JPS63102387A - Package for semiconductor laser device - Google Patents
Package for semiconductor laser deviceInfo
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- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は半導体レーザー装置用パッケージに関し、より
詳細には半導体レーザー装置用パッケージに使用するス
テムの構成に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (Field of Industrial Application) The present invention relates to a package for a semiconductor laser device, and more particularly to a structure of a stem used in a package for a semiconductor laser device.
（従来の技術）
従来、半導体レーザー素子は電子機器などに用いられて
いるが、これら半導体レーザー素子を搭載するパンケー
ジに半導体レーザー素子を実装する場合は、この半導体
レーザー素子から発生する熱を効率的に放散させるため
に、ステムに形成した放熱体に半導体レーザー素子を取
り付け、ワイヤボンディング等を施した後、これらの素
子等を透明ガラス窓を有するキャップにより気密封止し
ている。(Conventional technology) Semiconductor laser devices have conventionally been used in electronic equipment, etc., but when mounting semiconductor laser devices in a pan cage that mounts these semiconductor laser devices, it is necessary to efficiently dissipate the heat generated from the semiconductor laser devices. In order to dissipate the heat, a semiconductor laser element is attached to a heat sink formed on the stem, and after wire bonding or the like is performed, these elements are hermetically sealed with a cap having a transparent glass window.
第２図は従来の半導体レーザー装置用パッケージのステ
ムを示す。FIG. 2 shows a stem of a conventional package for a semiconductor laser device.
１０は円板状の基板であり、１２は基板１０の上面に立
設された放熱体である。これら基板１０および放熱体１
２はプレス加工により一体に形成され、金めつき等のめ
っき処理が施される。10 is a disk-shaped substrate, and 12 is a heat sink provided upright on the upper surface of the substrate 10. These substrate 10 and heat sink 1
2 is integrally formed by press working and subjected to plating treatment such as gold plating.
１４は放熱体１２に半導体レーザー素子１６を接合する
接合面である。この接合面１４は、前記基板１０に垂直
に形成され、半導体レーザー素子１６はその上端面をこ
の接合面１４の上端縁に近接するようにして接合される
。Reference numeral 14 denotes a bonding surface for bonding the semiconductor laser element 16 to the heat sink 12. This bonding surface 14 is formed perpendicularly to the substrate 10, and the semiconductor laser element 16 is bonded with its upper end surface being close to the upper edge of this bonding surface 14.
１８は基板１０上面に刻設された凹部であり、接合面１
４の基部の正面に形成される。18 is a recess carved on the upper surface of the substrate 10, and the bonding surface 1
It is formed on the front of the base of 4.
この凹部１８の底部には接合面１４に接着された半導体
レーザー１６から発生するレーザー光をモニターするモ
ニター素子（図示せず）が載置される。A monitor element (not shown) for monitoring laser light generated from the semiconductor laser 16 bonded to the bonding surface 14 is placed at the bottom of the recess 18 .
２０および２２は基板１０に配設したリード線であり、
ガラスにより絶縁されて基板１０に気密封止されている
。２１はアースリード線である。20 and 22 are lead wires arranged on the board 10;
It is insulated by glass and hermetically sealed to the substrate 10. 21 is a ground lead wire.
また、上述した半導体レーザー素子等は透明ガラス窓を
有するキャンプ（図示せず）により気密封止される。Further, the semiconductor laser element and the like described above are hermetically sealed with a camp (not shown) having a transparent glass window.
第３図は上記従来のステムの基板１０と放熱体１２、凹
部１８の配設状態をより詳細に示す断面１図である。図
示するように前記放熱体１２の接合面１４は、基板１０
に対して垂直に立設され、前記凹部１８は接合面１４の
基部からやや離れた位置に底部を傾斜させて形成される
。FIG. 3 is a cross-sectional view showing in more detail the arrangement of the substrate 10, heat sink 12, and recess 18 of the conventional stem. As shown in the figure, the bonding surface 14 of the heat sink 12 is connected to the substrate 10.
The recess 18 is formed at a position slightly apart from the base of the joint surface 14 with an inclined bottom.
２４はこの凹部１８の底部に接合されるモニター素子で
ある。24 is a monitor element joined to the bottom of this recess 18.
（発明が解決しようとする問題点）
上述したように、放熱体１２は基板１０上にプレス加工
により、一体的に形成されるが、そのプレス加工の工程
上、放熱体１２の基部と凹部１８間に平坦面２６が形成
されることが避けられない。(Problems to be Solved by the Invention) As described above, the heat sink 12 is integrally formed on the substrate 10 by press working, but due to the press process, the base of the heat sink 12 and the recess 18 It is unavoidable that a flat surface 26 is formed in between.
これは、前記放熱体１２と凹部１８を同時に高精度にプ
レス成形することができないためであって、実際のプレ
ス工程では、放熱体１２を形成した後に凹部１８を形成
するので、放熱体１２と凹部１８間にわずかの間隙が生
じて平坦面２６が残される結果となる。This is because the heat sink 12 and the recess 18 cannot be press-molded at the same time with high precision.In the actual pressing process, the recess 18 is formed after the heat sink 12 is formed. The result is a slight gap between the recesses 18, leaving a flat surface 26.
一方、半導体レーザー素子１６は前述したように接合面
１４の上端縁に接合され、この半導体レーザー素子１６
からは、鉛直上方にレーザー光が放出されるが、同時に
半導体レーザー素子１６の下方にもレーザー光が放出さ
れる。この半導体レーザー素子１６から下方に放出され
たレーザー光は、上述した平坦面２６によって鉛直上方
に反射される。On the other hand, the semiconductor laser element 16 is bonded to the upper edge of the bonding surface 14 as described above.
Laser light is emitted vertically upward from the semiconductor laser element 16, but at the same time, laser light is also emitted below the semiconductor laser element 16. The laser beam emitted downward from this semiconductor laser element 16 is reflected vertically upward by the flat surface 26 mentioned above.
この平坦面２６によって反射された反射光は半導体レー
ザー素子１６や該素子１６上方に設置される集光レンズ
等の光学系に入射し、レーザー光源のノイズの原因とな
り、半導体レーザー装置の信頼性を低下させるという問
題点がある。上述した半導体レーザー装置は、極めて厳
格な精度を要求されるものであって、光源のノイズによ
り誤作動等の原因ともなるために、わずかなノイズをも
防止しなければならない。The light reflected by this flat surface 26 enters the semiconductor laser element 16 and an optical system such as a condenser lens installed above the element 16, causing noise in the laser light source and reducing the reliability of the semiconductor laser device. There is a problem of lowering the The semiconductor laser device described above is required to have extremely strict precision, and since noise from the light source can cause malfunctions, it is necessary to prevent even the slightest noise.
そこで、本発明は上記問題点を解消すべくなされたもの
であり、その目的とするところは、基板から反射される
レーザー光に起因するノイズを減少させることができ、
信頼性の高い半導体レーザー装置用パッケージを提供す
るにある。Therefore, the present invention has been made to solve the above problems, and its purpose is to reduce noise caused by laser light reflected from a substrate,
The purpose of the present invention is to provide a highly reliable package for a semiconductor laser device.
（問題点を解決するための手段）
本発明は上記問題点を解消するため次の構成をそなえる
。(Means for Solving the Problems) In order to solve the above problems, the present invention has the following configuration.
すなわち、半導体レーザー素子を接合する放熱体を基板
上に立設し、この放熱体上に、基板に垂直な半導体レー
ザー素子の接合面を形成した半導体レーザー装置用パッ
ケージにおいて、前記基板上面の、前記接合面に接合さ
れる半導体レーザー素子の鉛直下方部位を、該接合面と
直交する平担面がない形状に形成することを特徴とする
。That is, in a package for a semiconductor laser device in which a heat sink for bonding a semiconductor laser element is provided upright on a substrate, and a bonding surface of the semiconductor laser element perpendicular to the substrate is formed on the heat sink, the The semiconductor laser device is characterized in that the vertically lower portion of the semiconductor laser element to be bonded to the bonding surface is formed in a shape without a flat surface orthogonal to the bonding surface.
（実施例）
以下本発明の好適な実施例を添付図面に基づいて詳細に
説明する。(Embodiments) Preferred embodiments of the present invention will be described in detail below with reference to the accompanying drawings.
第１図（ａ）は、本発明に係る実施例を示す半導体レー
ザー装置用パフケージのステム部の断面図である。FIG. 1(a) is a sectional view of a stem portion of a puff cage for a semiconductor laser device showing an embodiment of the present invention.
１０は基板、１２は基板１０に立設される放熱体、１８
は基板１０上面に形成される凹部である。10 is a substrate, 12 is a heat sink installed on the substrate 10, 18
is a recess formed on the upper surface of the substrate 10.
１６は半導体レーザー素子であり、放熱体１２の接合面
１４の上端縁に接合される。２４はモニター素子であり
、前記凹部１８の底面に接合される。16 is a semiconductor laser element, which is bonded to the upper edge of the bonding surface 14 of the heat sink 12. 24 is a monitor element, which is joined to the bottom surface of the recess 18.
２８ａは前記接合面１４基部の基板１０上に形成する凹
凸部であり、この凹凸部２８ａの面は凹部１８から接合
面１４に向けて低くなるように傾斜して形成される。Reference numeral 28a denotes an uneven portion formed on the substrate 10 at the base of the bonding surface 14, and the surface of the uneven portion 28a is formed to be sloped downward from the recess 18 toward the bonding surface 14.
この凹凸部２８ａは放熱体１２をプレス成形する際に接
合面１４と同時に形成することができ、凹部１８を次に
成形することにより、接合面１４の基部と凹部１８間の
基板１０上面を傾斜するように形成することができる。The uneven portion 28a can be formed at the same time as the joint surface 14 when press-molding the heat sink 12, and by forming the recess 18 next, the upper surface of the substrate 10 between the base of the joint surface 14 and the recess 18 is inclined. It can be formed as follows.
前記凹凸部２８ａは、半導体レーザー素子１６から基板
１０方向の鉛直下方に向けて放出されるレーザー光が鉛
直上方に反射されることを防止する。すなわち、半導体
レーザー素子１６から下方に発せられるレーザー光は、
この凹凸部２８ａにより、接合面１４方向（横方向）に
反射されるから、従来例のように鉛直上方にそのままレ
ーザー光が反射されることがない。その結果、半導体レ
ーザー装置の上方に設置される集光レンズ等の光学系に
反射光が入射することを防止することができる。また、
凹凸部２８ａによって反射されたレーザー光が散乱等に
より、前記光学系に入射することがありうるが、この場
合は散乱によってレーザー光が減衰するから、反射レー
ザー光のノイズは一定レベル以下に抑えることができる
。The uneven portion 28a prevents the laser light emitted from the semiconductor laser element 16 vertically downward in the direction of the substrate 10 from being reflected vertically upward. That is, the laser light emitted downward from the semiconductor laser element 16 is
Since the uneven portion 28a reflects the laser beam in the direction of the joint surface 14 (in the lateral direction), the laser beam is not directly reflected vertically upward as in the conventional example. As a result, reflected light can be prevented from entering an optical system such as a condenser lens installed above the semiconductor laser device. Also,
The laser light reflected by the uneven portion 28a may enter the optical system due to scattering or the like, but in this case, the laser light is attenuated due to scattering, so the noise of the reflected laser light should be suppressed to below a certain level. Can be done.
第１図（ｂ）は、他の実施例を示すステムの断面図であ
る。この実施例では、接合面１４の基部の基板１０上面
に複数個の凹凸面を有する凹凸部２８ｂを形成すること
を特徴とする。FIG. 1(b) is a sectional view of a stem showing another embodiment. This embodiment is characterized in that an uneven portion 28b having a plurality of uneven surfaces is formed on the upper surface of the substrate 10 at the base of the bonding surface 14.
この複数個の凹凸面を形成した凹凸部２８ｂも、プレス
加工の際、放熱体１２の接合面１４を成形すると同時に
形成される。The uneven portion 28b having a plurality of uneven surfaces is also formed at the same time as the joining surface 14 of the heat sink 12 is formed during press working.
前記凹凸部２８ｂは、上述した実施例と同様に半導体レ
ーザー素子１６から鉛直下方に発せられるレーザー光を
凹凸面により乱反射させ、レーザー光が直接鉛直上方に
反射されることを防止するものであり、この凹凸部２８
ｂは、凹凸面を複数個設けることにより、レーザー光を
一層効率的に乱反射させノイズの発生を抑えることがで
きる。The uneven portion 28b diffusely reflects the laser beam emitted vertically downward from the semiconductor laser element 16 by the uneven surface, and prevents the laser beam from being directly reflected vertically upward, as in the above-described embodiment. This uneven portion 28
In b, by providing a plurality of uneven surfaces, it is possible to diffusely reflect the laser beam more efficiently and suppress the generation of noise.
（発明の効果）
本発明によれば、上述したように、接合面に接合される
半導体レーザー素子の鉛直下方部位に対する基板上面部
位を、接合面と直交する平坦面がない形状に形成したか
ら、接合面に接合された半導体レーザー素子から鉛直下
方に放出されたレーザー光を散乱させて、レーザー光が
鉛直上方に反射されることを防止し、反射レーザー光に
起因するノイズを防止することができる。そして、反射
レーザー光によるノイズを減少させることにより信頼性
の高い半導体レーザー装置を提供することができる。ま
た、凹凸部はステムをプレス加工する際に同時に形成す
ることができるから、製造が容易であるという著効を奏
する。(Effects of the Invention) According to the present invention, as described above, since the upper surface portion of the substrate relative to the vertically lower portion of the semiconductor laser element to be bonded to the bonding surface is formed in a shape without a flat surface orthogonal to the bonding surface, By scattering the laser light emitted vertically downward from the semiconductor laser element bonded to the bonding surface, it is possible to prevent the laser light from being reflected vertically upward, and to prevent noise caused by the reflected laser light. . Further, by reducing noise caused by reflected laser light, a highly reliable semiconductor laser device can be provided. In addition, since the uneven portions can be formed at the same time as the stem is press-worked, manufacturing is easy.
以上本発明につき好適な実施例を挙げて種々説明したが
、本発明はこの実施例に限定されるものではなく、発明
の精神を逸脱しない範囲内で多（の改変を施し得るのは
もちろんのことである。Although the present invention has been variously explained above with reference to preferred embodiments, the present invention is not limited to these embodiments, and it goes without saying that many modifications can be made without departing from the spirit of the invention. That's true.
第１図（ａ）は本発明に係る実施例を示す断面図、（ｂ
）は他の実施例を示す断面図、第２図は従来例の半導体
レーザー装置のステムを示す斜視図、第３図は従来例を
示す断面図である。
１０・・・基板、 １２・・・放熱体、１４・・・接合
面、 １６・・・半導体レーザー素子、 １８・・・凹
部、 ２０．２２・・・リード線、 ２１・・・アース
リード線、２４・・・モニター素子、 ２６・・・平坦
面、２８ａ、２８ｂ・・・凹凸部。FIG. 1(a) is a sectional view showing an embodiment of the present invention, and FIG. 1(b) is a sectional view showing an embodiment of the present invention.
) is a sectional view showing another embodiment, FIG. 2 is a perspective view showing a stem of a conventional semiconductor laser device, and FIG. 3 is a sectional view showing a conventional example. DESCRIPTION OF SYMBOLS 10... Substrate, 12... Heat sink, 14... Joint surface, 16... Semiconductor laser element, 18... Recessed part, 20.22... Lead wire, 21... Earth lead wire , 24... Monitor element, 26... Flat surface, 28a, 28b... Uneven portion.
Claims (1)
設し、この放熱体上に、基板に垂直な半導体レーザー素
子の接合面を形成した半導体レーザー装置用パッケージ
において、 前記基板上面の、前記接合面に接合される 半導体レーザー素子の鉛直下方部位を、該接合面と直交
する平担面がない形状に形成することを特徴とする半導
体レーザー装置用パッケージ。[Scope of Claims] 1. A package for a semiconductor laser device in which a heat sink for bonding a semiconductor laser element is provided upright on a substrate, and a bonding surface of the semiconductor laser element perpendicular to the substrate is formed on the heat sink, A package for a semiconductor laser device, wherein a vertically downward portion of the semiconductor laser element to be bonded to the bonding surface on the upper surface of the substrate is formed in a shape without a flat surface perpendicular to the bonding surface.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24923586A JPS63102387A (en) | 1986-10-20 | 1986-10-20 | Package for semiconductor laser device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24923586A JPS63102387A (en) | 1986-10-20 | 1986-10-20 | Package for semiconductor laser device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63102387A true JPS63102387A (en) | 1988-05-07 |
Family
ID=17189933
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24923586A Pending JPS63102387A (en) | 1986-10-20 | 1986-10-20 | Package for semiconductor laser device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63102387A (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0362983A (en) * | 1989-07-31 | 1991-03-19 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor laser device |
| JPH0837339A (en) * | 1994-07-21 | 1996-02-06 | Nec Corp | Semiconductor laser diode device of reflection prevention type |
| JPH08153928A (en) * | 1994-11-28 | 1996-06-11 | Nec Corp | Manufacture of semiconductor laser array |
| WO2005048421A1 (en) * | 2003-11-14 | 2005-05-26 | Sanyo Electric Co., Ltd | Semiconductor laser apparatus |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6039880A (en) * | 1983-08-12 | 1985-03-01 | Hitachi Ltd | Light-emitting device |
-
1986
- 1986-10-20 JP JP24923586A patent/JPS63102387A/en active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6039880A (en) * | 1983-08-12 | 1985-03-01 | Hitachi Ltd | Light-emitting device |
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