JPS6292396A - 多層セラミツクス配線基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、積層法によって形成される多層セラミックス
配線基板の製造方法に関する。

（従来の技術） 多層セラミックス配線基板は、高密度化及び高速化が急
激に進歩してきている電子回路部品を実装する上で、特
に、その熱放散性に優れていること、及び信頼性が高い
ことから近年大量に使用されてきている。

この種の多層セラミックス配線基板は、セラミックス基
材に導体パターンと絶縁層とを交互に印刷していく厚膜
多層法や、導体パターンが形成された生成形体を複数積
層して焼結する積層セラミックス法等の方法によって形
成されている。そして、近年における積層法は、厚膜多
層法に比べ、導体パターン間の絶縁層が厚いため、特性
インピーダンスが大きくなり、コンピュータの回路等の
小さい電流回路に最適である点、層数な増すことができ
より多層化を進めることができる点、絶縁層に形成され
るスルーホールをより小さくより高い密度に形成できる
点等の理由によって、積層セラミックス法が注目されて
きている。

ところで、この種の多層セラミックス配線基板はどのよ
うな方法によって製造されようとも、少なくとも次のよ
うな各条件が要求されている。すなわち、 ■この種多層セラミックス配線基板は、多層化すること
によって高密度化を達成しようとするものである以上、
必要以上にその全体の厚さが厚くなってはならない。

■多層化するのであるから、スルーホールも簡単に形成
できるものでなければならない。

■当然のことながら、この種多層セラミックス配線基板
は簡単に製造することができるものでなければならない
。

また、特に上記の積層セラミックス法における解決すべ
き条件として次のようなことが挙げられる。

■完成後の多層セラミックス配線基板においてその各導
体層の回路部分に断線があったり、導体パターンが漬れ
て電気的な短絡を生じるようなものであってはならない
。

■物理的強度を確保する上、及び各導体層の保持を確実
なものとするために、各セラミックス基板にクラックが
生じていてはならない。

このような各諸条件に着目して、従来既に提案された製
造技術としては、例えば特公昭５７−５４９５６号公報
にて示された多層セラミック基板の製造方法がある。こ
の製造方法は、［表面に導体パターンの形成された複数
のセラミック生シートを積層形成して焼結せしめる多層
セラミック基板の製造方法において、各セラミック生シ
ート上に導体パターンと該導体パターンの間を埋めるよ
うなセラミックパターンとを形成し、表面が平坦なセラ
ミック未焼成体を複数形成する工程と、該セラミック未
焼成体を複数積層形成して焼結せしめる工程とを有する
ことを特徴とする。多層セラミック基板の製造方法、」
である。

確かに、この特公昭５７−５４９５６号公報にて示され
た製造方法にあっては、完成後の多層セラミックス配線
基板の導体パターンに変形や短絡部分の発生を防止した
り、またセラミックス基材にクラックの発生を防止する
ことはほぼ完成されている。しかし、これは以下の犠牲
に立ってなされたものであって、この種の多層セラミッ
クス配線基板に要求されている諸条件を完全に満たして
いるものではないと考えられる。すなわち、まずこの公
報にて示された製造方法にあっては、その請求の範囲か
らも明らかなように、 「各セラミック生シート−Ｌに導体パターンと該導体パ
ターンの間を埋めるようなセラミックパターンとを形成
し」 なければならないが、このようないわばポジとネガとの
パターンをそれらが互いに干渉しないように各セラミッ
ク生シート（生成形体）上に設けることは、この種の多
層セラミックス配線基板が高密度化を日桁している現今
において、極めて困難である。

また、各セラミック生シート上に導体パターンと、これ
とはポジの関係にあるセラミックパターンとを形成する
ことによって、この種の多層セラミックス配線基板の厚
さがその分厚くなり、「多層化することによって高密度
化を達成しようとするものである以上、必要以上にその
全体の厚さが厚くなってはならない」とする」１記■の
条件を満たさないことになる。しかも、「導体パターン
の間を埋めるようなセラミックパターンとを形成」する
ことはこの発明の絶対条件ではあるが、このようにする
ためにはそれだけ複雑な工程が必要となり、上記■の条
件をも満たすことができなくなる。

要するに、従来の技術にあっては、少なくとも上記の各
条件■〜■を完全に満足するものはなかったのである。

（発明が解決しようとする問題点） 本発明は以上のような実状に鑑みてなされたもので、そ
の解決しようとする問題点は、多層セラミックス配線基
板における導体層の破損・短絡、セラミックス基材にお
けるクラックの発生、全体の厚層化及び製造」二の困難
性である。

そして、本発明の目的とするところは、この種セラミッ
クス配線基板に要求される諸条件を簡単な構成によって
完全に満たして、導体層及びセラミックス基材に損傷の
ない多層セラミックス配線基板を簡単に製造することの
できる方法を提供することにある。

（問題点を解決するための手段） 以」二の問題点を解決し得る多層セラミックス配線基板
を製造するための製造方法は、次の通りである。すなわ
ち、 複数の生成形体を積層して焼結する多層セラミックス配
線基板の製造方法において、前記、生成形体の内いずれ
か少なくとも１枚の生成形体に導体層となる導体材料を
、その端面と生成形体との端面とが同一平面になるよう
に形成し、次いでこれらの生成形体を複数積層して焼結
することを特徴とする多層セラミックス配線基板の製造
方法 である。

次に、まず１本発明の製造方法によって製造される多層
セラミックス配線基板（ｌＯ）の構成について、図面を
参照してより几体的に説明する。

第１図には、本発明に係る多層セラミックス配線基板（
ｌＯ）の縦断面図が示してあり、この多層セラミックス
配線基板（１０）は主として複数のセラミックス基材（
１１）と、これら各セラミックス基材（１１）間に介在
された導体層（１２）とによって構成されている。そし
て、この多層セラミックス配線基板（１０）にあっては
、各セラミックス基材（１１）にお　　　　□ける導体
層（１２）の端面（１２ａ）と当該セラミックス基材（
１１）の端面（ｌｌａ）とが同一平面にある。これは、
後述の製造方法で詳述するように、導体層（１２）とな
る導体材料（１２ｂ）を、その端面（１２ａ）が焼結前
の各セラミ−２クス基材（１１）の端面（ｌｌａ）と　
　　　・同一平面にあるように形成することによって複
数（種類）の生成形体（１ｏａ）を形成し、これらの複
数の生成形体（１０ａ）を互いに積層した後に焼結する
することによって達成されている。

各セラミックス基材（１１）は、Ａ文Ｎ、Ａす、０３、
ＢＮ、ＳｉＣあるいはこれらの化合物から選択されるい
ずれか１種または２種以上を主として含有するものを材
料として形成したものであり、これによって完成後の多
層セラミックス配線基板（ｌＯ）に所定の強度及び十分
な熱放散性が与えられている。

また導体層（１２）は、タングステンあるいはモリブデ
ンを主原料とする導体材料（１２ｂ）をメタライズする
ことにより形成しであるから、これによってこの導体層
（１２）は各セラミックス基材（１１）と確実に接合さ
れている。

以上のように構成された本発明の製造方法によって製造
される多層セラミックス配線基板（１０）にあっては、
各セラミックス基材（１１）における導体層（１２）の
端面（１２ａ）と当該セラミックス基材（１１）の端面
（ｌｌａ）とが同一平面にあることから、各セラミック
ス基材（１１）が例えホットプレスにより積層焼結され
ていても、各セラミックス基材（１１）及びこれらの間
に介装されている各導体層（１２）には応力ひずみは殆
んど生じていないのである。また、各導体層（１２）は
各セラミックス基材（ｌｔ）にいわば埋め込まれた状態
となっているから、従来の多層セラミ−７クス配線基板
（１０）のようにその導体層（１２）がセラミックス基
材（１１）から浮き上がった状態とはなっていす、多層
セラミックス配線基板（１０）全体としてはその厚さが
薄くなっている。

次に、上記のような多層セラミックス配線基板（１０）
を製造する方法について、各図を参照して説明する。

この方法にあっては、まず生成形体（ｔＯａ）の内のい
ずれか少なくとも一枚の生成形体（１０ａ）に、導体層
（１２）となる導体材料（１２ｂ）を、その端面と生成
形体（１０ａ）の端面とが同一平面になるように形成し
１次いでこの生成形体（１０ａ）を複数積層して焼結す
ることが必要である。導体材料（１２ｂ）の端面と生成
形体（１０ａ）の端面とが同一平面になるように形成す
ることが必要なのは、複数の生成形体（ｔＯａ）を積層
したとき、各導体材料（１２ｂ）またはこれが焼結され
たときの導体層（１２）が積層することによって断線し
たり、あるいはセラミックス基材（１１）側にひずみを
発生させないようにするためである。

この生成形体（ｔｅａ）を形成するにあたっては、導体
材料（１２ｂ）を成形型（１０の内面（１４ａ）に直接
配置するか、あるいは貼り着ける。この導体材料（１２
ｂ）を成形型（１０の内面（１４ａ）に直接配置する場
合には、目的とする回路パターンの表裏を逆にした状態
で行なうことが必要である。これは導体材料（１２ｂ）
がセラミックス基材（１１）に転写されるためである。

さらに、導体層（１２）となる導体材料（１２ｂ）をそ
の端面と生成形体（１０ａ）の端面とが同一平面になる
ように、生成形体（ｌｅａ）を形成する仕方は種々な適
用が考えられるが、以下この生成形体（１０ａ）の具体
的な形成の仕方を順次列記してみる。

第２図の（Ａ）に示したように、成形型（１４）の内面
（１４ａ）に直接導体材料（１２ｂ）を印刷するか配置
した後、第２図の（Ｂ）に示したように当該成形型（１
４）内にセラミックス材料（ｌｌｂ）を充填するのであ
る。成形型（１４）の内面（１４ａ）に直接導体材料（
１２ｂ）を印刷することが困難な場合には、所定の導体
パターンの形状に打ち抜いた金属箔を内面（１４ａ）に
直接配置するようにしてもよい。また、生成形体（１０
ａ）に加圧する必要性がある場合には、第３図に示した
ようにすればよい。この場合には、押し型の内面に導体
材料（１２ｂ）を配置すればよいのである。

また、生成形体（１０ａ）を形成するにあたっては、第
４図〜第８図のようにしてもよい、つまり、導体材料（
１２ｂ）を成形型（１４）内に直接配置しない場合には
、第４図に示したように、ベースシート（１３）Ｊ−に
導体層（１２）となる導体材料（１２ａ）を支持するこ
とから始められる。このベースシート（１３）としては
、導体材料（１２ｂ）を乾燥するのに十分耐えることが
でき、しかも所定の可撓性を有するものであれば何でも
よく、中でも安価に入手できる合成樹脂性シートが最適
である。また、このベースシー）　（１３）の表面には
乾燥後の導体材料（１２ｂ）を容易に剥離することがで
きるように離型剤、例えばシリコン樹脂を塗布しておく
ことができる。

一方、導体材料（１２ｂ）は、後述の焼結後に導体層（
１２）となるものであるから、例えばメタライズインク
が使用される。この導体材料（１２ｂ）のベースシー）
　（１３）に対する支持は、薄板回路パターンを単に接
着する等積々な方法が適用できる。

次に、以上のように導体材料（１２ｂ）を印刷したベー
スシート（１３）を支持させた成形型（１４）内、ある
いは導体材料（１２ｂ）を直接成形型（１４）の内面（
１４ａ）に配置した成形型（１４）内にセラミックス材
料（１１ａ）を充填して生成形体（１０ａ）を形成する
。

また、生成形体（１０ａ）は、第９図に示すように、表
面に導体材料（１２ｂ）が支持されたベースシート（１
３）上にセラミックス材料（ｌｌａ）をドクターブレー
ド法によって形成することもできるものである。

さらに、この生成形体（１０ａ）を形成するには、第１
０図の（Ａ）及び（Ｂ）に示したような手段をも適用で
きる。この第１０図に示した手段の場合においては、導
体層（１２）に対応する凹所（１５ａ）を有した第１θ
図の（Ａ）に示したようなシート（１５）が使用される
。この場合のシー）　（１５）としては、焼結時に完全
に気化し得るものを使用する場合には、凹所（１５ａ）
内に導体材料（１２ｂ）を充填したものを使用すること
ができる。このようにしたシー）　（１５）は、第１０
図の（Ｂ）に示したように生成形体（１０ａ）が成形さ
れる。このように成形さｌ　◎ れた生成形体（１０ａ）を複数積層して焼結すれば、凹
所（１５ａ）を形成しているシート（１５）は完全に気
化してしまうから、セラミックス基材（１１）内に導体
層（１２）のみを有する多層セラミックス配線基板（１
０）が形成される。

また、このシー）　（１５）として気化しないものを使
用する場合には、当該シー）　（１５）はまずその凹所
（１５ａ）内に導体材料（１２ｂ）を充填しない状態で
使用する。そして、生成形体（１０ａ）を成形した後に
前記生成形体（１０ａ）からシート（１５）を剥離し、
これによって形成された凹所（１５ａ）内に導体材料（
１２ｂ）を充填した後、複数積層して焼結することも可
能である。

以」二の製造方法においてに使用されるセラミックス材
料は、Ａ交Ｎ、Ａ見ユＯ９、ＢＮ、５ｉＣ１あるいはこ
れらの化合物から選択されるいずれか１種または２種以
上を主として含有するものであることが好ましい。その
理由は、ＡＪＩＮ、Ａｌｌ、Ｏ，、ＢＮ、ＳｉＣあるい
はこれらの化合物は焼結に際して導体材料（１２ｂ）と
の反応がそれ程生起せず。

しかも熱伝導性に優れているからである。

以上のような成形方法によって生成形体（ｔｅａ）の端
面と、導体層（１２）となる導体材料（１２ｂ）の端面
とが、同一平面内に位置していることになる。

そして、以上のような方法で各種の生成形体（１ｏａ）
を形成し、これを適宜積層した後、焼成する。この焼成
条件は種々なものが適用できるが、この条件は導体材料
（１２ｂ）及びセラミックス材料（ｌｌａ）の種類に応
じた最適な条件を選択すればよい、中でも、セラミック
ス材料（ｌｌａ）の種類が難焼結性のものである場合に
は、ホットプレスによって焼成するのが好ましい。しか
しながら、場合によっては常圧焼結でも十分な材料を使
用することが可能であるから、本発明の実施にあたって
はホットプレスに限られるものでないことはいうまでも
ない。

また、上述した各個において、所謂スルーホールを形成
することも可能である。すなわち、各導体材料（１２ｂ
）のスルーホールに対応する部分の厚さを所定の厚さに
すればよいのである。厚さを換える方法としては種々な
ものが適用できるが、例えば金属箔を導体材料（１２ｂ
）として使用する場合には、該当する部分を厚くするこ
とは容易に可能であるし、第１θ図に示したようなシー
ト（１５）を使用する場合には図示したようにスルーホ
ールに対応する深い凹所（１５ａ）を形成しておけばよ
いものである。

さらに、」二連した各個の場合は多層セラミックス配線
基板を対象として説明したが、この本発明に係る方法は
単層のセラミックス配線基板にも適用することができる
ことは勿論である。単層のセラミックス配線基板を製造
した場合に、これ自身も本発明の効果を享受できること
はいうまでもない。

次に本発明を実施例によってより具体的に説明する。

（発明の実施例） 支厘１」 ベースシー）　（１３）として、その片面にシリコン樹
脂コーティングを施したポリエステルシートを採用する
。このポリエステルシート上に、主にタングステンを成
分とするメタライズインク（すなわち導体材料（１２ｂ
）　）によって、「１的とする回路パターンの表裏を逆
転させた状態のパターンをスクリーン印刷する。この印
刷は、ポリエステルシートのシリコン樹脂コーティング
を施した面に対して行なう。このとき、印刷されたメタ
ライズインクの厚さは種々な方法によって変えることが
できるが、従来からあるパターン印刷機によれば、乾燥
後の状態で３０〜８０ｇｍの範囲内で任意の厚さのもの
として適宜選択して印刷することができ、これで十分で
あった。

以−トのように、ポリエステルシート上にスクリーン印
刷されたメタライズインクは、そのポリエステルシート
とともに乾燥機内に入れて、　１１０℃の温度を維持し
て３時間乾燥した。これによって、メタライズインクは
、そのベースであるポリエステルシートに変化を発生さ
せることなく、十分乾燥された。

このメタライズインクが印刷されたポリエステルシート
を成形型（１４）の内面（１４ａ）に正確に位置決めし
て貼り付け（第６図参照）、その上から顆粒にしたセラ
ミックス材料（ｔｔｂ）を充填した（第７図参照）。こ
の場合のセラミックス材料（ｌｌｂ）は窒化アルミニウ
ム質のものとした。

このように成形型（１４）内に充填したセラミックス材
料（ｌｌｂ）を加圧することにより、メタライズインク
が埋設された状態の生成形体（１０ａ）が形成され、こ
れを成形型（１４）から取り出した。このとき、ポリエ
ステルシートは、セラミックス材料（Ｉｌｂ）からは勿
論のこと、導体材料（１２ｂ）からも容易に剥離するこ
とができた。このように成形型（１４）から取り出した
生成形体（１０ａ）を上記と同様な方法で形成した他の
生成形体（１０ａ）と互いに積層した。そして、このよ
うに積層した複数の生成形体Ｈｏａ）を通常のホットプ
レス（焼成温度が１９００℃で、圧力が３００ｋｇ／　
ｃ　ｒｎ’の条件下であった）によって焼成することに
よって多層セラミックス配線基板（ｌＯ）を得た。

このように焼成した多層セラミックス配線基板（１０）
にあっては、導体層（１２）における配線パターンに潰
れ部分や短絡部分は全くなく、しかも各セラミックス基
材（ＩＩ）間、及び各セラミックス基材（１１）と導体
層（１２）間には隙間やひずみの発生も全くなかった。

また、この実施例にあっては、その導体層（１２）の厚
さが５０１Ｌｍのものまで焼成することができた。

導体層（１２）の厚さを５０１Ｌｍのものまで厚くした
場合にあっては、当該導体層（１２）の密着強度を１０
〜１５ｋｇｆ／ｍ　ｒｎ’のものとすることができ、し
かもシート抵抗を２〜４ｍΩ／口まで低下させることが
できた。

実」１殊ヱ この実施例は、ベースシート（１３）を全く使用しない
方法であり、導体層（１２）となる導体箔を使用する。

この導体箔としては、タングステンあるいはモリブデン
を主体とするものであり、必要な所定形状に打ち抜いた
ものを使用した。この導体箔を成形型（１４）の内面（
１４ａ）に張り付けた。この場合、導体箔は、目的とす
る配線パターンの表裏を逆にした状態で張り付けた。

このように導体箔を張り付けた成形型（１０内に顆粒状
のセラミックス材料（ｌｌｂ）を充填し、加圧成形した
。その後の工程は上記の実施例１と同様にした。

実」１に」 この実施例は、上記実施例１と実質的に同様であるが、
生成形体（１０ａ）の成形方法を変えた。すなわち、こ
の実施例にあっては、顆粒状のセラミックス材料（１１
ｂ）を使用するのではなく、水分散系のアルミナ質スリ
ップを使用したのである０次いで、このアルミナ質スリ
ップをドクターブレード法によって、実施例１で説明し
たごとき導体材料（１２ｂ）がスクリーン印刷されたポ
リエステルシート上に、均一な厚みで帯状に伸展させた
（第９図参照）。そして、このように伸展させたアルミ
ナ質スリップを、７０〜１８０℃の温度範囲で十分乾燥
した。

なお、このドクターブレード法を適用するにあたって、
水分散系以外のセラミックススリップであって、上記の
ポリエステＪｌ＜シート上にスクリーン印刷したメタラ
イズインクを溶かす可能性のセラミックススリップを用
いる場合には、スクリーン印刷したメタライズインク上
を次のような被膜でコーティングすることによって、上
述したのと同様な方法を十分適用することができるもの
である。すなわち、ここでいう被膜は、セラミックスス
リップを作成する場合に用いる溶媒に溶解せず、焼成時
あるいは焼成前の脱脂の際に気化もしくは分解して飛散
してしまうようなものを適用するとよい。また、この被
膜が飛散する際に、メタライズインクとセラミックス材
料（ｌｌｂ）との間に間隙が発生しないようにするため
、当該被膜を構成する材料中にセラミックス材料（ｌｌ
ｂ）と同様なセラミックス材料を混合し、このような複
合被膜によって、スクリーン印刷したメタライズインク
上をコーティングすることにより上述したのと同じ方法
を十分適用することができるものである。

その他の工程は実施例１と同様であるが、この実施例３
の工程によって多層セラミックス配線基板（１０）を製
造した場合は、多層セラミックス配線基板（１０）の連
続成形を容易に行なうことができるという利点があった
。

１為１」 実施例３の方法で成形したアルミナ質の生成形体（ｌｏ
ａ）を多層積層した後、常圧焼結した。この常圧焼結に
よれば、完成後の多層セラミックス配線基板（ｌＯ）に
おける導体層（１２）の厚さを８５＃Ｌｍのものまでの
ものとして焼成することがＯｆ能であった。このように
常圧焼結した多層セラミックス配線基板（１０）にあっ
ても、導体層（１２）における配線パターンに潰れ部分
や短絡部分は仝〈なく、しかも各セラミックス基材（１
１）間、及び各セラミックス基材（１１）と導体層（１
２）間には隙間やひずみの発生も全くなかった。

また、導体層（１２）の厚さを６５１Ｌｍのものまで厚
くした場合にあっては、当該導体層（１２）の密着強度
を８〜１０　ｋｇｆ／ｍ　ｍ’のものとし、しかもシー
ト抵抗を３．５ｍΩ／口まで低下させることができた。

丈１殊ｊ セラミックス基材（１１）における導体層（１２）の端
面（１２ａ）と、セラミックス基材（１１）の端面（ｌ
ｌａ）とが同一平面内に位置している多層セラミックス
配線基板（ｌＯ）は、上記の実施例１〜４に限らず次の
ようにして形成することもできるものである。

この実施例５にあっては、実施例１で示したようなメタ
ライズインクを印刷したシートを使用するのではなく、
シート（１５）に必要とされる配線パターンに対応した
凹所（１５ａ）を形成し、このシー）　（１５）を成形
型（１４）の内面（１４ａ）に固定してなされる（第１
θ図参照）。勿論、この凹所（１５ａ）は、目的とする
配線パターンと表裏を逆にしたものとして形成した。そ
してこのシート（１５）上に、アルミナ質のセラミック
ススリップをドクターブレード法によって伸展させた。

このセラミックススリップを乾燥させた後、シートを剥
離した。これにより、その表面に導体層（１２）に対応
した凹所（１５ａ）が形成された生成形体（１０ａ）が
得られた０次いで、配線パターンの形状に打ち抜いたタ
ングステンあるいはモリブデンを主体とする導体箔を、
生成形体（１０ａ）　ｌの上述した凹所（１５ａ）内に
４ｉ！置して固定した。

その後の工程は上述した各実施例と同様であるので、以
下はその説明を省略する。

（発明の効果） 以上詳述した通り、本発明に係る多層セラミックス配線
基板（１０）の製造方法によれば、その生成形体（１０
ａ）の内いずれか少なくとも一枚の生成形体（ｔＯａ）
を、導体層（１２）となる導体材料（１２ｂ）　（７）
端面（１２ａ）と、セラミックス基材（１１）となるセ
ラミックス材料（ｔｔｂ）の端面（ｌｌａ）とが同一平
面に位置しているものとして容易に形成し得るものであ
る。従って、このような生成形体（１０ａ）を複数積層
して焼結するという本発明に係る方法によれば、各導体
層（１２）の導体部に断線部拳短絡部のない多層セラミ
ックス配線基板（１０）を、従来より行なわれている手
段を利用することによって、容易に製造することができ
るのである。

しかも、この方法によれば、多層セラミックス配線基板
（１０）を形成する各生成形体（１０ａ）を積層するに
際して、この生成形体（１０ａ）には何等の突出した部
分がないものとすることができるのであるから、これら
の生成形体（１０ａ）を焼結することによって形成され
る各セラミ−、クス基材（１１）あるいは各導体層（１
２）に製造時の圧縮によるストレスを残留させることは
なく、製造時は勿論、完成後の多層セラミックス配線基
板（１０）にあってモ「ヒずみ」は全く生じない。従っ
て、この方法によって形成された多層セラミックス配線
基板（１０）の各セラミックス基材（１１）または導体
層（１２）にクラックを発生させることがないものであ
る。

また１本発明の方法によれば、完成後の多層セラミック
ス配線基板（ｌＯ）の各導体層（１２）をセラミックス
基材（１１）にいわば埋設したものとして形成すること
ができるから、完成後の多層セラミックス配線基板（１
０）の全体の厚さを薄くすることができるものである。

なお、本発明に係る製造方法にあっては、積層して形成
された上記のようなセラミックス配線基板だけでなく、
表面に何等の突起物のない単層のセラミックス配線基板
をも形成することができるのである。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係る方法によって形成した多層セラミ
ックス配線基板の拡大縦断面図である。 また、第２図〜第８図は、多層セラミックス配線基板の
本発明に係る製造方法を説明するための各工程を示す模
式図であり、第２図及び第３図は成形型内に導体材料を
形成または配置してから生成形体を形成する場合の縦断
面図、第４図はベースシートに導体材料を支持させた状
態の斜視図、第５図はこのベースシートを成形型内に配
置した状態の縦断面図、第６図は成形型内にセラミック
ス材料を充填する状態を示す縦断面図、第、７図は成形
型内のセラミックス材料を加圧する状態を示す縦断面図
、第８図はこの成形型内から生成形体を取り出す状態を
示す縦断面図である。 さらに、第９図はドクターブレード法を採用した場合の
生成形体を形成する工程を示す縦断面図、第１０図は凹
所を有するシートを使用して生成形体を形成する場合の
縦断面図である。 符　　　号　　　の　　　説　　　明 １０・・・多層セラミックス配線基板、　１０ａ・・・
生成形体、１１・・・セラミックス基材、１１ａ・・・
端面、　ｌｌｂ・・・セラミックス材料、１２・・・導
体層、　１２ａ・・・端面、１３・・・ベースシート、
１４・・・成形型、　１４ａ・・・内面。 第２図 第３図 第９図 第５図 第８図 惨べ物体 第４図 第１０図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １）複数の生成形体を積層して焼結する多層セラミック
   ス配線基板の製造方法において、 前記、生成形体の内いずれか少なくとも１枚の生成形体
   に導体層となる導体材料を、その端面と生成形体との端
   面とが同一平面になるように形成し、次いでこれらの生
   成形体を複数積層して焼結することを特徴とする多層セ
   ラミックス配線基板の製造方法。 ２）前記生成形体は、成形型内に導体材料による導体層
   を形成し、この成形型内にセラミックス材料を充填して
   形成されてなる特許請求の範囲第１項に記載の製造方法
   。 ３）前記生成形体は、前記導体層となる導体箔を成形型
   の内面に固定したのち、この成形型内にセラミックス材
   料を充填して形成されてなる特許請求の範囲第１項に記
   載の製造方法。 ４）前記生成形体は、表面に導体材料が支持されたベー
   スシートを成形型内に固定し、この成形型内にセラミッ
   クス材料を充填して形成されてなる特許請求の範囲第１
   項に記載の製造方法。 ５）前記導体材料は、前記ベースシート上にスクリーン
   印刷されてなる特許請求の範囲第４項に記載の製造方法
   。 ６）前記生成形体は、表面に導体材料が支持されたベー
   スシート上にセラミックス材料をドクターブレード法に
   よって形成されてなる特許請求の範囲第１項に記載の製
   造方法。 ７）前記セラミックス材料はＡｌＮ、Ａｌ＿２Ｏ＿３、
   ＢＮ、ＳｉＣあるいはこれらの化合物から選択されるい
   ずれか１種または２種以上を主として含有するものであ
   る特許請求の範囲第１項〜第６項のいずれかに記載の製
   造方法。 ８）前記多層セラミックス配線基板は、ホットプレスに
   よって焼結されてなる特許請求の範囲第１項〜第７項の
   いずれかに記載の製造方法。 ９）前記多層セラミックス配線基板は、常圧焼結によっ
   て焼結されてなる特許請求の範囲第１項〜第７項のいず
   れかに記載の製造方法。