JPS63106942A - Optical disk - Google Patents

Optical disk

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JPS63106942A
JPS63106942A JP61253211A JP25321186A JPS63106942A JP S63106942 A JPS63106942 A JP S63106942A JP 61253211 A JP61253211 A JP 61253211A JP 25321186 A JP25321186 A JP 25321186A JP S63106942 A JPS63106942 A JP S63106942A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
recording layer
alloy
recording
sputtering
optical
Prior art date
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Pending
Application number
JP61253211A
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Japanese (ja)
Inventor
Katsumi Suzuki
克己 鈴木
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
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  • Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
  • Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)

Abstract

PURPOSE:To improve recording and reproducing characteristics by forming a recording layer by sputtering a target made of an indium-antimony alloy. CONSTITUTION:The recording layer 6 which is held in place between dielectric layers 4 and 8 is disposed on a substrate 2. A protective film 10 is formed on the dielectric layer 8. The recording layer 6 is formed of an In-Sb alloy and is formed on the dielectric layer 4 by sputtering the target made of the In-Sb alloy. The compsn. of the recording layer consisting of the In-Sb alloy can be controlled with high accuracy of + or -0.5% in the case of forming said recording layer by sputtering in the above-mentioned manner. The recording layer 6 consisting of the In-Sb alloy is so formed that the alloy compsn. thereof is maintained in a 35-45atom% In range.

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の目的] (産業上の利用分野) この発明は、レーザビーム等の光ビームの照射により記
録層の光学的特性を可逆的に変化させて情報を記録消去
すると共に、この光学的特性を読み取って情報を再生す
る光ディスクに関する。
[Detailed Description of the Invention] [Objective of the Invention] (Industrial Application Field) This invention records and erases information by reversibly changing the optical characteristics of a recording layer by irradiation with a light beam such as a laser beam. The present invention also relates to an optical disc that reads the optical characteristics and reproduces information.

(従来の技術) 近時、光ディスクが大容量メモリとして注目されており
、1回のみ書き込むことができる光ディスクは文書ファ
イル等で既に実用化されている。
(Prior Art) Optical discs have recently attracted attention as large-capacity memories, and optical discs that can be written only once have already been put into practical use for document files and the like.

一方、消去可能の光ディスクは一部実用化の段階に入っ
ているが、製品における不安定性に問題がある。
On the other hand, some erasable optical discs have entered the stage of practical use, but there are problems with product instability.

つまり、消去可能の光ディスクは、光磁気型と相変化型
とがあるが、このうち、相変化型の光ディスクとしては
、Te SGe及びTeGe等の半導体を記録材料とし
て使用するものがある。これらの半導体は、結晶と非晶
質との2つの状態を取ることができ、この相の状態によ
り光照射時の複素屈折率Nmn−1kが異なる(J、 
orNon−Crystalllnc  5o11d 
 41  (1970) ) o これを利用してレー
ザービームによる熱処理により結晶t じ′− と非晶質との相変化を可逆的にをセさせて光メモリとす
る着想が開示されている( M etallurgic
alT ransactions 2 G41 197
1)  、 T e 、 G e 。
That is, there are two types of erasable optical disks: magneto-optical and phase-change types. Among these, phase-change optical disks include those that use semiconductors such as TeSGe and TeGe as recording materials. These semiconductors can take two states, crystalline and amorphous, and the complex refractive index Nmn-1k upon irradiation with light differs depending on the state of this phase (J,
orNon-Crystallnc 5o11d
41 (1970)) o Utilizing this, an idea has been disclosed to create an optical memory by reversibly causing a phase change between crystalline and amorphous through heat treatment with a laser beam (M etallurgic
alT transactions 2 G41 197
1) , T e , G e .

TeGe等の半導体材料の薄膜は、溶融状態まで加熱し
て高速で冷却すると非晶質になり、低温に加熱して徐冷
すると結晶質になる性質を有する。
A thin film of a semiconductor material such as TeGe has the property that it becomes amorphous when heated to a molten state and cooled at a high speed, and becomes crystalline when heated to a low temperature and slowly cooled.

この非晶質状態と結晶質状態とはその複素屈折率が異な
って安定して存在する。しかしながら、これらの半導体
は薄膜にすると化学的安定性が低く、大気中で次第に腐
蝕して光学的特性が劣化するという欠点がある。
The amorphous state and the crystalline state have different complex refractive indices and exist stably. However, when these semiconductors are formed into thin films, they have a drawback that they have low chemical stability and gradually corrode in the atmosphere, resulting in deterioration of their optical properties.

一方、相変化型の記録材料として、I nSb等のよう
に、異なる2つの結晶質間の相変化により情報を記録す
るものがある。つまり、蒸着によりInSb膜を形成す
ると、蒸着直後では、この膜は非晶質であるが、このI
nSb膜は、高強度のレーザー光の比較的長いパルスの
照射により溶融徐冷させることによって、微細粒の結晶
となり、高強度ではあるが短いパルスの照射によって粗
大粒の結晶が形成される。このような結晶状態の相違に
よる複素屈折率の差により、情報を記録再生する。この
場合に、InSbは化学的に安定であり、例えば、温度
が70℃、湿度が85%の苛酷な環境下で放置しても、
1月以上に亘り、記録膜の劣化が生じない。
On the other hand, as phase change recording materials, there are materials such as InSb that record information through a phase change between two different crystals. In other words, when an InSb film is formed by vapor deposition, the film is amorphous immediately after vapor deposition, but this I
The nSb film is melted and slowly cooled by irradiation with relatively long pulses of high-intensity laser light to form fine-grained crystals, and by irradiation with high-intensity but short pulses, coarse-grained crystals are formed. Information is recorded and reproduced based on the difference in complex refractive index due to the difference in crystal state. In this case, InSb is chemically stable, for example, even if it is left in a harsh environment with a temperature of 70°C and a humidity of 85%.
No deterioration of the recording film occurs for more than one month.

(発明が解決しようとする問題点) ところで、このIn−5b合金の記録膜の記録再生特性
は合金の組成によって変動することが知られているが、
合金インゴットを蒸着して形成されたIn−5b合金薄
膜は、組成の制御が困難であり、±55原子以上の組成
のバラツキが容易に生じてしまう。このため、光デイス
ク製品のバラツキが大きく、歩留りが低いという欠点が
ある。
(Problems to be Solved by the Invention) Incidentally, it is known that the recording and reproducing characteristics of the recording film of this In-5b alloy vary depending on the composition of the alloy.
It is difficult to control the composition of an In-5b alloy thin film formed by vapor-depositing an alloy ingot, and compositional variations of ±55 atoms or more easily occur. For this reason, there are drawbacks such as large variations in optical disk products and low yields.

この発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであって
、光学的特性上、最も好ましい組成に容易に組成を制御
することができ、記録再生特性が優れていると共に、安
定して高歩留りで製造することができる光ディスクを提
供することを目的とする。
The present invention was made in view of the above circumstances, and has the ability to easily control the composition to the most preferable composition in terms of optical properties, has excellent recording and reproducing properties, and has a stable high yield. The purpose of the present invention is to provide an optical disc that can be manufactured.

[発明の構成] (問題点を解決するための手段) この発明に係る光ディスクは、光ビームの照射により記
録層に光学的特性の変化を生じさせて情報を記録消去す
る光ディスクにおいて、前記記録層はインジウム−アン
チモン合金で作られたターゲットをスパッタリングする
ことにより形成されたものであることを特徴とする。
[Structure of the Invention] (Means for Solving the Problems) An optical disc according to the present invention is an optical disc in which information is recorded and erased by causing a change in optical characteristics in the recording layer by irradiating the recording layer with a light beam. is characterized in that it is formed by sputtering a target made of an indium-antimony alloy.

(作用)この発明においては、インジウム(In)−ア
ンチモン(S b)合金ターゲットをスパッタリングす
ることにより、In−5b合金記録層を形成する。この
ため、この記録層の組成を高精度(例えば、±0.5%
)で所定の組成に制御することができる。従って、記録
層が、記録再生特性上、最適の組成ををする光ディスク
を安定して高歩留りで製造することができる。
(Operation) In this invention, an In-5b alloy recording layer is formed by sputtering an indium (In)-antimony (Sb) alloy target. Therefore, the composition of this recording layer can be determined with high precision (for example, ±0.5%).
) can be controlled to a predetermined composition. Therefore, an optical disk whose recording layer has an optimal composition in terms of recording and reproducing characteristics can be manufactured stably and at a high yield.

(実施例) 以下、添附の図面を参照して、この発明の実施例につい
て説明する。第1図はこの発明の実施例に係る光ディス
クを示す断面図である。基板2はPMMA又はポリカー
ボネート等の有機樹脂でつくられており、誘電体層4及
び8に挟まれて記録層6が配設されている。誘電体層8
の上には、保護膜10が形成されている。誘電体層4,
8は、記録層6がレーザビームの照射を受けたときに、
記録層6に穴が発生することを防止するために配設され
る。一方、保護膜10は、光ディスクの取り扱い上、庇
が発生することを防止するためのものであり、紫外線硬
化樹脂等で形成することができる。
(Embodiments) Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a sectional view showing an optical disc according to an embodiment of the invention. The substrate 2 is made of organic resin such as PMMA or polycarbonate, and has a recording layer 6 sandwiched between dielectric layers 4 and 8 . Dielectric layer 8
A protective film 10 is formed thereon. dielectric layer 4,
8, when the recording layer 6 is irradiated with a laser beam,
This is provided to prevent holes from forming in the recording layer 6. On the other hand, the protective film 10 is for preventing the formation of eaves during handling of the optical disc, and can be formed of ultraviolet curing resin or the like.

記録層6は、In−3b合金で形成されており、この記
録層6はIn−8b合金で作られたターゲットをスパッ
タリングすることによって誘電体層4の上に形成される
。このように、In−5b合金記録層をスパッタリング
により形成する場合は、その組成を±0.5%の高精度
で制御することができる。
The recording layer 6 is made of an In-3b alloy and is formed on the dielectric layer 4 by sputtering a target made of an In-8b alloy. In this way, when the In-5b alloy recording layer is formed by sputtering, its composition can be controlled with high accuracy of ±0.5%.

In−5b合金記録層6は、その合金組成を、Inが3
5乃至45原子%の範囲になるようにすることが好まし
い。本願発明者等による研究結果によると、このような
組成範囲において、In−5b合金記録層6は、優れた
記録再生特性を示した。
The In-5b alloy recording layer 6 has an alloy composition of 3 In
Preferably, the content is in the range of 5 to 45 at.%. According to the research results by the inventors of the present application, the In-5b alloy recording layer 6 exhibited excellent recording and reproducing characteristics in such a composition range.

スパッタリングターゲットのIn−5b合金は、通常、
粉末を焼結した後、この焼結体を熱間でプレスすること
により製造される。この熱間ブレスの条件により、ター
ゲットの充″填率が変化するが、スパッタリングにより
得られる記録層の記録再生特性上、ターゲットの充填率
は90%以上であることが好ましい。
The In-5b alloy of the sputtering target is usually
It is manufactured by sintering the powder and then hot pressing the sintered body. Although the filling rate of the target changes depending on the conditions of this hot pressing, it is preferable that the filling rate of the target is 90% or more in view of the recording/reproducing characteristics of the recording layer obtained by sputtering.

次に、この発明の実施例に係る光ディスクを製造するス
パッタリング装置について説明する。チャンバ21内は
、排気ボート28を介して適宜の真空ポンプ(図示せず
)に接続されており、この真空ポンプより、チャンバ2
1は1O−6)ル(torr)の真空に排気する。チャ
ンバ2゛1内には、ガス導入ボート29を介してArガ
ス等が導入されるようになっている。基台22は、チャ
ンバ21の天板から垂架されており、矢印にて示すよう
に回転駆動される。この基台22の下面には、光ディス
クの基板2が取り付けられる。
Next, a sputtering apparatus for manufacturing an optical disk according to an embodiment of the present invention will be described. The inside of the chamber 21 is connected to an appropriate vacuum pump (not shown) via an exhaust boat 28, and this vacuum pump supplies air to the chamber 2.
1 is evacuated to a vacuum of 10-6 torr. Ar gas or the like is introduced into the chamber 2'1 via a gas introduction boat 29. The base 22 is suspended vertically from the top plate of the chamber 21, and is driven to rotate as shown by the arrow. An optical disc substrate 2 is attached to the lower surface of the base 22.

チャンバ21内には、2個の台32及び33が配設され
ており、この台32及び33上に、夫々ターゲット24
及び25が載置される。このターゲット24及び25は
、夫々外部の高周波電源30及び31に接続される。タ
ーゲット24及び25の直上域の近傍には、夫々シャッ
タ26及び27が配設されている。
Two stands 32 and 33 are arranged in the chamber 21, and a target 24 is placed on these stands 32 and 33, respectively.
and 25 are placed. The targets 24 and 25 are connected to external high frequency power supplies 30 and 31, respectively. Shutters 26 and 27 are provided near the areas directly above the targets 24 and 25, respectively.

このような装置により光ディスクを成膜する場合には、
先ず、ターゲット24として5i02を使用し、ターゲ
ット25として充填率が、例えば、96%のIn40S
b60焼結合金を使用する。
When forming an optical disk using such a device,
First, 5i02 is used as the target 24, and In40S with a filling rate of, for example, 96% is used as the target 25.
B60 sintered alloy is used.

また、基板2として、円盤状のポリカーボネート樹脂製
板を使用する。そして、チャンバ21内を10−6トル
に排気した後、基台22を、例えば、60 rpmで回
転させる。次いで、ガス導入ボート29を介してArガ
スをIOSCCMの流量でチャンバ21内に導入し、チ
ャンバ21内のArガス圧力を5111トルに調節する
Further, as the substrate 2, a disc-shaped polycarbonate resin plate is used. After the chamber 21 is evacuated to 10 −6 Torr, the base 22 is rotated at, for example, 60 rpm. Next, Ar gas is introduced into the chamber 21 via the gas introduction boat 29 at a flow rate of IOSCCM, and the Ar gas pressure in the chamber 21 is adjusted to 5111 Torr.

シャッタ27を閉じた状態で、高周波電源30から13
.56MHzで500Wの高周波電力を5i02ターゲ
ツト24に印加し、高周波のプラズマ放電を生起する。
With the shutter 27 closed, the high frequency power sources 30 to 13
.. A high frequency power of 500 W at 56 MHz is applied to the 5i02 target 24 to generate a high frequency plasma discharge.

そして、約2分間のプリスパッタを実施した後、シャッ
タ26を開にして基板2上に5i02の成膜を開始する
。約5分間プラズマ放電を継続して、700人の5i0
2誘電体層4を成膜した後、シャッタ26を閉じ、放電
を停止する。
After performing pre-sputtering for about 2 minutes, the shutter 26 is opened to start forming a film of 5i02 on the substrate 2. Continuing plasma discharge for about 5 minutes, 700 people's 5i0
After forming the second dielectric layer 4, the shutter 26 is closed and the discharge is stopped.

次いで、高周波電源31から、 In4gSb6g合金ターゲット25に80Wの高周波
電力を印加し、約2分間のプリスパッタの後、シャッタ
27を開にしてIn40Sbao記録層6を成膜する。
Next, a high frequency power of 80 W is applied from the high frequency power supply 31 to the In4gSb6g alloy target 25, and after pre-sputtering for about 2 minutes, the shutter 27 is opened to form the In40Sbao recording layer 6.

約5分間のプラズマ放電で750人のrn40sb60
記録層6を成膜した後、シャッタ27を閉にして電源3
1をオフにする。
750 rn40sb60 with plasma discharge for about 5 minutes
After forming the recording layer 6, the shutter 27 is closed and the power source 3 is turned on.
Turn off 1.

次いで、再度、5i02ターゲツト24に500Wの高
周波電力を印加して700人の5i02誘電体層8を形
成する。
Next, a high frequency power of 500 W is applied to the 5i02 target 24 again to form 700 5i02 dielectric layers 8.

その後、チャンバ21内をN2ガスによってリ一りした
後、サンプルを大気中に取出す。次いで、このサンプル
に対し、スピナにより紫外線硬化樹脂を約3μmでスピ
ンコードした後、紫外線を照射してこの樹脂を硬化させ
た。
Thereafter, the inside of the chamber 21 is flushed with N2 gas, and then the sample is taken out into the atmosphere. Next, this sample was spin-coded with an ultraviolet curable resin to a thickness of about 3 μm using a spinner, and then ultraviolet rays were irradiated to cure the resin.

このようにして成膜された光ディスクは、その記録層8
の組成が目標組成に高精度で一致している。例えば、上
記条件で成膜した場合には、組成In50Sb50.I
n455b55゜1n35 Sb65 、In30 S
b7 (1などの焼結合金をターゲットにしてスパッタ
リング成膜した記録層においても、目標組成に対して±
0.5原子%の精度で一致していた。
The optical disc formed in this way has its recording layer 8
The composition matches the target composition with high accuracy. For example, when forming a film under the above conditions, the composition In50Sb50. I
n455b55゜1n35 Sb65, In30 S
b7 (Even in a recording layer formed by sputtering using a sintered alloy such as 1 as a target, ±
They agreed with an accuracy of 0.5 at.%.

このようにして製造された光ディスクに対し、テーブル
回転型のディスク評価装置により、その動特性を測定し
た。先ず、記録及び消去に先立ち、回転数が60Orp
mでディスクを回転させつつ、波長が330nmのレー
ザービームをディスクに9mWの連続光で照射し、初期
結晶化した。この初期化した光ディスクに対し、基板2
側から、直流成分は、電圧で、直流30(laVであつ
た。
The dynamic characteristics of the optical disc manufactured in this way were measured using a table rotating type disc evaluation device. First, before recording and erasing, the rotation speed is 60 Orp.
While rotating the disk at speeds of m, a continuous laser beam of 9 mW with a wavelength of 330 nm was irradiated onto the disk to perform initial crystallization. For this initialized optical disk, the board 2
From the side, the DC component was 30 laV DC in voltage.

このようにして、初期化した光ディスクに対し、出力が
15mW、パルス幅が200n秒、デユーティ比が50
%のレーザー光を照射して、信号を記録した。次いで、
この記録ビット12から、前述の読み出し用レーザー光
で信号を読み出すと、前記直流成分に対して200mV
の交流信号が得られた。更に、初期化と同様に、9mW
の連続光で、記録ビット12の信号を消去すると、この
交流信号は完全に消去された。
In this way, for the initialized optical disk, the output was 15 mW, the pulse width was 200 ns, and the duty ratio was 50.
% laser light was irradiated and the signal was recorded. Then,
When a signal is read out from this recording bit 12 using the above-mentioned readout laser beam, the signal is 200 mV with respect to the DC component.
AC signals were obtained. Furthermore, similar to the initialization, 9mW
When the signal of recording bit 12 was erased with continuous light, this alternating current signal was completely erased.

次に、ターゲットとして焼結合金を使用した場合におい
て、その充填率が記録再生特性に及ぼす影響について動
特性の評価試験した結果について説明する。ターゲット
の組成は、 In5o 5bsos  In455b55゜Into
 5b80% Inas 5bss、及びIn3oSb
7oの5種であり、各組成について、焼結合金の充填率
を85%、9096.92%、及び96%と変化させた
サンプルを用意した。
Next, when a sintered alloy is used as a target, the results of a dynamic characteristic evaluation test regarding the influence of the filling rate on the recording and reproducing characteristics will be explained. The composition of the target is In5o 5bsos In455b55゜Into
5b80% Inas 5bss, and In3oSb
7o, and for each composition, samples were prepared in which the filling rate of the sintered alloy was changed to 85%, 9096.92%, and 96%.

このサンプルについて、下記に示すように、前述と同様
の条件で信号を記録再生消去した。
Regarding this sample, signals were recorded, reproduced, and erased under the same conditions as described above, as shown below.

回転数; 600 rpm レーザ波長;830n11 初期化及び消去;名Wの連続光 記録;15mW、200n秒、 デユーティ50% この結果、読み出された交流信号成分(In′w/lを
下記第1表に示す。
Rotation speed: 600 rpm Laser wavelength: 830n11 Initialization and erasure: Continuous optical recording of name W: 15 mW, 200 ns, duty 50% As a result, the read AC signal components (In'w/l are shown in Table 1 below) Shown below.

第  1  表 この第1表から明らかなように、ターゲットの組成がI
nの原子%で35乃至45%であり、その充填率が90
%以上である場合に、消去可能の光ディスクとして記録
再生特性が優れている。このような理由で、In−5b
合金記録層を形成するためのターゲットとして、Inの
原子%で35乃至45%であり、その充填率が90%以
上のターゲットを使用することが好ましい。なお、この
ようにして成膜した記録層に対し、911Wの連続光で
信号を消去したところ、信号は完全に消失した。
Table 1 As is clear from this Table 1, the composition of the target is I
The atomic % of n is 35 to 45%, and the filling rate is 90
% or more, the recording and reproducing characteristics are excellent as an erasable optical disc. For this reason, In-5b
As a target for forming the alloy recording layer, it is preferable to use a target having an In atomic % of 35 to 45% and a filling rate of 90% or more. Note that when the signal was erased from the recording layer thus formed using continuous light of 911 W, the signal completely disappeared.

[発明の効果] この発明によれば、I nSb合金記録層の組成をその
光学的特性上最適のものに高精度で一致させることがで
きる。従って、記録再生消去特性が優れた光ディスクを
安定して低コストで製造することができる。
[Effects of the Invention] According to the present invention, the composition of the InSb alloy recording layer can be made to match the composition optimal in terms of its optical characteristics with high precision. Therefore, it is possible to stably manufacture an optical disk with excellent recording/reproducing/erasing characteristics at low cost.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図はこの発明の実施例に係る光ディスクの断面図、
第2図はその製造に使用するスパッタリング装置を示す
模式図である。 2;基板、4,8;誘電体層<6;記録層、10;保護
膜、21;チャンバ、24.25;ターゲット、26.
27;シャッタ、30,31;電源。
FIG. 1 is a sectional view of an optical disc according to an embodiment of the present invention;
FIG. 2 is a schematic diagram showing a sputtering apparatus used for its manufacture. 2; Substrate, 4, 8; Dielectric layer<6; Recording layer, 10; Protective film, 21; Chamber, 24.25; Target, 26.
27; shutter, 30, 31; power supply.

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)光ビームの照射により記録層に光学的特性の変化
を生じさせて情報を記録消去する光ディスクにおいて、
前記記録層はインジウム−アンチモン合金で作られたタ
ーゲットをスパッタリングすることにより形成されたも
のであることを特徴とする光ディスク。
(1) In an optical disc in which information is recorded and erased by causing a change in the optical characteristics of the recording layer by irradiation with a light beam,
An optical disc characterized in that the recording layer is formed by sputtering a target made of an indium-antimony alloy.
(2)前記インジウム−アンチモン合金で形成された記
録層は、インジウムが35乃至45原子%であることを
特徴とする特許請求の範囲第1項に記載の光ディスク。
(2) The optical disc according to claim 1, wherein the recording layer formed of the indium-antimony alloy contains indium in an amount of 35 to 45 atomic percent.
(3)前記インジウム−アンチモン合金で作られたター
ゲットは、充填率が90%以上の焼結合金であることを
特徴とする特許請求の範囲第1項に記載の光ディスク。
(3) The optical disk according to claim 1, wherein the target made of the indium-antimony alloy is a sintered alloy with a filling rate of 90% or more.
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