JPS63114164A - Photoelectric transducer - Google Patents
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、画ａ読み取り等に用いられる長尺の光電変換
装置に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Field of the Invention The present invention relates to a long photoelectric conversion device used for image reading, etc.
従来の技術
近年、縮小光学系を用いることなく画像情報を読み取る
ための光電変換装置としては、長尺化した薄膜光電変換
素子アレイが用いられるようになっている。2. Description of the Related Art In recent years, elongated thin film photoelectric conversion element arrays have been used as photoelectric conversion devices for reading image information without using a reduction optical system.
この薄膜光電変換素子アレイのセンサ部の構造の代表的
なものとしては、いわゆる、サンドイッチ型と称される
ものとプレーナ型と称されるものとが存する。前者のサ
ンドイッチ型の光電変換素子は、光導電体として非晶質
シリコン（アモルファスシリコンａ−８Ｌ）を用い、こ
の非晶質シリコンを透明電極と金属電極とにより挟んだ
構造のものである。また、後者のプレーナ型の光電変換
素子は、絶縁性基板上に光導電材料を成膜し、その上に
絶縁性基板と平面状に対向する対向電極をアレイ状に形
成した構造のものである。Typical structures of the sensor portion of this thin film photoelectric conversion element array include a so-called sandwich type and a planar type. The former sandwich-type photoelectric conversion element uses amorphous silicon (amorphous silicon a-8L) as a photoconductor, and has a structure in which the amorphous silicon is sandwiched between a transparent electrode and a metal electrode. The latter planar type photoelectric conversion element has a structure in which a photoconductive material is deposited on an insulating substrate, and counter electrodes are formed in an array on top of the photoconductive material to face the insulating substrate in a planar manner. .
しかして、このようなセンサ部の他に、各センサ部をス
イッチングするためにＩＣあるいは薄膜トランジスタが
用いられ、全体として光な変換装置が構成されている。In addition to such sensor sections, ICs or thin film transistors are used to switch each sensor section, and the optical conversion device is constructed as a whole.
また、従来、このＩＣあるいは薄膜トランジスタを前述
のセンサ部に隣接させて形成したような構造のものも存
する。その−例として、特開昭６１−８９６６１号公報
に記載された構造のものが存する。このような構造のも
のを第１３図に基づいて説明する。ガラス基板等の絶縁
基板５０上に、薄膜トランジスタＴＰＴとショットキー
ダイオードＤとが隣接して膜状に形成されている。それ
らの形成方法を次に説明する。Furthermore, conventionally, there is a structure in which this IC or thin film transistor is formed adjacent to the above-mentioned sensor section. As an example, there is a structure described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 61-89661. Such a structure will be explained based on FIG. 13. A thin film transistor TPT and a Schottky diode D are formed adjacent to each other in a film shape on an insulating substrate 50 such as a glass substrate. The method for forming them will be explained next.
まず、絶縁基板５０上にゲート電極５１を形成し、続い
てゲート絶縁膜５２、ａ−Ｓｉ膜５３、チャンネル部保
護のための絶縁膜５４をグロー放電分解法により連続成
膜する。その後、絶縁膜５４をチャンネル部の部分を残
してエツチングする。続いて、ｎ” ａ−Ｓｉ膜５５を
成膜する。その後、電極材を全面蒸着してからフォトリ
ソグラフィーによりソースドレイン電極５６ａ、５６ｂ
を形成する。First, a gate electrode 51 is formed on an insulating substrate 50, and then a gate insulating film 52, an a-Si film 53, and an insulating film 54 for protecting the channel portion are successively formed by a glow discharge decomposition method. Thereafter, the insulating film 54 is etched leaving only the channel portion. Subsequently, an n" a-Si film 55 is formed. After that, an electrode material is deposited on the entire surface, and then source and drain electrodes 56a and 56b are formed by photolithography.
form.
さらに、薄膜トランジスタＴＰＴ保護のためのＳｉＯ□
膜を成膜後パターン形成して保護膜５７とする。Furthermore, SiO□ for thin film transistor TPT protection
After the film is formed, a pattern is formed to form a protective film 57.
こうして、薄膜トランジスタＴＰＴが形成される。In this way, the thin film transistor TPT is formed.
そして、薄膜トランジスタＴＰＴを形成した後、ショッ
トキーダイオードＤを形成する。すなわち。After forming the thin film transistor TPT, the Schottky diode D is formed. Namely.
薄膜トランジスタＴＰＴに隣接させて透明電極５８を成
膜する。そして、この透明電極５８の一部に重なるよう
にａ−３Ｌ薄膜５９を形成してパターニングを行なうこ
とにより、ショットキーダイオードＤが形成される。最
後に、薄膜１−ランジスタＴＦＴのドレイン電１５６ａ
とショットキーダイオードＤの透明電極５８とが結線さ
れるように、電極材６０を薄膜形成する。A transparent electrode 58 is formed adjacent to the thin film transistor TPT. Then, a Schottky diode D is formed by forming and patterning an a-3L thin film 59 so as to partially overlap this transparent electrode 58. Finally, the drain voltage 156a of the thin film 1-transistor TFT
The electrode material 60 is formed into a thin film so that the transparent electrode 58 of the Schottky diode D is connected to the transparent electrode 58 of the Schottky diode D.
発明が解決しようとする問題点
しかして、薄膜トランジスタＴＰＴとショットキーダイ
オードＤとはその成膜構成が異なる。このため、薄膜ト
ランジスタＴＰＴとショットキーダイオードＤとは別個
に形成しなければならず、全体の製造工程が複雑化して
しまうという欠点を有する。Problems to be Solved by the Invention However, the thin film transistor TPT and the Schottky diode D differ in their film formation configurations. For this reason, the thin film transistor TPT and the Schottky diode D must be formed separately, which has the drawback of complicating the entire manufacturing process.
そこで、製造工程を少しでも簡略化し得るような光電変
換装置として、次のような工程の基に製造される構造の
ものが考えられる。第１４図及び第１５図に基づいて説
明する。まず、絶縁性基板１の上にＣｒ 、 Ｔ ｉ
、 Ｍ ｏ等の金属を蒸着あるいはスパッタリング等に
より成膜した後、フォトリングラフ法によりゲート電極
２を形成する。その後、マスクプラズマＣＶＤ、マスク
スパッタリング等によりａ−Ｓｉによる光導電膜３をセ
ンサ部Ａのみに成膜する。そして、前述のゲート電極２
が形成された薄膜トランジスタ部Ｂにおいては、そのゲ
ート電極２の上にＳｉＯｘ、ＳｉＮｘ等によるゲート絶
縁膜４とａ−５Ｌ膜５とｎ”ａ−Ｓｉｌｉ１６とをＰ−
ＣＶＤ法により成膜する。ついで、センサ部Ａと薄膜ト
ランジスタＢとにＣｒ、Ｔｉ、Ｍｏ等を蒸着、スパッタ
リング等により成膜し、フォトリソグラフ法によりセン
サ部Ａの対向電極７と薄膜トランジスタ部Ｂのソース電
極８及びドレイン電極９とを形成する。Therefore, as a photoelectric conversion device that can simplify the manufacturing process even a little, it is possible to consider a photoelectric conversion device that is manufactured based on the following process. This will be explained based on FIG. 14 and FIG. 15. First, Cr and Ti are deposited on the insulating substrate 1.
, Mo, or the like is formed into a film by vapor deposition or sputtering, and then the gate electrode 2 is formed by a photophosphorographic method. Thereafter, a photoconductive film 3 made of a-Si is formed only on the sensor portion A by mask plasma CVD, mask sputtering, or the like. Then, the aforementioned gate electrode 2
In the thin film transistor section B in which the gate electrode 2 is formed, a gate insulating film 4 made of SiOx, SiNx, etc., an a-5L film 5, and an n''a-Silicon film 16 are formed on the gate electrode 2.
The film is formed by CVD method. Next, Cr, Ti, Mo, etc. are formed on the sensor part A and the thin film transistor B by vapor deposition, sputtering, etc., and the counter electrode 7 of the sensor part A and the source electrode 8 and drain electrode 9 of the thin film transistor part B are formed by photolithography. form.
なお、製造時においては、センサ部Ａの成膜と薄膜トラ
ンジスタ部Ｂの成膜との成膜順序はどちらでもよい。Note that during manufacturing, the film formation order of the film formation of the sensor part A and the film formation of the thin film transistor part B may be either.
このような構造のものは、第１３図に示した従来のもの
に比べ、センサ部Ａにおいても薄膜トランジスタ部Ｂに
おいても成膜構成が単純であり、その分、製造が容易で
あるといえる。しかしながら、センサ部Ａと薄膜トラン
ジスタ部Ｂとの成膜構成が異なる、という点では第１３
図に示した構造のものと違いはない。したがって、セン
サ部Ａと薄膜トランジスタ部Ｂとを別個に形成するため
に全体の製造工程が複雑化してしまうという欠点を根本
的に解決するものではない。また、センサ部Ａと薄膜ト
ランジスタ部Ｂとは別々にマスクＣＶＤ法等で成膜され
るものであるが、長尺状のものになるとマスクが極めて
細長い形状になるため、そのマスクが歪んだりしてはみ
出し等の問題が生じる。In this type of structure, compared to the conventional one shown in FIG. 13, the film formation structure is simpler in both the sensor part A and the thin film transistor part B, and it can be said that it is easier to manufacture. However, the 13th point is that the film formation structure of the sensor part A and the thin film transistor part B is different.
There is no difference in the structure shown in the figure. Therefore, it does not fundamentally solve the drawback that the entire manufacturing process becomes complicated because the sensor section A and the thin film transistor section B are formed separately. In addition, the sensor part A and the thin film transistor part B are formed separately by a mask CVD method, etc., but if they are long, the mask becomes extremely elongated, so the mask may be distorted. Problems such as protrusion may occur.
問題点を解決するための手段
基板の表面に薄膜トランジスタ部のためのゲート電極を
薄膜技術により形成し、センサ部と薄膜トランジスタ部
とが位置する基板の表面に絶縁膜とａ−Ｓｉ膜とセンサ
部及び薄膜トランジスタ部の電極とをそれぞれ共通に積
層して成膜する。Means for Solving the Problems A gate electrode for a thin film transistor section is formed on the surface of a substrate using thin film technology, and an insulating film, an a-Si film, a sensor section, and a gate electrode are formed on the surface of the substrate where the sensor section and the thin film transistor section are located. The electrodes of the thin film transistor portion are laminated and deposited in common.
作用
薄膜トランジスタ部のゲート電極のみを予め成膜してお
けば、その後は絶縁膜とａ−Ｓｉ膜と電極とを共通に成
膜することができる。これにより、成膜構成が単純化し
、製造が容易になる。また、マスクが不要となる。If only the gate electrode of the active thin film transistor portion is formed in advance, then the insulating film, the a-Si film, and the electrode can be formed in common. This simplifies the film formation configuration and facilitates manufacturing. Also, masks are not required.
実施例
本発明の第一の実施例を第１図及び第２図に基づいて説
明する。まず、基板としての絶縁性基板１０の上にＣｒ
、Ｔｉ、Ｍｏ等の金属を蒸着あるいはスパッタリング等
により成膜した後、フォトリソグラフ法により薄膜トラ
ンジスタ部Ｂのためのゲート電極１１を形成する。その
後に、センサ部Ａと薄膜トランジスタ部Ｂとの全体に渡
ってプラズマＣＶＤ、スパッタリング等によりＳｉＮｘ
、５ｉＯＸ等により絶縁膜１２を共通に成膜し、その上
にａ−Ｓｉ膜１３を成膜する。さらに、このａ−Ｓｉ膜
１３の上に後述する電極とのオーミックコンタクトを良
好にするためにｎ” ａ−Ｓｉ膜１４を成膜する。つい
で、上部電極となるＴｉ、Ｍｏ、Ｃｒ等を成膜し、ｆｌ
ｉ極としての対向電極１５、ソース化Ｖｉ１６及びドレ
イン電極１７を形成し、センサ部Ａと薄膜トランジスタ
部Ｂとにおいてはｎ“ａ−３ｉ膜１４をドライエッチ等
で除去する。Embodiment A first embodiment of the present invention will be explained based on FIGS. 1 and 2. First, on the insulating substrate 10 as a substrate, Cr
After forming a film of metal such as , Ti, or Mo by vapor deposition or sputtering, the gate electrode 11 for the thin film transistor section B is formed by photolithography. After that, the entire sensor part A and thin film transistor part B are coated with SiN
, 5iOX, etc., and an a-Si film 13 is formed thereon. Furthermore, an n'' a-Si film 14 is formed on this a-Si film 13 in order to make good ohmic contact with an electrode to be described later. Next, Ti, Mo, Cr, etc., which will become the upper electrode, are formed. Membrane and fl
A counter electrode 15 as an i-pole, a source Vi 16, and a drain electrode 17 are formed, and in the sensor section A and thin film transistor section B, the n"a-3i film 14 is removed by dry etching or the like.
このような構成において、１回の真空チャンバー内でセ
ンサ部Ａと薄膜トランジンタ部Ｂとを一度に成膜してし
まう点に製法上の特徴を有する。This configuration has a manufacturing method characteristic in that the sensor part A and the thin film transistor part B are formed at the same time in a vacuum chamber.
そして、センサ部Ａには絶縁膜１２が存するが、通常は
この絶縁膜１２の必要はないものである。Although an insulating film 12 exists in the sensor section A, normally this insulating film 12 is not necessary.
しかしながら、下部にＳｉＮｘ等があると光導電特性が
良好になると云う結果も出ているので、別に問題はない
。However, there are results showing that the presence of SiNx or the like at the bottom improves the photoconductive properties, so there is no particular problem.
ただ、センサ部Ａのａ−Ｓｉ膜１３と薄膜トランジスタ
部Ｂのａ−Ｓｉ膜１３とが同じ厚さであるため、そのａ
−３ｉ膜１３の厚さを薄膜トランジスタ部Ｂに適当な厚
さであるように薄くした場合には、センサ部Ａでの感度
が低下すると云う問題が発生する。通常は、薄膜トラン
ジスタ部Ｂの厚さは３０００人であり、センサ部Ａの厚
さは１μである。However, since the a-Si film 13 of the sensor section A and the a-Si film 13 of the thin film transistor section B have the same thickness,
If the thickness of the -3i film 13 is made thin enough to be suitable for the thin film transistor section B, a problem arises in that the sensitivity in the sensor section A is reduced. Normally, the thickness of the thin film transistor section B is 3000 mm, and the thickness of the sensor section A is 1 .mu.m.
そのため、薄膜トランジスタ部Ｂの厚さを厚くする方向
に設定し、その薄膜トランジスタ部Ｂのスピード、オン
・オフ比、オン電圧等の性能とセンサ部Ａの感度との両
者が相対的に最適になるように設定する。具体的には、
ａ−Ｓｉ膜１３の膜厚を０．６μ以上に形成する。Therefore, the thickness of the thin film transistor part B is set to be thicker, so that both the performance of the thin film transistor part B, such as speed, on-off ratio, and on voltage, and the sensitivity of the sensor part A are relatively optimized. Set to . in particular,
The a-Si film 13 is formed to have a thickness of 0.6 μm or more.
このようなａ−Ｓｉ膜１３の膜厚は０．６μ以上という
数値の根拠を第３図及び第４図に示す実測値のグラフに
基づいて説明する。第３図のグラフは、バイアス５ｖで
３０１ｘ時におけるａ−Ｓｉ膜１３の膜厚とセンサ部Ａ
における光電流との関係を示すグラフである。ｒ Ｐｈ
ｏｔｏ Ｊは光照射時、ｒＤａｒｋＪは非光照射時であ
る。このグラフより明らかなように、ｒ Ｐｈｏｔｏ
Ｊ時においては、膜厚が０．６μの時に光電流６０ｎＡ
という一応の値が得られる。これに対し、膜厚がそれ以
下になると充分な光電流が得られない。したがって、上
述した条件の基では、センサ部Ａのために要するａ−Ｓ
ｉｌＥ＆１３の膜厚は０．６μ以上必要であることが判
る。一方、薄膜トランジスタ部Ｂについては、グラフと
しては示さないが、Ｉｎ−Ｖｃ特性がａ−５ｉ膜１３の
膜厚にあまり影響を受けないことが判っている。例えば
、ａ−３ｉ膜１３の膜厚が３５００人がら１００００人
の間でＩｏ−Ｖｃ特性はほとんど変化がない。The basis for the numerical value that the thickness of the a-Si film 13 is 0.6 μm or more will be explained based on graphs of actual measured values shown in FIGS. 3 and 4. The graph in Figure 3 shows the film thickness of the a-Si film 13 and the sensor part A at 301x with a bias of 5V.
It is a graph showing the relationship between photocurrent and photocurrent. r Ph
oto J is during light irradiation, and rDarkJ is during non-light irradiation. As is clear from this graph, r Photo
At J time, the photocurrent is 60nA when the film thickness is 0.6μ.
A certain value is obtained. On the other hand, if the film thickness is less than this, sufficient photocurrent cannot be obtained. Therefore, under the above conditions, the a-S required for sensor part A is
It can be seen that the film thickness of ilE&13 is required to be 0.6μ or more. On the other hand, regarding the thin film transistor section B, although not shown as a graph, it is known that the In-Vc characteristics are not affected much by the thickness of the a-5i film 13. For example, the Io-Vc characteristics hardly change when the thickness of the a-3i film 13 is between 3,500 and 10,000.
また、第４図のグラフには、薄膜トランジスタ部Ｂにお
ける閾値電圧とａ−５ｉ膜１３の膜厚との関係を示す。Further, the graph in FIG. 4 shows the relationship between the threshold voltage in the thin film transistor section B and the thickness of the a-5i film 13.
このグラフより明らかなように、ａ−３ｉ［１３（７）
膜厚が３５００人から１００００人にわたって、閾値電
圧に大きな変化はない。すなわち、Ｉｎ−ＶＧ特性にし
ても閾値電圧にしても、ａ−３Ｌ膜１３の膜厚により受
ける影響は微少である。したがって、ａ−３ｉ膜１３の
膜厚を設定するには、センサ部Ａへの適合性を優先し、
上述した０、６μ以上という値が適当である。As is clear from this graph, a-3i[13(7)
There is no significant change in the threshold voltage when the film thickness ranges from 3,500 to 10,000. That is, the influence of the thickness of the a-3L film 13 on both the In-VG characteristics and the threshold voltage is minimal. Therefore, in setting the film thickness of the a-3i film 13, priority is given to compatibility with the sensor part A,
The above-mentioned value of 0.6μ or more is appropriate.
つぎに、第５図及び第６図に基づいて本発明の第二の実
施例を説明する。第一の実施例と同一部分は同一符号で
示し説明も省略する（以下同様）。Next, a second embodiment of the present invention will be described based on FIGS. 5 and 6. The same parts as in the first embodiment are denoted by the same reference numerals and explanations are omitted (the same applies hereinafter).
本実施例は、センサが高解像度になるに従って間−題に
なる回り込み電流の障害を解消したものである。すなわ
ち、ａ−５ｉ膜１３とｎ” ａ−Ｓｉ膜１４とをセンサ
部Ａと薄膜トランジスタ部Ｂとがそれぞれ必要とすると
ころ以外はドライエツチング等で除去した除去部１８を
形成した。This embodiment eliminates the problem of bypass current, which becomes a problem as the resolution of sensors becomes higher. That is, a removed portion 18 was formed in which the a-5i film 13 and the n'' a-Si film 14 were removed by dry etching or the like except for the portions required by the sensor section A and the thin film transistor section B, respectively.
さらに、第７図及び第８図に基づいて本発明の第三の実
施例を説明する。本実施例は、センサ部Ａに反射膜１９
を形成したものである。すなわち。Furthermore, a third embodiment of the present invention will be described based on FIGS. 7 and 8. In this embodiment, a reflective film 19 is provided on the sensor section A.
was formed. Namely.
センサ部Ａにおける絶縁基板１０の表面に反射膜１９を
形成したものであり、この反射膜１９による反射光をも
利用することができるため、センサ部Ａの感度を上げる
ことができる。A reflective film 19 is formed on the surface of the insulating substrate 10 in the sensor section A, and since the light reflected by the reflective film 19 can also be utilized, the sensitivity of the sensor section A can be increased.
ついで、本発明の第四の実施例を第９図（ａ）〜（ｄ）
ないし第１２図に基づいて説明する６本実施例は、リー
ドパターン２０をも絶縁性基板１０上に薄膜形成したも
のである。その製造過程を第９図（ａ）〜（ｄ）に示す
。まず、絶縁性基板１０の上にＣｒ、Ｔｉ、Ｍｏ等の金
属を蒸着あるいはスパッタリング等により成膜した後、
これをフォトエツチングしてゲート電極１１とリードパ
ターン２０とを形成する。このリードパターン２０は、
ゲート配線パターン２０ａとマトリックス下部配線パタ
ーン２０ｂとよりなる。続いて、その絶縁性基板１０上
に絶縁膜１２とａ−ＳｉｌｌＪ１３とを順に成膜し、所
定のパターンにエツチングする。すなわち、絶縁膜１２
は、所定のリードパターン２０にのみ連絡するようにエ
ツチングされ、ａ−８Ｌ膜１３はセンサ部Ａ及び薄膜ト
ランジスタ部Ｂの部分のみが残るようにエツチングされ
る。続いて、上部電極２１となるＴｉ、Ｍｏ、Ｃｒ等が
成膜され、これが所定のパターンにエツチングされるこ
とにより、電極としての対向電極１５、ソース電極１６
及びドレイン電極１７が形成される。第１０図には完成
後の平面図を、第１１図には第１０図におけるＸ−Ｘ線
断面図をそれぞれ示す。Next, a fourth embodiment of the present invention is shown in FIGS. 9(a) to 9(d).
In the six embodiments explained based on FIGS. 12 to 12, the lead pattern 20 is also formed as a thin film on the insulating substrate 10. The manufacturing process is shown in FIGS. 9(a) to 9(d). First, after forming a film of metal such as Cr, Ti, Mo, etc. on the insulating substrate 10 by vapor deposition or sputtering,
This is photo-etched to form a gate electrode 11 and a lead pattern 20. This lead pattern 20 is
It consists of a gate wiring pattern 20a and a matrix lower wiring pattern 20b. Subsequently, an insulating film 12 and an a-SillJ 13 are sequentially formed on the insulating substrate 10 and etched into a predetermined pattern. That is, the insulating film 12
The a-8L film 13 is etched so that only the sensor portion A and the thin film transistor portion B remain. Subsequently, a film of Ti, Mo, Cr, etc., which will become the upper electrode 21, is formed and etched into a predetermined pattern, thereby forming the counter electrode 15 and the source electrode 16 as electrodes.
and a drain electrode 17 are formed. FIG. 10 shows a plan view after completion, and FIG. 11 shows a sectional view taken along the line X--X in FIG. 10.
ついで、このようにして形成されたものの回路図を第１
２図に示す。一端がセンサ部Ａの対向電極１５と連絡す
るマトリックス下部配線パターン２０ｂの他端は、走査
駆動回路２２を介して電源２３に接続されている。また
、一端が薄膜トランジスタ部Ｂに接続されたゲート配線
パターン２０ａの他端は、トランジスタ駆動ＩＣ２４に
接続されている。Next, the circuit diagram of the product formed in this way is shown in the first
Shown in Figure 2. The other end of the matrix lower wiring pattern 20b, one end of which communicates with the counter electrode 15 of the sensor section A, is connected to a power source 23 via a scanning drive circuit 22. Further, one end of the gate wiring pattern 20a is connected to the thin film transistor section B, and the other end of the gate wiring pattern 20a is connected to the transistor driving IC 24.
このように、本実施例では、リードパターン２０は予め
絶縁性基板１０上に薄膜形成されるため、微少なリード
パターン２０の形成も容易に実現する。In this manner, in this embodiment, the lead pattern 20 is formed as a thin film on the insulating substrate 10 in advance, so that formation of the minute lead pattern 20 can be easily realized.
発明の効果
本発明は、上述のようにセンサ部とスイッチング用の薄
膜トランジスタ部とを同一基板に形成した光電変換装置
において、基板の表面に薄膜トランジスタ部のためのゲ
ート電極を薄膜技術により形成した上で、絶縁膜とａ−
８Ｌ膜と電極とを絶縁基板のセンサ部と薄膜トランジス
タ部とに渡って共通に積層形成するようにしたので、−
度の真空チャンバー内でセンサ部と薄膜トランジスタ部
とを形成することができ、また、マスクが不要となるた
めそのはみ出しの問題がなくなる等の効果を有する。Effects of the Invention The present invention provides a photoelectric conversion device in which a sensor section and a switching thin film transistor section are formed on the same substrate as described above, in which a gate electrode for the thin film transistor section is formed on the surface of the substrate by thin film technology. , insulating film and a-
Since the 8L film and the electrode are commonly laminated across the sensor section and thin film transistor section of the insulating substrate, -
The sensor section and the thin film transistor section can be formed in a vacuum chamber at a temperature of 100 nm, and since a mask is not required, the problem of protrusion of the sensor section and the thin film transistor section can be eliminated.
第１図は本発明の第一の実施例を示す縦断側面図、第２
図はその平面図、第３図はａ−Ｓｉ膜の膜厚とセンサ部
における光電流との関係を示すグラフ、第４図はａ−５
ｉ膜の膜厚と薄膜トランジスタ部における閾値電圧との
関係を示すグラフ、第５図は本発明の第二の実施例を示
す縦断側面図、第６図はその平面図、第７図は本発明の
第三の実施例を示す縦断側面図、第８図はその平面図、
第９図（ａ）〜（ｄ）は本発明の第四の実施例を示すも
ので光電変換装置の製造過程を示す縦断側面図、第１０
図はその平面図、第１１図は第１０図におけるｘ−ｘｉ
断面図、第１２図はその電気回路図、第１３図は従来の
一例を示す縦断側面図、第１４図は従来の技術の問題点
を解決するものとして提案された構造のものの一例を示
す縦断側面図、第１５図はその平面図である。
１１・・・下部電極、１２・・・絶縁膜、１３・・・ａ
−Ｓｉ膜、１５・・・対向電極（電極）、１６・・・ソ
ース電極（電極）、１７・・・ドレイン電極（電極）、
Ａ・・・センサ部、Ｂ・・・薄膜トランジスタ部
、％ 胃 図
、、Ｊ３５ 図
Ｊ５６ 図
Ｊ γソ
、￥５０図
Ｕ ｑ 口
、％、Ｉル図
Ｊ３北図
手続補正杏伯躬
昭和６２年 ６月１０日
特許庁長官 黒田明雄 殿 シト１、事件の
表示
特願昭６２−１１９３４９号
２、発明の名称
光電変換装置
４、代 理 人
〒１０７
な し
６、補正の対象
図 面
７、補正の内容
６２．５．ｉｔFIG. 1 is a vertical cross-sectional side view showing the first embodiment of the present invention, and the second
The figure is a plan view, Figure 3 is a graph showing the relationship between the thickness of the a-Si film and the photocurrent in the sensor section, and Figure 4 is a-5.
A graph showing the relationship between the film thickness of the i-film and the threshold voltage in the thin film transistor section, FIG. 5 is a longitudinal side view showing the second embodiment of the present invention, FIG. 6 is a plan view thereof, and FIG. 7 is the present invention. FIG. 8 is a plan view of the third embodiment;
9(a) to 9(d) show a fourth embodiment of the present invention, and are longitudinal sectional side views showing the manufacturing process of a photoelectric conversion device;
The figure is a plan view, and Figure 11 is x-xi in Figure 10.
12 is an electric circuit diagram thereof, FIG. 13 is a longitudinal sectional side view showing an example of the conventional technology, and FIG. 14 is a longitudinal sectional view showing an example of a structure proposed to solve the problems of the conventional technology. The side view and FIG. 15 are its plan views. 11... Lower electrode, 12... Insulating film, 13... a
-Si film, 15... counter electrode (electrode), 16... source electrode (electrode), 17... drain electrode (electrode),
A...Sensor section, B...Thin film transistor section, % Stomach Figure,, J35 Figure J56 Figure J γ so, ¥50 Figure U q Mouth, %, I Figure J3 North figure procedural correction An Hakuman 1986 June 10th, Mr. Akio Kuroda, Commissioner of the Japan Patent Office, Title 1, Indication of the case, Patent Application No. 119349/1988 2, Name of the invention, photoelectric conversion device 4, Agent address: 107 N/A 6, Drawing subject to amendment 7, Amendment Contents of 62.5. it
Claims (1)
を同一基板に形成した光電変換装置において、前記基板
の表面に前記薄膜トランジスタ部のためのゲート電極を
薄膜技術により形成し、前記センサ部と前記薄膜トラン
ジスタ部とが位置する前記基板の表面に絶縁膜とａ−Ｓ
ｉ膜と前記センサ部及び前記薄膜トランジスタ部の電極
とをそれぞれ共通に積層して成膜したことを特徴とする
光電変換装置。 ２、ａ−Ｓｉ膜を０．６μ以上の膜厚に形成したことを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光電変換装置。[Claims] 1. In a photoelectric conversion device in which a sensor section and a switching thin film transistor section are formed on the same substrate, a gate electrode for the thin film transistor section is formed on the surface of the substrate by thin film technology, and the sensor section and the switching thin film transistor section are formed on the same substrate. An insulating film and an a-S
A photoelectric conversion device characterized in that an i-film and electrodes of the sensor section and the thin film transistor section are formed by laminating them in common. 2. The photoelectric conversion device according to claim 1, wherein the a-Si film is formed to have a thickness of 0.6 μm or more.
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| EP19870305344 EP0251563A3 (en) | 1986-06-17 | 1987-06-16 | Photoelectric conversion device |
| KR1019870006135A KR910005603B1 (en) | 1986-06-17 | 1987-06-17 | Photo electric converter |
| US07/331,079 US4979007A (en) | 1986-06-17 | 1989-03-28 | Photoelectric conversion device |
| US07/514,263 US4988631A (en) | 1986-06-17 | 1990-04-25 | Method of making a photoelectric conversion device |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61-140628 | 1986-06-17 | ||
| JP14062886 | 1986-06-17 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63114164A true JPS63114164A (en) | 1988-05-19 |
Family
ID=15273116
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62119349A Pending JPS63114164A (en) | 1986-06-17 | 1987-05-15 | Photoelectric transducer |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63114164A (en) |
| KR (1) | KR910005603B1 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005136392A (en) * | 2003-10-06 | 2005-05-26 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Semiconductor device and its manufacturing method |
-
1987
- 1987-05-15 JP JP62119349A patent/JPS63114164A/en active Pending
- 1987-06-17 KR KR1019870006135A patent/KR910005603B1/en not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005136392A (en) * | 2003-10-06 | 2005-05-26 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Semiconductor device and its manufacturing method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR880001151A (en) | 1988-03-31 |
| KR910005603B1 (en) | 1991-07-31 |
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