JPS63104002A - 短波長域通過フイルタ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （発明の目的） （産業上の利用分野） この発明は、例えば光波長多相伝送システムにあける発
光モジュール及び受光モジュールに用いられる、主に誘
電体多層膜よりなるエツジ・フィルタに関する。

（従来の技術〉 光ファイバによる波長多重伝送方式は、伝送容量の拡大
、双方向伝送、システム構築の柔軟性が増す等の利点が
あるため、加入者系伝送やデータリンク等のさまざまな
分野での適用が考えられている。このような波長多重伝
送では、送信側においては波長の異なる複数の光を１本
の光ファイバに結合するための合波器が、又は所望する
波長の光成分のみを出射するための発光モジュールが、
更に受信側においては光ファイバを伝搬してきた波長の
異なる光を夫々分離するための分波器が、又は所望す、
る波長の光成分のみを取り出すための受光モジュールが
必要である。このうち、上記光合分波器の合分波素子と
しては、種々の誘電体多層膜フィルタが採用され、例え
ば加入者系伝送において実用化されている。

さて、上記誘電体多層膜フィルタとしては、箕輪、藤井
、言本：信学技報ＣＳ　８２−２９　（１９８２）に知
られるようにバンド・パス・フィルタやエツジ・フィル
タがある。ここで、長波長域通過フィルタと短波長域通
過フィルタを合わせてエツジ・フィルタと称する。一般
に、長波長域通過フィルタの構成は、 （Ｈ／２・Ｌ−Ｈ／２）’・・・交互層Ａ（ここでＨは
高屈折率物質が１／４波長光学的厚さで、Ｌは低屈折率
物質が１／４波長光学的厚さで、１は自然数であること
を示す）を、又、短波長域通過フィルタの構成は、 （Ｌ／２・Ｈ−Ｌ／２＞’・・・交互層Ｂを基本とする
。ところで、これらのエツジ・フィルタを光合分波器に
使用するには、通過帯の損失を低減し、かつ阻止域減衰
量を増加させる必要がある。このため１の１直を」曽し
て層数を多くすると、フィルタ特性が急峻となり、阻止
域減衰点が増加するが、一方通過帯域のリップルが大ぎ
く生じてくる。リップルの低減法としては、 （１）各層の膜厚を微調する方法 （２）交互層Δ又はＢと基板及び媒体との間に整合層を
加える方法 が知られている。

前出の信学技報ＣＳ　８２−２９（１９８２）において
は、整合ＩＷＭとして酸化アルミニウム（屈折率は１．
６２）を用いた次の構成の光合分波器用の２５層の長波
長域通過フィルタが提案されている。

ガスラ基板１１．２５Ｍ・　１．２５１・（Ｈ／２・Ｌ
−Ｈ／２　）　　・　１．２５１・　１．２５　Ｍ　ｌ
ガラス基板・・・（ａ） このようなエツジ・フィルタを製造するには、従来第４
図に示すような電子ビーム蒸着装置用いる。この装置に
よる膜厚の制御方法は、蒸着中にモニタ基板３１の位置
で、光源４０からの光線の透過率（あるいは図示しない
方法である反射率）を受光素子４１で検値し、透過率（
市るいは反射率）の変化による極値を検出する光学モニ
タ方式で必る。

通常の誘電体多層膜形成用の電子ビーム蒸着装置は、第
４図に示すように、モニタ基板３１の他に３２、３３．
・・・等の複数のモニタ基板を収容出来るようになって
おり、各種の誘電体多層膜フィルタは複数のモニタ基板
を使用して形成するのが一般的である。

（発明が解決しようとする問題点） 波長多重伝送方式の適用を考えられているシステムとし
ては、上記の他に光ローカル・エリア・ネットワークが
ある。例えば、２波長を多垂伝送するシステムで、発光
素子は発光ダイオード（以下ＬＥＤと略す）で、発光波
長は０．７８μｍと０．８５μｍである。又、受光素子
は、０．６μ０１〜１μｍに感度のおるアバランシェ・
フォト・ダイオード（以下ＡＰＤと略す）である。この
ようなシステムでは、発光素子がＬＥＤのために発光ス
ペクトルが広く、多重する２波長の間隔が狭いため、２
つの発光スペクトルが臣なり合う波長領域があり伝送品
質を劣化させていた。又、受光策子の感度も上述のよう
に広範囲であり、不要な波長領域の信号やノイズも検出
し、伝送品質を劣下させていた。以上の点を改善するた
めに、多重する２波長を分離することができる発光モジ
ュール及び受光モジュールが要求されている。この分離
素子としては、上記の誘電体多層膜フィルタでおるエツ
ジ・フィルタが考えられるが、上）ボの構成（ａ）のエ
ツジ・フィルタはフィルタ特性の急峻さや阻止域減衰旦
が不充分であった。また、短波長域通過フィルタは、交
互層Ｂ＠基本とすると、交互層Ａを基本とした長波長域
通過フィルタよりもリップルが大きくなる傾向がある。

一方、整合層のないエツジ・フィルタは、実際の真空蒸
着で扱う物質が２種類ですみ、簡便であるため、基板側
より数えて第１＠と最終層が低屈折率物質層で各層の膜
厚をλ。／４から微調した構成が一般に採用されている
。この構成では、成膜時に第１層として低屈折率物質層
が上記モニタ基板３１上に形成されるが、通常モニタ基
板としてガスラ基板を用いており、両者の屈折率が近い
ため、透過率乃至反射率の変化量が極めて少なく、膜厚
精度を著しく悪くし、次の層へ誤差が型骨されていた。

従って、しばしば歩留りが悪化していた。

この発明は、上記従来の問題点に鑑みなされたもので、
上記発光モジュール及び受光モジュールとして充分な性
能の短波長域通過フィルタを得ること、すなわち短波長
域通過フィルタのリップルを低減して通過損失を減少さ
せることと同時にフィルタ特性の急峻さを向上させ、か
つ阻止域減哀伍を増加させることと歩留りの向上を目的
としている。

〔発明の構成〕

（問題点を解決するための手段） この発明は、高屈折率物質と低屈折率物質との交互積層
多層膜を含み、構成が実質的に、　基板ｌ　ｘ（１）Ｈ
−ｘ（２）　Ｌ・ｘ（３）Ｈ−ｘ（４）Ｌ−ｘ（５）Ｈ
・ｘ（６）Ｌ−ｘ（７）Ｈ−−−−ｘ（ｉ）Ｈ−ｘ（ｉ
＋１）　Ｌ　・−−−ｘ（ｍ−６）　Ｈ−ｘ（ｍ−５）
　ｌ　−ｘ（ｍ−４）Ｈ・ｘ（ｍ−３）　ｌ−−ｘ（ｍ
−２）　Ｈ−ｘ（ｍ−１）　Ｌ−ｘ（ｍ）　Ｈｌ　１体 （但し、ｍは金石数で、Ｈは屈折率が２．１０以上の高
屈折率物質が１／４波長光学的厚さで、Ｌは屈折率が１
．５５以下の低屈折率物質が１／４波長光学的厚さで、
基板側より数えて第ｎ層の係数Ｘ（ｎ）は１７４波長光
学的厚さからのずれを示す）である短波長域通過フィル
タにおいて、前記金石数ｍが２７≦ｍ≦４９の範囲にお
る奇数であり、前記係数Ｘ（ｒ＋）が １．１５　＜ｘ（１）≦１．５５ ０．９５≦ｘ（２）≦１．２５ １．０　　≦ｘ（３）≦１．２ １、Ｏ≦ｘ（４）≦１．２ ０．８　　≦ｘ（５）≦１．０ １．０　　≦ｘ（６）≦１．２ １、Ｏ≦ｘ（７）≦１．２ １．０　　≦ｘ　（ａ−６）≦１．２ ｉ、ｏ　　≦Ｘ　（Ｉｌｌ−５）≦１．２０．８　　≦
ｘ（ｍＪ）≦１．０ １．０　　≦ｘ　（ｍ−３）≦１．２ １．０　　≦ｘ（ｍ−２）≦１．２ ０．９５　≦Ｘ　（ｍ−１）　　≦　１．２５１．１５
　＜ｘ　　（＋ｎ）　　≦１．５５の範囲に必ることを
特徴とする短波長域通過フィルタである。

（作　用） 本発明の短波長域通過フィルタの構成は整合層がなく、
製造が簡便であり、又、第１層目が高屈折率物質である
ことにより、従来のモニタ基板上の第１層目が低屈折率
物質で必ることからおこる膜厚精度の悪化を妨げるため
、歩留りを向上できる。更に、基板側と媒体側の少なく
とも各７層の膜厚を上記係数ｘ　（ｎ）の範囲で１／４
波長光学的厚さからずらして短波長域通過フィルタを成
膜すると、例えば波長多重伝送する光ローカル・エリア
・ネットワークの発光モジュール及び受光モジュールに
使用するために全層数を２７層以上と増加させた効果で
あるフィルタ特性の急峻さ及び充分大ぎな阻止域減衰量
を保ちながら、通過帯のリップルを低減できる。

ここで、基板側と媒体側の各７層のうちのめる層につい
て上記係数ｘ　（ｎ）の範囲に含まれるＸ（ｎ）　＝１
．０の場合にもリップルの改善効果はあるが、１／４波
長光学的厚さからずらした層数が多いほどこの効果は若
しい。又、塞板側と媒体側の各７層の係数ｘ　（ｎ）が
全てｘ　（ｎ）≠１．０である適当なＷＡ＠成の短波長
域通過フィルタの特性は、従来の第１層と最終層が低屈
折率物質で必る１１７．ｉ構成の短波長域通過フィルタ
と同程度の特性で全層数を２層減少でき、成膜時間も短
縮できる。尚、上記膜構成で、基板側と媒体側の各８層
以上も１／４波長光学的厚さからずしても良いが、この
場合は、成膜の長時間化と複雑化がおこる。又、上記係
数ｘ　（ｎ）の範囲外では、通過帯のリップル又はフィ
ルタ特性の急峻さが著しく悪化する。又、上記基板と上
記媒体の屈折率がぼぼ等しい場合には、基板側の係数ｘ
　（ｎ）と対象な媒体側の係数ｘ　（ｍ−ｎ＋１）を下
記の如く等しい値として充分な効果が得られる。

Ｘ（１）　＝３）、ｘ（５）＝ｘ（ｍ）　、ｘ（２）　
＝ｘ（ｍ−１）　、ｘ（３）　＝ｘ（ｍ−２）　、ｘ　
（４）　＝ｘ　（ｍ−３）　、ｘ　（５）　＝ｘ　（ｍ
−４）、ｘ　（６）　＝　ｘ　（ｍ−５）　、ｘ　（７
）　＝　ｘ　（ｍ−６）であり、且つ １．１５　≦ｘ（１）≦　１．５５゜ １．０　　＜　ｘ　（２）≦１．２５ １．０　　＜　ｘ　（３）≦１．２ １．０　　＜ｘ（４）≦　１６２ ０．８≦ｘ（５）　＜　１．０ １．０　　＜ｘ（６）≦１．２゜ １．０　　＜ｘ（７）≦１．２ 又、上記発光モジュール及び受光モジュールの発光素子
がしＥＤで、多重する波長間隔が狭く、受光素子がＡＰ
Ｄの場合には、全層数ｍが３３≦ｍ≦３９の範囲にある
奇数であるとき適当なフィルタ特性が得られる。

本発明の短波長域通過フィルタは、例えば波長多重伝送
する光ローカル・エリア・ネットワークにおいて使用さ
れる発光モジュール及び受光モジュールに組込まれる。

本発明の短波長域通過フィルタは、低挿入損失で安定に
多重する波長を分離し、漏話減衰皐を増加させることで
伝送品質を向上させる。特に上記発光モジュール及び受
光モジュールの発光素子がＬＥＤで多重する波長間隔が
狭く、受光素子がＡＰＤの場合にも、全層数ｍが３３≦
ｍ≦３９の範囲にある奇数で、発光スペクトルが多重す
る他の波長と重なる領域を阻止域に含む本発明の短波長
域通過フィルタを用いることで多重する波長を分離し、
漏話減衰口を増加させることが可能である。

（実施例） この発明による短波長域通過フィルタの一実施例（例え
ば０．７８μｍを反射し、０．８５μｍを通過させる短
波長域通過フィルタ）を、図面を参照して詳細に説明す
る。

即ち、この発明の短波長域通過フィルタは、次のように
構成されている。

基板ｌ　Ｘ（１）　Ｈ−ｘ（２）　Ｌ−ｘ（３）　Ｈ−
ｘ　　（４）Ｌ・ｘ（５）　Ｈ−ｘ（６）　Ｌ−ｘ（７
）　Ｈ−Ｌ　−［Ｈ−Ｌコ　Ｖ　　−ｘ（ｍ−６）　　
Ｈ−ｘ（ｍ−５）　　Ｌ　　−ｘ（ｍ−４）　　Ｈ・ｘ
（ｍ−３）　Ｌ　”３）、ｘ（５）＝ｘ（ｍ−２）　Ｈ
・ｘ（ｍ−１）　Ｌ・ｘ（ｌｎ）　Ｈ１接希剤・・・（
ｂ）ここで、Ｈは高屈折率物質、Ｌは低屈折率物質の各
々コ／４波長光学的厚さを表わし、各々二酸化チタン、
二酸化シリコンを用いた場合である。

又、ｍ＝３７．　ｙ＝１１で、制御波長λ０は０．９２
μｍとし、係数×（１）〜Ｘ（７）及び×（３１）〜ｘ
（３７）はλ。／４からのずれを表わし、この実施例で
はｘ（１）　＝ｘ（３７）＝　１．３７　、　ｘ（２）
　＝ｘ（３Ｂ）　＝　１．１４　、　ｘ（３）　＝ｘ（
３５）＝　１．１１　、　ｘ（４）　＝ｘ（３４）　＝
１．０９　、　ｘ（５）　＝ｘ（３３）＝　０．９０　
、　ｘ（６）　＝ｘ（３２）　−１，０９、ｘ（７）　
＝ｘ（３１）＝　１．０８である。基板は平面に研磨さ
れた光学ガラス基板で、例えば屈折率が１．５１の材質
のものが使用され、接着剤としては例えば屈折率が１．
５５の材質のものが使用される。

このような短波長域通過フィルタを断面図で示すと第１
図のようになり、図中１は基板、２は高屈折率物質、３
は低屈折率物質、４は接着剤、５は剛体である。

この発明による短波長域通過フィルタは、例えば第２図
又は第３図に示す光源がＬＥＤ　（又は受光素子がＡＰ
Ｄ＞で０．７８μｍと０．８５　μｍ　（７）波長多重
伝送用の発光モジュール（又は受光モジュール）に組込
まれる。第２図は発光モジュール（又は受光モジュール
）の−例を示し、短波長域通過フィルタを接着剤４であ
る媒体を介して光合分波器１３に組込み、この光合波器
１３を光コネクタ１２を介して０．７８μｍの発光素子
（又は受光素子）１０に結合してなる。なお、１１は光
ファイバ、１４は異なる型の光コネクタである。第３図
は、短波長域通過フィルタを内蔵した発光素子（又は受
光素子）１５を持つ第２図と異なる型の発光モジュール
（又は受光モジュール）を示す。

次に、上記構成（ｂ）の長波長域通過フィルタの製作法
について詳述する。

即ち、第４図に示す電子ビーム蒸着装置において、モニ
タ基板３１の位置に、複数のモニタ基板３２゜３３、・
・・等を用いて短波長域通過フィルタの数層ずつの光学
的膜厚を制御し、ドーム３５に配置された製品となる基
板３Ｂ、　３７．３８等の上に短波長域通過フィルタを
形成する。そして、蒸発源を収能するルツボ４２は、二
酸化チタンと二酸化”シリコンの２種類を複数個ずつ具
備可能な、図示しない円板型のものである。所定の物質
を蒸着させる場合、電子銃４３からエミッション電流が
到達する位置へ回転させて持って来る。電子銃４３の加
速電圧は、例えば６ｋＶであり、エミッション電流値は
、例えば二酸化チタンの場合２６５ｍＡであり、二酸化
シリコンの場合６５ｍＡでめる。

二酸化チタンの蒸着の場合、二酸化チタンが還元して黒
色に着色した膜となるのを防ぐため、酸素を例えば７　
ｘ　１０’Ｔｏｒｒ導入する反応性蒸着を用いる。又、
基板温度は、例えば３００　’Ｃとした。そして、得ら
れる二酸化チタンの蒸着膜の屈折率は２．２乃至２．３
であり、二酸化シリコンの屈折率は１．４６乃至１．４
７であった。

３７層の多層膜を真空中で形成後、例えば基板温度２５
０’Ｃ以下に冷却後、大気圧に戻し、真空＠３４より取
り出す。形成された短波長域通過フィルタの分光特性は
、経時変化を起し、数ｎｍの範囲内で長波長側へ移動す
るが、透過率５０％の通過波長は０．８０５μｍに制御
される。

得られた構成（ｂ）の短波長域通過フィルタの垂直入射
の場合の分光特性の測定結果の一例を％表示で第５図に
、第５図と同じ内容をｄＢ表示で第６図に示す。尚、分
光特性の測定に際しては、２枚の上記ガラス基板を接着
剤にて貼り合せたものをリファレンスとし、構成（ｂ）
の接着剤側に上記ガラス基板を貼り合せたものをサンプ
ルとして測定した。上記実施例における構成（ｂ）は、
通過帯のリップルを充分低減でき、透過率５０％の通過
波長が０．８０５μｍで、フィルタ特性が急峻であり、
かつ阻止域減衰量も充分な値で、例えば０．８３μｍに
て２７ｄ　Ｂが得られた。この特性は光源が発光スペク
トルの広いＬＥＤで、多重する波長間隔が狭く、受光素
子がＡＰＤの波長多重伝送の発光モジュール及び受光モ
ジュール用短波長域通過フィルタとして充分でめった。

更に上記実施例の特性は構成（ｂ）の基板側より数えて
第１層の前と最終層の後に低屈折率物質を例えばλ。７
／４の１．３１倍の膜厚だけ成膜した従来の全３９層の
構成の特性と比較して、同等おるいはそれ以上であり、
仝層数が２層減ったため、蒸着時間が短縮できた。又、
λｏ／４からずらす層数が減ったことや、前記モニタ基
板上の第１層として高屈折率物質を成膜する製造方法が
採用できたことから、歩留りが向上した。

尚、上記実施例においては、３７層の場合の短波長域通
過フィルタを例に取って説明したが、前述の波長多重伝
送の光部品として必要なフィルタ特性、通過損失及び阻
止域減衰量等を得るには、層数ｍが２７層ｍ≦４９であ
れば良く、いずれの暦数の場合にも、溝成（ｂ）におい
て、ｘ（１）　＝ｘ（ｍ）　＝１．３７　、　ｘ（２）
　＝ｘ（ｍ−１）　＝　１．１４　、　ｘ（３）　＝ｘ
（ｍ−２）　＝　１．１１　、　ｘ（４）　＝ｘ（ｍ−
３）　＝　１．０９　、　ｘ（５）　＝ｘ（ｍ−４）　
＝　０．９０　、　ｘ（６）　＝ｘ（ｍ−５）　−１，
０９、Ｘ　（７）　＝Ｘ　（ｍ−６）　＝　１．０８が
最適１直であるが、各係数が １．１５　＜ｘ（１）≦１．５５ ０．９５≦ｘ（２）≦１．２５ １．０　　≦ｘ（３）≦１．２ １．０　　≦ｘ（４）≦　１．２ ０．８　　≦ｘ（５）≦　ｉ、。

１．０　　≦ｘ（６）≦　１．２ １、Ｏ≦ｘ（７）≦　１．２ １．０　　≦ｘ　（ｍ−６）　　≦　１．２１．０　　
≦ｘ　（ｍ−５）≦　１．２０．８　　≦Ｘ　（ｍ−４
）　≦　１゜０１．０　　≦Ｘ　（ｍ−３）　　≦　１
．２１．０　　≦Ｘ　（ｍ−２）　≦　１．２０．９５
　≦ｘ（ｍ−１）　　≦　１，２５１．１５　＜ｘ　（
ｍ）　　≦１．５５の範囲にあるいずれの組合せでも良
い。更に８層からｍ−７層までをλｏ／４から微調して
もよいが、蒸着が複雑になる。また、ｍ≧４９の場合に
も上記係数の値が適用できるが、実際の蒸着が長時間に
及ぶ。

又、この実施例では、屈折率が２．１０以上の高屈折率
物質として二酸化チタン、屈折率が１．５５以下の低屈
折率物質として二酸化シリコンを用いた場合について述
べたが、他の誘電体、例えば高屈折率物質として硫化亜
鉛、五酸化タンタル、五酸化ニオブ等、又、低屈折率物
質として弗化マグネシウム等を用いた場合でも、本発明
が適用できる。

又、上記実施例では、０．７８μｍと０．８５　μｍの
波長多重伝送の光部品の短波長域通過フィルタを例にと
り詳述したが、発光素子の波長は数多くあり、発光波長
に応じた短波長域通過フィルタ全てに、刺部波長λ。を
変化させることで本発明は適用できる。更に、多重する
波長間隔が上記より広い波長多重伝送の光部品の短波長
域通過フィルタとしても、勿論適用できる。

又、上記実施例では、短波長域通過フィルタの膜面に垂
直入射の場合を例にとり詳述したが、入射角をもたせた
場合にも本発明は適用できる。

（発明の効果） この発明によれば、波長多重伝送の発光モジュール及び
受光モジュール用短波艮域通過フィルタとして充分な分
光特性が得られ、特に通過損失の低減と同時にフィルタ
特性の急峻化及び阻止域減衰量の増加が図れた。従って
本発明の短波長域通過フィルタを用いることで、多重す
る波長を分離して漏話減衰量を増加させ、伝送品質の向
上を図れた。更に実際の真空蒸着において蒸着時間が短
縮でき、又歩留りも向上した。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の一実施例に係る短波長域通過フィル
タを示す断面図、第２図はこの発明の短波長域通過フィ
ルタを使用した発光モジュール（又は受光モジュール）
を示す構成図、第３図はこの発明の短波長域通過フィル
タを使用した別の形の発光モジュール（又は受光モジュ
ール）を示す構成図、第４図は第１図の短波長域通過フ
ィルタを形成するための電子ビーム蒸着装置を示す構成
図、第５図及び第６図はそれぞれこの発明の短波長域通
過フィルタにおいて垂直入射の場合の分光特性の測定結
果を示す特性曲線図である。 １・・・基板、２・・・高屈折率物質、３・・・低屈折
率物質、４・・・接着剤、５・・・剛体。 第１図 第３図 第４図 丈長　　（ｎｍ） 第５図 １長　（ｎｍ　） 第６図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）高屈折率物質と低屈折率物質との交互積層多層膜
   を含み、構成が実質的に、 基板｜ｘ（１）Ｈ・ｘ（２）Ｌ・ｘ（３）Ｈ・ｘ（４）
   Ｌ・ｘ（５）Ｈ・ｘ（５）Ｌ・ｘ（７）Ｈ・…Ｘ（ｉ）
   Ｈ・ｘ（ｉ＋１）Ｌ…・ｘ（ｍ−６）Ｈ・ｘ（ｍ−５）
   Ｌ・ｘ（ｍ−４）Ｈ・ｘ（ｍ−３）Ｌ・ｘ（ｍ−２）Ｈ
   ・ｘ（ｍ−１）Ｌ・ｘ（ｍ）Ｈ｜媒体 （但し、ｍは全層数で、Ｈは屈折率が２．１０以上の高
   屈折率物質が１／４波長光学的厚さで、Ｌは屈折率が１
   ．５５以下の低屈折率物質が１／４波長光学的厚さで、
   基板側より数えて第ｎ層の係数ｘ（ｎ）は１／４光学的
   厚さからのずれを示す） である短波長城通過フィルタにおいて、 前記全層数ｍが２７≦ｍ≦４９の範囲にある奇数であり
   、前記係数ｘ（ｎ）が １．１５＜ｘ（１）≦１．５５ ０．９５≦ｘ（２）≦１．２５ １．０≦ｘ（３）≦１．２ １．０≦ｘ（４）≦１．２ ０．８≦ｘ（５）≦１．０ １．０≦ｘ（６）≦１．２ １．０≦ｘ（７）≦１．２ １．０≦ｘ（ｍ−６）≦１．２ １．０≦ｘ（ｍ−５）≦１．２ ０．８≦ｘ（ｍ−４）≦１．０ １．０≦ｘ（ｍ−３）≦１．２ １．０≦ｘ（ｍ−２）≦１．２ ０．９５≦ｘ（ｍ−１）≦１．２５ １．１５＜ｘ（ｍ）≦１．５５ の範囲にあることを特徴とする短波長域通過フィルタ。 （２）前記係数ｘ（ｎ）が、ｘ（１）＝ｘ（ｍ）、ｘ（
   ２）＝ｘ（ｍ−１）、ｘ（３）＝ｘ（ｍ−２）、ｘ（４
   ）＝ｘ（ｍ−３）、ｘ（５）＝ｘ（ｍ−４）、ｘ（６）
   ＝ｘ（ｍ−５）、ｘ（７）＝ｘ（ｍ−６）であり、且つ １．１５≦ｘ（１）≦１．５５ １．０＜ｘ（２）≦１．２５ １．０＜ｘ（３）≦１．２ １．０＜ｘ（４）≦１．２ ０．８≦ｘ（５）＜１．０ １．０＜ｘ（６）≦１．２ １．０＜ｘ（７）≦１．２ であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の短
   波長域通過フィルタ。 （３）前記係数ｘ（ｎ）が、ｘ（１）＝１．３７、ｘ（
   ２）＝１．１４、ｘ（３）＝１．１１、ｘ（４）＝１．
   ０９、ｘ（５）＝０．９０、ｘ（６）＝１．０９、ｘ（
   ７）＝１．０８であることを特徴とする特許請求の範囲
   第２項記載の短波長域通過フィルタ。 （４）高屈折率物質が二酸化チタンであり、前記低屈折
   率物質が二酸化シリコンであることを特徴とする特許請
   求の範囲第１項記載の短波長域通過フィルタ。