JPS62919A - Liquid crystal display device - Google Patents

Liquid crystal display device

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Publication number
JPS62919A
JPS62919A JP60139638A JP13963885A JPS62919A JP S62919 A JPS62919 A JP S62919A JP 60139638 A JP60139638 A JP 60139638A JP 13963885 A JP13963885 A JP 13963885A JP S62919 A JPS62919 A JP S62919A
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JP
Japan
Prior art keywords
substrate
liquid crystal
thin film
counter electrode
crystal display
Prior art date
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Pending
Application number
JP60139638A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Katsuya Otani
大谷 勝也
Toshio Sugiura
俊夫 杉浦
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP60139638A priority Critical patent/JPS62919A/en
Publication of JPS62919A publication Critical patent/JPS62919A/en
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Abstract

PURPOSE:To eliminate troubles such as disconnection and short circuits and to obtain an easily visible display with the uniform space by fixing electrodeposited high-polymer spacers to an optional region except a thin film transistor part, multi-layered wiring part and effective display part. CONSTITUTION:The high-polymer spacers 11 are electrodeposited to either of a transparent electrode substrate 8 or a thin film transistor (TFT) substrate 6 in the region except the TFT4 and the multi-layered wiring parts by amorphous silicons 12, 13, a gate insulating film 14 and gate electrode 15 of the substrate 6 and the effective display part of the display part formed by the respective counter electrode 7 and thin film TRs of the substrates 8, 6. The substrates 8, 6 can be therefore press stuck at the desired correct space without affecting the display and display function. The troubles such as the disconnections and short circuits of the TFT and multi-layered wirings are eliminated and the easily visible liquid crystal display is made with high accuracy by the uniform space between the substrates.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分舒〕 この発明は、薄膜トランジスタ (TPT)をスイッチ
素子として、表示電極アレイを構成したアクティブマト
リックス形のw!It晶表示装置に関し、特に、基板間
の間隔を制御して表示品質の低下とTPTの故障を防止
するようにしたものである。
[Detailed Description of the Invention] [Industrial Application] This invention is an active matrix type w! in which a display electrode array is constructed using thin film transistors (TPT) as switching elements. Regarding the It crystal display device, in particular, the spacing between the substrates is controlled to prevent deterioration in display quality and failure of the TPT.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

従来、液晶表示装置の基板間の間隔11J御の方法は基
板間の貼9合わせに用いるシール材中にA I 、 0
3粉末やガラスピーズ、ガラスファイバなどの間隔制御
材を混入したものを用いて、間隔を制御するとともに、
表示面内にガラスファイバなどの間隔制御材を散布する
方法が採られている。
Conventionally, the method for controlling the distance 11J between substrates of a liquid crystal display device is to use A I, 0 in the sealing material used for bonding the substrates together.
3. Control the spacing by using a mixture of spacing control materials such as powder, glass beads, and glass fiber, and
A method has been adopted in which a spacing control material such as glass fiber is dispersed within the display surface.

第5図は特開昭55−57821号公報に示された従来
の液晶表示装置を示す断面図であり、この第5図におい
て、21は上基板、22は上電極、23は下基板、24
は下電極、25はシール材、26は偏光板、27は液晶
、28ば面内スペーサを示す。
FIG. 5 is a sectional view showing a conventional liquid crystal display device disclosed in Japanese Unexamined Patent Publication No. 55-57821. In FIG. 5, 21 is an upper substrate, 22 is an upper electrode, 23 is a lower substrate, and 24
25 is a lower electrode, 25 is a sealing material, 26 is a polarizing plate, 27 is a liquid crystal, and 28 is an in-plane spacer.

第6図はTFTアレイ4を有するTFTアレイ基板6と
対向電ll17を有する対向電極基板8とからなるアク
ティブマトリックス形の液晶表示装置のTPTアレイ基
板の平面図、第7図は第6図のX−X平面の断面図であ
る。
FIG. 6 is a plan view of a TPT array substrate of an active matrix type liquid crystal display device consisting of a TFT array substrate 6 having a TFT array 4 and a counter electrode substrate 8 having a counter electrode 117, and FIG. - It is a sectional view of the X plane.

この第6図、第7図において、1はゲート電極線、2は
ソース電極線、3はドレイン電極、4はTPT、 5は
表示電極、6はTFTアレイ基板、7は対向電極、8は
対向電極基板、11は電着高分子スペーサ、12はアモ
ルファスシリ:I ン(a−Si (n) )、13は
アモルファスシリコン(a−Si(i)) 、14はゲ
ート絶縁膜、15はゲート電極である。
6 and 7, 1 is a gate electrode line, 2 is a source electrode line, 3 is a drain electrode, 4 is a TPT, 5 is a display electrode, 6 is a TFT array substrate, 7 is a counter electrode, and 8 is a counter electrode. Electrode substrate, 11 is electrodeposited polymer spacer, 12 is amorphous silicon (a-Si(n)), 13 is amorphous silicon (a-Si(i)), 14 is gate insulating film, 15 is gate electrode It is.

次に、第5図に示す面内スペーサ28の散布方法につい
て説明する。たとえば直径10μmのガラスファイバを
約50μmの長さに切断し、イソプロピルアルコールや
フレオンを媒体にして混合液を作成する。そして、一方
の基板側にガラスファイバ混合液を霧状にスプレ分散し
、シール材25を印刷した基板と圧着貼り合わせること
により、ガラスファイバの直径10μmの面内間隔の制
御ができる。
Next, a method of dispersing the in-plane spacers 28 shown in FIG. 5 will be explained. For example, a glass fiber with a diameter of 10 μm is cut into a length of about 50 μm, and a mixed solution is prepared using isopropyl alcohol or Freon as a medium. Then, by spraying and dispersing the glass fiber mixture in the form of a mist on one substrate side and press-bonding the substrate with the substrate on which the sealing material 25 is printed, the in-plane spacing of the glass fibers with a diameter of 10 μm can be controlled.

一方、第6図および第7図のような構造のTFTアレイ
4を有するTFTアレイ基板6と対向電極基板8を組み
合わせたアクティブマトリックス形の液晶表示装置では
、上記のような従来のスペーサの散布方法を用いて対向
電極基板8またはTPT基板6上に全面散布した場合、
TPT4の部分や多層配線部、表示電極5の上に面内ス
ペーサ28が必然的に存在することになる。
On the other hand, in an active matrix type liquid crystal display device in which a TFT array substrate 6 having a TFT array 4 having a structure as shown in FIGS. 6 and 7 and a counter electrode substrate 8 are combined, the above-described conventional spacer dispersion method is When spraying the entire surface on the counter electrode substrate 8 or TPT substrate 6 using
In-plane spacers 28 are inevitably present on the TPT 4, the multilayer wiring section, and the display electrode 5.

〔発明が解決しようとする問題点3 面内スペーサ28がTPT4や多層配線部に存在すると
、対向′r4極基板8との圧着貼り合わせ時に、機械的
応力を発生させ1、TPT4の破壊断線などの故障を起
しやすく、表示部の表示電極5上に存在するときは表示
を見にくくするなどの問題があった。
[Problem 3 to be solved by the invention: If the in-plane spacer 28 is present in the TPT 4 or the multilayer wiring part, mechanical stress will be generated when the in-plane spacer 28 is bonded to the opposing 4-pole substrate 8 by pressure bonding 1, resulting in breakage of the TPT 4, etc. There is a problem that the display is difficult to see when it is present on the display electrode 5 of the display section.

この発明は、かかる問題点を解決するためになされたも
ので、TFTアレイの8m減的応力による破壊故障を防
止できるとともに、間隔を均一にして見やすい表示を得
ることができるアクティブマトリックス形の液晶表示装
置を得ることを目的とする。
This invention was made in order to solve these problems, and is an active matrix type liquid crystal display that can prevent the TFT array from breaking down due to 8m stress and can provide an easy-to-read display with uniform spacing. The purpose is to obtain equipment.

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving problems]

この発明に係る液晶表示装置は、対向電極基板、あるい
はTFTアレイ基板のいずれかの一方にTPT部分、多
層配線部分、有効表示部に相当する領域以外に選択的に
電着により、電着高分子スペーサを形成固着させた後に
両基板を圧着貼り合わせたものである。
In the liquid crystal display device according to the present invention, electrodeposited polymers are selectively deposited on either the counter electrode substrate or the TFT array substrate in areas other than the TPT portion, the multilayer wiring portion, and the effective display portion. After forming and fixing spacers, both substrates are bonded together.

〔作 用〕[For production]

この発明においては、対向電極基板またはTFTアレイ
基板のいずれかの一方にTPT部分、多層配線部分、有
効表示部に相当する領域を保護し、それ以外の透明電極
上あるいはゲート配線、ソース配線上にレジストパター
ンによる開口部を形成した後に、電着法により開口部に
のみ電着性高分子スペーサを形成する。
In this invention, areas corresponding to the TPT portion, multilayer wiring portion, and effective display portion are protected on either the counter electrode substrate or the TFT array substrate, and the areas corresponding to the other transparent electrodes, gate wiring, and source wiring are protected. After forming an opening using a resist pattern, an electrodepositable polymer spacer is formed only in the opening using an electrodeposition method.

〔実施例〕〔Example〕

息下、この発明の液晶表示装置の実施例を図について説
明する。第1図はその一実施例におけるTFTアレイ基
板の平面図で、第2図はTPTアレイ基板、もしくは対
向基板側に形成される開口部を有するレジストパターン
を示し、第3図は第1図のIN−IN面に相当するアク
ティブマトリックス形表示装置の断面図である。第4図
は対電極基板に電着高分子スペーサを形成する電着法の
概念図である。
Embodiments of the liquid crystal display device of the present invention will now be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a plan view of a TFT array substrate in one embodiment, FIG. 2 shows a resist pattern having an opening formed on the TPT array substrate or the opposing substrate, and FIG. 3 is a plan view of the TFT array substrate in one embodiment. FIG. 2 is a cross-sectional view of an active matrix display device corresponding to the IN-IN plane. FIG. 4 is a conceptual diagram of an electrodeposition method for forming an electrodeposited polymer spacer on a counter electrode substrate.

この第1図ないし第4図において、11は電着高分子ス
ペーサ、16はレジストパターン、17はレジストパタ
ーン16の開口部、3はドレイン電極、27は液晶であ
る。
In FIGS. 1 to 4, 11 is an electrodeposited polymer spacer, 16 is a resist pattern, 17 is an opening in the resist pattern 16, 3 is a drain electrode, and 27 is a liquid crystal.

まず、第1図ないし第4図のうち、第1図ないし第3図
に示すように、ガラスの対向電極基板8上に蒸着法ある
いはスパッタ法により、酸化インジウムの透明導電膜に
よる対向電極7を形成する。
First, as shown in FIGS. 1 to 3 of FIGS. 1 to 4, a counter electrode 7 made of a transparent conductive film of indium oxide is formed on a glass counter electrode substrate 8 by vapor deposition or sputtering. Form.

次に全面にポジ型レジスト、たとえば0FPR−SOO
(東京応化工業株式会社製)を塗布し、所定のホトマス
クを用いて露光し、現像して第2図のレジストパターン
16を形成する。
Next, apply a positive resist to the entire surface, such as 0FPR-SOO.
(manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.) is applied, exposed using a predetermined photomask, and developed to form a resist pattern 16 shown in FIG.

この第2図のレジストパターン16は、第1図のTFT
アレイ基板6のTPT4.および多層配線部すなわち、
アモルファスシリコン12 (a−5i (n) )、
アモルファスシリコン13 (a−Si(i)) 、ゲ
ート絶縁y!14、ゲート電極15による多層配線部、
表示電極5の領域(第1図中の斜線部)に相対応する部
分を保護し、上記部分以外、たとえばゲート電fIi1
、またはソース電極2の部分に相対応する所定の開口部
を有する。
This resist pattern 16 in FIG. 2 is similar to the TFT in FIG.
TPT4 of the array substrate 6. and multilayer interconnection part, i.e.
Amorphous silicon 12 (a-5i (n)),
Amorphous silicon 13 (a-Si(i)), gate insulation y! 14, multilayer interconnection section with gate electrode 15;
The area corresponding to the area of the display electrode 5 (the shaded area in FIG. 1) is protected, and the area other than the above area, for example, the gate electrode fIi1 is protected.
, or has a predetermined opening corresponding to a portion of the source electrode 2.

次に第4図に示すように、電着槽20にこれらの部材を
入れる。電着液18はたとえばアニオン型電着性メラミ
ン樹脂系塗料、ウォーターゾールS−230E−1(大
日本インキ化学工業株式会社製)のlO容量パーセント
水溶液を用いる。透明導電膜7を陰極にして、電着用対
向電極板19を陽極にして20ボルトの直流電解を2〜
5分間印加すると、前記レジストパターン16の開口部
17の電極上に電着性塗料が析出する。
Next, as shown in FIG. 4, these members are placed in an electrodeposition tank 20. As the electrodeposition liquid 18, for example, a 1O volume percent aqueous solution of Watersol S-230E-1 (manufactured by Dainippon Ink and Chemicals Co., Ltd.), an anionic electrodepositable melamine resin paint, is used. The transparent conductive film 7 is used as a cathode, and the counter electrode plate 19 for electrodeposition is used as an anode, and DC electrolysis at 20 volts is carried out for 2 to 30 minutes.
When the voltage is applied for 5 minutes, the electrodeposition paint is deposited on the electrodes in the openings 17 of the resist pattern 16.

次にガラスの対向電極基板8を電着槽20から取り出し
、水洗後レジストパターン16を剥離液で除去し、18
0℃30分焼付を行って10μm厚さの電着高分子スペ
ーサ11を形成する。
Next, the glass counter electrode substrate 8 is taken out from the electrodeposition bath 20, and after washing with water, the resist pattern 16 is removed with a stripping solution.
Baking is performed at 0° C. for 30 minutes to form an electrodeposited polymer spacer 11 with a thickness of 10 μm.

との電着高分子スペーサ11が形成された対向電極基板
8を予じめエポキシ系シール剤をスクリーン印刷したT
FTアレイ基板6と位置合せ調整した後に、170℃l
O分の熱圧着により液晶27を介して両基板を貼り合わ
せた。
The counter electrode substrate 8 on which the electrodeposited polymer spacers 11 are formed is preliminarily screen-printed with an epoxy sealant.
After adjusting the alignment with the FT array substrate 6,
Both substrates were bonded together with the liquid crystal 27 interposed therebetween by thermocompression bonding using O.

この結果、第1図、第3図に示すように、電着高分子ス
ペーサ11がTFT4の部分、多層配線部、有効表示部
を除いて選択的に固着できる。このとき、TFTアレイ
基板6と対向電極8の両基板間の間隔は10μm±1.
5μmの精度でflJl&jすることができた。
As a result, as shown in FIGS. 1 and 3, the electrodeposited polymer spacer 11 can be selectively fixed except for the TFT 4 portion, the multilayer wiring portion, and the effective display portion. At this time, the distance between the TFT array substrate 6 and the counter electrode 8 is 10 μm±1.
It was possible to perform flJl&j with an accuracy of 5 μm.

なお、上記実施例において、電着高分子スペーサ11の
形成を対向電極基板8(I!!lに行なったが、TFT
アレイ基板6上のゲート配線上またはソース配線上に形
成する場合には、電着槽20に入れる前に両電極間を短
絡させてから実施することにより、同様な方法で電着高
分子スペーサを形成できる。
In the above example, the electrodeposited polymer spacer 11 was formed on the counter electrode substrate 8 (I!!l), but the TFT
When forming electrodeposited polymer spacers on the gate wiring or source wiring on the array substrate 6, the electrodeposited polymer spacer can be formed in the same manner by short-circuiting both electrodes before placing them in the electrodeposition bath 20. Can be formed.

また、レジストの冒頭、電着塗料の覆類は種々のものが
あるが、この発明の効果を限定するものではないことは
言うまでもない。
Furthermore, there are various types of coverings for the electrodeposited paint at the beginning of the resist, but it goes without saying that these do not limit the effects of the present invention.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

この発明は、以上説明したとおり、TPT部分、多層配
線部、有効表示部以外の任意の領域に電着高分子スペー
サを電着法により選択的に形成できるように構成したの
で、TPT部分、多層配線部分におけるスペーサCζよ
る断線、短絡などの故障をなくすことができ、また有効
表示部にもスペーサがないため表示品質の低下を起さず
均一なセル間隔を制御することができ、精度の高いもの
が得られる効果がある。
As explained above, the present invention is configured such that an electrodeposited polymer spacer can be selectively formed in any region other than the TPT portion, the multilayer wiring portion, and the effective display portion by the electrodeposition method. Failures such as disconnections and short circuits caused by the spacer Cζ in the wiring area can be eliminated, and since there is no spacer in the effective display area, uniform cell spacing can be controlled without deteriorating display quality, resulting in high precision. It has the effect of getting something.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図はこの発明の液晶表示装置の一実施例におけるT
FTアレイ基板の平面図、第2図は同上液晶表示装置に
おけるTFTアレイ基板、もしくは対向基板側に形成さ
れる開口部を有するレジストパターン、第3図は第1図
のIN−IN面に相当する断面甲、第4図はこの発明の
液晶表示装置に適用される電着法の概念図、第5図は従
来の液晶表示装置の断面図、第6図は従来のスペーサ固
定方式によるTPTアレイ基板の平面図、第7図は第6
図のX−X面に相当する断面図である。 1・・・ゲート電極線、2・・・ソース電S線、3・・
・ドレイン電極、4□・・・TFT、5・・・表示電極
、61.。 TFTアレイ基板□、7・・・対向電極、8・・・対向
電極基板、11・・・電着高分子スペーサ、16・・・
レジス    □ドパターン、17・・・レジスト開口
部、27・・・液晶。 尚図中、同一符号は同一、または相当部分を示す。
FIG. 1 shows T in an embodiment of the liquid crystal display device of the present invention.
A plan view of the FT array substrate, FIG. 2 is a resist pattern having an opening formed on the TFT array substrate or counter substrate side in the same liquid crystal display device, and FIG. 3 corresponds to the IN-IN plane of FIG. 1. Section A, FIG. 4 is a conceptual diagram of the electrodeposition method applied to the liquid crystal display device of the present invention, FIG. 5 is a cross-sectional view of a conventional liquid crystal display device, and FIG. 6 is a TPT array substrate using a conventional spacer fixing method. The plan view of Fig. 7 is the 6th
It is a sectional view corresponding to the XX plane of the figure. 1... Gate electrode line, 2... Source electric S line, 3...
- Drain electrode, 4□...TFT, 5... Display electrode, 61. . TFT array substrate □, 7... Counter electrode, 8... Counter electrode substrate, 11... Electrodeposited polymer spacer, 16...
Resist pattern, 17...Resist opening, 27...Liquid crystal. In the drawings, the same reference numerals indicate the same or corresponding parts.

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)表面上に薄膜トランジスタアレイを有する薄膜ト
ランジスタアレイ基板と透明の対向電極を有する対向電
極基板とその両基板間に介在された液晶とからなる液晶
表示装置において、上記対向電極基板あるいは薄膜トラ
ンジスタアレイ基板のいずれか一方に薄膜トランジスタ
部分、多層配線部分、有効表示部に相当する領域以外に
選択的に電着高分子スペーサを固着させた後上記薄膜ト
ランジスタアレイ基板と対向電極基板とを圧着貼り合わ
せたことを特徴とする液晶表示装置。
(1) In a liquid crystal display device comprising a thin film transistor array substrate having a thin film transistor array on its surface, a counter electrode substrate having a transparent counter electrode, and a liquid crystal interposed between both substrates, the counter electrode substrate or the thin film transistor array substrate The thin film transistor array substrate and the counter electrode substrate are bonded together after selectively adhering an electrodeposited polymer spacer to one of them in areas other than the thin film transistor portion, the multilayer wiring portion, and the effective display area. A liquid crystal display device.
(2)透明の対向電極の被膜上あるいはゲート電極線、
ソース電極線上にレジストパターンによる開口部を形成
し、電解を加えこの開口部に電着性高分子スペーサを形
成したことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の液
晶表示装置。
(2) On the transparent counter electrode coating or gate electrode line,
2. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein an opening is formed using a resist pattern on the source electrode line, and electrolysis is applied to form an electrodepositable polymer spacer in the opening.
JP60139638A 1985-06-26 1985-06-26 Liquid crystal display device Pending JPS62919A (en)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5917572A (en) * 1995-08-21 1999-06-29 Kabushiki Kaisha Toshiba Liquid crystal display device comprising switching elements of reverse stagger type and common electrode formed over the entire surface of the substrate including spacers that are constructed of stacked color filter layers

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US5917572A (en) * 1995-08-21 1999-06-29 Kabushiki Kaisha Toshiba Liquid crystal display device comprising switching elements of reverse stagger type and common electrode formed over the entire surface of the substrate including spacers that are constructed of stacked color filter layers

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