JPS629318A - 印写装置 - Google Patents
印写装置Info
- Publication number
- JPS629318A JPS629318A JP60149807A JP14980785A JPS629318A JP S629318 A JPS629318 A JP S629318A JP 60149807 A JP60149807 A JP 60149807A JP 14980785 A JP14980785 A JP 14980785A JP S629318 A JPS629318 A JP S629318A
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- JP
- Japan
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- liquid crystal
- light
- matrix
- section
- shutter
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- Pending
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- Dot-Matrix Printers And Others (AREA)
- Printers Or Recording Devices Using Electromagnetic And Radiation Means (AREA)
- Exposure Or Original Feeding In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は印写装置、詳しくは液晶マイクロシャッタを用
いた光信号発生部を有する印写装置に関する。
いた光信号発生部を有する印写装置に関する。
従来の液晶ライトパルプを用いた印写装置の光信号発生
部を、第７図を用いて説明する。／”１０ゲンランプか
ら放射する光束はりフレフタ−１フ或いはレンズ等の集
光手段により集光されて密に束ねられたファイバー束２
０に入る。このファイバ束２０の他端は、直線状に配列
する液晶ライト／クルジ２２のシャッター窓２３と対向
すべく直線状に並べられ、前記シャッタ一群を均一な照
度で照射する。或いは、線状のノ１０ゲンランプとり７
レクターにより構成される光源により、シャッター窓２
５に光が照射される。さらに、液晶ライト７クルブ２２
は、第８図に詳細な摘造を示すように、／２アユ ティ
時分割駆動型液晶パネルであり、一方のガラス基板２５
上に形成された２本の共通電極２７．２８は夫々液晶シ
ャツタ窓２３を備え、もう一方のガラス基板２６上に形
成されたセグメント電極２９は１つの電極に２つのシャ
ッター窓２３を備える。
部を、第７図を用いて説明する。／”１０ゲンランプか
ら放射する光束はりフレフタ−１フ或いはレンズ等の集
光手段により集光されて密に束ねられたファイバー束２
０に入る。このファイバ束２０の他端は、直線状に配列
する液晶ライト／クルジ２２のシャッター窓２３と対向
すべく直線状に並べられ、前記シャッタ一群を均一な照
度で照射する。或いは、線状のノ１０ゲンランプとり７
レクターにより構成される光源により、シャッター窓２
５に光が照射される。さらに、液晶ライト７クルブ２２
は、第８図に詳細な摘造を示すように、／２アユ ティ
時分割駆動型液晶パネルであり、一方のガラス基板２５
上に形成された２本の共通電極２７．２８は夫々液晶シ
ャツタ窓２３を備え、もう一方のガラス基板２６上に形
成されたセグメント電極２９は１つの電極に２つのシャ
ッター窓２３を備える。
しかし、前述の従来技術では、各シャツタ窓の開閉を行
なう駆動回路素子数は、Ａ４版を５００ドツト／インチ
の記録密度で印写する場合では１／２時分割駆動するた
め約１２５０個必要であり、これより駆動回路素子数を
低減するため時分割数を多くすると、シャツタ窓開閉時
の光の透過鰍の比（以下ＯＮ ／ Ｏ’１！ ？比と呼
ぶ）が十分とれなくなり、高速印写が不可能になる。さ
らにシャッターアレイの段数が多くなり、結像用集束性
ファイバーレンズアレイ２４の光軸からのずれにより、
感光体２上に十分ボケのない静電潜像を得ることができ
ないなど、性能を低下することなしに、長時分割駆動を
行なわせることができなかりたそこで、本発明は上記の
問題点を解決するもので、その目的とするところは、高
速扁品質印写可能で麿価な印写装置を提供するところに
ある。
なう駆動回路素子数は、Ａ４版を５００ドツト／インチ
の記録密度で印写する場合では１／２時分割駆動するた
め約１２５０個必要であり、これより駆動回路素子数を
低減するため時分割数を多くすると、シャツタ窓開閉時
の光の透過鰍の比（以下ＯＮ ／ Ｏ’１！ ？比と呼
ぶ）が十分とれなくなり、高速印写が不可能になる。さ
らにシャッターアレイの段数が多くなり、結像用集束性
ファイバーレンズアレイ２４の光軸からのずれにより、
感光体２上に十分ボケのない静電潜像を得ることができ
ないなど、性能を低下することなしに、長時分割駆動を
行なわせることができなかりたそこで、本発明は上記の
問題点を解決するもので、その目的とするところは、高
速扁品質印写可能で麿価な印写装置を提供するところに
ある。
本発明の印写装置は、光源、液晶マイクロシャッタマト
リックス部、液晶駆動回路、結像ライトガイド群を有す
る光信号発生部、感光部、現像部、定着部から成り、前
記液晶マイクロシャッタマトリックス部は夫々５本９ｍ
本の透明電極を備えるガラス基板を上記各電極が直交す
るように対向させ、該ガラス基板間に強誘電性スメクチ
ック液晶を封入してなる液晶パネルの両側に２枚の偏光
板を偏光軸が直交ぜるように配置して構成され、前記結
像ライトガイド群は液晶マイクロシャッタマトリックス
側でＳＸＳのマトリックス状に配され１個の液晶マイク
ロシャッタに１本のライトガイドが対応し、感光部側で
概直線状に配列せることを特徴とする。
リックス部、液晶駆動回路、結像ライトガイド群を有す
る光信号発生部、感光部、現像部、定着部から成り、前
記液晶マイクロシャッタマトリックス部は夫々５本９ｍ
本の透明電極を備えるガラス基板を上記各電極が直交す
るように対向させ、該ガラス基板間に強誘電性スメクチ
ック液晶を封入してなる液晶パネルの両側に２枚の偏光
板を偏光軸が直交ぜるように配置して構成され、前記結
像ライトガイド群は液晶マイクロシャッタマトリックス
側でＳＸＳのマトリックス状に配され１個の液晶マイク
ロシャッタに１本のライトガイドが対応し、感光部側で
概直線状に配列せることを特徴とする。
本発明の一実施例を図示例に従って説明する。
まず第１図を用いて本印写装置全体の要部構成を説明す
る。感光体２は、コロナ帯電器１１０により一様に帯電
された後、液晶ライトパルプを用いた光信号発生部１０
１によって光書き込みされる。すなわち、光信号発生部
１０１が記録すべき光信号に従って感光体２上を照射す
ると、光導電現象によりて光信号に対応して感光体２上
に静電潜像が形成される。次に磁気ブラシ現像器１０３
でトナー現像される。この後、転写コロナ帯電器１０５
によってトナーは、転写紙１０４に転写され、定着器１
０６によって定着される。転写後の感光体２に残留した
トナーはクリーニングブレード１０８で除去され、電荷
はイレーサー１０９で除電され１回の目Ｊ写プ四セスが
終了する。
る。感光体２は、コロナ帯電器１１０により一様に帯電
された後、液晶ライトパルプを用いた光信号発生部１０
１によって光書き込みされる。すなわち、光信号発生部
１０１が記録すべき光信号に従って感光体２上を照射す
ると、光導電現象によりて光信号に対応して感光体２上
に静電潜像が形成される。次に磁気ブラシ現像器１０３
でトナー現像される。この後、転写コロナ帯電器１０５
によってトナーは、転写紙１０４に転写され、定着器１
０６によって定着される。転写後の感光体２に残留した
トナーはクリーニングブレード１０８で除去され、電荷
はイレーサー１０９で除電され１回の目Ｊ写プ四セスが
終了する。
次に第２図を用いて本発明にかかる光信号発生部の実施
例の一例の構成を説明する。光源部は、す７レクタ１７
の内側に取りつけられたノーロゲンランプと、ハロゲン
ランプからの出力光が液晶マイクロシャッターマトリッ
クス部５０を概一様に照射するよう設計され、さらに熱
線は透過し、可視光を反射するコールドミラーでつくら
れたり７レクター１７と、ハロゲンランプからの出力光
のうち液晶マイクロシャッターマトリックス部５０に封
入された液晶の温度を上昇させ、動作特性を低下させる
熱線をカットし可視光は透過する熱線カットフィルター
１８とから構成されている。液晶マイクロシャッターマ
トリックス部５０は個々のシャッターがＳＸＳのマトリ
ックス状に配列されており、それぞれのシャッターＳｉ
ｊ １個に対して１本のライトガイド６０の端面が対向
している。図に示すようにマトリックスのある列ｊのシ
ャッタ一群に対応するライトガイドは直角にひねられて
、集光性ファイバレンズアレイ２４を介して感光体２に
対向する端面６１は微小角度傾いた一直線状に配列され
ている。マトリックスの瞬接する列に対応するライトガ
イド群６０同志は、感光体２側で第５図に示すように１
ドツトピツチだけずれて配され、全体としてライトガイ
ド端面は概直線状にある。従って手前にある光源部から
出て、面状に液晶マイクロシャッターマトリックス部５
０に入射した光は感光体２上に概直線に再配列される。
例の一例の構成を説明する。光源部は、す７レクタ１７
の内側に取りつけられたノーロゲンランプと、ハロゲン
ランプからの出力光が液晶マイクロシャッターマトリッ
クス部５０を概一様に照射するよう設計され、さらに熱
線は透過し、可視光を反射するコールドミラーでつくら
れたり７レクター１７と、ハロゲンランプからの出力光
のうち液晶マイクロシャッターマトリックス部５０に封
入された液晶の温度を上昇させ、動作特性を低下させる
熱線をカットし可視光は透過する熱線カットフィルター
１８とから構成されている。液晶マイクロシャッターマ
トリックス部５０は個々のシャッターがＳＸＳのマトリ
ックス状に配列されており、それぞれのシャッターＳｉ
ｊ １個に対して１本のライトガイド６０の端面が対向
している。図に示すようにマトリックスのある列ｊのシ
ャッタ一群に対応するライトガイドは直角にひねられて
、集光性ファイバレンズアレイ２４を介して感光体２に
対向する端面６１は微小角度傾いた一直線状に配列され
ている。マトリックスの瞬接する列に対応するライトガ
イド群６０同志は、感光体２側で第５図に示すように１
ドツトピツチだけずれて配され、全体としてライトガイ
ド端面は概直線状にある。従って手前にある光源部から
出て、面状に液晶マイクロシャッターマトリックス部５
０に入射した光は感光体２上に概直線に再配列される。
次に、本発明にかかる液晶マイクロシャッターマ） Ｉ
Ｊワックスｏに用いられ液晶パネルノ実！ 例の構造を
第５図により説明する。ここで第５図（ｃＬ）は断面図
、第５図＜ｂ＞は平面図である。一方のガラス基板５１
の対向面には透明電極５３からなる走査電極が、他方の
ガラス基板５２の対向面ニＬＬ ！明電極５４からなる
信号電極が、夫々ストライプ状に形成されている。
Ｊワックスｏに用いられ液晶パネルノ実！ 例の構造を
第５図により説明する。ここで第５図（ｃＬ）は断面図
、第５図＜ｂ＞は平面図である。一方のガラス基板５１
の対向面には透明電極５３からなる走査電極が、他方の
ガラス基板５２の対向面ニＬＬ ！明電極５４からなる
信号電極が、夫々ストライプ状に形成されている。
前記各電極上に絶縁層５５を設けた後、前記電極群５３
．５４が互いに直交するように基板５１゜５２をスペー
サ５８を介して組み合わせ強誘電性スメクチック液晶５
９を封入する。このように形成された液晶パネルの上下
面に偏光板５６と５７を互に偏光軸が直交するように設
け、液晶シャッターマトリックスパネルが構成される。
．５４が互いに直交するように基板５１゜５２をスペー
サ５８を介して組み合わせ強誘電性スメクチック液晶５
９を封入する。このように形成された液晶パネルの上下
面に偏光板５６と５７を互に偏光軸が直交するように設
け、液晶シャッターマトリックスパネルが構成される。
この時、一方の偏光板の偏光軸と強誘電性スメクチック
液晶のしきい値電界ｌＥＣ１以上の電界を印加した時の
強誘電性液晶分子の分子長軸方向とを一致させる。この
とき一方の偏光板の偏光軸と液晶分子長軸が一致する方
向の′電界に符号をつけ−Ｅとすれば、−Ｅの電界を印
加した時は光が遮断された０１ＰＩＦ状態となり、＋Ｅ
Ｉ／）電界を印加すると偏光板を透過する光成分を有す
るため、ＯＮ状態となる。尚、電界が印加されない場合
はメモリ状態となり、−Ｋから零だとＯＦＦ、＋Ｅｉか
ら零だとＯＮの状態を保持する。
液晶のしきい値電界ｌＥＣ１以上の電界を印加した時の
強誘電性液晶分子の分子長軸方向とを一致させる。この
とき一方の偏光板の偏光軸と液晶分子長軸が一致する方
向の′電界に符号をつけ−Ｅとすれば、−Ｅの電界を印
加した時は光が遮断された０１ＰＩＦ状態となり、＋Ｅ
Ｉ／）電界を印加すると偏光板を透過する光成分を有す
るため、ＯＮ状態となる。尚、電界が印加されない場合
はメモリ状態となり、−Ｋから零だとＯＦＦ、＋Ｅｉか
ら零だとＯＮの状態を保持する。
次に第２図に対応した液晶マイクロシャッターマトリッ
クス部５０の駆動方法を第４図、第５図により説明する
。感光部と対向するライトガイド端の配列と、該端部に
対応するマトリックスパネル上のシャツタ窓の位置は、
第４図に示される通りであり、マトリックスの列を選択
する端子Ｘｊには同時に信号が送られ、行を選択する端
子Ｙ１には順次走査信号が送られる。ＹｌがＹｌからＹ
％まで１サイクル書き込まれる間に感光体ドラムは１ド
ツトピツチだけ回転する。第５図は上記駆動方法の時経
斐化を示すもので、横方同は時間、縦方向はマトリック
スのある特定の列ｊの行１〜６〜？Ｉを示す。ある時点
で電極Ｙ１が選択され、それぞれの列の第を行のシャッ
ターが駆動され、時刻が七〇からｔＳまで経過する間に
すべてのシャッタが駆動される。図に示すように・シャ
ッターは一度選択駆動されると次に選択駆動されるまで
同じ状態を保っている。またｔ、からｔ％まで時間が経
過する間に感光体表面は１ドツトピツチだけ移動してい
る。従って、前述したようなライドガイド感光体側面の
配列のため感光体上で形成されるドツトは一直線上に並
ぶことになる。
クス部５０の駆動方法を第４図、第５図により説明する
。感光部と対向するライトガイド端の配列と、該端部に
対応するマトリックスパネル上のシャツタ窓の位置は、
第４図に示される通りであり、マトリックスの列を選択
する端子Ｘｊには同時に信号が送られ、行を選択する端
子Ｙ１には順次走査信号が送られる。ＹｌがＹｌからＹ
％まで１サイクル書き込まれる間に感光体ドラムは１ド
ツトピツチだけ回転する。第５図は上記駆動方法の時経
斐化を示すもので、横方同は時間、縦方向はマトリック
スのある特定の列ｊの行１〜６〜？Ｉを示す。ある時点
で電極Ｙ１が選択され、それぞれの列の第を行のシャッ
ターが駆動され、時刻が七〇からｔＳまで経過する間に
すべてのシャッタが駆動される。図に示すように・シャ
ッターは一度選択駆動されると次に選択駆動されるまで
同じ状態を保っている。またｔ、からｔ％まで時間が経
過する間に感光体表面は１ドツトピツチだけ移動してい
る。従って、前述したようなライドガイド感光体側面の
配列のため感光体上で形成されるドツトは一直線上に並
ぶことになる。
他の実施例としては、第６図に示す配置にしてマトリッ
クスの行を選択する端子Ｙ１に同時に信号が送られ、列
を選択する端子Ｘｊには順次走査信号が送られる。Ｘｊ
がＸ□からＸｓまで１サイクル書き込まれる間に感光ド
ラムは１ドツトピツチ回転し、感光体上で形成されるド
ツトは一直線上に並ぶ。
クスの行を選択する端子Ｙ１に同時に信号が送られ、列
を選択する端子Ｘｊには順次走査信号が送られる。Ｘｊ
がＸ□からＸｓまで１サイクル書き込まれる間に感光ド
ラムは１ドツトピツチ回転し、感光体上で形成されるド
ツトは一直線上に並ぶ。
以上述べたように、本発明によれば、強誘電性スメクチ
ック液晶を封入したマイクロシャッタをｓｘｍのマトリ
ックス状に配置せるため、液晶マイクロシャッタ駆動回
路索子数は、従来技術の１／２時分割駆動では（２＋（
外Ｘ ｍ ） ／ ２ ）個であったものが（ｓ ＋
ｍ ）個で済み、駆動回路素子数が大巾に低減し安価な
駆動回路になる。さらに、強誘電性スメクチック液晶に
はメモリ性をもち１４時分割駆動しても、液晶シャッタ
による光の透過鰍の０Ｎ１０？？比は時分割駆動しない
ときと同等の０Ｎ１０ＩＦＩＦ比を得られ短時間で記紀
に必要な光エネルギーを照射でき高速印写が可能である
。また、印写時のドツト密度は製造上高密度化の困難な
シャッタ配列密度によらず、感光体に対向するライトガ
イド端部の配列密度で決定されるため、所望のドツト密
度の高品質印写が得られる。また、マイクロシャッタが
マトリックス配列しているため、個々のシャッタに照射
される光鼠のバラツキが小さく概均−な光束をライトガ
イド端部より出力できる。さらに結像ライトガイド群が
感光部側で概直線状に配列しているため、結像用集束性
ファイバレンズアレイの光軸からのずれは小さく、感光
体上で像のボケが生じない。
ック液晶を封入したマイクロシャッタをｓｘｍのマトリ
ックス状に配置せるため、液晶マイクロシャッタ駆動回
路索子数は、従来技術の１／２時分割駆動では（２＋（
外Ｘ ｍ ） ／ ２ ）個であったものが（ｓ ＋
ｍ ）個で済み、駆動回路素子数が大巾に低減し安価な
駆動回路になる。さらに、強誘電性スメクチック液晶に
はメモリ性をもち１４時分割駆動しても、液晶シャッタ
による光の透過鰍の０Ｎ１０？？比は時分割駆動しない
ときと同等の０Ｎ１０ＩＦＩＦ比を得られ短時間で記紀
に必要な光エネルギーを照射でき高速印写が可能である
。また、印写時のドツト密度は製造上高密度化の困難な
シャッタ配列密度によらず、感光体に対向するライトガ
イド端部の配列密度で決定されるため、所望のドツト密
度の高品質印写が得られる。また、マイクロシャッタが
マトリックス配列しているため、個々のシャッタに照射
される光鼠のバラツキが小さく概均−な光束をライトガ
イド端部より出力できる。さらに結像ライトガイド群が
感光部側で概直線状に配列しているため、結像用集束性
ファイバレンズアレイの光軸からのずれは小さく、感光
体上で像のボケが生じない。
以上の結果、高速高印字品質の印写装置を定価に提供す
ることができるという効果を有する。
ることができるという効果を有する。
第１図は、本発明の印写装置の全体の構成を示す断面図
。 第２図は本発明の印写装置の光信号発生部の一実施例を
示す主要組立図。 第３図は本発明の液晶マイクロシャッターマトリックス
部の構成を示す断面図（α）と平面図（ｂ）。 第４図は、本発明の液晶マイクロシャッターマトリック
ス部とライトガイドの配列と係合および駆動方式を示し
た模式的説明図。 第５図は液晶マイクロシャッタの駆動方式を示した模式
的説明図。 第６図は、本発明の液晶マイクロシャッターマトリック
ス部とライトガイドの配列と係合および駆動方式を示し
た模式的説明図。 第７図は従来の液晶ライトパルプを用いた光信号発生部
の組立図。 第８図は従来の液晶ライトノクルブの構成を示す平面図
（α］、断面図Ｃｂ）および部分拡大図（Ｃ）。 以 上
。 第２図は本発明の印写装置の光信号発生部の一実施例を
示す主要組立図。 第３図は本発明の液晶マイクロシャッターマトリックス
部の構成を示す断面図（α）と平面図（ｂ）。 第４図は、本発明の液晶マイクロシャッターマトリック
ス部とライトガイドの配列と係合および駆動方式を示し
た模式的説明図。 第５図は液晶マイクロシャッタの駆動方式を示した模式
的説明図。 第６図は、本発明の液晶マイクロシャッターマトリック
ス部とライトガイドの配列と係合および駆動方式を示し
た模式的説明図。 第７図は従来の液晶ライトパルプを用いた光信号発生部
の組立図。 第８図は従来の液晶ライトノクルブの構成を示す平面図
（α］、断面図Ｃｂ）および部分拡大図（Ｃ）。 以 上
Claims (1)
- 光源、液晶マイクロシャッタマトリックス部、液晶駆動
回路、結像ライトガイド群を有する光信号発生部、感光
部、現像部、定着部から成る光印写装置において、前記
液晶マイクロシャッタマトリックス部として夫々π本、
ｍ本の透明電極を備える電極基板を上記各電極群が直交
するように対向させ、該電極基板間に強誘電性スメクチ
ック液晶を封入してなる液晶パネルの両側に一対の偏光
板を偏光軸を所定方向に配置して構成し、前記結像ライ
トガイド群を液晶マイクロシャッタマトリックス部側で
ｎ×ｍのマトリクス状に配し１個の液晶マイクロシャッ
タに１本のライトガイドを対応させ、前記感光部側で概
直線状に配列させたことを特徴とする印写装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60149807A JPS629318A (ja) | 1985-07-08 | 1985-07-08 | 印写装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60149807A JPS629318A (ja) | 1985-07-08 | 1985-07-08 | 印写装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS629318A true JPS629318A (ja) | 1987-01-17 |
Family
ID=15483139
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60149807A Pending JPS629318A (ja) | 1985-07-08 | 1985-07-08 | 印写装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS629318A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2019159933A1 (ja) * | 2018-02-19 | 2019-08-22 | 京セラ株式会社 | 電磁波検出装置および情報取得システム |
-
1985
- 1985-07-08 JP JP60149807A patent/JPS629318A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2019159933A1 (ja) * | 2018-02-19 | 2019-08-22 | 京セラ株式会社 | 電磁波検出装置および情報取得システム |
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