JPS6295526A - Photosensitive resin composition and method for preparing pattern using the composition - Google Patents

Photosensitive resin composition and method for preparing pattern using the composition

Info

Publication number
JPS6295526A
JPS6295526A JP23712785A JP23712785A JPS6295526A JP S6295526 A JPS6295526 A JP S6295526A JP 23712785 A JP23712785 A JP 23712785A JP 23712785 A JP23712785 A JP 23712785A JP S6295526 A JPS6295526 A JP S6295526A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
polymer
copolymer
tables
hydrogen atom
photosensitive resin
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP23712785A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPH0584894B2 (en
Inventor
Yoshihiro Kawatsuki
喜弘 川月
Masao Uetsuki
植月 正雄
Shigeru Sasaki
繁 佐々木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kuraray Co Ltd
Original Assignee
Kuraray Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kuraray Co Ltd filed Critical Kuraray Co Ltd
Priority to JP23712785A priority Critical patent/JPS6295526A/en
Publication of JPS6295526A publication Critical patent/JPS6295526A/en
Publication of JPH0584894B2 publication Critical patent/JPH0584894B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/038Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
    • G03F7/0388Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable with ethylenic or acetylenic bands in the side chains of the photopolymer

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Optical Integrated Circuits (AREA)

Abstract

PURPOSE:To enable an exposed part to have a high refractive index by incorporating a polymer or copolymer having >=2mol% specified structural unit and at least one compd. selected from aromatic aldehydes and aromatic ketones having unsubstituted or substituted groups. CONSTITUTION:The compsn. contains (A) a polymer or copolymer contg. >=2mol% structural unit expressed by the formula I and (B) at least one compd. selected from aromatic aldehydes or aromatic ketones having unsubstituted or substituted groups. Representative compds. (B) are unsubstituted or substituted benzaldehyde, benzophenone, or their derivs. The proportion of the polymer (A) to the compd. (B) is not particularly restricted, but is generally 10:1 to 1:10 by weight, and the molar ratio of (B) to the alcohol residue having double bonds in the polymer (A) is regulated to be 10:1-1:20. By this constitution, than the refractive index of the unexposed part.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は屈折率差とレリーフ構造を併せもつパターンの
形成に適した感光性樹脂組成物、およびそれを用いたパ
ターンの作製法に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a photosensitive resin composition suitable for forming a pattern having both a refractive index difference and a relief structure, and a method for producing a pattern using the same.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

従来知られている感光性樹脂の多くは、感光基をもつ化
合物と高分子化合物から成るものや、感光基をもつ高分
子化合物であり、その多くは光によっての架橋反応や高
分子の崩壊反応を利用し光により露光部が難溶化または
易溶化することを利用し、溶剤を用いて、非露光部また
は、露光部を除去するなどの方法によりレリーフパター
ンを作製していた。また特殊な感光性樹脂の例として、
2−ナフタレンチオールをドープしたメタクリル酸メチ
ルとメタクリル散グリシジルとの共重合体の訪導体を用
いたフォトロッキング法が知られている(W、J 、 
Toml 1son他A pplied−Physic
s Letters、第26巻第6号第303〜306
頁、1975年)。この方法は比較的揮発性の、より高
い屈折率を有する物質をドープした樹脂から塗膜を形成
し、仄いて紫外線を照射し、露光部のドープ物質を“ロ
ツキ未 ングシ、4・左いて半膝元部のドープ物質を蒸発除去す
ることにより露光部と非露光部とに屈折率差を有するパ
ターンを形成する方法である。この報釆 告によれば露光部では半露光部に比べて膜厚が約10%
増加すると報告されている。
Many of the conventionally known photosensitive resins are composed of a compound with a photosensitive group and a polymer compound, or are a polymer compound with a photosensitive group, and many of them are subject to crosslinking reactions and polymer collapse reactions caused by light. Relief patterns have been created by taking advantage of the fact that exposed areas become less soluble or more soluble when exposed to light, and by removing non-exposed areas or exposed areas using a solvent. Also, as an example of special photosensitive resin,
A photolocking method using a conductor made of a copolymer of 2-naphthalenethiol-doped methyl methacrylate and methacrylic-dispersed glycidyl is known (W, J,
Toml 1son et al. applied-Physic
s Letters, Volume 26, No. 6, No. 303-306
Page, 1975). In this method, a coating film is formed from a resin doped with a relatively volatile substance with a higher refractive index, and then UV rays are irradiated to remove the doped material in the exposed areas. This method forms a pattern with a difference in refractive index between exposed and non-exposed areas by evaporating and removing the dope material at the base of the knee.According to this report, the film thickness in exposed areas is smaller than that in semi-exposed areas. is about 10%
reported to be increasing.

〔発明が解決すべき問題点〕[Problems to be solved by the invention]

前者の通常の感光性ゲj脂は屈折率差を設げることを目
的としていないので得られるレリーフパターンにおける
屈折率差はほとんどないか、あっても極めて小さい。”
また後者のフォトロッキング法に採用される感光性#脂
も露光部分と非露光部分の屈折率2さ及び凹凸部分の厚
み変化の1゛直が十分でない。加えて、感光性樹脂を各
棟プラスチック性の光学素子として利用する場合は商い
透明性が要求される。また感光性樹脂組成物は元照射に
より早い応答連1度を示し、且つ鮮明なパターンが形成
されることが要求される。
The former, ordinary photosensitive resin, is not intended to provide a difference in refractive index, so the difference in refractive index in the resulting relief pattern is almost non-existent, or even if there is, it is extremely small. ”
Furthermore, the photosensitive resin employed in the latter photolocking method does not have a sufficient refractive index of 2 between exposed and non-exposed areas and 1 degree change in thickness of uneven areas. In addition, when a photosensitive resin is used as a plastic optical element, transparency is required. Furthermore, the photosensitive resin composition is required to exhibit a quick response rate when exposed to original irradiation and to form a clear pattern.

本発明の目的は、屈折宅の変化と同時に表面レリーフ構
造を生じさせる新規な感光性樹脂組成物、特に露光部分
の屈折率が非露光部分の屈折率よ)高<、シかも、露光
部分が非露光部分よりも厚みの増加する、即ち凸な構造
となり、且つ反応速度が早く、且つ鮮明なパターンを描
ける感光性樹脂組成物を掠供することKある。また本発
明の他の目的は、前記の感光性樹脂組成物を用いる屈折
率差とレリーフ構造をあわせもつパターンの作製方法を
提供することにある。そして本発明の別の目的は光学的
透明性に優れたパターンを提供することである。
The object of the present invention is to provide a novel photosensitive resin composition which produces a surface relief structure simultaneously with a change in refractive index, in particular when the refractive index of the exposed part is higher than the refractive index of the unexposed part. It is possible to provide a photosensitive resin composition that has a thicker layer than the unexposed portion, that is, has a convex structure, has a fast reaction rate, and can draw a clear pattern. Another object of the present invention is to provide a method for producing a pattern having both a refractive index difference and a relief structure using the photosensitive resin composition described above. Another object of the present invention is to provide a pattern with excellent optical transparency.

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving problems]

本発明者らは上記の目的に鑑みて鋭意検討したところ、
エステルのアルコール残基に特定の光反応性の二重結合
を有するアクリル酸又はメタクリル酸エステル系重合体
又は共重合体と芳香族ケトン又は芳香族アルデヒドより
なる感光性樹脂組成物は光反応性が高いことを見い出し
た。更に該感光性組成物は選択的に紫外線を照射後、未
反応の芳香族ケトン又は芳香族アルデヒドを除去するこ
とにより露光部分と非露光部分との間で大きな屈折率差
と凹凸差が得られることを見い出した。
The inventors of the present invention conducted extensive studies in view of the above objectives, and found that
A photosensitive resin composition consisting of an acrylic acid or methacrylic acid ester polymer or copolymer having a specific photoreactive double bond in the alcohol residue of the ester and an aromatic ketone or aromatic aldehyde is photoreactive. I found out that it is expensive. Furthermore, after the photosensitive composition is selectively irradiated with ultraviolet rays, unreacted aromatic ketones or aromatic aldehydes are removed to obtain a large refractive index difference and unevenness difference between exposed and unexposed areas. I discovered that.

即ち本発明の第1の発明は感光性樹脂組成物に関し くN 一般式Iの構造単位を2モル多以上含む重合体又
は共重合体(以下単にポリマーAという)、および (−CH2−C−)               1
ooy CB)  非僅換または置換基を有する芳香族アルデヒ
ドおよび芳香族ケトンより選択される化合物(以下単に
化合物(′B)という)の一種または二へ以上を含有す
ることを特徴とする。
That is, the first aspect of the present invention relates to a photosensitive resin composition, and relates to a polymer or copolymer (hereinafter simply referred to as polymer A) containing 2 or more moles of structural units of general formula I, and (-CH2-C- ) 1
ooy CB) It is characterized by containing one or more compounds selected from aromatic aldehydes and aromatic ketones having non-slightly substituted or substituent groups (hereinafter simply referred to as compound ('B)).

7式中、R4,R5およびR6は水素原子またはアル\
また、本発明の第2の発明は上記感光性樹脂組成物を用
いたパターンの作製方法であり、(イ)上記感光性樹脂
組成物よυ薄膜を形成する工程、 (ロ)上記薄膜にf折的に紫外線を照射する工程、し→
 化合物(B)を除去する工程 を順次行なうことを特徴とする。
In formula 7, R4, R5 and R6 are hydrogen atoms or al\
A second invention of the present invention is a method for producing a pattern using the photosensitive resin composition, including (a) forming a thin film of the photosensitive resin composition; The process of periodically irradiating ultraviolet rays →
It is characterized in that the steps of removing compound (B) are performed sequentially.

本発明の組成物におけるポリマー(A)はエステルのア
ルコール渋基内に二重結合を有する構造単位を含む。該
構造単位)ま通常2モル多以上であり、好ましくは5モ
ル係以上である。
The polymer (A) in the composition of the present invention contains a structural unit having a double bond within the alcohol astringent group of the ester. The structural unit) is usually 2 moles or more, preferably 5 moles or more.

置換基Yを表わす一般式■または■においてR1−R6
がアルキル基である場合、該アルキル基は分岐を有して
いてもよく、任意の置換基を有していてもよい。該アル
キル基の炭素数は特には限定されないが、一般に炭素数
が8以下の低級アルキル基であることがよい。またZは
炭素か2以上の2価の基を示すが、好1しくけ炭素数が
2〜8の分岐を有しても良いアルキレン基である。
In the general formula (■) or (■) representing the substituent Y, R1-R6
When is an alkyl group, the alkyl group may have a branch and may have any substituent. The number of carbon atoms in the alkyl group is not particularly limited, but it is generally preferable to be a lower alkyl group having 8 or less carbon atoms. Further, Z represents a divalent group having two or more carbon atoms, and is preferably an optionally branched alkylene group having 2 to 8 carbon atoms.

好ましい1θ換基Yを例示すると仄のものが挙げられる
。アリル基の様な炭素数が3つの基;2−ブテニル基、
3−ブテニル基、2−メチル−2−プロペニル基の様な
炭素数が4つの基;2−へブテニル&、3−へブテニル
基、4−へブテニル基、2−メチル−2−ブテニル基、
2−エチル−2−プロペニル基、2−メチル−3−フチ
ニル基、1゜2−ジメチル−2−プロペニル基等の炭素
数が5つの基;2−へキセニル基、3−へキセニル基、
4−へキセニル基、5−へキセニル基、  1.1− 
ジメチル−2−ブテニル基、1,2−ジメチル−2=ブ
テニル基、1.3−ジメチル−2−ブテニル基、2.3
−ジメチル−2−ブテニル基、3−メチル−2−ヘプテ
ニル基、2−メチル−2−ヘプテニル基等の炭素数が6
つの基;あるいrま、2−メチル−2−シクロへキセニ
ル基、3  )チル−2−シクロへキセニル基等のシク
ロアルケニル基が挙げられる。
Examples of preferred 1θ substituents Y include the following. Groups with three carbon atoms such as allyl groups; 2-butenyl groups,
Groups with 4 carbon atoms such as 3-butenyl group and 2-methyl-2-propenyl group; 2-hebutenyl & 3-hebutenyl group, 4-hebutenyl group, 2-methyl-2-butenyl group,
Groups having 5 carbon atoms such as 2-ethyl-2-propenyl group, 2-methyl-3-phthynyl group, 1゜2-dimethyl-2-propenyl group; 2-hexenyl group, 3-hexenyl group,
4-hexenyl group, 5-hexenyl group, 1.1-
Dimethyl-2-butenyl group, 1,2-dimethyl-2=butenyl group, 1.3-dimethyl-2-butenyl group, 2.3
-Dimethyl-2-butenyl group, 3-methyl-2-heptenyl group, 2-methyl-2-heptenyl group, etc. with 6 carbon atoms
or cycloalkenyl groups such as 2-methyl-2-cyclohexenyl group and 3) thyl-2-cyclohexenyl group.

上記ポリマー(Alは一般式(1)の構造を有せばその
1M法は特に問わない。即ち、アクリル酸又はメタクリ
ル酸を含む重合体を用い、分子内に二重結合を有するア
ルコール、例えば2−ブチノール等のアルコールと反応
させること(高分子エステル化反応)により得ることか
できる。しかるに、一般式(1)に対応するアクリル酸
誘導体の単独重合又は他のコモノマーとの共重合によっ
て入手したポリマーは特に好適に用いられる。このよう
なアクリル酸誘導体としては、アリルメタクリレート、
アリルアクリレート、2−(tたは3)−ブテニル7メ
タクリレート、2(または3)−ブテニルアクリレート
、2−メチル−2−プロペニルメタクリレート、2−メ
fルー2−プロペニルアクリレート、2(または3ま念
は4)−ペブテニルメタクリレート、2(または3また
は4)−アクIJレート、2−メチル−(2またば3)
−ブテニルメタクリレート、2−メチル−(2または3
)−ブテニルアクリレート、2−エチル−2−プロペニ
ルメタクリレート、2−エチル−2−プロペニルアクリ
レート、1,2−ジメチル−2−ブaベニルメタクリレ
−)、1.2−ジメチル−2−7’ロペニルアクリレー
ト、2(または3または4または5)−へキセニルメタ
クリレート、2(tたは3″!たは4またば5)−へキ
セニルアクリレート、1,1(または1.2または1.
3または2.3)−ジメチル−2−ブテニルメタクリレ
−)、1.1−(tたは1.2またば1,3または2,
3)−ジメチル−2−ブテニルアクリレート、2(また
は3)−メチル−2−へブテニルメタクリレート、2(
tたは3)−メチル−2−へブテニルアクリレート等の
アルコール残基が鎖状になっているアクリル酸誘導体;
2(41−13)−メチル−2−シクロへキセニルメタ
クリレート、2(または3)−メチル−2−シクロへキ
セニルアクリレート等のアルコール残基が環状になって
いるアクリル酸誘導体が挙げられる。これらの中で、ア
リルメタクリレート、2−メチル−2−プロペニルメタ
クリレート、2−ブテニルメタクリレート、2−へキセ
ニルメタクリレート、3−へキセニルメタクリレートが
、アルコール残基のアルコールの入手のしやすさ、エス
テルの合成のしやすさのために好ましい。
The 1M method is not particularly limited as long as the above polymer (Al has the structure of general formula (1)).That is, a polymer containing acrylic acid or methacrylic acid is used, and an alcohol having a double bond in the molecule, for example, 2 - Can be obtained by reacting with an alcohol such as butynol (polymer esterification reaction).However, polymers obtained by homopolymerization of acrylic acid derivatives corresponding to general formula (1) or copolymerization with other comonomers is particularly preferably used. Examples of such acrylic acid derivatives include allyl methacrylate,
Allyl acrylate, 2-(t or 3)-butenyl 7-methacrylate, 2-(or 3)-butenyl acrylate, 2-methyl-2-propenyl methacrylate, 2-methyl-2-propenyl acrylate, 2-(or 3)-butenyl acrylate, 4)-pebutenyl methacrylate, 2 (or 3 or 4)-acrylate, 2-methyl-(2 or 3)
-butenyl methacrylate, 2-methyl-(2 or 3
)-butenyl acrylate, 2-ethyl-2-propenyl methacrylate, 2-ethyl-2-propenyl acrylate, 1,2-dimethyl-2-butenyl methacrylate), 1,2-dimethyl-2-7'ropenyl Acrylate, 2 (or 3 or 4 or 5)-hexenyl methacrylate, 2 (t or 3″! or 4 or 5)-hexenyl acrylate, 1,1 (or 1.2 or 1.
3 or 2.3)-dimethyl-2-butenyl methacrylate), 1.1-(t or 1.2 or 1,3 or 2,
3)-dimethyl-2-butenyl acrylate, 2(or 3)-methyl-2-hebutenyl methacrylate, 2(
Acrylic acid derivatives in which alcohol residues are chained, such as t or 3)-methyl-2-hebutenyl acrylate;
Examples include acrylic acid derivatives in which alcohol residues are cyclic, such as 2(41-13)-methyl-2-cyclohexenyl methacrylate and 2(or 3)-methyl-2-cyclohexenyl acrylate. Among these, allyl methacrylate, 2-methyl-2-propenyl methacrylate, 2-butenyl methacrylate, 2-hexenyl methacrylate, and 3-hexenyl methacrylate have alcohol residues that are easy to obtain, Preferred for ease of ester synthesis.

共重合に付されるコモノマーとしては上述のアクリル酸
エステル誘導体と共重合するモノマーであればよく、例
えば、メタクリル酸;メタクリル酸メチル、メタクリル
酸エチル、メタクリル酸プロピル、メタクリル酸ブチル
、メタクリル酸アミル、メタクリル酸シクロヘキシル等
のメタクリル酸アルキルエステル;アクリル!!2ニア
クリル酸メチル、アクリル酸エチル、アクリル酸プロピ
ル、アクリル酸ブチル、アクリル酸シクロヘキシル等の
アクリル酸アルキルエステル、メタクリル酸アミド、ア
クリル酸アミド、スチレン:α−メチルスチレン等の置
換スチレンが例示される。これらのコモノマーはフッ素
で置換されていてもよい。
The comonomer to be subjected to copolymerization may be any monomer that copolymerizes with the above-mentioned acrylic ester derivatives, such as methacrylic acid; methyl methacrylate, ethyl methacrylate, propyl methacrylate, butyl methacrylate, amyl methacrylate, Methacrylic acid alkyl esters such as cyclohexyl methacrylate; acrylic! ! Examples include acrylic acid alkyl esters such as methyl 2-niacrylate, ethyl acrylate, propyl acrylate, butyl acrylate, and cyclohexyl acrylate, methacrylic acid amide, acryl amide, and substituted styrenes such as styrene: α-methylstyrene. These comonomers may be substituted with fluorine.

前述のアルコール残基中に炭素−炭素二重結合を残存さ
せるようなポリマーの合成は、アクリル酸誘導体モノマ
ーのアルコール残基の炭素−炭素二重結合にシス、もし
くはトランスに2つあるいは3つ以上のアルキル基が置
換している場合は一般にラジカルC合寸たはアニオン重
合で合成でき、炭素−炭素二重結合がビニル基、又はビ
ニリデン基を構成する場合にはアニオン重合によって容
易に合成しうる。重合の際に、上記炭素−炭素二重結合
が副反応によシ若干変化する場合もありうるがポリマー
(A)においては二重結合は実質的に共重合に関与して
ないのがよい。ポリマー(Nの分子量には特に制限はな
いが、一般に数平均分子量で1000〜100万の範囲
にある。ポリマー(Ai 中〕構造単位(1)はモノマ
一単位で5モルチ以上において、化合物(B)との反応
によシ顕著な性質変化が観測される。
Synthesis of a polymer in which carbon-carbon double bonds remain in the alcohol residues described above involves adding two or more carbon-carbon double bonds in cis or trans to the alcohol residues of the acrylic acid derivative monomer. If the alkyl group is substituted, it can generally be synthesized by radical C synthesis or anionic polymerization, and if the carbon-carbon double bond constitutes a vinyl group or vinylidene group, it can be easily synthesized by anionic polymerization. . During polymerization, the carbon-carbon double bonds may be slightly changed due to side reactions, but it is preferable that the double bonds in the polymer (A) do not substantially participate in the copolymerization. There are no particular restrictions on the molecular weight of the polymer (N), but it is generally in the range of 1,000 to 1,000,000 in terms of number average molecular weight. ) A remarkable change in properties is observed.

久に本発明の組成物における化合物(B)としては非置
換または置換型のベンズアルデヒド、ベンゾフェノンま
たはそれらの良導体が例示され、一般式で表現すると次
の■またはv式で示される。
Examples of the compound (B) in the composition of the present invention include unsubstituted or substituted benzaldehyde, benzophenone, or good conductors thereof, and when expressed as a general formula, it is represented by the following formula (1) or (v).

(′)(V) (但し弐Nまたは(V)においてX1〜X6は水素原子
、炭素数1〜7のアルキル基、炭素数1〜7のアルコキ
シ基、アリルオキシ基、またはノ・ロゲン原子を表わし
、X7〜X10は水素原子またはノ・ロゲン原子を表わ
す。またnは0または整数を示す)上式において好まし
い化合物はX1〜XIOけ水素であり、式■においてn
が1又は2の化合物である。
(') (V) (However, in 2N or (V), X1 to X6 represent a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 7 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 7 carbon atoms, an allyloxy group, or a nitrogen atom. , X7 to X10 represent a hydrogen atom or a hydrogen atom, and n represents 0 or an integer) In the above formula, preferred compounds are X1 to XIO hydrogen;
are 1 or 2 compounds.

化合物CB+の好適な例としては、ベンゾフェノン:3
−またけ4−メチルベンゾフェノン、3または4−メト
キンベンゾフェノン、3.3’−4たは4゜4′−ジメ
チルベンゾフェノン、3.3’tたは4.4’ −ジメ
トキシベンゾフェノン、2.3−!たは4−クロルベン
ゾフェノン、3.4..5− ) IJメチルベンゾフ
ェノン、3,4.5−トリメトキシベンゾフェノン等の
置換ベンゾフェノン類、3−ベンゾイルベンゾフェノン
:3−(34たは4−メチルベンゾイル)−3′マたは
4′メチルベンゾフエノン、3−(3または4−メトキ
シベンゾイル)−3’tたは4′メチルベンゾフエノン
、3.3’−ジベンゾイルベンゾフェノン等のfkl!
3−ベンゾイルベンゾフェノン類、ベンズアルデヒド、
3または4−メチルベンズアルデヒド、3または4−メ
チルベンズアルデヒド、3.4−ジメチルベンズアルデ
ヒド、3,4−ジメトキシベンズアルデヒド等の置換ベ
ンズアルデヒド類が挙げられる。これらの化合物(B)
はカルボニル基に対してオルソ位にメチル基、エチル基
、イノプロピル基等の置換基を有さないので、光照射に
よる分子内水素引き抜き等の副反応が少ない利点を有す
る。本発明ではベンズアルデヒド、ベンゾフェノン、3
−ベンゾイルベンゾフェノン、3.3′−ジベンゾイル
ベンゾフェノンが感光性、合成の容易さ等から特に好ま
しく、また3−ベンゾイルベンゾフェノン、3.3’−
ジベンゾイルベンゾフェノンが、感光性、屈折率差およ
びレリーフ構造の生成等から特に好まり、い化合物(B
)である。
A suitable example of compound CB+ is benzophenone:3
- Straight 4-methylbenzophenone, 3 or 4-methquine benzophenone, 3.3'-4 or 4°4'-dimethylbenzophenone, 3.3't or 4.4'-dimethoxybenzophenone, 2.3 -! or 4-chlorobenzophenone, 3.4. .. 5-) IJ Methylbenzophenone, substituted benzophenones such as 3,4.5-trimethoxybenzophenone, 3-benzoylbenzophenone: 3-(34 or 4-methylbenzoyl)-3' or 4' methylbenzophenone , 3-(3 or 4-methoxybenzoyl)-3't or 4'methylbenzophenone, 3,3'-dibenzoylbenzophenone, etc. fkl!
3-benzoylbenzophenones, benzaldehyde,
Substituted benzaldehydes such as 3- or 4-methylbenzaldehyde, 3- or 4-methylbenzaldehyde, 3,4-dimethylbenzaldehyde, and 3,4-dimethoxybenzaldehyde are mentioned. These compounds (B)
Since it does not have a substituent such as a methyl group, ethyl group, or inopropyl group at the ortho position to the carbonyl group, it has the advantage that side reactions such as intramolecular hydrogen abstraction due to light irradiation are less likely to occur. In the present invention, benzaldehyde, benzophenone, 3
-Benzoylbenzophenone and 3,3'-dibenzoylbenzophenone are particularly preferred from the viewpoint of photosensitivity and ease of synthesis;
Dibenzoylbenzophenone is particularly preferred from the viewpoint of photosensitivity, refractive index difference, formation of relief structure, etc.
).

本発明の組成物は前述のポリマー(Nと化合物(B)の
組み合わせからなる感光性樹脂組成物であシ、この組成
物に例えば300〜420nmの光を照射することで(
Nと(B)が反応し、性質が変化する。本発明における
(Nと(B)の光化学反応は次式のようなパテル/ ・
ヒュ7 ヒ(Paterno BLichi)反応が主
反応である。
The composition of the present invention is a photosensitive resin composition comprising a combination of the above-mentioned polymer (N) and compound (B), and by irradiating this composition with light of, for example, 300 to 420 nm,
N and (B) react and the properties change. In the present invention, the photochemical reaction between (N and (B)) is expressed by the following formula:
The Paterno BLichi reaction is the main reaction.

(式中phはフェニル基、R,R’、 R”、 ht“
およびt′は水素原子または1n換基を示す) 従って化合物CB)の三重項エネルギーが、ポリマー(
A)の三重項エネルギーよりも低いことが必要である。
(In the formula, ph is a phenyl group, R, R', R", ht"
and t' represents a hydrogen atom or a 1n substituent) Therefore, the triplet energy of compound CB) is
It is necessary that the triplet energy is lower than the triplet energy of A).

また化合物(B)の励起三重項状態は一般にnff*性
が強いことが要求され、ππ性の強い化合物は好ましく
ない。ま之、本発明で用いられるポリマーG〜はアルコ
ール残基中に反応する二重結合を含んでいるため、反応
性が大きく、反応初期でも大きな屈折率変化と、大きな
レリーフ構造を達成できるという利点を有する。
Further, the excited triplet state of the compound (B) is generally required to have strong nff* properties, and compounds with strong ππ properties are not preferred. However, since the polymer G used in the present invention contains a reactive double bond in the alcohol residue, it has high reactivity, and has the advantage that it can achieve a large refractive index change and a large relief structure even in the early stage of the reaction. has.

次に本発明の組成物を用いるパターン形成法のm個Vこ
ついて述べる。
Next, the details of the pattern forming method using the composition of the present invention will be described.

ポリマー(A)と化合物(B)と全溶解する溶媒に両者
ヲkj解し、キャステ・fフグ法、バーコード法、スピ
ンコード法等の一般的な方法で塗膜が形成される。核伍
膜は必要に厄、じて減圧下或は加懲することにより浴剤
を除去し本発明の組成物の膜となる。
The polymer (A) and the compound (B) are completely dissolved in a solvent, and a coating film is formed by a general method such as the Caste-Fugu method, the bar code method, or the spin code method. If necessary, the bath agent is removed from the nuclear membrane under reduced pressure or by applying pressure to form a membrane of the composition of the present invention.

載脱はフィルムであっても基板上に形成された薄膜であ
ってもよい。膜形成法は所望の膜の厚さ、またはj漠の
形態によって、種々の方法が選ばれる。
The loading/unloading may be a film or a thin film formed on a substrate. Various methods for forming the film can be selected depending on the desired thickness or form of the film.

−較に厚い場合にはキャスティング法、薄い場合にはバ
ーコード法、またはスピンコード法が選ばれるかこれら
以外の方法でもかまわない。ポリマー(A)と化合物(
B)の割合は、特には限定されないが一般に重り比で1
0:1からl゛10のわ凹円で任意に選択される。ポリ
マー(AJ中の二重結合を有するアルコール残基に対し
て化合物(B)はモル比で10:1〜1:20の範囲内
で任意に選択され、好藍しくは5:l〜1・10の範囲
内である。
- If the material is relatively thick, the casting method is selected, and if the material is thin, the bar code method or spin code method is selected, or other methods may be used. Polymer (A) and compound (
The ratio of B) is not particularly limited, but is generally 1 in terms of weight ratio.
The concave circle is arbitrarily selected from 0:1 to l゛10. The molar ratio of the compound (B) to the alcohol residue having a double bond in the polymer (AJ) is arbitrarily selected within the range of 10:1 to 1:20, preferably 5:1 to 1. It is within the range of 10.

露光は300〜420 nmの元が用いられる。たとえ
ば筒圧水銀うンスMi昼圧水銀ランプ、N2ガスレーザ
ー、He−Cdガスレーザー等が適宜用いられる。提た
露光方法はフォトマスクを用いる方法、二光束干渉露#
S汰、レーザービームを直接照射する方法等があり適宜
用いられる。
For exposure, an element of 300 to 420 nm is used. For example, a cylindrical mercury lamp (Mi day pressure mercury lamp), an N2 gas laser, a He-Cd gas laser, etc. are used as appropriate. The proposed exposure method is a method using a photomask, and a two-beam interference exposure method.
There are methods such as direct irradiation with a laser beam, which can be used as appropriate.

本発明は上述の嗅を露光後、化合物(B)を任意の方法
で除去することにより得られる。例えば減圧または常王
下で0℃〜120℃で処理することにより、非露光部の
化合物(B)及び未反応の化合物(B)を江云すること
によ0所望の形状の屈折率差とレリーフ構造を合わせも
つ光学的に透明な鮮明なパターン全作′乃でt!iる。
The present invention can be obtained by removing the compound (B) by any method after exposing the above-mentioned odor. For example, by treating the compound (B) in the non-exposed area and the unreacted compound (B) at 0°C to 120°C under reduced pressure or under normal temperature, the refractive index difference in the desired shape can be obtained. A complete collection of optically transparent clear patterns with relief structures! iru.

本発明のパターン作成方法によれば露光部の屈折率が非
露光部の屈折率よりも大きく、し7かも穿元部が非露光
部よりも、厚みの厚い凸な!?!を造となるという特長
をもっている。たとえば、低伝搬摺失な光導波路や、回
折格子等を任意の形状に作製できる。本発明者らは屈折
率差とレリーフ構造をコントロールする方法を検討した
結果、本発明の組成物ではそれらは(1)本発明の組F
Jy、物中のポリマ一体)の割合と、その体)中の一般
式(1)でテされる@造率位の割合及び化合物(B)の
割合、(2)露光時間(3)またはそれらの組合せによ
って任意にコントロールすることが0TfIl:である
ことを見出した。
According to the pattern creation method of the present invention, the refractive index of the exposed area is larger than that of the unexposed area, and furthermore, the perforated part is thicker than the unexposed area and has a convex shape. ? ! It has the characteristic of being made of For example, optical waveguides with low propagation loss, diffraction gratings, and the like can be manufactured in arbitrary shapes. The present inventors studied methods for controlling the refractive index difference and the relief structure, and found that the composition of the present invention has the following characteristics: (1) the group F of the present invention;
Jy, the proportion of the polymer (integrated) in the product, the proportion of the @formation position represented by the general formula (1) and the proportion of the compound (B) in the body), (2) exposure time (3), or It was found that 0TfIl: can be arbitrarily controlled by a combination of the following.

一般的に組成物中の化合物(′B)としてフェニル環の
数の多い化合物を用いたときや、ポリマー(A)中の非
共役二重結合が多いものを用いたときに屈折率差は大き
くなる。また、レリーフ構造の深さは化合物(B)のポ
リマー(A)に対する割合が多くなると大きくなる。さ
らに反応時間は長ければより多く反応するので屈折率差
、レリーフ構造の深さともに大きくなる。しかしながら
、これらの条件は、組成物中のポリマー(A)や化合物
(B)の組成や、組成物の膜厚等から適宜選ばなければ
ならないことはいうまでもない。
Generally, when a compound with a large number of phenyl rings is used as the compound ('B) in the composition, or when a polymer (A) with a large number of non-conjugated double bonds is used, the difference in refractive index becomes large. Become. Further, the depth of the relief structure increases as the ratio of compound (B) to polymer (A) increases. Furthermore, the longer the reaction time, the more reaction occurs, and therefore both the refractive index difference and the depth of the relief structure become larger. However, it goes without saying that these conditions must be appropriately selected from the composition of the polymer (A) and compound (B) in the composition, the film thickness of the composition, and the like.

本発明の組成物は露光後の光学的透明性が極めて良好で
あるので櫨々の光学素子製造の材料としてオリ用できる
。本兜明の組成物は屈折車量とレリーフ構造を同時に大
きくつけることが可能であるので、光導波路、回折格子
、グレーティングレンズ、フレネルレンズ、ホログラム
レンズ、光分岐回路、ジオデシックレンズ、ルネプルグ
レンズ等に利用できる。
Since the composition of the present invention has extremely good optical transparency after exposure, it can be used as a material for manufacturing optical elements. Since Honkamei's compositions can have a large refractive wheel and relief structure at the same time, they can be used for optical waveguides, diffraction gratings, grating lenses, Fresnel lenses, hologram lenses, optical branch circuits, geodesic lenses, Lunepul lenses, etc. Available for

〔実施例〕〔Example〕

合成例1 試験管に2−ブテニルメタクリレート3ノ、メチルメタ
クリレート52、アゾビスイソブチロニトリル8ηおよ
びジオキサン232をNzfil換して仕込み、封管し
て55〜60°Cのウォーターパス中で24時間加熱し
た。その後、アセトン5odに反応液をあけ200 d
のメタノールで生成ポリマーを沈澱させた。生成ポリマ
ーを乾燥すると502得られた。このポリマーの組成を
NMRで観察すると、2−ブテニルメタクリレートのア
ルコール残基の“炭素−炭紫二M結合部の水素が5.5
〜5.9 ppmに見られ2−ブテニルメタクリレート
:メチルメタクリレート=1F3.3(モル比)の共重
合体であることが確認された。またこのポリマーの分子
閂はゲルパーミェーションクロマトグラフィー法で測定
すると数平均分子量で21万でめった。
Synthesis Example 1 A test tube was charged with 3 2-butenyl methacrylate, 52 methyl methacrylate, 8 η of azobisisobutyronitrile, and 232 dioxane after Nzfil conversion, and the tube was sealed and incubated in a water path at 55 to 60°C for 24 hours. heated for an hour. Then, pour the reaction solution into 5 od of acetone and incubate for 200 d.
The resulting polymer was precipitated with methanol. When the resulting polymer was dried, 502 was obtained. When the composition of this polymer was observed by NMR, it was found that the hydrogen at the carbon-carbon bond in the alcohol residue of 2-butenyl methacrylate was 5.5
~5.9 ppm, and it was confirmed that it was a copolymer of 2-butenyl methacrylate:methyl methacrylate=1F3.3 (molar ratio). The molecular weight of this polymer was determined to be 210,000 in number average molecular weight when measured by gel permeation chromatography.

実施例1 合成例1のポリマー1部、3−ペア’/イルヘンシフエ
ノン1部からなる組成物をベンゼンに溶解し、基板上に
スピンコードして約1,1μmの薄膜を形成した。この
薄膜を70℃で1時間ベーキングして、クロムフォトマ
スクを通して250Wの超高圧水銀ランプで3分間露光
した。露光後フォトマスクをはずし、真空乾線器で95
℃、0.2 wAHfで3時間アフターベークしパター
ンを形成させた。
Example 1 A composition consisting of 1 part of the polymer of Synthesis Example 1 and 1 part of 3-pair'/ilhensiphenone was dissolved in benzene and spin-coated onto a substrate to form a thin film of about 1.1 μm. This thin film was baked at 70° C. for 1 hour and exposed to a 250 W ultra-high pressure mercury lamp for 3 minutes through a chrome photomask. After exposure, remove the photomask and dry with a vacuum dryer at 95%.
After baking was performed at 0.2 wAHf for 3 hours to form a pattern.

放冷後、この1番膜と基板との密着性は良好で、He−
Neレーザーを用いたプリズムカップリング法で屈折率
を測定し、二元束干渉顕微鏡で層厚とレリーフの深さを
測定した。露光部と非露光部は凹凸差と屈折率差を有す
る鮮明なパターンとして描けていた。
After cooling, the adhesion between this No. 1 film and the substrate was good, and the He-
The refractive index was measured using a prism coupling method using a Ne laser, and the layer thickness and relief depth were measured using a dual beam interference microscope. The exposed area and the unexposed area were drawn as a clear pattern with a difference in unevenness and a difference in refractive index.

露光時間を0〜30分間の間で種々変化させる以外は上
述と同様にしてパターンを形成させた。
Patterns were formed in the same manner as described above except that the exposure time was varied between 0 and 30 minutes.

上述と同様の方法で屈折率とレリーフの深さを測定し、
併せて結果を第1図及び第2図に示した。
Measure the refractive index and relief depth in the same manner as described above,
The results are also shown in FIGS. 1 and 2.

実施例2〜6 合成列1のポリマー(5)とカルボニル基が1つである
毬々の化合物(H)のM址比で1:0.8の組成物から
なる0、7〜2.0μmの薄膜を基板上に作製し、超高
圧水銀ランプ(250W)で18分露光した。
Examples 2 to 6 0.7 to 2.0 μm consisting of a composition of the polymer (5) of Synthesis Row 1 and each compound (H) having one carbonyl group at a M ratio of 1:0.8 A thin film was prepared on a substrate and exposed for 18 minutes using an ultra-high pressure mercury lamp (250 W).

露光後、非露光部と未反応部の(B)を除去し、実施例
1と同様の方法で屈折率とレリーフ構造を測定した。こ
れらの結果を第1表に示す。
After exposure, (B) in the unexposed and unreacted areas was removed, and the refractive index and relief structure were measured in the same manner as in Example 1. These results are shown in Table 1.

以下余白 実施例7 合成例1の方法と同様にして各種組成のポリマー (A
)を合成し、化合物(B)として3−ベンゾイルベンゾ
フェノンを用いて実施例2〜6と同様の方法で、露光等
の操作を行い屈折率とレリーフ構造を測定した。これら
の結果を第2表に示す。
The following margin Example 7 Polymers of various compositions (A
) was synthesized, and operations such as exposure were performed in the same manner as in Examples 2 to 6 using 3-benzoylbenzophenone as compound (B), and the refractive index and relief structure were measured. These results are shown in Table 2.

以下余白 第  2  表 実施例15 合成例1のポリマー1部、3−ベンゾイルベンゾフェノ
ン1部からなる組成物を厚さ約1.0μmで基板上に形
成し10μInのラインアンドスペースのフォトマスク
を通して露光時間を18分とした以外は実施例1と同様
の操作を行って、透過型位相裕子金作表した。この位相
格子は膜厚1,20μm1屈折率1.548の凸部と膜
40.87μm1  屈折率1.510の四部よりなる
形態屈折率双変調型位相格子であジ、He−Neレーザ
ー(0,6328μm)で回折効率を測定すると0次光
強度は0.295で±1次光強度は0.295であった
。この結果は形態屈折率双変調型位相格子の理論値と良
く一致し、鮮明なパターンが描かれていることが確認さ
れた。この位相格子は3分割元分波器として使用できる
Table 2 Example 15 A composition consisting of 1 part of the polymer of Synthesis Example 1 and 1 part of 3-benzoylbenzophenone was formed on a substrate to a thickness of about 1.0 μm and exposed through a 10 μIn line-and-space photomask for a period of time. The same operation as in Example 1 was carried out except that the time period was changed to 18 minutes, and a transmission type phase Yukokin plot was made. This phase grating is a bimodulated refractive index phase grating consisting of a convex part with a film thickness of 1.20 μm and a refractive index of 1.548, and a four part film with a refractive index of 1.510 and a film thickness of 40.87 μm. When the diffraction efficiency was measured at 6328 μm), the 0th order light intensity was 0.295 and the ±1st order light intensity was 0.295. This result was in good agreement with the theoretical value of the form refractive index dual modulation type phase grating, and it was confirmed that a clear pattern was drawn. This phase grating can be used as a three-element splitter.

実施例16 合成例1のポリマー1部、ベンゾフェノン0.5部から
なる組成物を厚さ約1μmで、ガラス基板上に形成し1
.=SOμmの線状パターンを有するフォトマスクを通
して実施例1と同様の操作を行い、薄膜光導波路を作製
した。この薄膜光導波路は、He−Ne−レーザーのT
Eモードでシングルモードであり、伝搬損失はQ、4d
B/mと良好であった。
Example 16 A composition consisting of 1 part of the polymer of Synthesis Example 1 and 0.5 parts of benzophenone was formed on a glass substrate to a thickness of about 1 μm.
.. The same operation as in Example 1 was performed through a photomask having a linear pattern of = SO μm to produce a thin film optical waveguide. This thin film optical waveguide is a He-Ne laser T
It is a single mode in E mode, and the propagation loss is Q, 4d.
B/m was good.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

本発明によれば所望の屈折率差とレリーフ構造をもつパ
ターンを短い時間で作製できる感光性樹脂組成物が提供
される。また、本発明の感光性樹脂組成物は高感度で光
照射後未反応部分を除去することにより露光部分の屈折
率が非露光部分の屈折率より顕著に高く、シかも該露光
部分の厚みが非g元部分の厚みより顕著に増大した鮮明
なパターンが描けるという効果を有する。
According to the present invention, a photosensitive resin composition is provided that allows a pattern having a desired refractive index difference and relief structure to be produced in a short period of time. In addition, the photosensitive resin composition of the present invention has high sensitivity, and by removing unreacted portions after irradiation with light, the refractive index of the exposed portion is significantly higher than that of the unexposed portion, and the thickness of the exposed portion may be reduced. It has the effect of being able to draw a clear pattern that is significantly thicker than the non-g original portion.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図及び第2図は本発明の感光性樹脂の効果を示す図
であり、第1図は露光時間と露光部と非露光部の屈折率
差を示し、第2図は露光時間と露光部と非露光部の厚み
の差(レリーフの深さの差)を示す。 特許出麩株式会社クラレ
Figures 1 and 2 are diagrams showing the effects of the photosensitive resin of the present invention. Figure 1 shows the exposure time and the refractive index difference between exposed and non-exposed areas, and Figure 2 shows the exposure time and the difference in refractive index between exposed and non-exposed areas. This shows the difference in thickness between the exposed area and the unexposed area (difference in relief depth). Patented wheat flour Kuraray Co., Ltd.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1)(A)一般式 I の構造単位を2モル%以上含む重
合体又は共重合体、および ▲数式、化学式、表等があります▼  I (式中、Xは水素原子または炭素数1〜4のアルキル基
であり、Yは下記一般式IIまた はIIIで表わされる二重結合を有する置換基 またはシクロアルケニル基である。) (B)非置換または置換基を有する芳香族アルデヒドお
よび芳香族ケトンより選択される化合物の一種または二
種以上を含有する感光性樹脂組成物。 ▲数式、化学式、表等があります▼ II (式中、R_1、R_2およびR_3はそれぞれ同一ま
たは異なる水素原子またはアルキル基であり、Zは炭素
数2以上の2価の置換基である。)▲数式、化学式、表
等があります▼ III (式中、R_4、R_5およびR_6は水素原子または
アルキル基であり、R_6が水素原子である場合、R_
4およびR_5は同時にメチル基であることはない。) 2)(A)の共重合体がアクリル酸またはメタクリル酸
の飽和アルキルエステルとの共重合体である特許請求の
範囲第1項記載の組成物。 3)(A)の共重合体が、メタクリレートのうち、1つ
ないしはそれ以上とメチルメタクリレートとの共重合体
である特許請求の範囲第1項記載の感光性樹脂組成物。 4)(B)の化合物が、ベンズアルデヒド、ベンゾフエ
ノン、3−ベンゾイルベンゾフエノンまたは3,3′−
ジベンゾイルベンゾフエノンである特許請求の範囲第1
項、第2項又は第3項記載の組成物。 5)(イ)(A)一般式 I の構造単位を2モル%以上
含む重合体又は共重合体、および ▲数式、化学式、表等があります▼  I (式中、Xは水素原子または炭素数1〜4のアルキル基
であり、Yは下記一般式IIまた はIIIで表わされる二重結合を有する置換基 またはシクロアルケニル基である。) (B)非置換または置換基を有する芳香族アルデヒドお
よび芳香族ケトンより選択される化合物の一種または二
種以上を含有する感光性樹脂組成物より薄膜を形成する
工程、 (ロ)上記薄膜に選択的に紫外線を照射する工程、(ハ
)(B)の化合物を除去する工程 を順次行なうことを特徴とするパターンの作製方法。 ▲数式、化学式、表等があります▼ II (式中、R_1、R_2およびR_3はそれぞれ同一ま
たは異なる水素原子またはアルキル基であり、Zは炭素
数2以上の2価の置換基である。)▲数式、化学式、表
等があります▼ III (式中、R_4、R_5およびR_6は水素原子または
アルキル基であり、R_6が水素原子である場合、R_
4およびR_5は同時にメチル基であることはない。) 6)(B)の化合物を蒸発除去する特許請求の範囲第5
項記載のパターンの作製方法。 7)除去する手段が減圧及び/または加熱下に行なわれ
る特許請求の範囲第6項記載のパターンの作製方法。
[Claims] 1) (A) A polymer or copolymer containing 2 mol% or more of the structural unit of the general formula I, and ▲ mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc. ▼ I (wherein, X is a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, and Y is a substituent having a double bond or a cycloalkenyl group represented by the following general formula II or III.) (B) Unsubstituted or aromatic having a substituent A photosensitive resin composition containing one or more compounds selected from aldehydes and aromatic ketones. ▲There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc.▼ II (In the formula, R_1, R_2 and R_3 are each the same or different hydrogen atom or alkyl group, and Z is a divalent substituent having 2 or more carbon atoms.)▲ There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc. ▼ III (In the formula, R_4, R_5 and R_6 are hydrogen atoms or alkyl groups, and if R_6 is a hydrogen atom, R_
4 and R_5 are never methyl groups at the same time. 2) The composition according to claim 1, wherein the copolymer (A) is a copolymer with a saturated alkyl ester of acrylic acid or methacrylic acid. 3) The photosensitive resin composition according to claim 1, wherein the copolymer (A) is a copolymer of one or more methacrylates and methyl methacrylate. 4) The compound (B) is benzaldehyde, benzophenone, 3-benzoylbenzophenone or 3,3'-
Claim 1 which is dibenzoylbenzophenone
The composition according to item 1, 2 or 3. 5) (A) (A) Polymers or copolymers containing 2 mol% or more of the structural unit of the general formula I, and ▲ mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc. ▼ I (where X is a hydrogen atom or the number of carbon atoms) 1 to 4 alkyl groups, and Y is a substituent having a double bond or a cycloalkenyl group represented by the following general formula II or III.) (B) Aromatic aldehyde and aromatic which are unsubstituted or have a substituent. a step of forming a thin film from a photosensitive resin composition containing one or more types of compounds selected from group ketones, (b) a step of selectively irradiating the thin film with ultraviolet rays, (c) a step of (B). A method for producing a pattern, characterized by sequentially performing steps for removing a compound. ▲There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc.▼ II (In the formula, R_1, R_2 and R_3 are each the same or different hydrogen atom or alkyl group, and Z is a divalent substituent having 2 or more carbon atoms.)▲ There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc. ▼ III (In the formula, R_4, R_5 and R_6 are hydrogen atoms or alkyl groups, and if R_6 is a hydrogen atom, R_
4 and R_5 are never methyl groups at the same time. ) 6) Claim 5 in which the compound of (B) is removed by evaporation.
Method for producing the pattern described in Section 2. 7) The method for producing a pattern according to claim 6, wherein the removing means is performed under reduced pressure and/or heating.
JP23712785A 1985-10-22 1985-10-22 Photosensitive resin composition and method for preparing pattern using the composition Granted JPS6295526A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP23712785A JPS6295526A (en) 1985-10-22 1985-10-22 Photosensitive resin composition and method for preparing pattern using the composition

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP23712785A JPS6295526A (en) 1985-10-22 1985-10-22 Photosensitive resin composition and method for preparing pattern using the composition

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS6295526A true JPS6295526A (en) 1987-05-02
JPH0584894B2 JPH0584894B2 (en) 1993-12-03

Family

ID=17010807

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP23712785A Granted JPS6295526A (en) 1985-10-22 1985-10-22 Photosensitive resin composition and method for preparing pattern using the composition

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS6295526A (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS649448A (en) * 1987-06-30 1989-01-12 Kuraray Co Pattern forming process
JPS649447A (en) * 1987-06-30 1989-01-12 Kuraray Co Pattern forming process
JPH0284651A (en) * 1988-09-21 1990-03-26 Fuji Photo Film Co Ltd Photosnesitive composition

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60166946A (en) * 1983-10-14 1985-08-30 Kyowa Gas Chem Ind Co Ltd Photosensitive resin composition and formation of pattern having refractive index difference by using it

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60166946A (en) * 1983-10-14 1985-08-30 Kyowa Gas Chem Ind Co Ltd Photosensitive resin composition and formation of pattern having refractive index difference by using it

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS649448A (en) * 1987-06-30 1989-01-12 Kuraray Co Pattern forming process
JPS649447A (en) * 1987-06-30 1989-01-12 Kuraray Co Pattern forming process
JPH0284651A (en) * 1988-09-21 1990-03-26 Fuji Photo Film Co Ltd Photosnesitive composition

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0584894B2 (en) 1993-12-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4777116A (en) Method for manufacturing phase gratings of a combination pattern-refraction modification type
US4351893A (en) Derivatives of aryl ketones as visible sensitizers of photopolymerizable compositions
JPS5942684B2 (en) photosensitive composition
EP0697631A1 (en) Photosensitive recording material, photosensitive recording medium, and process for producing hologram using this photosensitive recording medium
JPS5928329B2 (en) Photopolymerizable composition
JPH02216154A (en) Visible light sensitizer for photopolymerizing composition
JPS60166946A (en) Photosensitive resin composition and formation of pattern having refractive index difference by using it
JP4257295B2 (en) Photorefractive index modulation polymer composition, hologram recording material, and refractive index control method
JPH06505519A (en) Polymeric nitrone with acrylic backbone
US4048146A (en) Radiation sensitive polymers of oxygen-substituted maleimides and elements containing same
JPS6295526A (en) Photosensitive resin composition and method for preparing pattern using the composition
JP3718518B2 (en) Photorefractive index modulation polymer, photorefractive index modulation polymer composition, and refractive index control method
JPH0551894B2 (en)
JP2721572B2 (en) Photosensitive resin composition, pattern using the same, and pattern manufacturing method
JPH0315070A (en) Photosensitive resin composition and pattern and pattern forming method using the same
JP2925164B2 (en) Pattern making method
JPH031145A (en) Photosensitive resin composition and pattern formed by using this composition and production of pattern
EP0689095A1 (en) Visible light sensitizer for photopolymerizing initiator and/or photocrosslinking agent, photosensitive composition, and hologram recording medium
JPH03164784A (en) Hologram and production thereof
US4302527A (en) Photoreactive compositions comprising a light sensitive compound and another compound with reactive site
JP2931436B2 (en) Pattern making method
US4422972A (en) Novel light-sensitive compounds and photoreactable compositions comprising same
JPH0398051A (en) Visible light recording material
JPH0862842A (en) Composition, photosensitive resin, pattern, and pattern forming method using the same
JPH03167588A (en) Hologram and production thereof

Legal Events

Date Code Title Description
EXPY Cancellation because of completion of term