JPS63124153A - 記憶情報保護装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 Ａ５　産業上の利用分野 本発明は電子的に記憶される情報のための物理的安全保
護技術に関する。

Ｂ、従来技術 機械読取り可能な形で入れられているプログラム又はデ
ータを保護するためにコンピュータ業界で取られている
伝統的な方法は、コンピュータ設置環境の物理的保護又
はこのような保護と何らかの法的保護との組合せを用い
るものである。また、許可されない者が不正人手情報を
使用できないようにするために暗号化方法も用いられて
いる。パーソナル・コンビ二一夕の領域では、多くの様
々なソフトウェア・コピー保護方式が用いられているが
、すべてのものはプログラムに組込んだある種のソフト
ウェア・トラップに基くものであり、徹底した侵害者に
対しては有効でない。

米国特許第４４７１１６３号はソフトウェア保護機構を
開示している。記憶情報の安全保護を図るために、この
特許は、プログラム・ロックを装着する回路板を上下の
保護プレートで包囲することを示している。構成要素の
ための電池電力は保護プレートの内面に取付けた導体を
通して供給される。この技術によれば、プリント回路板
上の構成要素にアクセスしようとする者は必ず少なくと
も一方の保護プレートを動かさねばならず、結果として
、電力供給リードを破壊することになる。

保護すべき情報を記憶したメモリが電力を必要とすると
きは、この電力線リードの破壊は侵入者が求めている情
報を破壊し、従って情報が保護されることになる。

米国特許第４４７１１６３号の保護機構は、電力線リー
ドが直接取付けられている保護プレート部分を動かした
時にしか有効に働かない。このようなプログラム・ロッ
クに何度かアクセスしたことがある徹底した侵害者であ
れば、保護の程度を知るために何個かの回路板を破壊す
るとしても、このような保護の裏をかくことは容易にで
きることである。

情報入手のために装置又は機械設置場所に対してなされ
る侵入行為がいくつかの段階で行なわれることは想像で
きることである。

（１）包囲体又は包囲体及びカバーの取外しく２）安全
保護センサの位置及び機能の識別（３）センサを回避し
て次の保護レベルへ侵入する、などである。

このような注意深く手順を踏んだ方法を使うと、十分な
時間と資源さえあれば、現存する保護システムを打破す
ることが可能である。

Ｃ１発明が解決しようとする問題点 本発明の目的は、電子装置に記録される又は記憶、αさ
れる情報に対する安全保護を提供することである。

他の目的は、侵入しようとする者が保護機構の構造に気
づいたとしても侵入することが極めて困難な安全保護を
提供することである。

Ｄ０問題点を解決するための手段 本発明は電子回路に記憶される情報を保護するための、
不正操作又は侵入に対して耐性のある情報保護機構を提
供するものである。本発明は、情報記憶領域を取囲む包
囲体の中に、例えば微細な密な導線を張り巡らしてその
導線に所定のパターンで電流を流したり又は光路パター
ンを形成したりすることにより、包囲体の破壊又はその
中への侵入によって状態変化を生じる感知パターンを形
成する。感知パターンを検出するため手段が設けられ、
包囲体に設定した通りの感知パターンが得られるかが調
べられる。破壊又は侵入があった場合は、例えば断線又
は短絡などにより感知パターンに変化が生じるから、設
定パターンと一致しないパターンが検出される。設定パ
ターンと異なるパターンが検出された時は、これは何ら
かの侵入を表し、情報を保護するために記憶情報を破壊
する。

また、感知パターンを動的に変化させて同様の検出を行
なうことができる。感知パターンを予測不可能に変化さ
せることができるから、この方法によれば一層保護の信
頼性を高めることができる。

Ｅ、実施例 具体的実施例の説明に入る前に、本発明の概要について
説明する。

本発明は電子回路に記憶される情報を保護するための、
不正操作又は不正侵入に対して耐性のあるパッケージを
提供するものである。このパッケージは、保護されるべ
き電子回路を実質的に取囲む包囲体又は境界スペースを
含む。この包囲体に、ある形式のエネルギ、例えば電流
、光学的エネルギ、マイクロ波エネルギ、又は無線周波
エネルギを供給するためのエネルギ源が設けられる。エ
ネルギ源には、エネルギ分配のための１つ以上の通路よ
りなるエネルギ分配手段が結合される。分配手段に応答
して侵入又は侵入の試みを感知するための感知手段が設
けられる。分配手段はエネルギが伝えられる通路のパタ
ーン又は通路の形態を変えるための手段を含む。一般に
この手段は分配手段の分配パターンを変える。感知手段
は分配手段の分配パターンを知っており、検出された通
路パターンを予測パターンと比較することにより侵入を
感知する。両パターンの実質的な相違は侵入の証拠とな
る。感知手段に応答し、侵入があった場合記憶情報を破
壊するための手段が設けられる。

分配手段の動的パターン変更機能を必要としない、本発
明の同様のアプリケーションでは、時間の関数としてで
はなく、異なった保護パッケージの関数として分配手段
を変えることができる。即ち、パッケージ１に第１の分
配手段を設け、パッケージ２に第２の分配手段を設ける
ようにすることができる。たとえ同じ分配手段を有する
パッケージが多数あったとしても、種々の分配手段がラ
ンダムに用いられるから、侵入者はそれがどの分配手段
であるかを見極める必要がある。これは容易にはわから
ないことである。この情報がなければ、他の保護装置の
予備知識を盲目的に適用することはできない。

本発明の最も単純なアプリケーションでは、分配手段は
変えられない、即ち、時間及び異なるパッケージの両方
に関して静的である。しかし本発明は侵入の検出時に被
保護電子回路の動作を破壊する手段を含む。

本発明の１つの局面によれば、ＣＭＯ３ＲＡＭ又は他の
要電カメモリの形で記憶される情報は、複雑な通路をた
どる非接触又は絶縁された導体を含む、又はこれで満た
された物理的境界スペースでメモリを包囲することによ
り、許可されないアクセスから保護される。境界スペー
スの導体はこの境界スペースへの物理的侵入を電気的に
感知するのに用いられる。導体の密度は十分に高くされ
、また境界スペースへのいかなる侵入によっても２つの
導体間の短絡又は導体の破壊が生じるように十分に脆弱
に形成される。導体を支持するのに不透明な包囲材が用
いられ、これは侵入時の導体の破壊を容易にする。もし
短絡又は導体破壊が生じると、保護された領域内の回路
が侵入を感知し、保護されている情報を直ちに破壊する
。例えば、境界スペースの導体が揮発性メモリ素子の記
憶状態を維持するのに必要な電流を運んでいれば、断線
は自動的に記憶情報を消滅させる。しかし導体は揮発性
メモリを維持するのに必要な電流を運ぶ必要はなく、嘩
に侵入を感知してこのような揮発性メモリへの電力供給
を変えるか電子回路を破壊するのに使用できる。

侵入の感知は電気的である必要はない。電気的導体の代
わりに、光学的伝搬路、マイクロ波又は他の無線周波エ
ネルギを使用しつる。

いずれの場合においても、すべての通路を使用して、ど
れかの通路の乱れによって侵入を判断したり、又は一部
の通路を活動状態に、他を非活動状態にし、これらの通
路のパターンによって侵入の存在を判断したりすること
ができる。通路の選択はパッケージ毎に変えることがで
き、また１つのパッケージ内で動的に変えることもでき
る。短絡回路又は開放回路によって所定の電圧パターン
に乱れを発生させるのではなく、光学伝搬路の乱れを感
知して侵入を判断することができる。このような乱れは
光学的伝搬路を物理的に乱すことにより生じる。

活動状態及び非活動状態の通路のパターンを動的に変え
る場合、乱れ又は侵入の存在は、実際の伝導パターンを
感知し、これを予期パターンと比較することによって検
出される。活動状態の通路はこの通路を開放又は破壊す
る侵入あるいは乱れによって非活動状態になる。非活動
状態の通路は、活動状態の通路への短絡によって、又は
そこからの反射エネルギを受取ることによって活動状態
になる。パターンを動的に変えると、侵入者は活動状態
の通路を単純に迂回することができなくなる。

もしそうしようとすると、パターンが変わった時に直ち
に侵入が検出される。概して、これらの実施例は、照会
／応答の考えに基いている。即ち、活動状態／非活動状
態の通路のパターンあるいは条件を設定し、応答を感知
し、感知したパターンあるいは条件を最初のステップで
設定したパターンあるいは条件と比較し、これらの条件
あるいはパターンが一致すれば、保護されている情報を
維持する。侵入がなければ、安全保護装置はその応答を
予測することができる、即ち、活動状態の通路は活動状
態として、その逆はその逆として感知されるはずである
。システムの応答が予測応答と異なる時侵入が検出され
る。

電子的に記憶され、そしてそのように使用される情報の
場合、その情報又はその誘導物はこれが記憶される形で
外界と通信することができる必要がある。典型的にはこ
れは一連の導電性ビンなどによって行なわれる。パッケ
ージのビン又は端子を介して行なわれる情報アクセスを
保護することは本発明の範囲外の論理的安全保護を必要
とする。

次に図面を参照して、具体的実施例について説明する。

第１図は上壁２１と下壁２２によって形成された包囲体
２０を示しており、包囲体２０の中には、保護されるべ
き情報を記憶する電子回路を装着したカード又はボンド
１５が設けられている。壁２１２２が平坦であれば、包
囲体２０を完成するためには側壁が必要であるが、壁２
１．２２は平坦である必要はなく、従って側壁は必須で
はない。電子回路はコネクタ１６に結合されており、従
って情報又はその誘導体は外界と通信できる。本発明の
目的は、カード１５に含まれている情報が他のどのよう
な手段によってもアクセス不可能にすることである。電
子回路は、簡単な装置例えば数段のシフト・レジスタ及
び関連論理回路から一層複雑な装置例えばマイクロコン
ピュータ又はメイン・フレーム・コンピュータに至るま
で種々の複雑度の回路形態を取ることができる。

本発明の最終目標の１つは、カード１５を包囲体２０か
ら取出して、このカードの記憶情報に対してアクセスす
ることができないようにすることである。即ち、カード
を包囲体２０から物理的に取出すことは可能かも知れな
いが、カードを包囲体２０から取出した時は、カードの
中には、侵入者が求めようとした情報が、少なくとも使
用可能な形では、含まれていないようにする。

本発明の一実施例によると、包囲体２０は包囲体２０の
体債の大部分を満たすか又は少なくともこれを実質的に
取囲むように複雑な通路をたどる１つ以上の導体を含む
。包囲体２０の体積内の導体は感知手段として用いられ
る。導体の密度を十分に高くし、導体自体を十分に脆弱
にすることにより、体積内への何らかの物体の侵入は導
体間の短絡又は導体の開放を生じることになる。導体は
比較的脆弱であるのが好ましいが、侵入がない時に装置
の完全性を保証ため、導体を支持するための手段が設け
られる。支持材は侵入時の開放又は短絡発生の可能性を
高め且つ侵入がない時は完全性を維持するように選択さ
れる。加えて、本発明の最終目標の１つは、感知手段の
特性と似た特性を有する電子装置を作って、こめ装置を
感知手段のある領域と置換し、置換した感知手段の領域
を除去してその下側の回路にアクセスし、その中に含ま
れる情報を取出したりコピーしたり又は変更したりしよ
うとする試みを防止することである。

安価な実施例の場合、包囲体体積はエポキシ・ガラスで
よい上側カード２１及び下側カード２２によって包囲さ
れる。エポキシ・ガラス・カード２１．２２は内側表面
（カード１５の側の表面）に（標準のエツチング・プロ
セスによって形成された）微細な導電線のパターンを有
する。カード２１．２２間の満たされていないスペース
は次に黒色のシリコーン充填材（又は他の同様の材料）
で満たされる。カード２１．２２の外表面には、保護さ
れるべきカード及びカード内面の導線に対してシールド
作用を与える連続した銅（又は他の導電体）の被覆が形
成される。この銅被覆はＸ線を用いた内部構造検査を困
難にする働きも有する。

この感知構成は、保護されるべき情報を含む回路及び情
報の維持を制御する回路を含むカード１５と電気的に相
互接続される。このような電気的接続は、保護カード２
１．２２の内側に配置されカード１５に向けて突出した
複数の金属ビンによって与えることができる。これらの
ビンは製造期間に保護カードのための機械的支持を与え
ると共に、導電線を破壊せずにカードを取出すことがで
きないようにし、そして何らかの保護対策機能を起動す
る物理的安全保護を与える。

第２図は、複数の電子回路１５１〜１５３を支持してい
るボンド又はカード１５を示している。

カード１５０両側にはカード２１．２２が配置され包囲
体を形成している。カード２１．２２はカード１５を実
質的に包囲している。カード２１．２２の外面は銅のよ
うな導電性被覆２１０．２２０を有する。カード２１．
２２の内面には微細な導体パターン２１５．２２５が付
着されている。

導体パターン２１５．２２５とカード１５上の回路を相
互接続するピン２１６．２２６が選択的に配置されてい
る。この実施例において、カード２１．２２上の導体パ
ターンは複雑な通路をたどって設けられており、そして
保護されるべき回路１５１〜１５３を含む体積部分を実
質的に包囲している。

本発明の一実施例では、ＣＭＯＳ　　ＲＡＭチップ（例
えば１５１．１５２など）に対する電力は導体２１５．
２２５のうちの少なくともいくつかによって供給され、
ピン２１６．２２６のうちの少なくともいくつかによっ
てＲＡＭチップに結合される。カード２１．２２あるい
はその上の導体２１５．２２５又はピン２１６．２２６
が物理的に動かされると、ＲＡＭチップ１５１．１５２
などへの電力供給が遮断され、メモリの内容を消滅させ
るか、少なくとも変更する。

本発明のもう１つの実施例によると、プリント回路導体
２１５．２２５及び関連ピン２１６．２２６はメモリ・
チップ１５１．１５２などに電力を供給せず、代わりに
、ＲＡＭチップへの電力供給を制御するのに用いられる
。この実施例では、導体パターン２１５．２２５は感知
電流を通されるか又は通されないいくつかの隔離された
通路に分割される。これらの通路のすべてが一度に使わ
れる必要はなく、実際に使用される通路パターンは、こ
の目的でつくられそして例えばカード１５上に支持され
る回路によって動的に選択できる。

この回路の例は第３図に示されている。もし実際に電流
を運ぶ感知電流供給回路のパターンが電力制御回路（第
３図の選択回路及び分配回路）によって設定されたパタ
ーンと一致しなければ、回路は電力を遮断し、ＲＡＭチ
ップの記憶内容を破壊する。

第３図に示すように、電池３０１及び／又は他の普通の
電源３０２によりＣＭＯＳ　　ＲＡＭ１５１および他の
回路１５２へ電力が供給される。

外部電力が供給される場合に、被保護メモリ又は保護回
路の一部でない構成部品の電力ゲート２５２を介して電
力を供給するため、普通の電力感知回路３０３が用いら
れる。これはシステムを使用するためにシステムをオン
にする場合に相当する。

ＣＭＯＳ　　ＲＡＭ１５１は電力ゲート２５１を有し、
これはある状態の時に関連ＣＭＯ３ＲＡＭ１５１へ電力
を供給する。電力ゲート２５１が動作する条件について
は、次に説明する。

分配回路３０４は感知線３０４−１〜３０４−Ｎを選択
的に付替する。これらの感知線の異なるものは異なるパ
ターンの導線２１５．２２５及び関連ビン２１６．２２
６によって形成される。すべての感知線を同時に付勢で
きるが、分配回路によれば一部の感知線のみを付勢する
ことができる。

付勢される感知線は時間の関数として変化する。

分配回路３０４は、複数の感知線のうちのどれを任意の
時間に実際に付勢するかを決める選択回路３０５によっ
て制御される。選択回路３０５は様々な形で実施できる
。選択回路は、時間の関数として又は選択回路が応答す
ることができる他の任意のパラメータの関数として、付
勢される感知線の選択を動的に変えることができる。比
較回路３０６は２組の入力を受取る。１つの人力は選択
回路３０５の出力から得られ、これは付勢される分配回
路の感知線パターンを識別する。各感知線３０４−１〜
３０４−ＮはＲ１〜ＲＮのような感知抵抗を含み、特定
の感知線に電流が流れた時、関連する抵抗に電圧を発生
する。電流が流れない感知線では勿論電圧は発生しない
。比較回路３０６はもう１つの入力として各感知抵抗か
らの人力を受取る。比較回路３０６は、電流を流してい
るべきであると識別された感知線（選択回路３０５から
誘導された情報）と実際に電流を流している感知線（抵
抗で感知される電圧よって得られる情報）とを比較する
。２つのパターンが一致する時にのみ電力ゲート２５１
は電力をＲＡＭＩ　５１へ供給する。このように比較回
路３０６は、電流を流すべきすべての感知線が電流を流
しており（従って、例えば侵入によって導体パターンに
開放回路がつくられていないことを保証し）、また電流
を流すべきでない感知線が電流を流していないこと（侵
人の結果、電流を流すべき、感知線と電流を流すべきで
ない感知線との間に短絡が生じたり、又は侵入者が故意
に橋絡したりしていないこと）を判定することができる
。２つのパターンが一致しない時電力ゲート２５１はＲ
ＡＭ１５１への電力供給を遮断する。また、不一致時に
起動回路１５３を付勢して電源回路の遮断あるいは記憶
の消去又は電子回路の破壊を開始することができる。

第３図の装置は付勢される電流通路感知パターンと付勢
されない電流通路感知パターンを動的に変える選択回路
３０５を含むものとしているが、選択回路３０５が動的
でなく、時間に関して静止しているような不正操作防止
パッケージを提供することも本発明の範囲に含まれる。

より簡単な実施例では、個々のパッケージが異なる選択
回路３０５を持つことができる。従って、第１のパッケ
ージでは、第１の選択回路３０５が第１のパターンの付
勢／減勢通路を持ち、第２のパッケージでは、第２の選
択回路３０５が異なる第２のパターンの付勢／減勢通路
を持つようにすることができる。任意のパッケージでは
付勢される通路と付勢されない通路のパターンは一定で
あるが、あるパッケージに侵入しようとした時に得た情
報を使って別のパッケージに侵入することはできない。

同じ電流通路パターンを有するパッケージが何千とあっ
たとしても、通路パターンは種々に変えることができる
から、この方法でも十分な不正防止効果を得ることがで
きる。

一層簡単な実施例は、選択回路３０５を静的にし且つ、
すべてのパッケージに同じ電流通路パターンを持たせる
ものである。

第４図及第５図は、分配及び感知のための代替構成を示
している。第４図は１対のスイッチ・バンク４２０．４
４０により、感知線４６２．４６４．４６６．４６８の
位置を制御する回路を示している。スイッチ・バンク内
のスイッチ４２２〜４２８．４４２〜４４８の位置は選
択発生器４８０によって制御される。実際の例では、ス
イッチはＣＭＯＳアナログ・ゲートのような電子装置で
あり、選択発生器はスイッチ位置を制御するすべての選
択が有効な感知パターンを与えるように設計される。こ
れはすべての有用な感知パターンを記録するか又はアル
ゴリズムで発生することによって行なうことができる。

いずれの場合でもこのような発生方法はディジタル設計
の熟練者には明らかなことである。感知線を効果的なパ
ターンで接続した場合は、完全な回路が形成され、電流
源４１０からの電流が内部ジャンパ４１２、負荷抵抗４
１４及び電流検出器４１６を介して流れる。

実際の例では４本よりも多数の感知線を使用するこがで
きることは勿論である。また、感知線の長さは情報を含
む回路及び関連回路を包囲するスペースを不正操作検出
部４６０で実質的に満たしうるように選ばれることも理
解されよう。更に、種々の回路要素（電流源４１０、ジ
ャンパ４１２、負荷４１４、電流検出器４１６）は、任
意の使用可能な信号源、検出器を含む様々な整合性のあ
る構成要素で置変することができる。

第５Ａ図〜第５Ｃ図は不正操作検出部４６０のある大き
な部分を、これと同じ電気特性を有する回路で置換する
ことによってこの部分を取外そうとする侵入の際に起り
うる状態を示している。第５Ａ図の不正操作検出部４６
０は第４図と同じく構成されている。侵入者は導線を封
入している充填材を注意深く除去して、離れた点ＡＳＢ
、Ｃ１Ｄを露出させたものとしている。普通の電子技術
によれば、これらの４つの点を含む回路部分を適当な値
の外部抵抗５５で置換しうることがわかる。

侵入者は電流検出器４１６で検出できないような短い時
間で第５Ｂ図のように抵抗を置換するかも知れない。図
示の電流検出器は、後述するように、長い放電時定数を
有する普通の設計の１トランジスタ・インバータよりな
り、従ってスイッチ・バンクの状態変化の際の一時的電
流不在が侵入として誤解釈されて、これにより被保護情
報が消去されることはない。第５Ｃ図はスイッチ・バン
ク４２０．４４０が状態変化（任意の時間に起りうる）
した後の回路構成を示している。この新しい構成では、
外部抵抗５５は取外された検出器領域に対する有効な置
換手段として機能せず、従って電流検出器の電流不在に
よって侵入が検出され、これは出力線６３の状態変化に
よって示される。

このような置換による侵入を検出する本発明は、侵入者
に対し、時間がかかり、骨が折れ、万が−の失敗も許さ
れない厄介な作業を強いるという効果があり、しかもこ
のような侵入の試みは、不正操作検出器を適正に構成す
るか又は置換により生じる個々の線の電気的特性の累積
的変化を検出できる普通の測定装置と共に本発明のシス
テムを使用することにより防止することができる。

電流検出器４１６において、キャパシタ５９が充電され
た後にキャパシタの両端に現れる定常状態電位は抵抗５
７及び４１４によって形成される分圧器、電流源４１０
の電位、並びにトランジスタ６１のエミッタ・ベース接
合によって設定される。この回路で用いられる構成要素
の値は、この電位が、トランジスタ６１のエミッタ・ベ
ース接合を介して電流を流しトランジスタ６１を強く導
通させるのに十分になるように選ばれる。電流検出器の
電圧を分割する機能に加えて、抵抗５７は、トランジス
タ６１のエミッタ・ベース接合、キャパシタ５９及び抵
抗５７よりなるＲＣ回路の放電時定数が十分に長くなり
、そしてスイッチ・バンク４２０．４４０による回路の
再構成の際に電流検出器４１６が残りの回路から短時間
切り離される時でもトランジスタ６１が強く導通し続け
るように選択される。トランジスタ６１が強く導通した
状態にある結果として、コレクタに接続された状態出力
端子６３の電位は大地電位に近ずく。この回路を普通の
ＴＴＬ論理回路に接続すれば、出力端子の状態は、論理
回路により論理レベル“０”として解釈される。この状
態出力を用いる回路はこのレベルを、無不正操作状態を
示すものとして解釈する。第５Ｃ図のように、回路の流
れる電流がスイッチング時間よりも長い間遮断されると
、キャパシタ５９の放電のため、トランジスタ６１を導
通状態に保つのに必要な電流を供給できなくなる。これ
が生じると、状態出力６３は大地電位から離れる。この
状態変化は、普通のＴＴＬ回路により論理レベル“１”
として解釈され、不正操作の検出を表わす。この回路は
過電圧状態の検出又は回路抵抗変化の検出のような他の
検出技術を含むように容易に変更できる。この回路はこ
のようなシステムの動作原理を例示するためのものにす
ぎない。

カードの側面からプローグを挿入してカードの安全保護
を破ろうとしても、充填材３０を通して正確にプローグ
を差し込むのが難しいこと並びにその通路の長さ及び狭
さの点で厳しい制限があることから見て、そのようにす
るのは非常に難しい。

代替的には、通路部分を何らかの感知手段で覆うことも
できる。Ｘ線又は音波のような案内補助手段を用いた位
置付けをするのは不可能である。というのは、ＲＡＭは
Ｘ線に敏感であり、またシリコーンを通して音波像をつ
くるのは難しいからである。

テクスチャ構造の表面に導電線を配置することにより、
機械的シリング又はプラズマ・エツチングが困難になる
。即ち、単一の電流通路の異なる部分が異なる水平区分
に存在するようにランダムに高さを変えて導線を配置す
ることにより、侵入者は機械的シリング又はプラズマ・
エツチングを利用できなくなる。

電気的には同じ機能でも異なった導体配置構造を有する
い（つかの設計を用いれば、あるカードを分解すること
によって得られる知識が他のカードに対してはあまり役
立たないことになるから、相当の侵入防止効果が得られ
る。

第２図及び第３図の実施例を光学系で実施する場合、電
源は光源で置換され、感知線２１５．２２５は自由光路
で置換され、分配機能は光走査で置換され、抵抗Ｒ１〜
ＲＮは感光性装置で置換される。侵入の検出は、侵入に
より光路が遮断されて特定の感光性装置で光エネルギが
受信されなくなることによって又は、侵入により別の感
光性装置に光エネルギ（例えば侵入物体による反射光）
が与えられることによって行なわれる。

光エネルギに対して自由空間伝搬路を与えるためには、
不透明な充填材を除去するか又は光チャンネルを形成す
る必要がある。自由な又はガイド付きの光伝搬の場合は
夫々が付属の感光性ダイオードを有する複数の光路を単
一の光源（例えばレーザ・ダイオード）で駆動すること
ができる。付勢される光路／付勢されない光路は光源と
選択された通路との間の連絡を制御することにより、又
は光源を再方向づけすることにより選択できる。

代替的には、複数の光源を選択的に付勢／減勢できる。

Ｆ１発明の効果 本発明によれば、情報記憶領域を取囲む包囲体の破壊又
は異物の侵入を確実に検出して情報を破壊することがで
きるから、電子装置を破壊して情報記憶部を取出そうと
したりプローブなどにより情報を不正入手しようとした
りする物理的な侵入行為から記憶情報を保護することが
できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明によるパッケージを示す図である。 第２図は、第１図のパッケージの断面図である。 第３図は、本発明の実施例の回路図である。 第４図は、分配及び感知システムの別の構成例を示した
図である。 第５Ａ図、第５Ｂ図及び第５Ｃ図は、侵入時に起りうる
状態を例示した図である。 出願人　　インターナショナル・ビジネス・マシーンズ
・コーポレーション 代理人　　弁理士　　山　　本　　仁　　朗（外１名） ＦＩＧ、１ ＦＩＧ、２ ＦＩＧ、５Ａ

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）（ａ）保護されるべき情報記憶領域を実質的に取
   囲む包囲体と、 （ｂ）上記包囲体の破壊又は上記領域への侵入などによ
   って状態変化を生じる感知パターンを上記包囲体の中に
   形成するための手段と、 （ｃ）上記感知パターンに応答し、予定の感知パターン
   が得られるかを感知するための手段と、（ｄ）上記感知
   手段に応答し、予定の感知パターンが得られなかった時
   に上記記憶情報を破壊するための手段と、 を有する記憶情報保護装置。
2. （２）上記感知パターン形成手段は上記感知パターンを
   複数の感知パターンの１つに変化させるための手段を有
   し、上記感知手段はこの変化された感知パターンに対応
   する感知パターンが得られるかを検出することを特徴と
   する記憶情報保護装置。