 5 with a predetermined first reference voltage VRREF (corresponding to the reproduction current value), so that the output voltage becomes the first reference voltage vIIR.
The current value of the first constant current source l is adjusted to match EF.
It controls the A first control loop 7 is formed by these loops.
一方、前記半導体レーザ2にはオートレーザパワーコン
トロールA L P C信号によりスイッチングされる
スイッチ素子8を介して第2定電流源9が第1定電流源
2と並列に接続されている。また、前記電流−電圧変換
器4の出力電圧を所定の第2基準電圧VBREF(バイ
アス電流値に対応する)と比較する比較器10が設けら
れている。この比較器10には比較結果に応じてアップ
動作又はダウン動作を行なうアップダウンカウンタ11
が接続されている。このアップダウンカウンタ11のカ
ウント出力はデジタル・アナログ変換器(D/A変換器
)12に入力されている。このD/A変換器12の出ツ
ノが前記第2定電流源9の第2電流値■2を制御するも
のであり、第2の制御ループ13が形成されている。On the other hand, a second constant current source 9 is connected to the semiconductor laser 2 in parallel with the first constant current source 2 via a switching element 8 that is switched by an auto laser power control A LPC signal. Further, a comparator 10 is provided which compares the output voltage of the current-voltage converter 4 with a predetermined second reference voltage VBREF (corresponding to a bias current value). This comparator 10 has an up/down counter 11 that performs an up or down operation depending on the comparison result.
is connected. The count output of this up/down counter 11 is input to a digital/analog converter (D/A converter) 12. The output of the D/A converter 12 controls the second current value (2) of the second constant current source 9, and a second control loop 13 is formed.
また、前記半導体レーザ2には記録モード時に記録情報
に応じて閉じられるスイッチ素子14を介して記録電流
値■3の第3定電流源15が第1゜2定電流源2.9と
並列に接続されている。この第3定電流源15の記録電
流値■おは電流設定回路6により設定される。Further, in the semiconductor laser 2, a third constant current source 15 with a recording current value of 3 is connected in parallel with the 1°2 constant current source 2.9 via a switch element 14 that is closed according to recording information in the recording mode. It is connected. The recording current value of the third constant current source 15 is set by the current setting circuit 6.
このような構成において、初期の再生パワー制御は第1
の制御ループ7により行なう。即ち、スイッチ素子8は
オンとするが、これに接続された第2定電流源9の電流
値■2はI、=OmAとしておき、かつ、スイッチ素子
14はオフさせておく。In such a configuration, the initial reproduction power control is
This is done by the control loop 7. That is, the switch element 8 is turned on, but the current value (2) of the second constant current source 9 connected thereto is set to I,=OmA, and the switch element 14 is turned off.
この状態では、半導体レーザ2に流れる駆動電流■は第
1定電流源1のみによるため、I=1.であり、これが
第1基′4B電圧VRREFにより規制される再生パワ
ーPRとなるように制御される。このような状態では、
光ディスクについて再生動作が1−
2−
可能である。よって、再生動作により光ディスク上のI
D等の情報の判別も可能で、光ディスク上に設けられた
A L P C領域等の検出も可能である。In this state, since the drive current {circle around (2)} flowing through the semiconductor laser 2 is caused only by the first constant current source 1, I=1. This is controlled so that it becomes the reproduction power PR regulated by the first base voltage VREF. In such a situation,
1-2- playback operations are possible for optical discs. Therefore, the I on the optical disk is
It is also possible to discriminate information such as D, and it is also possible to detect an A L PC area provided on an optical disc.
そこで、このような再生動作によりA L P C領域
であることが検出されたら、ALPC信号によりスイッ
チ素子8をオフさせ、この時の電流−電圧変換器4の出
力電圧(即ち、半導体レーザ2の発光量)を比較器10
で第2基準電圧VBREFと比較する。この比較結果に
よりアップダウンカウンタ11のアップ/ダウン動作を
定め、1回のALPC領域で1回のカウント動作を行う
。このカウント値をD/A変換器12でアナログ変換し
、このアナログ出力に応じて第2定電流源9の電流値■
2 を制御し、半導体レーザ2の発光量を変化させる。Therefore, when the ALPC region is detected by such a reproducing operation, the switch element 8 is turned off by the ALPC signal, and the output voltage of the current-voltage converter 4 at this time (that is, the output voltage of the semiconductor laser 2 Comparator 10
is compared with the second reference voltage VBREF. The up/down operation of the up/down counter 11 is determined based on the comparison result, and one counting operation is performed in one ALPC area. This count value is converted into analog by the D/A converter 12, and the current value of the second constant current source 9 is determined according to this analog output.
2 to change the amount of light emitted from the semiconductor laser 2.
この時、比較器10はALPC領域における発光量が所
定のバイアスパワーP8より大きい時にはカウンタ11
にアップ信号を出力してカウントアツプさせ、D/A変
換器12の出力を太きくし、結果的に電流値■7 を増
加させる。すると、ALPC領域が終わると、半導体レ
ーザ2に流れる駆動電流丁は瞬間的にはI −I、+
I、となるが、上記の第1の制御ループ7の再生パワー
制御により自動的に電流値■1 が減少されて、全体で
は再生パワーPRに維持される。At this time, the comparator 10 outputs a counter 11 when the amount of light emitted in the ALPC region is larger than the predetermined bias power P8.
The up signal is outputted to count up, the output of the D/A converter 12 becomes thicker, and as a result, the current value (7) increases. Then, when the ALPC region ends, the drive current flowing through the semiconductor laser 2 becomes I −I, +
However, the current value ■1 is automatically reduced by the reproducing power control of the first control loop 7, and the overall reproducing power is maintained at PR.
このような動作を順次繰返すことによりALPC領域に
おける半導体レーザ2の発光量はバイアスパワーPBに
近づき、遂には、発光量がバイアスパワーP、以下とな
る。この時(こは、比較器10はカウンタ11に対しダ
ウン信号を出し、カウントダウンさせ、電流値■2 を
減少させる。By sequentially repeating such operations, the amount of light emitted by the semiconductor laser 2 in the ALPC region approaches the bias power PB, and finally becomes equal to or less than the bias power P. At this time, the comparator 10 outputs a down signal to the counter 11 to count down and decrease the current value 2.
以下、このようなアップ/ダウン動作を繰返すことによ
り、電流値I、 T、が決定される。ここに、電流値
■1 のみによる発光量がバイアスパワーP、となる。Thereafter, current values I and T are determined by repeating such up/down operations. Here, the amount of light emitted only by the current value ■1 becomes the bias power P.
ALPC領域におけるこのような一連の動作により、半
導体レーザ2を各々再生パワーPR、バイアスバワ−1
,i)8で発光させるための電流値II2が定められる
。電流値11 がバイアスパワーP [1に対応し、電
流値(I、十T2)が再生パワーI)、、に%t I;
i;する6、また、通常の再生パワー制御は、カウンタ
11により定められた電流値■2に加えて発光域に応じ
た電流4+’f T、を!l’、導体レーザ2に流ずこ
とにより実現される。Through such a series of operations in the ALPC region, the semiconductor laser 2 is adjusted to read power PR and bias power -1.
, i) 8, the current value II2 for emitting light is determined. The current value 11 corresponds to the bias power P[1, and the current value (I, +T2) corresponds to the reproduction power I), %t I;
i; Do 6. Also, in normal reproduction power control, in addition to the current value ■2 determined by the counter 11, a current 4+'f T, which corresponds to the light emitting area, is added! l', is realized by flowing into the conductive laser 2.
また、実際の記録時においては、スイッチ素子8はオフ
し、所定の記録パワーpH、が出力されるように電流設
定回路16により定められた記録電流値1.を第3定電
流源15を通して半導体レーザ2に流し、記録情報信号
に応じてスイッチ素子14をオン/オフさぜる。これに
より、半導体レーザ2に流れる駆動電流1は、11
と(1,+1.、)とに交互に変化したものとなる。即
ち、バイアスパワーP、3をベースとし、記録部分で記
録パワーPwとなるパワー状態となり、第5図に示した
記録方式となる。During actual recording, the switch element 8 is turned off, and the recording current value 1.0 is determined by the current setting circuit 16 so that a predetermined recording power pH is output. is applied to the semiconductor laser 2 through the third constant current source 15, and the switch element 14 is turned on/off in accordance with the recording information signal. As a result, the drive current 1 flowing through the semiconductor laser 2 is 11
and (1, +1.,) alternately. That is, the bias power P,3 is used as a base, and the power state becomes the recording power Pw in the recording portion, resulting in the recording method shown in FIG.
なお、−1−記の動作において、サンプルホールド回路
5に対するサンプルホールド信号、スイッチ素子8に対
するA L I) C信号及びカウンタ11に対するカ
ウントパルスのタイミングを第3図に示す。即ち、初期
の再生パワー制御においてはALPC信号とカウントパ
ルスとが出ないので、第1の制御ループ7により通常の
制御が行なわれる。In addition, in the operation described in -1-, the timings of the sample-and-hold signal to the sample-and-hold circuit 5, the ALI) signal to the switch element 8, and the count pulse to the counter 11 are shown in FIG. That is, in the initial reproduction power control, since the ALPC signal and count pulse are not output, the first control loop 7 performs normal control.
その後、A L P C信号及びカウントパルスが出る
とバイアスパワーP5の制御も同時に行なわれる。Thereafter, when the A L PC signal and the count pulse are output, the bias power P5 is also controlled at the same time.
なお、上述した説明では、初期の制御中にもサンプリン
グ&ホールド動作を行なわせるようにしたが、初期にお
いてはサンプリングモードを連続させるようにしてもよ
い。また、バイアスパワー制御をALPC領域利用によ
るタイミングで行なうようにしているが、例えば電源投
入時や温度変化によるアイドル時にバイアスパワー制御
を行なうようにすれば、光ディスクの有無、フォーカス
/トラッキング状態に関係なく、パワー制御可能5
6
となる。In the above description, the sampling and hold operation is performed even during the initial control, but the sampling mode may be continuous in the initial stage. In addition, bias power control is performed at the timing of ALPC area utilization, but if bias power control is performed, for example, when the power is turned on or when idle due to temperature changes, regardless of the presence or absence of an optical disk and the focus/tracking state. , the power can be controlled 5 6 .
発明の効果
本発明は、上述したように構成したので、基本的には、
記録時の駆動が再生パワーより弱く設定されたバイアス
パワーをベースとし、これに所定パワーを重畳させて記
録パワーとする方式によるため、記録に際して正しいビ
ット形成が可能で、かつ、高速スイッチングによる記録
もi工面となり、この際、バイアスパワー発光のための
バイアス電流の設定が、所定の第1,2の制御ループに
より、必須とする再生パワー制御に併せてこの再生パワ
ーを基準に行なわれるため、半導体レーザ″の劣化等に
も対応した正確なものとなり、確実な記録動作を行なわ
せることができ、かつ、T・め温度による特性変化を測
定するといった面倒なこともないものである。Effects of the Invention Since the present invention is configured as described above, basically,
Because the drive during recording is based on a bias power set weaker than the reproduction power, and a predetermined power is superimposed on this to obtain the recording power, it is possible to form correct bits during recording, and it is also possible to record with high-speed switching. At this time, the bias current for bias power emission is set based on this reproduction power in conjunction with the essential reproduction power control by the predetermined first and second control loops. It is accurate enough to cope with deterioration of the laser, allows reliable recording operation, and does not require the trouble of measuring changes in characteristics due to temperature.
第1図ないし第3図は本発明の一実施例を示すもので、
第1図はブロック図、第2図は半導体レーザの駆動電流
−発光パワー特性図、第3図はタイミングチャート、第
4図、第5図及び第6図は各々異なる制御方式の従来例
を示す発光パワー駆動電流特性図である。
1・・・第1定電流源、2・・・半導体レーザ、3・・
・光検出器、4・・・電流−電圧変換器、5・・・サン
プルホールド回路、6・・・制御回路、7・・第1の制
御ループ、8・・・スイッチ素子、9・・・第2定電流
源、10・・比較器、11・・・アップダウンカウンタ
、12・・デジタルアナログ変換器、13・・・第2の
制御ループ1 to 3 show an embodiment of the present invention,
Fig. 1 is a block diagram, Fig. 2 is a semiconductor laser drive current-emission power characteristic diagram, Fig. 3 is a timing chart, and Figs. 4, 5, and 6 each show conventional examples of different control methods. FIG. 3 is a light emission power drive current characteristic diagram. 1... First constant current source, 2... Semiconductor laser, 3...
- Photodetector, 4... Current-voltage converter, 5... Sample and hold circuit, 6... Control circuit, 7... First control loop, 8... Switch element, 9... 2nd constant current source, 10... Comparator, 11... Up/down counter, 12... Digital-to-analog converter, 13... Second control loop
Claims (1)
パワーで半導体レーザを発光させるバイアス電流に、記
録電流を重畳させた駆動電流で前記半導体レーザを駆動
させて記録パワーで発光させ、この記録パワーの光束を
対物レンズにより情報記録媒体上に集光させて情報の記
録を行なうようにした光ディスク装置における半導体レ
ーザの発光パワー制御装置において、前記半導体レーザ
に接続した第1定電流源と、前記半導体レーザの発光量
を検出する光検出器と、この光検出器から得られる光電
流出力を電圧信号に変換する電流−電圧変換器と、この
電流−電圧変換器の出力電圧をサンプリングしホールド
するサンプルホールド回路と、このサンプルホールド回
路の出力電圧と前記再生電流値に対応する所定の第1基
準電圧とを比較する比較部を備えてこの比較部出力に応
じて前記第1定電流源の第1電流値を制御する制御回路
とにより第1の制御ループを形成し、所定タイミングで
前記電流−電圧変換器の出力電圧と前記バイアス電流値
に対応する所定の第2基準電圧とを比較する比較器と、
この比較器出力に応じてアップ又はダウン動作するアッ
プダウンカウンタと、このアップダウンカウンタの出力
をアナログ信号に変換するデジタル・アナログ変換器と
、所定タイミングでスイッチングされるスイッチ素子を
介して前記半導体レーザに接続されこのデジタル・アナ
ログ変換器出力に応じて第2電流値が制御される第2定
電流源とにより第2の制御ループを形成し、最初に前記
第1の制御ループのみにより第1定電流源の第1電流値
を制御して前記半導体レーザの発光パワーを前記再生パ
ワーに制御し、その後、前記スイッチ素子をオンさせて
前記第1電流値と第2電流値との重畳電流値による半導
体レーザ駆動状態で前記第1の制御ループによる第1電
流値のみの制御により前記半導体レーザの発光パワーを
前記再生パワーに制御しながら所定タイミングで前記ス
イッチ素子をオフさせてその時の第1電流値のみで前記
半導体レーザが前記バイアスパワーとなるように第2電
流値を第2の制御ループにより制御するようにしたこと
を特徴とする半導体レーザの発光パワー制御回路。The semiconductor laser is driven with a drive current in which a recording current is superimposed on a bias current that causes the semiconductor laser to emit light with a bias power set to be weaker than the reproduction power of the reproduction current, and the semiconductor laser is made to emit light with a recording power, and the luminous flux of this recording power is A light emitting power control device for a semiconductor laser in an optical disk device configured to record information by condensing light onto an information recording medium using an objective lens, comprising: a first constant current source connected to the semiconductor laser; and a first constant current source connected to the semiconductor laser; A photodetector that detects the amount of photocurrent, a current-voltage converter that converts the photocurrent output obtained from the photodetector into a voltage signal, and a sample-and-hold circuit that samples and holds the output voltage of the current-voltage converter. , further comprising a comparator for comparing the output voltage of the sample and hold circuit with a predetermined first reference voltage corresponding to the reproduced current value, and the first current value of the first constant current source is determined according to the output of the comparator. a comparator that forms a first control loop with a control circuit and compares the output voltage of the current-voltage converter with a predetermined second reference voltage corresponding to the bias current value at a predetermined timing;
An up/down counter that operates up or down according to the output of this comparator, a digital-to-analog converter that converts the output of this up/down counter into an analog signal, and a switching element that is switched at a predetermined timing to control the semiconductor laser. A second constant current source is connected to the digital-to-analog converter and the second current value is controlled according to the output of the digital-to-analog converter to form a second control loop. The first current value of the current source is controlled to control the emission power of the semiconductor laser to the reproduction power, and then the switch element is turned on to generate a current value based on the superimposed current value of the first current value and the second current value. While the semiconductor laser is being driven, the first control loop controls only the first current value to control the emission power of the semiconductor laser to the reproduction power, and turns off the switch element at a predetermined timing to obtain a first current value at that time. 1. A light emission power control circuit for a semiconductor laser, characterized in that a second current value is controlled by a second control loop so that the semiconductor laser has the bias power only when the semiconductor laser has the bias power.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2042101A JPH03245327A (en) | 1990-02-22 | 1990-02-22 | Light emission power control circuit for semiconductor laser |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2042101A JPH03245327A (en) | 1990-02-22 | 1990-02-22 | Light emission power control circuit for semiconductor laser |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03245327A true JPH03245327A (en) | 1991-10-31 |
Family
ID=12626596
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2042101A Pending JPH03245327A (en) | 1990-02-22 | 1990-02-22 | Light emission power control circuit for semiconductor laser |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03245327A (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5513197A (en) * | 1992-11-12 | 1996-04-30 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor laser drive circuit including switched current source |
US7298766B2 (en) | 2002-03-29 | 2007-11-20 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Laser diode driver and driving method for controlling auto laser power, optical pickup device, and optical recording/reproducing apparatus using the same |
-
1990
- 1990-02-22 JP JP2042101A patent/JPH03245327A/en active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5513197A (en) * | 1992-11-12 | 1996-04-30 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor laser drive circuit including switched current source |
US7298766B2 (en) | 2002-03-29 | 2007-11-20 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Laser diode driver and driving method for controlling auto laser power, optical pickup device, and optical recording/reproducing apparatus using the same |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4796250A (en) | Optical recording and reproducing apparatus including a disc extraction area for power setting a laser | |
US7609602B2 (en) | Method of generating a recording pulse train in accordance with a NRZI signal for recording information to a recording medium | |
US6683836B2 (en) | Laser control device | |
US7154825B2 (en) | Optical recording/reproducing apparatus with APC and ACC processes | |
US5029155A (en) | Optical information recording/reproducing apparatus in which recording power is set prior to recording | |
US6490302B1 (en) | Semiconductor laser control circuit and laser light source | |
US6400673B1 (en) | Optical disk drive | |
KR0167635B1 (en) | Method and apparatus for controlling the power of a multibeam semiconductor laser device | |
JPH03116539A (en) | Disk device | |
US6744031B1 (en) | High speed sampling circuit | |
JPH03245327A (en) | Light emission power control circuit for semiconductor laser | |
EP1213713B1 (en) | Light intensity control and information recording apparatus and method and computer program product | |
KR20080081012A (en) | An optical recording apparatus with high-speed forward laser power control(lpc) | |
JP2731223B2 (en) | Optical disk drive | |
JP3225114B2 (en) | Optical disk drive | |
JPH08235629A (en) | Control device of semiconductor laser | |
JPH10134352A (en) | Optical disk device | |
JPH071562B2 (en) | Recording method for magneto-optical disk | |
JP3097767B2 (en) | Optical recording / reproducing device | |
JP2002334440A (en) | Optical recording and reproducing device | |
US5617390A (en) | Optical information recording medium having separate information and reference information portions and method using the same | |
JPH0231341A (en) | Optical information recording and reproducing device | |
JP2621920B2 (en) | Semiconductor laser control circuit | |
JPH07262560A (en) | Recording and reproducing device | |
JPS63146232A (en) | Servo device for optical disk information recording/ reproducing device |