JPS63102201A - 正特性サ−ミスタ素子の製造方法 - Google Patents
正特性サ−ミスタ素子の製造方法Info
- Publication number
- JPS63102201A JPS63102201A JP24772286A JP24772286A JPS63102201A JP S63102201 A JPS63102201 A JP S63102201A JP 24772286 A JP24772286 A JP 24772286A JP 24772286 A JP24772286 A JP 24772286A JP S63102201 A JPS63102201 A JP S63102201A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- inner layer
- positive
- manufacture
- coefficient thermistor
- surface layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 10
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- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 3
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- 230000008092 positive effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims 1
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Landscapes
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、限流素子に使用する正特性サーミスタ素子の
製造方法に関するものである。
製造方法に関するものである。
従来の技術
従来この種の正特性サーミスタはスイッチング温度を越
えると抵抗値が急増する特性を有しており限電流素子用
或いはヒータ用素子として利用されている。たとえばカ
ラーテレビジョン受像機の消磁回路等に使用さｎる場合
その初期電流を大きくするとともに安定電流を出来るだ
け小さくすることのできるものが特に要望されている。
えると抵抗値が急増する特性を有しており限電流素子用
或いはヒータ用素子として利用されている。たとえばカ
ラーテレビジョン受像機の消磁回路等に使用さｎる場合
その初期電流を大きくするとともに安定電流を出来るだ
け小さくすることのできるものが特に要望されている。
ところで、正特性サーミスタ素子は電圧印加することに
より短時間に自身の抵抗値を上昇し安定電流を絞り込む
性質上その表面と内部とでは比較的大きな温度差を発生
する。これは内部の熱が放散されにくく蓄熱される結果
である。一方、テレビジョン受像機の消磁回路素子のよ
うに初期電流を大きく得るために抵抗値を小さくさせた
ものにあっては電圧印加後短時間で大きな温度差が生じ
ることになり、かなりの熱歪を生じていた。従って例え
ば寒冷地などの周囲温度が低温の条件に於いて使用され
る時にはその熱歪の影響で正特性サーミスタ素子が破壊
するなどの欠点があった。従来はこの素子破壊を防止す
るために表面層と内部層の材料比抵抗に差をもうけるな
どして、素子を均一に発熱させ熱歪を緩和するなどの工
夫がなさｎていた。
より短時間に自身の抵抗値を上昇し安定電流を絞り込む
性質上その表面と内部とでは比較的大きな温度差を発生
する。これは内部の熱が放散されにくく蓄熱される結果
である。一方、テレビジョン受像機の消磁回路素子のよ
うに初期電流を大きく得るために抵抗値を小さくさせた
ものにあっては電圧印加後短時間で大きな温度差が生じ
ることになり、かなりの熱歪を生じていた。従って例え
ば寒冷地などの周囲温度が低温の条件に於いて使用され
る時にはその熱歪の影響で正特性サーミスタ素子が破壊
するなどの欠点があった。従来はこの素子破壊を防止す
るために表面層と内部層の材料比抵抗に差をもうけるな
どして、素子を均一に発熱させ熱歪を緩和するなどの工
夫がなさｎていた。
発明が解決しようとする問題点
このような従来の方法では、表面層、内部層に各々異な
った比抵抗材料を作成するために、比抵抗調整用材を極
めて微量の差をもうけ添加していたが微少であるため均
一分散が困難でロット間の比抵抗バラツキが大きく各材
料毎に必要な比抵抗が正確に求められないという問題が
あっ念。
った比抵抗材料を作成するために、比抵抗調整用材を極
めて微量の差をもうけ添加していたが微少であるため均
一分散が困難でロット間の比抵抗バラツキが大きく各材
料毎に必要な比抵抗が正確に求められないという問題が
あっ念。
本発明は、このような問題点を解決するもので比抵抗に
関係なく焼結体内部に収縮率差に応じた機械的歪を設け
ることにより正特性サーミスタの素子破壊を防止しよう
とすることを目的とするものである。
関係なく焼結体内部に収縮率差に応じた機械的歪を設け
ることにより正特性サーミスタの素子破壊を防止しよう
とすることを目的とするものである。
問題点を解決するための手段
この問題点を解決するために本発明は、正特性を発現す
る微量添加物と主成分（ＢａｘＳｒｙ ）Ｔｉ０３（ｘ
＋ｙ−１）で形成される組成物において表面層材料と内
部層材料に仮焼成温度の異なった材料を用いることによ
り、内部層の収縮率を表面層より１〜４チ大きくしたこ
とを特徴とした正特性サーミスタ素子の製造方法である
。
る微量添加物と主成分（ＢａｘＳｒｙ ）Ｔｉ０３（ｘ
＋ｙ−１）で形成される組成物において表面層材料と内
部層材料に仮焼成温度の異なった材料を用いることによ
り、内部層の収縮率を表面層より１〜４チ大きくしたこ
とを特徴とした正特性サーミスタ素子の製造方法である
。
作用
この技術的手段によって正特性サーミスタ素子の内部に
機械的歪を設けることにより機械的強度を増し熱歪によ
る正特性サーミスタ素子破壊を防止することが可能とな
る。
機械的歪を設けることにより機械的強度を増し熱歪によ
る正特性サーミスタ素子破壊を防止することが可能とな
る。
実施例
以下本発明の一実施例に基づいて説明する。
図は本発明の一実施例による正特性サーミスタ素子の断
面図であり、図において、混合済正特性サーミスタ材料
の表面層１．内部層２用に材料の仮焼成温度に差をもう
け各々を別々に粉砕、造粒後、仮焼成温度の異ならせ、
表面層１．内部層２を厚み方向に１ ：２：１の比で組
み合せ焼結を行いオーミック電極３を付けて一３０°Ｃ
の雰囲気中でλＣ２６４Ｖの電圧を１万サイクル印加を
し表１に示す結果を得た。
面図であり、図において、混合済正特性サーミスタ材料
の表面層１．内部層２用に材料の仮焼成温度に差をもう
け各々を別々に粉砕、造粒後、仮焼成温度の異ならせ、
表面層１．内部層２を厚み方向に１ ：２：１の比で組
み合せ焼結を行いオーミック電極３を付けて一３０°Ｃ
の雰囲気中でλＣ２６４Ｖの電圧を１万サイクル印加を
し表１に示す結果を得た。
（以下余白）
表１
＊０Ｎ−ＯＦＦ試験ニー３０℃、ＡＣ２６４Ｖ１ 万サ
イクル（１分間０Ｎ−５分間０ＦＦ） 試験数ｎ１００ケに対するＲ２Ｓ変化率２０％以上の箇
数次に表２に仮焼成温度と焼成収縮率を、表３には仮焼
成温度差による一３０℃の０Ｎ−ＯＦＦ断続試験の結果
を示した 表２ 表３ ［ ＊０Ｎ−ＯＦＦ試験ニー３０°Ｃ，２６４Ｖ１万サイク
ル（１分間０Ｎ−５分間ＯＦＦ ） 試験数ｎ１００ケに対するＲ２５変化率２０％以上の筒
数以上のように本発明によれば、正特性を発現する微量
添加物と主成分（ＢａｘＳｒｙ ） ＴｉＯ３（ｘ ＋
ｙ＝１）で形成される組成物の焼成収縮率に於いて内
部層を表面層より１〜４多大きくすることにより正特性
サーミスタ素子内部に発生する熱歪を充分緩和させ素子
の破壊を防止できるという効果が得らｎる。尚、４チ以
上の差を設けた場合耐電圧特性の劣化及び初期抵抗値が
安定しなく不可である。
イクル（１分間０Ｎ−５分間０ＦＦ） 試験数ｎ１００ケに対するＲ２Ｓ変化率２０％以上の箇
数次に表２に仮焼成温度と焼成収縮率を、表３には仮焼
成温度差による一３０℃の０Ｎ−ＯＦＦ断続試験の結果
を示した 表２ 表３ ［ ＊０Ｎ−ＯＦＦ試験ニー３０°Ｃ，２６４Ｖ１万サイク
ル（１分間０Ｎ−５分間ＯＦＦ ） 試験数ｎ１００ケに対するＲ２５変化率２０％以上の筒
数以上のように本発明によれば、正特性を発現する微量
添加物と主成分（ＢａｘＳｒｙ ） ＴｉＯ３（ｘ ＋
ｙ＝１）で形成される組成物の焼成収縮率に於いて内
部層を表面層より１〜４多大きくすることにより正特性
サーミスタ素子内部に発生する熱歪を充分緩和させ素子
の破壊を防止できるという効果が得らｎる。尚、４チ以
上の差を設けた場合耐電圧特性の劣化及び初期抵抗値が
安定しなく不可である。
発明の効果
以上の様に、本発明によれば、素子破壊を防止すること
が出来、工業的価値が高いものである。
が出来、工業的価値が高いものである。
図は本発明の一実施例による正特性サーミスタ素子を示
す断面図である。 １・・・・・・表面層、２・・・・・・内部層、３・・
・・・・電極。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名！−
奎１１ ２−ｍ−内部１ ３−一一電 孜
す断面図である。 １・・・・・・表面層、２・・・・・・内部層、３・・
・・・・電極。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名！−
奎１１ ２−ｍ−内部１ ３−一一電 孜
Claims (1)
- 正特性を発現する微量添加物で作られるセラミックス
の焼成時に表面層の収縮と内部層の収縮率に１〜４％の
差を設け、上記内部層の収縮率を大きくしたことを特徴
とした正特性サーミスタ素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24772286A JPS63102201A (ja) | 1986-10-17 | 1986-10-17 | 正特性サ−ミスタ素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24772286A JPS63102201A (ja) | 1986-10-17 | 1986-10-17 | 正特性サ−ミスタ素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63102201A true JPS63102201A (ja) | 1988-05-07 |
Family
ID=17167700
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24772286A Pending JPS63102201A (ja) | 1986-10-17 | 1986-10-17 | 正特性サ−ミスタ素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63102201A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS525460A (en) * | 1975-07-02 | 1977-01-17 | Hitachi Ltd | Method of making thermistors having positive characteristics |
-
1986
- 1986-10-17 JP JP24772286A patent/JPS63102201A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS525460A (en) * | 1975-07-02 | 1977-01-17 | Hitachi Ltd | Method of making thermistors having positive characteristics |
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