JPH0387291A - Data recording medium - Google Patents
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
この発明は、レーザビーム等の光ビームを記録層に照射
し、その照射条件によって照射部分に相変化を誘起させ
て情報を記録・消去し、この相変化に伴う反射率、透過
率等の光学特性の変化を検出することにより情報を弓生
ずる情報記録媒体に関する。このような情報記録媒体と
しては、光ディスク、光カード、光テープ、及び光ドラ
ム等がある。[Detailed Description of the Invention] [Objective of the Invention] (Industrial Field of Application) This invention provides information by irradiating a recording layer with a light beam such as a laser beam and inducing a phase change in the irradiated area depending on the irradiation conditions. The present invention relates to an information recording medium that generates information by recording and erasing information and detecting changes in optical characteristics such as reflectance and transmittance accompanying this phase change. Examples of such information recording media include optical discs, optical cards, optical tapes, and optical drums.
（従来の技術及びその課題）
従来、所謂イレーサブル光ディスク等の情報の消去が可
能な情報記録媒体として、相変化型のものが広く知られ
ている。この相変化型情報記録媒体は、例えば、ガラス
又はプラスチック（ポリカーボネート樹脂、ポリメチル
メタクリレート樹脂等）からなる基板と、この基板上に
形成された記録層とを備えている。この記録層を形成す
る材料としては、例えばＧｅＴｅ等のカルコゲナイド系
合金が知られており、これらは異なる条件の光ビーム（
例えばレーザビーム）を照射することにより、例えば結
晶と非晶質との間で可逆的に相変化するので、この相変
化を利用して情報を記録及び消去し、これらの相変化に
伴う反射率又は透過率等の光学的特性の変化を利用して
情報を読取ることができる。(Prior Art and its Problems) Phase change type media have been widely known as information recording media from which information can be erased, such as so-called erasable optical discs. This phase change type information recording medium includes, for example, a substrate made of glass or plastic (polycarbonate resin, polymethyl methacrylate resin, etc.) and a recording layer formed on the substrate. Chalcogenide alloys such as GeTe are known as materials for forming this recording layer, and these alloys can be used for light beams under different conditions (
By irradiating it with a laser beam (for example, a laser beam), the phase changes reversibly between crystal and amorphous, so this phase change is used to record and erase information, and the reflectance associated with these phase changes is Alternatively, information can be read using changes in optical characteristics such as transmittance.
このような記録層としては、光ビームの照射条件によっ
て相変化が生じ易い共晶組成をを有する材料や金属間化
合物を形成する材料が適している。As such a recording layer, a material having a eutectic composition or a material forming an intermetallic compound that easily undergoes a phase change depending on the irradiation conditions of the light beam is suitable.
しかしながら、従来、相変化型情報記録媒体の記録層と
して用いられているＧｅＴｅ等の合金は、一応上述の条
件は満足するものの、未だ情報記録媒体として十分な特
性を保持しているとは言えない。特に、初期化、記録及
び消去を高速化することが望まれている。また、結晶−
非晶質間の相変化により情報を記録・消去する場合には
、通常記録部分が非晶質になるが、一般に非晶質は比較
的安定性が低いため、非晶質状態をより安定化すること
も要求されている。However, although alloys such as GeTe that have been conventionally used as the recording layer of phase change information recording media satisfy the above conditions, it cannot be said that they still have sufficient properties as information recording media. . In particular, it is desired to speed up initialization, recording, and erasing. Also, crystal-
When recording or erasing information through a phase change between amorphous states, the recorded portion usually becomes amorphous, but since amorphous states generally have relatively low stability, it is necessary to make the amorphous state more stable. It is also required to do so.
この発明はかかる事情に鑑みてなされたものであって、
初期化、記録及び消去を高速で実施することができ、記
録した情報が安定である情報記録媒体を提供することを
目的とする。This invention was made in view of such circumstances, and
An object of the present invention is to provide an information recording medium on which initialization, recording, and erasing can be performed at high speed, and recorded information is stable.
［発明の構成］
（課題を解決するための手段）
この発明に係る情報記録媒体は、基板と、光ビームの照
射によって照射部分が相異なる２つの相間で相変化する
記録層とを有する情報記録媒体であって、前記記録層は
、５ｎＳＢｉ及びＳｅを含むことを特徴とする。[Structure of the Invention] (Means for Solving the Problems) An information recording medium according to the present invention includes a substrate and a recording layer whose irradiated portion changes phase between two different phases when irradiated with a light beam. The medium is characterized in that the recording layer contains 5nSBi and Se.
（作 用）
Ｓｎ−Ｂｉ−Ｓｅ合金は、前述のような相変化型記録媒
体の記録層としての条件を満たす材料であり、しかも結
晶化速度が大きい。従って、記録層をＳｎ、Ｂｉ及びＳ
ｅが含有する組成にすることにより、初期化、記録及び
消去を高速化することができる。(Function) The Sn-Bi-Se alloy is a material that satisfies the conditions for the recording layer of a phase change recording medium as described above, and has a high crystallization rate. Therefore, the recording layer is made of Sn, Bi and S.
By using a composition containing e, initialization, recording, and erasing can be performed at high speed.
（実施例）
以下、添付図面を参照してこの発明について具体的に説
明する。第１図は′この発明の実施例に係る情報記録媒
体を示す断面図である。基板１はポリオレフィン、エポ
キシ、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリメチルメタクリ
レート（ＰＭＭＡ）等のプラスチック、又はガラス等、
この技術分野で通常用いられる材料で形成されている。(Example) Hereinafter, the present invention will be specifically described with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a sectional view showing an information recording medium according to an embodiment of the present invention. The substrate 1 is made of plastic such as polyolefin, epoxy, polycarbonate (PC), polymethyl methacrylate (PMMA), or glass.
It is made of materials commonly used in this technical field.
この基板１の上に、保護層３、記録層２、保護層４及び
保護層５がこの順に形成されている。On this substrate 1, a protective layer 3, a recording layer 2, a protective layer 4, and a protective layer 5 are formed in this order.
保護層３及び保護層４は、記録層２を挟むように配設さ
れており、有機高分子材料、例えばＰＭＭＡ、ポリスチ
レン等の熱可塑性樹脂若しくは紫外線硬化樹脂（所ｍ２
Ｐ樹脂）、又はＳ Ｉ Ｏ２、Ａ １２０ ｉ 、Ａ
Ｉ Ｎ ＳＺ ｎ Ｓ ｓ若しくはＺｒＯ２等の誘電体
で形成される。これら保護層３．４は記録層２が空気中
の水分の影響を受けることを未然に防止する作用、及び
記録・消去の際にレーザビーム等の光ビームにより記録
層２の照射部分が飛散したり穴が形成されてしまうこと
を防止する作用を有している。これら保護層３゜４はス
ピンコード法、蒸着法、スパッタリング法等によって好
適に形成することができる。なお、これら保護層３．４
の厚みは１０入乃至数十μｍであることが好ましい。The protective layer 3 and the protective layer 4 are disposed to sandwich the recording layer 2, and are made of an organic polymer material, such as a thermoplastic resin such as PMMA or polystyrene, or an ultraviolet curing resin (where m2
P resin), or S I O2, A 120 i, A
It is formed of a dielectric material such as INSZnSS or ZrO2. These protective layers 3.4 serve to prevent the recording layer 2 from being affected by moisture in the air, and to prevent the irradiated portion of the recording layer 2 from being scattered by a light beam such as a laser beam during recording or erasing. It has the effect of preventing the formation of holes. These protective layers 3 and 4 can be suitably formed by a spin coating method, a vapor deposition method, a sputtering method, or the like. In addition, these protective layers 3.4
It is preferable that the thickness is 10 μm to several tens of μm.
保護層５は情報記録媒体取扱う際の表面での傷やほこり
等を防止するために配設されるもので、スピンコード法
等により紫外線硬化樹脂を塗布し、これに紫外線を照射
して硬化させること等により形成される。この保護層５
の層厚は１００人乃至数十μｍであることが好ましい。The protective layer 5 is provided to prevent scratches, dust, etc. on the surface when handling the information recording medium, and is coated with an ultraviolet curing resin using a spin code method or the like, and then cured by irradiating it with ultraviolet light. It is formed by such things as This protective layer 5
The layer thickness is preferably 100 μm to several tens of μm.
なお、保護層３゜４．５は設けることが好ましいが、必
ずしも設けなくてもよい。Although it is preferable to provide the protective layer 3°4.5, it is not necessary to provide it.
記録層２は、５ｎ−Ｂｉ−Ｓｅ合金で形成されており、
蒸着法、スパッタリング法等によって好適に形成するこ
とができる。なお、合金ターゲットを使用して蒸着又は
スパッタリングする場合には、ターゲット組成と実際に
形成される膜の組成とに差があることを考慮する必要が
ある。また、多元同時蒸着又は多元同時スパッタリング
等によって成膜することもできる。記録層２の層厚は１
００乃至３０００Åであることが好ましい。The recording layer 2 is made of a 5n-Bi-Se alloy,
It can be suitably formed by a vapor deposition method, a sputtering method, or the like. Note that when performing vapor deposition or sputtering using an alloy target, it is necessary to take into account that there is a difference between the target composition and the composition of the film actually formed. Further, the film can also be formed by multi-source simultaneous vapor deposition, multi-source simultaneous sputtering, or the like. The thickness of recording layer 2 is 1
The thickness is preferably 00 to 3000 Å.
記録層２を構成する５ｎ−Ｂｉ−Ｓｅ合金は、照射する
光ビームの条件を変えることにより結晶と非晶質との間
で相変化し得る材料であり、結晶化速度が大きいという
特徴を有している。また、非晶質を安定化させることが
でき、更に、結晶化速度を大きくすることができる。従
って、このような合金で記録層２を形成することにより
、初期化、記録及び消去を高速化することができる。The 5n-Bi-Se alloy constituting the recording layer 2 is a material that can undergo a phase change between crystalline and amorphous by changing the conditions of the irradiated light beam, and is characterized by a high crystallization rate. are doing. Moreover, it is possible to stabilize amorphous state and furthermore, it is possible to increase the crystallization rate. Therefore, by forming the recording layer 2 with such an alloy, initialization, recording, and erasing can be performed at high speed.
なお、−層非晶質状態を安定化する観点からは、記録層
２を、原子％でＳｎが４０％以下、かつＢｉが３０％以
下の組成にすることが好ましい。Note that from the viewpoint of stabilizing the -layer amorphous state, it is preferable that the composition of the recording layer 2 is 40% or less Sn and 30% or less Bi in atomic %.
次に、第２図及び第３図を参照しながらこの実施例に係
る情報記録媒体の記録層の形成方法の一例について説明
する。第２図はこの実施例の記録層を形成するために用
いられるスパッタリング装置の概略構成を示す縦断面図
、第３図はその横断面図である。図中１０は真空容器を
示し、この真空容器１０はその底面にガス導入ボート１
１及びガス排出ボート１２を有している。ガス排出ボー
ト１２は排気装置１３に接続されており、この排気装置
１３により排出ボート１２を介して真空容器１０内が排
気される。また、ガス導入ボート１１はアルゴンガスボ
ンベ１４に接続されており、このボンベ１４から真空容
器１０内にガス導入ボート１１を介してスパッタリング
ガスとしてのアルゴンガスが導入される。真空容器１０
内の上部には、基板支持用の円板状の回転基台１５がそ
の面を水平にして配設されており、その下面に基板１が
支持され、図示しないモータによって回転されるように
なっている。また、真空容器１０内の底部近傍には、基
台１５に対向するように、夫々記録層を構成する５ｎＳ
Ｂｉ、及びＳｅで形成されたスパッタリング源２１，２
２．２３が配設されており、各スパッタリング源には図
示しない高周波電源が接続されている。これらスパッタ
リング源２１，２２．２３の情報には、夫々モニタ装置
２４，２５．２６が設けられており、これらモニタ装置
により各スパッタリング源からのスパッタリング量をモ
ニタし、記録層が所定の組成になるように各スパッタリ
ング源に投入する電力量を調節するようになっている。Next, an example of a method for forming the recording layer of the information recording medium according to this embodiment will be explained with reference to FIGS. 2 and 3. FIG. 2 is a vertical cross-sectional view showing a schematic configuration of a sputtering apparatus used to form the recording layer of this embodiment, and FIG. 3 is a cross-sectional view thereof. In the figure, 10 indicates a vacuum vessel, and this vacuum vessel 10 has a gas introduction boat 1 on its bottom surface.
1 and a gas discharge boat 12. The gas exhaust boat 12 is connected to an exhaust device 13, and the inside of the vacuum container 10 is evacuated by the exhaust device 13 via the exhaust boat 12. Further, the gas introduction boat 11 is connected to an argon gas cylinder 14, and argon gas as a sputtering gas is introduced from the cylinder 14 into the vacuum vessel 10 via the gas introduction boat 11. Vacuum container 10
A disk-shaped rotating base 15 for supporting a substrate is placed in the upper part thereof with its surface horizontally, and the substrate 1 is supported on the lower surface thereof and is rotated by a motor (not shown). ing. Further, in the vicinity of the bottom of the vacuum container 10, 5 nS
Sputtering sources 21 and 2 made of Bi and Se
2.23 are arranged, and a high frequency power source (not shown) is connected to each sputtering source. Monitor devices 24, 25, 26 are provided for information on these sputtering sources 21, 22, 23, respectively, and these monitor devices monitor the amount of sputtering from each sputtering source to ensure that the recording layer has a predetermined composition. The amount of power input to each sputtering source is adjusted accordingly.
このようなスパッタリング装置においては、先ず、排気
装置により真空容３１０内を例えば１０−’Ｔｏｒｒま
で排気する。次いで、ガス導入ボート１１を介して容器
１０内にアルゴンガスを導入しつつ、排気装置１３の排
気量を調節して真空容器１０内を所定圧力のアルゴンガ
ス雰囲気に保持する。この状態で、基板１を回転させつ
つ、スパッタリング源２１，２２．２３に所定時間所定
の電力を印加する。これにより、基板１に所定組成の記
録層が形成される。なお、保護層を形成する場合には、
記録層２の形成に先立ち、保護層の組成に調整されたス
パッタリング源を用いて上述したようにスパッタリング
するこにより基板１上に保護層３を形成し、その後記録
層２を形成し、更に保護層３を形成する場合と同様の条
件で記録層２の上に保護層４を形成することができる。In such a sputtering apparatus, first, the inside of the vacuum volume 310 is evacuated to, for example, 10-' Torr using an exhaust device. Next, while introducing argon gas into the container 10 via the gas introduction boat 11, the exhaust amount of the exhaust device 13 is adjusted to maintain the inside of the vacuum container 10 in an argon gas atmosphere at a predetermined pressure. In this state, while rotating the substrate 1, a predetermined power is applied to the sputtering sources 21, 22, and 23 for a predetermined time. As a result, a recording layer having a predetermined composition is formed on the substrate 1. In addition, when forming a protective layer,
Prior to the formation of the recording layer 2, the protective layer 3 is formed on the substrate 1 by sputtering as described above using a sputtering source adjusted to the composition of the protective layer, and then the recording layer 2 is formed, and then the protective layer 3 is formed on the substrate 1. The protective layer 4 can be formed on the recording layer 2 under the same conditions as when forming the layer 3.
次に、この発明の情報記録媒体における初期化、並びに
、情報の記録、消去及び再生について説明する。Next, initialization, recording, erasing, and reproduction of information in the information recording medium of the present invention will be explained.
初期化
記録層２は成膜直後に通常非晶質であるが、情報を記録
するためには結晶である必要があるので、レーザビーム
等の光ビームを記録層２に全面照射して加熱徐冷し、記
録層２を結晶化する。The initialization recording layer 2 is normally amorphous immediately after film formation, but it needs to be crystalline in order to record information, so the recording layer 2 is heated and slowed by irradiating the entire surface of the recording layer 2 with a light beam such as a laser beam. Cool and crystallize the recording layer 2.
記録
高出力でパルス幅が短い光ビームを記録層２に照射し、
照射部分を加熱急冷して非晶質に相変化させ、記録マー
クを形成する。A light beam with high recording power and short pulse width is irradiated onto the recording layer 2,
The irradiated area is heated and rapidly cooled to change its phase to an amorphous state, thereby forming a recording mark.
消去
記録層２に形成された記録マーク部に、記録の際よりも
低出力でパルス幅が長い光ビームを照射して記録マーク
部を結晶に相変化させ、情報を消去する。A light beam having a lower output and a longer pulse width than that used during recording is irradiated onto the recording mark portion formed on the erasing recording layer 2 to change the phase of the recording mark portion into a crystal, thereby erasing information.
再生
情報を記録した記録層２に比較的弱い光ビームを照射し
、記録マーク部と非記録部との間の光学的特性、例えば
反射率の差を検出して情報を読取る。A relatively weak light beam is irradiated onto the recording layer 2 on which reproduced information has been recorded, and the information is read by detecting the difference in optical characteristics, such as reflectance, between the recorded mark portion and the non-recorded portion.
なお、消去レベルの光ビームに記録レベルの光ビームパ
ルスをｆｆ１ｆｉすることにより、オーバーライド（従
前の情報を消去しながら記録すること）することも可能
である。Note that it is also possible to override (record while erasing previous information) by applying a light beam pulse at the recording level to the light beam at the erasing level.
次に、この発明の試験例について説明する。Next, test examples of the present invention will be explained.
試験例１
ガラス基板上に、第２図及び第３図に示すスパッタリン
グ装置により、５ｎ−Ｂｉ−Ｓｅ合金薄膜を形成し、Ｘ
線回折によりその膜の構造を確認した。その結果を第４
図に示す。第４図は５ｎ−Ｂｉ−Ｓｅ３元系の組成図で
あり、図中斜線で示す範囲において非晶質の薄膜を得る
ことができた。Test Example 1 A 5n-Bi-Se alloy thin film was formed on a glass substrate using the sputtering apparatus shown in FIGS. 2 and 3, and
The structure of the film was confirmed by line diffraction. The result is the fourth
As shown in the figure. FIG. 4 is a composition diagram of the 5n-Bi-Se ternary system, and an amorphous thin film could be obtained in the shaded range in the figure.
即ち、この組成範囲においてはレーザビームの照射条件
を選択することにより非晶質状態をとり得ることができ
、相変化型の記録層として利用し得ることが確認された
。従って、相変化型の記録層としては、原子％でＢｉが
３０％以下で、かつＳｎが４０％以下である組成の５ｎ
−Ｂｉ−Ｔｅ合金が望ましい。That is, it was confirmed that in this composition range, an amorphous state can be obtained by selecting the laser beam irradiation conditions, and that it can be used as a phase change type recording layer. Therefore, as a phase change type recording layer, 5n with a composition in which Bi is 30% or less and Sn is 40% or less in atomic % is recommended.
-Bi-Te alloy is preferred.
試験例４
第１図に示した層構成を有するサンプルＡ−Ｅを作製し
た。これらサンプルの記録層の組成を第１表に示す。Test Example 4 Samples A to E having the layer structure shown in FIG. 1 were prepared. Table 1 shows the compositions of the recording layers of these samples.
第 １ 表
これらサンプルについて、基板側から種々のパルス幅の
波長８３０ｎ１１の半導体レーザビームを一定強度で記
録層に対物レンズを用いて集光照射し、パルス幅と照射
部分の反射率変化との間の関係を把握した。その結果を
第５図に示す。第５図は横軸に照射するレーザビームの
パルス幅をとり、縦軸に反射率変化量をとって、これら
の関係を示すグラフである。このグラフにおいて急激に
反射率変化量が増加するところが非晶質から結晶への相
変化に対応する。このグラフによれば、Ｂｉの添加量が
増加するに従って、結晶化のためのレーザビームのパル
ス幅が減少することが確認された。Table 1 For these samples, a semiconductor laser beam with a wavelength of 830n11 with various pulse widths was irradiated from the substrate side at a constant intensity onto the recording layer using an objective lens, and the difference between the pulse width and the reflectance change of the irradiated area was measured. I understood the relationship between The results are shown in FIG. FIG. 5 is a graph showing the relationship between these, with the horizontal axis representing the pulse width of the irradiated laser beam and the vertical axis representing the amount of change in reflectance. In this graph, the point where the amount of change in reflectance increases rapidly corresponds to a phase change from amorphous to crystalline. According to this graph, it was confirmed that as the amount of Bi added increases, the pulse width of the laser beam for crystallization decreases.
Ｂｉが３０原子％以上では、結晶化速度が速すぎるため
に非晶質状態が安定に存在しないものと考えられる。It is considered that when Bi is 30 atomic % or more, the crystallization rate is too fast and the amorphous state does not stably exist.
５ｎ−Ｔｅ２元合金は、Ｓｎが４０原子％以下では非晶
質化が可能であるがレーザビームの吸収が少なく、レー
ザビームを照射してもほとんど加熱されず、相変化を起
し難い。一方、Ｂｉはレーザビームの吸収が大きい材料
であるので、５ｎ−Ｔｅ２元合金にＢｉを添加すること
により、記録感度が向上する。Ｂｉの添加量の増加によ
り、結晶化のためのレーザビームのパルス幅が減少して
いるのは、Ｂｉのこのような効果に起因しているものと
考察される。A 5n-Te binary alloy can be made amorphous when Sn is 40 atomic % or less, but it absorbs little laser beam, is hardly heated even when irradiated with a laser beam, and is difficult to cause a phase change. On the other hand, since Bi is a material that greatly absorbs laser beams, recording sensitivity is improved by adding Bi to the 5n-Te binary alloy. The reason why the pulse width of the laser beam for crystallization decreases with an increase in the amount of Bi added is considered to be due to this effect of Bi.
他方、第５図から、Ｓｎの添加量が増加するに従って、
結晶化のためのレーザビームのパルス幅が短くなってい
ることが確認される。しかし、Ｓｎが４０％より多くな
ると非晶質が不安定となり、非晶質化が困難となった。On the other hand, from FIG. 5, as the amount of Sn added increases,
It is confirmed that the pulse width of the laser beam for crystallization has become shorter. However, when Sn exceeds 40%, the amorphous state becomes unstable and it becomes difficult to make it amorphous.
従って、Ｓｎは４０％以下であることが望ましい。Therefore, it is desirable that Sn be 40% or less.
以上の試験例により、５ｎ−Ｂｉ−Ｓｅ合金で相変化型
の記録層を形成することができること、並びに、この合
金で形成された記録層は非晶質状態で安定であり、結晶
化速度が大きいことが確認された。The above test examples show that it is possible to form a phase change type recording layer with the 5n-Bi-Se alloy, and that the recording layer formed with this alloy is stable in an amorphous state and has a low crystallization rate. It was confirmed that it was large.
［発明の効果］
この発明によれば、記録層を５ｎ−Ｂｉ−５ｅ合金で形
成したので、非晶質の安定性が高く、また結晶化速度が
大きい。従って、非晶質記録マークの安定性に優れ、し
かも初期化、記録及び消去を高速で実施することができ
るという極めて特性が優れた情報記録媒体を得ることが
できる。[Effects of the Invention] According to the present invention, since the recording layer is formed of a 5n-Bi-5e alloy, the amorphous stability is high and the crystallization rate is high. Therefore, it is possible to obtain an information recording medium with extremely excellent properties such as excellent stability of amorphous recording marks and the ability to perform initialization, recording, and erasing at high speed.
第１図はこの発明の実施例に係る情報記録媒体を示す断
面図、第２図は記録層を形成するための装置の概略構成
を示す縦断面図、第３図はその横断面図、第４図は５ｎ
−Ｂｉ−Ｓｅ３元合金においてレーザビーム照射により
非晶質になり得る組成領域を示す図、第５図は照射する
レーザビームのパルス幅と反射率変化量との関係を示す
グラフ図である。
１；基板、２；記録層、３．４．５；保護層。FIG. 1 is a sectional view showing an information recording medium according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a vertical sectional view showing a schematic configuration of an apparatus for forming a recording layer, and FIG. Figure 4 is 5n
FIG. 5 is a graph showing the relationship between the pulse width of the irradiated laser beam and the amount of change in reflectance. 1: Substrate, 2: Recording layer, 3.4.5: Protective layer.
Claims (1)
つの相間で相変化する記録層とを有する情報記録媒体で
あって、前記記録層は、Ｓｎ、Ｂｉ及びＳｅを含むこと
を特徴とする情報記録媒体。The irradiated area differs depending on the substrate and the light beam 2.
What is claimed is: 1. An information recording medium comprising: a recording layer whose phase changes between two phases, the recording layer containing Sn, Bi, and Se.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1225411A JPH0387291A (en) | 1989-08-31 | 1989-08-31 | Data recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1225411A JPH0387291A (en) | 1989-08-31 | 1989-08-31 | Data recording medium |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0387291A true JPH0387291A (en) | 1991-04-12 |
Family
ID=16828952
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1225411A Pending JPH0387291A (en) | 1989-08-31 | 1989-08-31 | Data recording medium |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0387291A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19613683C2 (en) * | 1996-04-05 | 2002-10-31 | Zsw | Use of a material for photoelectrically active semiconductor thin films and process for their production |
| JP2003011584A (en) * | 2001-07-02 | 2003-01-15 | Mitsubishi Pencil Co Ltd | Retractable delivering ballpoint pen |
-
1989
- 1989-08-31 JP JP1225411A patent/JPH0387291A/en active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19613683C2 (en) * | 1996-04-05 | 2002-10-31 | Zsw | Use of a material for photoelectrically active semiconductor thin films and process for their production |
| JP2003011584A (en) * | 2001-07-02 | 2003-01-15 | Mitsubishi Pencil Co Ltd | Retractable delivering ballpoint pen |
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