JPS6297322A - Ｃｖｄ装置用バルブ - Google Patents
Ｃｖｄ装置用バルブInfo
- Publication number
- JPS6297322A JPS6297322A JP23639885A JP23639885A JPS6297322A JP S6297322 A JPS6297322 A JP S6297322A JP 23639885 A JP23639885 A JP 23639885A JP 23639885 A JP23639885 A JP 23639885A JP S6297322 A JPS6297322 A JP S6297322A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- valve
- forming chamber
- film forming
- outlet
- cylindrical part
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分骨）
本発朗は半導体の製造等に使用されるＣＶＤ装置に関す
る。
る。
（従来の技術）
従来、真空の成膜室内に複数種類のガス全導入して熱化
学反応により該成膜室内に設けた基板上に薄膜を形成す
るＯ Ｖ Ｄ （Ｏｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ用され
ている。これ（Ｃ使用される装置の概要は第１図示の如
くであり、真空ポンプにより真空に排気された成膜室ａ
内の回転台す上に基板Ｃを載置し、バルブ（ｌｉ介して
例えば馬、ＡｅＨｌ、ＴＭＧａ等の反応ガス全成膜室ａ
内に導入出来るように構成されている。該バルブｄの具
体的構造は、第２図に見られるように、ボートｅから導
入される空気圧により作動するベローズｆと、これに連
結した連杆ｇと一体の弁体ｈ′ｆｔ：備え、弁体りが昇
降するとバルブケース１内に形成した流通路ｊＳｋが開
閉される。
学反応により該成膜室内に設けた基板上に薄膜を形成す
るＯ Ｖ Ｄ （Ｏｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ用され
ている。これ（Ｃ使用される装置の概要は第１図示の如
くであり、真空ポンプにより真空に排気された成膜室ａ
内の回転台す上に基板Ｃを載置し、バルブ（ｌｉ介して
例えば馬、ＡｅＨｌ、ＴＭＧａ等の反応ガス全成膜室ａ
内に導入出来るように構成されている。該バルブｄの具
体的構造は、第２図に見られるように、ボートｅから導
入される空気圧により作動するベローズｆと、これに連
結した連杆ｇと一体の弁体ｈ′ｆｔ：備え、弁体りが昇
降するとバルブケース１内に形成した流通路ｊＳｋが開
閉される。
（発明が解決しようとする問題点）
該基板Ｃ上にＯ’ＶＤ法で形成される薄膜は、近時の超
ＬＳＩ技術や化合物半導体技術の発展に伴ない、より薄
く急峻に成長させて形成された薄膜であることが要求さ
れるようになって来ている。
ＬＳＩ技術や化合物半導体技術の発展に伴ない、より薄
く急峻に成長させて形成された薄膜であることが要求さ
れるようになって来ている。
該薄膜の成長はバルブこの開閉で制御されるものであす
、該バルブｄのシート部から成膜室ａなっている。第２
図示のような構造のバルブを使用すると、バルブシート
部から成膜室ａまでの容積がデッドボリウムとなり、バ
ルブを閉じた場合にガス溜りとなるので基板０上には緩
漫なプロファイルでしか薄膜は形成されない。
、該バルブｄのシート部から成膜室ａなっている。第２
図示のような構造のバルブを使用すると、バルブシート
部から成膜室ａまでの容積がデッドボリウムとなり、バ
ルブを閉じた場合にガス溜りとなるので基板０上には緩
漫なプロファイルでしか薄膜は形成されない。
本発明は、基板に薄く急峻に薄膜を形成するＣＶＤ装ａ
ｔ−提供することを目的とするものである０ （問題点を解決するための手段） 本発明では、基板を設けた真空の成膜室にバルブを介し
て反応ガスを導入し、熱化学反応てより該基板上に薄膜
を形成するようにしたものに於て、該バルブを、流出口
がバルブケースに形成した長筒部に開口し且つ該長筒部
内に該流出口に着座する開閉用のポペッ令を収める構成
とし、該長筒部を直接成膜室に挿着するようにして前記
問題点を解決した。
ｔ−提供することを目的とするものである０ （問題点を解決するための手段） 本発明では、基板を設けた真空の成膜室にバルブを介し
て反応ガスを導入し、熱化学反応てより該基板上に薄膜
を形成するようにしたものに於て、該バルブを、流出口
がバルブケースに形成した長筒部に開口し且つ該長筒部
内に該流出口に着座する開閉用のポペッ令を収める構成
とし、該長筒部を直接成膜室に挿着するようにして前記
問題点を解決した。
（作用）
真空の成膜室に反応ガスが導入されると、成膜室内の加
熱された基ｆｆ１Ｋ該反応ガスが触れて熱化学反応を生
じ、その成分の薄膜が基板上に形成される。該反応ガス
はバルブを介して成膜室内に導入されるが、該バルブは
そのケーシングの長筒部上直接成膜室に挿入して取付け
られ、しかも該長筒部には流出口を形成してそこにポペ
ットを着座させるようにしたので、該ポペットが閉じた
場合、該ポペットと成膜室との間には反応ガスが溜るよ
うな場所がなく、該ピペットが開くと急激に反応ガスを
成膜室に送シ込むことが出来、急峻に薄膜を形成し得る
。
熱された基ｆｆ１Ｋ該反応ガスが触れて熱化学反応を生
じ、その成分の薄膜が基板上に形成される。該反応ガス
はバルブを介して成膜室内に導入されるが、該バルブは
そのケーシングの長筒部上直接成膜室に挿入して取付け
られ、しかも該長筒部には流出口を形成してそこにポペ
ットを着座させるようにしたので、該ポペットが閉じた
場合、該ポペットと成膜室との間には反応ガスが溜るよ
うな場所がなく、該ピペットが開くと急激に反応ガスを
成膜室に送シ込むことが出来、急峻に薄膜を形成し得る
。
（実施例）
本発明の実施例を図面ｔ４３図につき説明する。
同図に於て符号（１）は基板が設けられる真空の成膜室
（２）は該成膜室（１）に反応ガスを導入するバルブを
示す。該バルブ（２１Ｆｉ空気圧導入？−）１３１から
の空気圧によりばね（４）に抗して移動するピストン（
５）及びピストン杆（６）全バルブケース（７）内に備
え、該ピストン杆（６）の前方のバルブケース（７）を
長筒部（８）に形成し、成膜室（１）に該長筒部（８）
を挿入してフランジα９で固定されるよう圧した。
（２）は該成膜室（１）に反応ガスを導入するバルブを
示す。該バルブ（２１Ｆｉ空気圧導入？−）１３１から
の空気圧によりばね（４）に抗して移動するピストン（
５）及びピストン杆（６）全バルブケース（７）内に備
え、該ピストン杆（６）の前方のバルブケース（７）を
長筒部（８）に形成し、成膜室（１）に該長筒部（８）
を挿入してフランジα９で固定されるよう圧した。
ｆ９１ Ｆｉ該長筒部（８）の先端に於てピストン杆（
６）の軸線と中心が合致するように開口形成した円形の
流出口、ααは該流出口（９）Ｋ着座する開閉用のポペ
ット％ （ｉｌｌは該ポペット（［Ｉｔ−ピストン杆（
６）に連結する連杆である。
６）の軸線と中心が合致するように開口形成した円形の
流出口、ααは該流出口（９）Ｋ着座する開閉用のポペ
ット％ （ｉｌｌは該ポペット（［Ｉｔ−ピストン杆（
６）に連結する連杆である。
またａｚｄ連杆０υの中間部外周に長筒部（８）の内壁
と接触させて設けたシール材、θＪは連杆αυを膨大さ
せて形成したランド部、（１４）は連杆αＤ内に形成し
た流通孔で、その一端はバルブケース（７）の何方の反
応ガス流入口ａ９に連らなる連杆（１１１と長筒部（８
）との通路αＥＤＫ開口し、その他端はランド部ＯＪに
開口するようにした。σＤはバルブシートで、その延長
部はランド部ａ３と嵌合して流通孔０滲が閉鎖される構
成とし喪。（１１１０は任意開閉される接続ボートであ
る。
と接触させて設けたシール材、θＪは連杆αυを膨大さ
せて形成したランド部、（１４）は連杆αＤ内に形成し
た流通孔で、その一端はバルブケース（７）の何方の反
応ガス流入口ａ９に連らなる連杆（１１１と長筒部（８
）との通路αＥＤＫ開口し、その他端はランド部ＯＪに
開口するようにした。σＤはバルブシートで、その延長
部はランド部ａ３と嵌合して流通孔０滲が閉鎖される構
成とし喪。（１１１０は任意開閉される接続ボートであ
る。
空気圧導入ボート（３）の空気圧が低いと、ばね（４）
の弾力でピストン杆（６）が第３図の下方へ押し下げら
れ、連杆旧〕を介して該ピストン杆（６１に取付けたボ
ペツ）（１０１は流出口（９）に着座するので反応ガス
流入口０９ρ）ら成膜室（１）内へ通路が閉じられる。
の弾力でピストン杆（６）が第３図の下方へ押し下げら
れ、連杆旧〕を介して該ピストン杆（６１に取付けたボ
ペツ）（１０１は流出口（９）に着座するので反応ガス
流入口０９ρ）ら成膜室（１）内へ通路が閉じられる。
空気圧導入ボート（３）の空気圧を高めると、ピストン
（５）はばね（４）に抗して押し上げられ、これに伴な
い連杆（１１１及びポペットαＱも上動して流出口（９
）が開かれると共にランド部（Ｌりがバルブシートαη
から離れるので、反応ガス流入口（１９力）ら通路（１
００流通孔Ｉ及び流出口（９）ヲ介して成膜室（１）内
へ反応ガスが流入し、成膜室（１）内の加熱された基板
と反応ガスの接触による熱化学反応で基板上に薄膜が形
成される。
（５）はばね（４）に抗して押し上げられ、これに伴な
い連杆（１１１及びポペットαＱも上動して流出口（９
）が開かれると共にランド部（Ｌりがバルブシートαη
から離れるので、反応ガス流入口（１９力）ら通路（１
００流通孔Ｉ及び流出口（９）ヲ介して成膜室（１）内
へ反応ガスが流入し、成膜室（１）内の加熱された基板
と反応ガスの接触による熱化学反応で基板上に薄膜が形
成される。
該バルブ（２）はその長筒部（８）を成膜室ｍに挿入し
て設けられ、該長筒部（８）の流出口（９）にポペット
α■が着座するので、該バルブ（２）の閉弁時に反応ガ
スが溜る個所即ちデッドボリウムが少なくなる。従って
開弁時には成膜室＋１１内のガス濃度を急上昇させ得、
基板上に急峻に薄膜を形成することが出来る。
て設けられ、該長筒部（８）の流出口（９）にポペット
α■が着座するので、該バルブ（２）の閉弁時に反応ガ
スが溜る個所即ちデッドボリウムが少なくなる。従って
開弁時には成膜室＋１１内のガス濃度を急上昇させ得、
基板上に急峻に薄膜を形成することが出来る。
第２図示のようなバルブ金使用したＣＶＤ装誼では、深
さ４μ烏から３μｍまでｎ型ドーパントを導入してｎ型
ドーピング層を形成した後、ノンド−ブＧａＡｓ層を３
μ鴫形成した時のプロファイルＶ′ｉ第４図の曲線Ａで
示すように非常に悪いが、本発明のＣＶＤ装置では第４
図の曲線Ｂで示すよウニ急峻なドーピングプロ７了イル
で形成されることが認められた。
さ４μ烏から３μｍまでｎ型ドーパントを導入してｎ型
ドーピング層を形成した後、ノンド−ブＧａＡｓ層を３
μ鴫形成した時のプロファイルＶ′ｉ第４図の曲線Ａで
示すように非常に悪いが、本発明のＣＶＤ装置では第４
図の曲線Ｂで示すよウニ急峻なドーピングプロ７了イル
で形成されることが認められた。
（発明の効果）
以上のように本発明によるときは、ＯｖＤ装置の成膜室
に反応ガスを導入するバルブに、長筒部全形成してそこ
に流出口を形成し、該流出口に開閉用のポペットを着座
させ、該成膜室に該長筒部を挿入してバルブを取付した
ので、該成膜室に反応ガスを急激に導入出来、該成膜室
内の基板にＣＶＤによる薄膜を急峻なプロファイルで形
成し得、超ＬＳＩや化合物半導体の製作に有効である等
の効果がある。
に反応ガスを導入するバルブに、長筒部全形成してそこ
に流出口を形成し、該流出口に開閉用のポペットを着座
させ、該成膜室に該長筒部を挿入してバルブを取付した
ので、該成膜室に反応ガスを急激に導入出来、該成膜室
内の基板にＣＶＤによる薄膜を急峻なプロファイルで形
成し得、超ＬＳＩや化合物半導体の製作に有効である等
の効果がある。
第１図は従来のＣＶＤ装置の線図、第２図は第１図の要
部の具体的断面図、第３図は本発明の実施例の裁断側面
図、第４図は薄膜形成状態を示す線図である。 （１）・・・成膜室 （２）・・・バルブ（８
）・・・長筒部 （９）・・・流出口０■・・
・ポペット 特許出願人 日本真空技術株式会社 代 理 人 北 村 欣 ←
。 又− 外２名
部の具体的断面図、第３図は本発明の実施例の裁断側面
図、第４図は薄膜形成状態を示す線図である。 （１）・・・成膜室 （２）・・・バルブ（８
）・・・長筒部 （９）・・・流出口０■・・
・ポペット 特許出願人 日本真空技術株式会社 代 理 人 北 村 欣 ←
。 又− 外２名
Claims (1)
- 基板を設けた真空の成膜室にバルブを介して反応ガスを
導入し、熱化学反応により該基板上に薄膜を形成するよ
うにしたものに於て、該バルブを、流出口がバルブケー
スに形成した長筒部に開口し且つ該長筒部内に該流出口
に着座する開閉用のポペットを収める構成とし、該長筒
部を直接成膜室に挿着して成るＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60236398A JPH0626183B2 (ja) | 1985-10-24 | 1985-10-24 | Ｃｖｄ装置用バルブ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60236398A JPH0626183B2 (ja) | 1985-10-24 | 1985-10-24 | Ｃｖｄ装置用バルブ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6297322A true JPS6297322A (ja) | 1987-05-06 |
| JPH0626183B2 JPH0626183B2 (ja) | 1994-04-06 |
Family
ID=17000168
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60236398A Expired - Lifetime JPH0626183B2 (ja) | 1985-10-24 | 1985-10-24 | Ｃｖｄ装置用バルブ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0626183B2 (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6121472A (ja) * | 1984-07-05 | 1986-01-30 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 真空及び高圧用バルブ |
-
1985
- 1985-10-24 JP JP60236398A patent/JPH0626183B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6121472A (ja) * | 1984-07-05 | 1986-01-30 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 真空及び高圧用バルブ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0626183B2 (ja) | 1994-04-06 |
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