JPS6310611B2 - - Google Patents
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- JPS6310611B2 JPS6310611B2 JP1201181A JP1201181A JPS6310611B2 JP S6310611 B2 JPS6310611 B2 JP S6310611B2 JP 1201181 A JP1201181 A JP 1201181A JP 1201181 A JP1201181 A JP 1201181A JP S6310611 B2 JPS6310611 B2 JP S6310611B2
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- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims description 23
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03G—CONTROL OF AMPLIFICATION
- H03G3/00—Gain control in amplifiers or frequency changers without distortion of the input signal
- H03G3/02—Manually-operated control
- H03G3/04—Manually-operated control in untuned amplifiers
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は利得可変の負帰還増幅回路に関するも
のである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a variable gain negative feedback amplifier circuit.
利得可変の負帰還増幅回路は一般に、帰還枝路
に可変素子を有し、この素子により帰還回路の伝
達特性を変化させ、負帰還増幅回路全体の利得を
変化させる。従来のこの回路は帰還回路の伝達特
性のみを変えるため、負帰還増幅回路全体の安定
性、周波数特性等に重要な影響をもつ一巡伝達特
性、つまり帰還回路の伝達特性と増幅回路の伝達
特性との積が変化し、周波数特性が変化したり、
安定性が悪くなり、場合によつては発振の可能性
さえある。したがつて、利得の可変範囲を大幅に
制限したり、利得の異なる多種類の負帰還増幅器
を設計、製作し、用途に応じて使い分けなければ
ならない欠点がある。 A variable gain negative feedback amplifier circuit generally has a variable element in the feedback branch, which changes the transfer characteristic of the feedback circuit and changes the gain of the entire negative feedback amplifier circuit. Since this conventional circuit only changes the transfer characteristics of the feedback circuit, it is necessary to change the open-loop transfer characteristics, which have an important effect on the stability, frequency characteristics, etc. of the entire negative feedback amplifier circuit, that is, the transfer characteristics of the feedback circuit and the transfer characteristics of the amplifier circuit. The product of changes, the frequency characteristics change,
Stability deteriorates and, in some cases, there is even a possibility of oscillation. Therefore, there are disadvantages in that the variable range of gain is greatly limited, and that many types of negative feedback amplifiers with different gains must be designed and manufactured and used depending on the application.
本発明の目的は上記欠点を解決し、利得を広範
囲にわたつて安定に可変可能な負帰還増幅回路を
提供することにある。 An object of the present invention is to solve the above-mentioned drawbacks and provide a negative feedback amplifier circuit whose gain can be stably varied over a wide range.
本発明は、少なくとも３つの活性素子を有する
増幅回路とその出力の１部を入力に帰還する帰還
回路とによつて構成される負帰還増幅回路におい
て、複数の可変素子を有し増幅回路の伝達特性お
よび帰還回路の伝達特性の変化が相殺する様に複
数の可変素子間に一定の関連性をもたせて変化さ
せることにより安定した一巡伝達特性を有するこ
とを特徴とする負帰還増幅回路である。 The present invention provides a negative feedback amplifier circuit comprising an amplifier circuit having at least three active elements and a feedback circuit that feeds back part of the output of the amplifier circuit to the input. This is a negative feedback amplifier circuit characterized in that it has a stable open-loop transfer characteristic by varying a plurality of variable elements with a certain relationship so that changes in characteristics and transfer characteristics of the feedback circuit cancel each other out.
次に本発明の実施例を図面を用いて詳細に説明
する。 Next, embodiments of the present invention will be described in detail using the drawings.
第１図において、入力端子１からの入力信号
は、トランジスタ２，３および４で構成される増
幅回路により増幅され、出力端子５より出力され
る。一方、帰還回路は抵抗６および７により構成
され、出力の一部が増幅回路のトランジスタ２に
帰還される。可変素子は抵抗６および抵抗８であ
る。抵抗３４〜３９はトランジスタに直流バイア
スを与え、コンデンサ４０〜４５は直流電圧を阻
止する。 In FIG. 1, an input signal from an input terminal 1 is amplified by an amplifier circuit composed of transistors 2, 3, and 4, and output from an output terminal 5. On the other hand, the feedback circuit is constituted by resistors 6 and 7, and part of the output is fed back to transistor 2 of the amplifier circuit. The variable elements are resistor 6 and resistor 8. Resistors 34-39 provide DC bias to the transistors, and capacitors 40-45 block DC voltage.
抵抗６，７，８，９および１０の抵抗値をそれ
ぞれＲ６，Ｒ７，Ｒ８，Ｒ９およびＲ１０としト
ランジスタのエミツタ接地電流増幅率が十分に大
きく、各トランジスタ間の影響、トランジスタの
接合容量、抵抗のインダクタンスおよび容量、バ
イアス抵抗の影響、およびリード線間の容量等を
無視すれば増幅回路の伝達特性μは次の式で近似
できる。 By setting the resistance values of resistors 6, 7, 8, 9, and 10 to R6, R7, R8, R9, and R10, respectively, the emitter common current amplification factor of the transistor is sufficiently large, and the influence between each transistor, the junction capacitance of the transistor, and the resistance Ignoring the effects of inductance, capacitance, bias resistance, capacitance between lead wires, etc., the transfer characteristic μ of the amplifier circuit can be approximated by the following equation.
μ＝R8×R9／R7×R10（ただし、R36≫R8とする） …… 一方、帰環回路の伝達特性βは β＝R7／R6＋R7 …… となり、R6≫R7とすれば式は次の様になる。μ=R8×R9/R7×R10 (R36≫R8) …… On the other hand, the transfer characteristic β of the return circuit is β=R7/R6+R7... So, if R6≫R7, the formula becomes as follows.
β≒R7／R6 …… 、式より一巡伝達特性μβは次の様になる。 β≒R7/R6... , the open loop transfer characteristic μβ is as follows.
μβ＝R8・R9／R6・R10 ……
抵抗６と抵抗８を次式で示す様な一定の関連性
をもたせて変化させるとする。 μβ=R8・R9/R6・R10... Assume that the resistance 6 and the resistance 8 are changed with a certain relationship as shown by the following formula.
R8＝k1・R6（k1は定数） …… 式の関係より式は以下の様になる。 R8= k1・R6 ( k1 is a constant)... From the relationship of the formulas, the formula is as follows.
μβ＝k1・R9／R10 ……
式においてk1、R9およびR10はいずれも一
定値なので、式の関係をもつて抵抗６および抵
抗８を変化させれば、一巡伝達関数μβは一定で
あることがわかる。また、負帰還増幅回路の伝達
特性Ｇは次の式で表わされる。 μβ=k 1・R9/R10 ... In the formula, k 1 , R9, and R10 are all constant values, so if the resistances 6 and 8 are changed according to the relationship in the formula, the open loop transfer function μβ is constant. I understand that. Further, the transfer characteristic G of the negative feedback amplifier circuit is expressed by the following equation.
Ｇ＝μ／１＋μβ …… μβ≫１とすれば式は次の様に近似できる。 G=μ/1+μβ... If μβ≫1, the equation can be approximated as follows.
Ｇ≒１／β ……
式より
Ｇ≒１／β＝R6／R7 ……
式より、負帰還増幅回路の伝達特性は、抵抗
６により可変できることがわかる。および式
より第１図に示す負帰還増幅回路は複数の可変素
子をもち、それらの素子間に一定の関連性をもた
せることにより安定な一巡伝達特性を有する利得
可変負帰還増幅回路であることがわかる。また、
一巡伝達関数が安定であることにより、利得を広
範囲に変化させても安定に動作する負帰還増幅器
が可能となる。 G≒1/β... From the equation G≒1/β=R6/R7... From the equation, it can be seen that the transfer characteristics of the negative feedback amplifier circuit can be varied by the resistor 6. From the following equations, it can be concluded that the negative feedback amplifier circuit shown in Fig. 1 has a plurality of variable elements, and by creating a certain relationship between these elements, it is a variable gain negative feedback amplifier circuit that has stable open-loop transfer characteristics. Recognize. Also,
The stability of the open loop transfer function enables a negative feedback amplifier that operates stably even when the gain is varied over a wide range.
第２図は第１図と同様に、帰環回路と増幅回路
の伝達特性を抵抗１８および抵抗２０によつて変
えるもので増幅回路において変化する抵抗位置を
変えたものである。抵抗４６から抵抗５３はトラ
ンジスタに直流バイアスを与えるため、コンデン
サ５４からコンデンサ５９は直流電圧阻止用であ
る。本図における伝達特性Ｇおよび一巡伝達特性
μβは以下の様になる。 Similar to FIG. 1, FIG. 2 shows that the transfer characteristics of the return circuit and the amplifier circuit are changed by using resistors 18 and 20, and the positions of the resistors that change in the amplifier circuit are changed. The resistors 46 to 53 provide DC bias to the transistor, and the capacitors 54 to 59 are used to block DC voltage. The transfer characteristic G and the round transfer characteristic μβ in this figure are as follows.
Ｇ≒R18／R19
μβ＝≒K2R48／R51（ただし、K2は定数、
R50≫R20とする）
第３図は増幅回路の変化する素子を抵抗３０お
よび抵抗３１とし、帰還回路の抵抗２８とともに
３つの抵抗にて利得を変化させようとするもので
ある。抵抗６０から抵抗６７はトランジスタに直
流バイアスを与えるため、コンデンサ６８からコ
ンデンサ７４は直流電圧阻止用である。本図にお
ける一巡伝達特性μβ、伝達特性Ｇは以下の通り
である。G≒R18/R19 μβ=≒K 2 R48/R51 (K 2 is a constant, R50≫R20) In Figure 3, the variable elements of the amplifier circuit are resistors 30 and 31, and the feedback circuit resistor 28 At the same time, the gain is changed using three resistors. The resistors 60 to 67 provide DC bias to the transistor, and the capacitors 68 to 74 are used to block DC voltage. The open loop transfer characteristic μβ and the transfer characteristic G in this figure are as follows.
μβ≒K3／R65（ただし、K3＝R30×R31／R28、
R63≫R30、R64≫R31とする）
Ｇ≒R28／R29
本発明によれば、利得を広範囲にわたつて安定
に可変可能な負帰還増幅回路が得られる。μβ≒K 3 /R65 (K 3 = R30×R31/R28, R63≫R30, R64≫R31) G≒R28/R29 According to the present invention, the gain can be stably varied over a wide range. A negative feedback amplifier circuit is obtained.
なお、上述した第１図〜第３図の回路のトラン
ジスタの代りに、電界効果トランジスタを使用す
ることができ、そのような場合にもトランジスタ
を使用した構成と同様の効果が得られる。 Note that field effect transistors can be used in place of the transistors in the circuits of FIGS. 1 to 3 described above, and in such a case, the same effect as the structure using transistors can be obtained.
第１図、第２図および第３図はそれぞれ本発明
の実施例を示す回路図である。
１，１３，２３……入力端子、２，３，４，１
４，１５，１６，２４，２５，２６……トランジ
スタ、５，１７，２７……出力端子、１１，１
２，２１，２２，３２，３３……電源端子。
FIG. 1, FIG. 2, and FIG. 3 are circuit diagrams each showing an embodiment of the present invention. 1, 13, 23...Input terminal, 2, 3, 4, 1
4, 15, 16, 24, 25, 26...transistor, 5, 17, 27...output terminal, 11, 1
2, 21, 22, 32, 33...Power terminals.
Claims (1)
タを用い、第二段にエミツタ接地形の第二のトラ
ンジスタを用い、第三段にコレクタ接地形の第三
のトランジスタを用い、この第三段の出力を前記
第一のトランジスタのエミツタに帰還するように
した負帰還増幅回路において、前記第三のトラン
ジスタのエミツタと前記第一のトランジスタのエ
ミツタとの間に挿入した帰還枝路の第一の抵抗値
に対する前記第一のトランジスタのコレクタ側抵
抗の第二の抵抗値の比を一定に保ちながら、前記
第一および第二の抵抗値を可変するようにしたこ
とを特徴とする負帰還増幅回路。 ２ 第一段にソース接地形の第一の電界効果トラ
ンジスタを用い、第二段にソース接地形の第二の
電界効果トランジスタを用い、第三段にドレイン
接地形の第三の電界効果トランジスタを用い、こ
の第三段の出力を前記第一の電界効果トランジス
タのソースに帰還するようにした負帰還増幅回路
において、前記第三の電界効果トランジスタのソ
ースと前記第一の電界効果トランジスタのソース
との間に挿入した帰還枝路の第一の抵抗値に対す
る前記第一の電界効果トランジスタのドレイン側
抵抗の第二の抵抗値の比を一定に保ちながら、前
記第一および第二の抵抗値を可変するようにした
ことを特徴とする負帰還増幅回路。 ３ 第一段にエミツタ接地形の第一のトランジス
タを用い、第二段にエミツタ接地形の第二のトラ
ンジスタを用い、第三段にコレクタ接地形の第三
のトランジスタを用い、この第三段の出力を前記
第一のトランジスタのエミツタに帰還するように
した負帰還増幅回路において、前記第三のトラン
ジスタのエミツタと前記第一のトランジスタのエ
ミツタとの間に挿入した帰還枝路の第一の抵抗値
に対する前記第二のトランジスタのコレクタ側抵
抗の第二の抵抗値の比を一定に保ちながら、前記
第一および第二の抵抗値を可変するようにしたこ
とを特徴とする負帰還増幅回路。 ４ 第一段にソース接地形の第一の電界効果トラ
ンジスタを用い、第二段にソース接地形の第二の
電界効果トランジスタを用い、第三段にドレイン
接地形の第三の電界効果トランジスタを用い、こ
の第三段の出力を前記第一の電界効果トランジス
タのソースに帰還するようにした負帰還増幅回路
において、前記第三の電界効果トランジスタのソ
ースと前記第一の電界効果トランジスタのソース
との間に挿入した帰還枝路の第一の抵抗値に対す
る前記第二の電界効果トランジスタのドレイン側
抵抗の第二の抵抗値の比を一定に保ちながら、前
記第一および第二の抵抗値を可変するようにした
ことを特徴とする負帰還増幅回路。 ５ 第一段にエミツタ接地形の第一のトランジス
タを用い、第二段にエミツタ接地形の第二のトラ
ンジスタを用い、第三段にコレクタ接地形の第三
のトランジスタを用い、この第三段の出力を前記
第一のトランジスタのエミツタに帰還するように
した負帰還増幅回路において、前記第三のトラン
ジスタのエミツタと前記第一のトランジスタのエ
ミツタとの間に挿入した帰還枝路の第一の抵抗値
に対する前記第一のトランジスタのコレクタ側抵
抗の第二の抵抗値と前記第二のトランジスタのコ
レクタ側抵抗の第三の抵抗値との積の比を一定に
保ちながら、前記第一、第二および第三の抵抗値
を可変するようにしたことを特徴とする負帰還増
幅回路。 ６ 第一段にソース接地形の第一の電界効果トラ
ンジスタを用い、第二段にソース接地形の第二の
電界効果トランジスタを用い、第三段にドレイン
接地形の第三の電界効果トランジスタを用い、こ
の第三段の出力を前記第一の電界効果トランジス
タのソースに帰還するようにした負帰還増幅回路
において、前記第三の電界効果トランジスタのソ
ースと前記第一の電界効果トランジスタのソース
との間に挿入した帰還枝路の第一の抵抗値に対す
る前記第一の電界効果トランジスタのドレイン側
抵抗の第二の抵抗値と前記第二の電界効果トラン
ジスタのドレイン側抵抗の第三の抵抗値との積の
比を一定に保ちながら、前記第一、第二および第
三の抵抗値を可変するようにしたことを特徴とす
る負帰還増幅回路。[Claims] 1. A first transistor with a grounded emitter is used in the first stage, a second transistor with a grounded emitter is used in the second stage, and a third transistor with a grounded collector is used in the third stage. In a negative feedback amplifier circuit in which the output of the third stage is fed back to the emitter of the first transistor, a feedback amplifier is inserted between the emitter of the third transistor and the emitter of the first transistor. The first and second resistance values are varied while keeping constant the ratio of the second resistance value of the collector side resistance of the first transistor to the first resistance value of the branch path. Negative feedback amplifier circuit. 2 A first field effect transistor with a grounded source configuration is used in the first stage, a second field effect transistor with a grounded source configuration is used in the second stage, and a third field effect transistor with a grounded drain configuration is used in the third stage. In a negative feedback amplifier circuit configured to feed back the output of the third stage to the source of the first field effect transistor, the source of the third field effect transistor and the source of the first field effect transistor the first and second resistance values while keeping constant the ratio of the second resistance value of the drain side resistance of the first field effect transistor to the first resistance value of the feedback branch inserted between A negative feedback amplifier circuit characterized in that it is variable. 3 A first transistor with a grounded emitter is used in the first stage, a second transistor with a grounded emitter is used in the second stage, a third transistor with a grounded collector is used in the third stage, and the third stage is a transistor with a grounded emitter. In the negative feedback amplifier circuit configured to feed back the output of the first transistor to the emitter of the first transistor, the first feedback branch of the feedback branch inserted between the emitter of the third transistor and the emitter of the first transistor A negative feedback amplifier circuit characterized in that the first and second resistance values are varied while keeping constant the ratio of the second resistance value of the collector side resistance of the second transistor to the resistance value. . 4 A first field effect transistor with a grounded source configuration is used in the first stage, a second field effect transistor with a grounded source configuration is used in the second stage, and a third field effect transistor with a grounded drain configuration is used in the third stage. In a negative feedback amplifier circuit configured to feed back the output of the third stage to the source of the first field effect transistor, the source of the third field effect transistor and the source of the first field effect transistor the first and second resistance values while keeping constant the ratio of the second resistance value of the drain side resistance of the second field effect transistor to the first resistance value of the feedback branch inserted between A negative feedback amplifier circuit characterized in that it is variable. 5 A first transistor with a grounded emitter is used in the first stage, a second transistor with a grounded emitter is used in the second stage, a third transistor with a grounded collector is used in the third stage, and the third stage is a transistor with a grounded emitter. In the negative feedback amplifier circuit configured to feed back the output of the first transistor to the emitter of the first transistor, the first feedback branch of the feedback branch inserted between the emitter of the third transistor and the emitter of the first transistor the first and second transistors while keeping constant the ratio of the product of the second resistance value of the collector side resistance of the first transistor and the third resistance value of the collector side resistance of the second transistor to the resistance value. A negative feedback amplifier circuit characterized in that the second and third resistance values are made variable. 6 A first field effect transistor with a grounded source configuration is used in the first stage, a second field effect transistor with a grounded source configuration is used in the second stage, and a third field effect transistor with a grounded drain configuration is used in the third stage. In a negative feedback amplifier circuit configured to feed back the output of the third stage to the source of the first field effect transistor, the source of the third field effect transistor and the source of the first field effect transistor a second resistance value of the drain-side resistance of the first field-effect transistor and a third resistance value of the drain-side resistance of the second field-effect transistor with respect to the first resistance value of the feedback branch inserted between A negative feedback amplifier circuit characterized in that the first, second, and third resistance values are varied while keeping a constant ratio of the product.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1201181A JPS57125508A (en) | 1981-01-29 | 1981-01-29 | Negative feedback amplifying circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1201181A JPS57125508A (en) | 1981-01-29 | 1981-01-29 | Negative feedback amplifying circuit |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57125508A JPS57125508A (en) | 1982-08-04 |
| JPS6310611B2 true JPS6310611B2 (en) | 1988-03-08 |
Family
ID=11793639
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1201181A Granted JPS57125508A (en) | 1981-01-29 | 1981-01-29 | Negative feedback amplifying circuit |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57125508A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002027921A1 (en) * | 2000-09-27 | 2002-04-04 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method and circuit for distortion compensation and output control |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58132417U (en) * | 1982-02-27 | 1983-09-07 | 日本電気ホームエレクトロニクス株式会社 | audio amplifier |
| JPS62173809A (en) * | 1986-01-28 | 1987-07-30 | Fujitsu Ltd | Amplifier |
| JP2005204110A (en) * | 2004-01-16 | 2005-07-28 | Hitachi Kokusai Electric Inc | Electric power amplifying unit for transmitter |
-
1981
- 1981-01-29 JP JP1201181A patent/JPS57125508A/en active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002027921A1 (en) * | 2000-09-27 | 2002-04-04 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method and circuit for distortion compensation and output control |
| US6710647B1 (en) | 2000-09-27 | 2004-03-23 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method and circuit for distortion compensation and output control |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57125508A (en) | 1982-08-04 |
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