JPS629973B2 - - Google Patents
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- JPS629973B2 JPS629973B2 JP12511378A JP12511378A JPS629973B2 JP S629973 B2 JPS629973 B2 JP S629973B2 JP 12511378 A JP12511378 A JP 12511378A JP 12511378 A JP12511378 A JP 12511378A JP S629973 B2 JPS629973 B2 JP S629973B2
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- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 19
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明はビームインデツクス管、特にそのけい
光面の形成方法に関するものである。
光面の形成方法に関するものである。
一般にビームインデツクス管は、３原色のけい
光体などからなる縞状けい光面を電子ビームで走
査したとき、ビーム位置を示す指示信号（カラー
インデツクスパルス）を発生し、この信号をフイ
ドバツクして電子ビームを制御してカラー画像を
得るカラー受像管である。
光体などからなる縞状けい光面を電子ビームで走
査したとき、ビーム位置を示す指示信号（カラー
インデツクスパルス）を発生し、この信号をフイ
ドバツクして電子ビームを制御してカラー画像を
得るカラー受像管である。
第１図は従来のビームインデツクス管の一例を
示す要部断面図である。同図において、１は筒状
のネツク部１ａと、漏斗状のフアンネル部１ｂ
と、このフアンネル部１ｂの大径開口部をフリツ
トガラス１ｃを介して封着するパネル部１ｄとか
らなるバルブであり、このバルブ１のパネル部１
ｄ内面には、３原色相当の発光を示す３種類の細
いけい光体線条２が走査線に対して垂直に一定の
規則を有して配列されている。そしてこのけい光
体線条２の背面にはアルミニウム金属からなるメ
タルバツク膜３が被着形成され、かつ上記けい光
体線条２に対応するメタルバツク膜３の背面には
電子ビームの射突によつて励起された２次電子を
放射する酸化マグネシウムのインデツクス線条４
が被着形成されている。また、漏斗状のフアンネ
ル部１ｂの内面には、上記放射された２次電子を
効率良く捕獲するコレクタ電極５が被着形成さ
れ、また、ネツク部１ａ内には上記インデツクス
線条４に電子ビームを射突させる電子銃６が収納
されている。
示す要部断面図である。同図において、１は筒状
のネツク部１ａと、漏斗状のフアンネル部１ｂ
と、このフアンネル部１ｂの大径開口部をフリツ
トガラス１ｃを介して封着するパネル部１ｄとか
らなるバルブであり、このバルブ１のパネル部１
ｄ内面には、３原色相当の発光を示す３種類の細
いけい光体線条２が走査線に対して垂直に一定の
規則を有して配列されている。そしてこのけい光
体線条２の背面にはアルミニウム金属からなるメ
タルバツク膜３が被着形成され、かつ上記けい光
体線条２に対応するメタルバツク膜３の背面には
電子ビームの射突によつて励起された２次電子を
放射する酸化マグネシウムのインデツクス線条４
が被着形成されている。また、漏斗状のフアンネ
ル部１ｂの内面には、上記放射された２次電子を
効率良く捕獲するコレクタ電極５が被着形成さ
れ、また、ネツク部１ａ内には上記インデツクス
線条４に電子ビームを射突させる電子銃６が収納
されている。
このように構成されたインデツクス管におい
て、メタルバツク膜３の背面にインデツクス線条
４を設けるのに、メタルバツク膜３上にホトレジ
スト等を塗布し、露光によつて塗布する方法が一
般に用いられている。
て、メタルバツク膜３の背面にインデツクス線条
４を設けるのに、メタルバツク膜３上にホトレジ
スト等を塗布し、露光によつて塗布する方法が一
般に用いられている。
しかしながら、上記方法によると、メタルバツ
ク膜３上にインデツクス線条４を形成するのに、
メタルバツク膜３の損傷、劣化等を防止するため
に予めメタルバツク膜３上にアクリル系樹脂など
を塗布しなければならなかつた。また、メタルバ
ツク膜３は、ほとんど光を透過しないため、露光
する場合、電子銃６側に光源を配置する正面露光
を用いなければならなかつた。このことは、第２
図に示すようにパネル部７ａとフアンネル部７ｂ
とが予め溶着されて一体となつた白黒ブラウン管
用のバルブ７を用いて電子銃側と反対側、つまり
パネル部７ａの前面側に露光用パターン８とその
光源９を配置して露光するいわゆる背面露光の妨
げとなる。したがつて、従来のインデツクス線条
４の配置を採用する限り、パネル部１ｄとフアン
ネル部１ｂとを分離したバルブ１を使用しなけれ
ばならず、パネル部１ｄとフアンネル部１ｂとを
フリツトガラス１ｃなどで溶着する溶着工程が必
要となるなどその生産工程を複雑化させるなどの
欠点を有していた。
ク膜３上にインデツクス線条４を形成するのに、
メタルバツク膜３の損傷、劣化等を防止するため
に予めメタルバツク膜３上にアクリル系樹脂など
を塗布しなければならなかつた。また、メタルバ
ツク膜３は、ほとんど光を透過しないため、露光
する場合、電子銃６側に光源を配置する正面露光
を用いなければならなかつた。このことは、第２
図に示すようにパネル部７ａとフアンネル部７ｂ
とが予め溶着されて一体となつた白黒ブラウン管
用のバルブ７を用いて電子銃側と反対側、つまり
パネル部７ａの前面側に露光用パターン８とその
光源９を配置して露光するいわゆる背面露光の妨
げとなる。したがつて、従来のインデツクス線条
４の配置を採用する限り、パネル部１ｄとフアン
ネル部１ｂとを分離したバルブ１を使用しなけれ
ばならず、パネル部１ｄとフアンネル部１ｂとを
フリツトガラス１ｃなどで溶着する溶着工程が必
要となるなどその生産工程を複雑化させるなどの
欠点を有していた。
したがつて本発明の目的は上記の欠点を除去
し、生産工程を簡略化させたビームインデツクス
管のけい光面形成方法を提供することにある。
し、生産工程を簡略化させたビームインデツクス
管のけい光面形成方法を提供することにある。
このような目的を達成するために本発明による
ビームインデツクス管は、インデツクス線条をメ
タルバツク膜のけい光体線条側に設けたものであ
る。以下図面を用いて本発明によるビームインデ
ツクス管について詳細に説明する。
ビームインデツクス管は、インデツクス線条をメ
タルバツク膜のけい光体線条側に設けたものであ
る。以下図面を用いて本発明によるビームインデ
ツクス管について詳細に説明する。
第３図は本発明によるビームインデツクス管け
い光面形成方法を説明するための要部断面図で、
バルブ１はパネル部１ｄとフアンネル部１ｂとが
あらかじめ溶着された構造を有しており、このバ
ルブ１のパネル部１ｄの内面に三色のけい光体細
条２を形成する。次に、MgF2を含むホトレジス
ト膜を前記けい光体細条２を含むパネル内面に形
成（図示せず）する。このホトレジスト膜をパネ
ル部１ｄの前面に配置した第２図に示すような露
光用パターン８を介して同じく同図に符号９で示
す光源よりの光で露光（背面露光）する。露光後
現像を行い、インデツクス線条４を形成する。そ
の後インデツクス線条４、けい光体細条２を含む
パネル内面にフイルミングを行い、メタルバツク
層３を形成する。なお、コレクタ電極５はメタル
バツク層形成後に形成する。その後前記フイルミ
ング材料の除去のための加熱工程あるいは封止後
の加熱処理等によつて前記MgF2の一部あるいは
全部をMgOにかえる作業を行いけい光面を形成
する。
い光面形成方法を説明するための要部断面図で、
バルブ１はパネル部１ｄとフアンネル部１ｂとが
あらかじめ溶着された構造を有しており、このバ
ルブ１のパネル部１ｄの内面に三色のけい光体細
条２を形成する。次に、MgF2を含むホトレジス
ト膜を前記けい光体細条２を含むパネル内面に形
成（図示せず）する。このホトレジスト膜をパネ
ル部１ｄの前面に配置した第２図に示すような露
光用パターン８を介して同じく同図に符号９で示
す光源よりの光で露光（背面露光）する。露光後
現像を行い、インデツクス線条４を形成する。そ
の後インデツクス線条４、けい光体細条２を含む
パネル内面にフイルミングを行い、メタルバツク
層３を形成する。なお、コレクタ電極５はメタル
バツク層形成後に形成する。その後前記フイルミ
ング材料の除去のための加熱工程あるいは封止後
の加熱処理等によつて前記MgF2の一部あるいは
全部をMgOにかえる作業を行いけい光面を形成
する。
このような構成によれば、けい光体線条２は、
メタルバツク膜３に比較して安定であるため、イ
ンデツクス線条４の形成のためのホトレジスト塗
布を行なうのにメタルバツク膜３上に行なうとき
とは異なり、前述のようなアクリル系樹脂などの
保護膜の形成が全く不要となる。また、けい光体
線条２の光透過率はメタルバツク膜３に比較して
大きいため、第２図に示すような背面露光法が可
能となり、パネル部１ｄとフアンネル部１ｂとが
一体となつたバルブ１を用いることができ、溶着
工程を省略することができる。
メタルバツク膜３に比較して安定であるため、イ
ンデツクス線条４の形成のためのホトレジスト塗
布を行なうのにメタルバツク膜３上に行なうとき
とは異なり、前述のようなアクリル系樹脂などの
保護膜の形成が全く不要となる。また、けい光体
線条２の光透過率はメタルバツク膜３に比較して
大きいため、第２図に示すような背面露光法が可
能となり、パネル部１ｄとフアンネル部１ｂとが
一体となつたバルブ１を用いることができ、溶着
工程を省略することができる。
なお、２次電子を放射させるインデツクス線条
４をメタルバツク膜３のけい光体線条２側に配置
したことによつてメタルバツク膜３を通過してコ
レクタ電極５に達する２次電子量が減少し、イン
デツクス信号レベルが低下することが懸念される
が、たしかに、インデツクス線条４をメタルバツ
ク膜３の電子銃６の反対側に配置することにより
信号レベルは約1/5に減少する。しかしながら、
インデツクス線条４を構成する２次電子放射物質
を適当に選択することによつて目的に達し得る充
分なインデツクス信号を得ることができる。例え
ば、インデツクス線条４としてMgF2の線条を形
成し、ブラウン管の製造工程における熱工程によ
り一部を酸化し、MgOとすると、加速電圧
12KV、電子ビーム電流３μＡで約0.05μＡ程度
の信号電流を得ることができ、実用上、その目的
を充分に達成することができた。
４をメタルバツク膜３のけい光体線条２側に配置
したことによつてメタルバツク膜３を通過してコ
レクタ電極５に達する２次電子量が減少し、イン
デツクス信号レベルが低下することが懸念される
が、たしかに、インデツクス線条４をメタルバツ
ク膜３の電子銃６の反対側に配置することにより
信号レベルは約1/5に減少する。しかしながら、
インデツクス線条４を構成する２次電子放射物質
を適当に選択することによつて目的に達し得る充
分なインデツクス信号を得ることができる。例え
ば、インデツクス線条４としてMgF2の線条を形
成し、ブラウン管の製造工程における熱工程によ
り一部を酸化し、MgOとすると、加速電圧
12KV、電子ビーム電流３μＡで約0.05μＡ程度
の信号電流を得ることができ、実用上、その目的
を充分に達成することができた。
以上説明したように本発明によるビームインデ
ツクス管けい光面形成方法によれば、インデツク
ス線条形成のための保護膜の塗布工程、パネル部
とフアンネル部との溶着工程等が不要となるとと
もに背面露光が可能となるため、その生産工程を
大幅に簡略化できる極めて優れた効果が得られ
る。
ツクス管けい光面形成方法によれば、インデツク
ス線条形成のための保護膜の塗布工程、パネル部
とフアンネル部との溶着工程等が不要となるとと
もに背面露光が可能となるため、その生産工程を
大幅に簡略化できる極めて優れた効果が得られ
る。
第１図は従来のビームインデツクス管の一例を
示す要部断面図、第２図は背面露光の一例を示す
要部断面図、第３図は本発明によるビームインデ
ツクス管けい光面の形成方法を説明するための要
部断面図である。 １……バルブ、１ａ……ネツク部、１ｂ……フ
アンネル部、１ｃ……フリツトガラス、１ｄ……
パネル部、２……けい光体線条、３……メタルバ
ツク膜、４……インデツクス線条、５……コレク
タ電極、６……電子銃、７……バルブ、７ａ……
パネル部、７ｂ……フアンネル部、８……露光用
パターン、９……露光用光源。
示す要部断面図、第２図は背面露光の一例を示す
要部断面図、第３図は本発明によるビームインデ
ツクス管けい光面の形成方法を説明するための要
部断面図である。 １……バルブ、１ａ……ネツク部、１ｂ……フ
アンネル部、１ｃ……フリツトガラス、１ｄ……
パネル部、２……けい光体線条、３……メタルバ
ツク膜、４……インデツクス線条、５……コレク
タ電極、６……電子銃、７……バルブ、７ａ……
パネル部、７ｂ……フアンネル部、８……露光用
パターン、９……露光用光源。
Claims (1)
- １ パネル部とフアンネル部とがあらかじめ溶着
されたバルブの前記パネル内面に赤，緑，青用の
三色けい光体細条を形成する工程と、これら三色
のけい光体細条を含むパネル内面にMgF2を含む
ホトレジスト膜を形成する工程と、パネルの前面
側から露光用パターンを介して前記ホトレジスト
膜を露光する工程と、被露光ホトレジスト膜を現
像して所定の位置にインデツクス信号発生用のイ
ンデツクス線条を形成する工程と、該インデツク
ス線条及び前記三色のけい光体細条の背面側にメ
タルバツク層を形成する工程と、前記MgF2の一
部あるいは全部をMgOとする加熱工程とを含む
ことを特徴とするビームインデツクス管けい光面
の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12511378A JPS5553044A (en) | 1978-10-13 | 1978-10-13 | Beam index tube |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12511378A JPS5553044A (en) | 1978-10-13 | 1978-10-13 | Beam index tube |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5553044A JPS5553044A (en) | 1980-04-18 |
| JPS629973B2 true JPS629973B2 (ja) | 1987-03-03 |
Family
ID=14902159
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12511378A Granted JPS5553044A (en) | 1978-10-13 | 1978-10-13 | Beam index tube |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5553044A (ja) |
-
1978
- 1978-10-13 JP JP12511378A patent/JPS5553044A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5553044A (en) | 1980-04-18 |
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