JPS6283728A - 時分割駆動光スイツチアレイ - Google Patents
時分割駆動光スイツチアレイInfo
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- JPS6283728A JPS6283728A JP60223581A JP22358185A JPS6283728A JP S6283728 A JPS6283728 A JP S6283728A JP 60223581 A JP60223581 A JP 60223581A JP 22358185 A JP22358185 A JP 22358185A JP S6283728 A JPS6283728 A JP S6283728A
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
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- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/13306—Circuit arrangements or driving methods for the control of single liquid crystal cells
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は強誘電性液晶を用いた時分割駆動光スイッチア
レイに係り、特にプリンタ用印写ヘッドに好適な光スイ
ッチアレイに関する。
レイに係り、特にプリンタ用印写ヘッドに好適な光スイ
ッチアレイに関する。
強誘電性液晶は従来のネマツチク液晶と異り、直流電圧
に応答し、その応答速度は１ｒｒｚ＋以下と極めて高速
である。この高速応答性を利用した光スィッチにより高
速のプリンタヘッド、ディスプレイへの応用が期某つれ
る。この時、スターティック駆動法では光スイツチ数と
同数のドライバーが必要であるため、ドライバー数の低
減を目的とした複数個の信号電極と複数個の共通電極を
組合せ、共通電極を順次走査することにより光スィッチ
を駆動する時分割駆動法が提案されている。
に応答し、その応答速度は１ｒｒｚ＋以下と極めて高速
である。この高速応答性を利用した光スィッチにより高
速のプリンタヘッド、ディスプレイへの応用が期某つれ
る。この時、スターティック駆動法では光スイツチ数と
同数のドライバーが必要であるため、ドライバー数の低
減を目的とした複数個の信号電極と複数個の共通電極を
組合せ、共通電極を順次走査することにより光スィッチ
を駆動する時分割駆動法が提案されている。
その１つに特開昭５９−１２９８３７号公報に記載され
た従来技術がある。この従来技術は選択した共通電極と
選択した信号電極との交点にある光スィッチに印加する
電圧の極性と、それ以外の光スィッチに印加する電圧の
極性とを逆にすることを特徴とするものである。
た従来技術がある。この従来技術は選択した共通電極と
選択した信号電極との交点にある光スィッチに印加する
電圧の極性と、それ以外の光スィッチに印加する電圧の
極性とを逆にすることを特徴とするものである。
しかし、二の駆動法においては選択しない走査電極上の
光スィッチはすべて光を遮断あるいは光透過状態に固定
されてしまうため、選択した共通電極上の光スィッチの
み有効に働く。従って、光プリンタヘッドにこの駆動法
を用いた場合には。
光スィッチはすべて光を遮断あるいは光透過状態に固定
されてしまうため、選択した共通電極上の光スィッチの
み有効に働く。従って、光プリンタヘッドにこの駆動法
を用いた場合には。
時分割数が増すに従い、各光スィッチの動作期間が短く
なり、実質的な光照射エネルギーが小さくなるため、印
写速度が遅くなるという点が考慮されていない。
なり、実質的な光照射エネルギーが小さくなるため、印
写速度が遅くなるという点が考慮されていない。
この他にも特開昭５９−１９３４２７号公報が強誘電性
液晶の時分割駆動法を提案している。
液晶の時分割駆動法を提案している。
この方法は、強誘電性液晶の駆動電圧の閾値特性を利用
するものであるが、閾値を発現させるには液晶層の厚み
を１μｍ前後に制御する必要があり、製造プロセス等が
考慮されていない、また。
するものであるが、閾値を発現させるには液晶層の厚み
を１μｍ前後に制御する必要があり、製造プロセス等が
考慮されていない、また。
液晶材料、配向膜材等の種類に大きく支配される。
本発明の目的は強誘電性物質を用いた光スイツチ素子の
駆動法において、動作電圧に明確な闇値を有しない物質
に対してもクロストークを生じることなく、全光スイッ
チを有効に機能させる時分割駆動光スイッチアレイを提
供することにある。
駆動法において、動作電圧に明確な闇値を有しない物質
に対してもクロストークを生じることなく、全光スイッ
チを有効に機能させる時分割駆動光スイッチアレイを提
供することにある。
本発明の第１の特徴は、少なくとも共通電極の非選択時
には他の部分より大きい抵抗値を有する抵抗性素子を具
備する接続体によって光シャッタ部の各グループ間を接
続して共通電極とすることにある。
には他の部分より大きい抵抗値を有する抵抗性素子を具
備する接続体によって光シャッタ部の各グループ間を接
続して共通電極とすることにある。
本発明の第２の特徴は、共通電極が、光シャッタ部に対
応する開口部と、開口部間の選択時の抵抗値が非選択時
の抵抗値より小さくなる様に開口部間を接続する接続体
とから構成されることにある。
応する開口部と、開口部間の選択時の抵抗値が非選択時
の抵抗値より小さくなる様に開口部間を接続する接続体
とから構成されることにある。
液晶における強誘電性はカイラルスメクチックＣ相やカ
イラルスメクチックＨ相において現われる。
イラルスメクチックＨ相において現われる。
これらの液晶相においては、液晶分子はラセン構造を形
成し、かつ１分子の短軸方向に自発分極を有する。以下
、文中では、この種の液晶を強誘電性液晶と称する。第
６図は強誘電性液晶分子の配向状態を示す図である。液
晶層の厚みを液晶のラセンピッチと同程度に薄く （４
〜５μｍ）とすると液晶分子は第６ｍ （ａ）に示すよ
うな“スプイ配向”を示す、第６図（ｂ）と第６図（Ｑ
）は液晶層８に上下電極１，５により垂直に電界Ｅを印
加した時の配向状態を示し、液晶分子１３は自発分極１
４の向きが電界Ｅの方向で平行となるように配向する。
成し、かつ１分子の短軸方向に自発分極を有する。以下
、文中では、この種の液晶を強誘電性液晶と称する。第
６図は強誘電性液晶分子の配向状態を示す図である。液
晶層の厚みを液晶のラセンピッチと同程度に薄く （４
〜５μｍ）とすると液晶分子は第６ｍ （ａ）に示すよ
うな“スプイ配向”を示す、第６図（ｂ）と第６図（Ｑ
）は液晶層８に上下電極１，５により垂直に電界Ｅを印
加した時の配向状態を示し、液晶分子１３は自発分極１
４の向きが電界Ｅの方向で平行となるように配向する。
従って液晶分子１３は分子の長軸を電極面に平行となる
ように配向し、かつ、第６図（ｂ）と第６図（ｃ）で配
向の向きが反対になる。このように電界方向を変えるこ
とにより液晶分子の配向方向を制御できる。
ように配向し、かつ、第６図（ｂ）と第６図（ｃ）で配
向の向きが反対になる。このように電界方向を変えるこ
とにより液晶分子の配向方向を制御できる。
第７図は強、１１電性液晶を用いた光スイツチ素子の構
造と光透過特性を示す図である。第７図（ａ）は光スイ
ツチ素子の構造を示し、透明電極上に配向処理７を行っ
た２枚の透明絶縁基板であるガラス基板９ａ、９ｂで液
晶層８を平行に挟持し、上下ガラス基板９ａ、９ｂの外
側に偏光板１１ａ。
造と光透過特性を示す図である。第７図（ａ）は光スイ
ツチ素子の構造を示し、透明電極上に配向処理７を行っ
た２枚の透明絶縁基板であるガラス基板９ａ、９ｂで液
晶層８を平行に挟持し、上下ガラス基板９ａ、９ｂの外
側に偏光板１１ａ。
１１ｂを偏光軸が直交となるように配置したもである。
本例では、液晶層に正の直流電圧を印加した時に光透過
、負の直流電圧を印加した時に光遮断となるように２枚
の偏光板１１ａ、ｌｌｂを配置したが、印加電圧の極性
と光透過状態との関係が逆になる様に偏光板１１ａ、ｌ
ｌｂを配置してもよい。
、負の直流電圧を印加した時に光遮断となるように２枚
の偏光板１１ａ、ｌｌｂを配置したが、印加電圧の極性
と光透過状態との関係が逆になる様に偏光板１１ａ、ｌ
ｌｂを配置してもよい。
第７図（ｂ）に示すように、上電極１０ａに２Ｖｏの直
流電圧を常に印加し、下電極１にはＶ。
流電圧を常に印加し、下電極１にはＶ。
の直流電圧を最初印加しておき、時刻ｔｚにスイッチを
開放する。光源１５によりスイッチ素子に光を入射させ
て光透過量の変化を定した。この時の光透過量特性は第
７図（Ｑ）のようになり、光透過量は、スイッチを開放
した後も光透過量の急激な低下はなく、液晶材料によっ
ては数時間かかって減少する。これは直流電圧印加によ
って、液晶層の電極近傍に電荷が蓄積され、これに基づ
く直流電界Ｅｐにより、液晶分子の回転がおさえられる
。蓄積電荷の中和に伴い、液晶分子は第６図（ｂ）の状
態から第６図（ａ）の状態に移行する。
開放する。光源１５によりスイッチ素子に光を入射させ
て光透過量の変化を定した。この時の光透過量特性は第
７図（Ｑ）のようになり、光透過量は、スイッチを開放
した後も光透過量の急激な低下はなく、液晶材料によっ
ては数時間かかって減少する。これは直流電圧印加によ
って、液晶層の電極近傍に電荷が蓄積され、これに基づ
く直流電界Ｅｐにより、液晶分子の回転がおさえられる
。蓄積電荷の中和に伴い、液晶分子は第６図（ｂ）の状
態から第６図（ａ）の状態に移行する。
このような状態保持効果を、以下、「緩和性メモリー」
と呼ぶことにする。
と呼ぶことにする。
第８図は信号電極３１ 、 Ｓｔ 、・・・・・・と共
通電極Ｃ１，Ｃｓとが直交して配置されたマトリックス
電極素子について、緩和性メモリー現象を説明する図で
ある。
通電極Ｃ１，Ｃｓとが直交して配置されたマトリックス
電極素子について、緩和性メモリー現象を説明する図で
ある。
今、共通電極Ｃｚと信号電極Ｓｌ 、Ｓｔが交叉する画
素ＬＬ 、Ｌｘについて考える。信号電極Ｓｔには例え
ば２Ｖｏ、信号電極Ｓｓは例えば、零電位にしておき、
共通電極Ｃｔの電位をＶｏから時刻ｔ！に開放状態とす
る。
素ＬＬ 、Ｌｘについて考える。信号電極Ｓｔには例え
ば２Ｖｏ、信号電極Ｓｓは例えば、零電位にしておき、
共通電極Ｃｔの電位をＶｏから時刻ｔ！に開放状態とす
る。
０〜ｔ１までの期間では画素Ｌ１には＋Ｖｏの電圧が、
画素Ｌｚには−Ｖｏの電圧が印加されるため、それぞれ
の光透過状態は、画＠ Ｌ Ｌでは光透過、画素Ｌａで
は光遮断状態である。ところが、スイッチを開放状態と
すると、第７図で説明したような状態の保持効果はなく
、光透過量は急激に変化してしまう、この原因を調べた
ところ、共通電極上の電荷の極性が画素ＬＬとＬｔで異
るため、スイッチを開放した瞬間に中和し、内部電界Ｅ
ｐが消失するためであることがわかった。
画素Ｌｚには−Ｖｏの電圧が印加されるため、それぞれ
の光透過状態は、画＠ Ｌ Ｌでは光透過、画素Ｌａで
は光遮断状態である。ところが、スイッチを開放状態と
すると、第７図で説明したような状態の保持効果はなく
、光透過量は急激に変化してしまう、この原因を調べた
ところ、共通電極上の電荷の極性が画素ＬＬとＬｔで異
るため、スイッチを開放した瞬間に中和し、内部電界Ｅ
ｐが消失するためであることがわかった。
そこで、この共通電極上での電荷の中和を抑えるため、
第９図（ａ）に示すように共通電極を分割し、共通電極
間に接続体として抵抗２Ｒを入れ、第８図（ｂ）と同じ
ような実験を行った、その結果、抵抗値を大きくしてゆ
くと、スイッチ開放後の光透過量の変化がおさえられる
ことがわかった。
第９図（ａ）に示すように共通電極を分割し、共通電極
間に接続体として抵抗２Ｒを入れ、第８図（ｂ）と同じ
ような実験を行った、その結果、抵抗値を大きくしてゆ
くと、スイッチ開放後の光透過量の変化がおさえられる
ことがわかった。
第９図（ｂ）は１画素面積を８ μｍ ｘ １００ ｕ
ｍとした場合の、抵抗値Ｒと状態保持時間の関係を示
したものである。
ｍとした場合の、抵抗値Ｒと状態保持時間の関係を示
したものである。
抵抗値を１０００ＭΩとすると、スイッチ開放後も１ｍ
ｓの開光透過状態を維持できることがわかる。
ｓの開光透過状態を維持できることがわかる。
電子写真方式のプリンタヘッドに強誘電性液晶光スイッ
チアレイを適用する場合、解像度１０ドツト／ｍ、印写
速度１０００行／分クラスの性能を実現するためには、
−ラインのプリント時間は１．２５ｍ５となる。従って
、これを１ ／ ２ Ｄｕｔｙで時分割駆動する場合に
は、状態維持時間としては約０．６２５ ｍ ｓが要求
される。従って第９図（ｂ）かられかるように必要とさ
れる抵抗値Ｒは約６００ＭΩとなる。
チアレイを適用する場合、解像度１０ドツト／ｍ、印写
速度１０００行／分クラスの性能を実現するためには、
−ラインのプリント時間は１．２５ｍ５となる。従って
、これを１ ／ ２ Ｄｕｔｙで時分割駆動する場合に
は、状態維持時間としては約０．６２５ ｍ ｓが要求
される。従って第９図（ｂ）かられかるように必要とさ
れる抵抗値Ｒは約６００ＭΩとなる。
印写スピードが速くなるに従い、状態維持時間も短くな
るので、必要な抵抗値も小さくなる。
るので、必要な抵抗値も小さくなる。
なお、この状態保持効果は、信号電極と共通電極との重
なる領域の液晶層の容量Ｃと外部抵抗Ｒの積から決る時
定数に依存するため、画素面積が変ると、必要とされる
Ｒの値もかわる。
なる領域の液晶層の容量Ｃと外部抵抗Ｒの積から決る時
定数に依存するため、画素面積が変ると、必要とされる
Ｒの値もかわる。
次に、共通電極への電圧印加時（選択時）の状態につい
て第１０図を用いて説明する。
て第１０図を用いて説明する。
第１０＠（ａ）に示すように、共通電極に電圧Ｖｏを印
加した時、第１０図（ｂ）に示すように画素Ｌ１は光透
過量が増加し、画素Ｌｚは光透過量は減少する。この時
、光透過量の変化が生じるまでの時間遅れＴ−は外部抵
抗Ｒの値に依存し、第１０図（ｃ）に示すように、抵抗
Ｒの値が大きくなるにつれて、Ｔ−は大きくなってゆく
１時間遅れを０．１ｍｓ以下にするためには抵抗Ｒの値
を１０ＭΩ以下にする必要がある。
加した時、第１０図（ｂ）に示すように画素Ｌ１は光透
過量が増加し、画素Ｌｚは光透過量は減少する。この時
、光透過量の変化が生じるまでの時間遅れＴ−は外部抵
抗Ｒの値に依存し、第１０図（ｃ）に示すように、抵抗
Ｒの値が大きくなるにつれて、Ｔ−は大きくなってゆく
１時間遅れを０．１ｍｓ以下にするためには抵抗Ｒの値
を１０ＭΩ以下にする必要がある。
従って、緩和性メモリーを利用した時分割駆動光スイッ
チアレイを実現するためには１選択時には抵抗Ｒの値を
例えば約１０ＭΩ以下、非選択時には抵抗Ｒの値を例え
ば約８００ＭΩ以上にする必要がある。
チアレイを実現するためには１選択時には抵抗Ｒの値を
例えば約１０ＭΩ以下、非選択時には抵抗Ｒの値を例え
ば約８００ＭΩ以上にする必要がある。
第１１１１１は光照射によって抵抗値の変化する光導電
体の電気特性を説明する図である。
体の電気特性を説明する図である。
第１１図（ａ）に示すようにガラス板やセラミック板な
どの基板９ａ上に導体１８．１７を間隔ａで対向するよ
うに形成し、この上に光導電体、例えば、ＺｎＯ，Ｃｄ
Ｓ、ポリビニルカルバゾール、フタロシアニン、アモル
ファス・シリコン（ａ−８ｉ）、ａ−ＡＳｚＳ ｅｓ等
を設ける。このような構成はプレナー型と呼ばれ、製作
が容易なため光センサなどによく使われるテバイス構成
である。
どの基板９ａ上に導体１８．１７を間隔ａで対向するよ
うに形成し、この上に光導電体、例えば、ＺｎＯ，Ｃｄ
Ｓ、ポリビニルカルバゾール、フタロシアニン、アモル
ファス・シリコン（ａ−８ｉ）、ａ−ＡＳｚＳ ｅｓ等
を設ける。このような構成はプレナー型と呼ばれ、製作
が容易なため光センサなどによく使われるテバイス構成
である。
ここでは特に、ａ−９ｉ膜を例にあげて説明する。ａ−
５ｉ膜はグロー放電法、プラズマＣＶＤ法、ｒｆスパッ
タ法などにより上記基板上に形成できる。ａ−８ｉ膜は
４５０〜７５０ ｎ ｍの可視領域の光に感応し、光照
射により抵抗値は大幅（３ケタ〜４ケタ）に小さくなる
６第１１図（ｂ）は発光スペクトル６６０ｎｍのＬＥＤ
発光素子を用い、グロー放電法によって形成したａ−８
ｉ［（厚み０．６ μｍ、ＰＨａ １．８ｐｐ＋ｍド
ーピング）に光を照射した時のａ−８ｉ膜の体積固有抵
抗率ρの変化を示したものである。光照射エネルギーの
増加に伴い、ρが急激に低下し、１ｍＷ／ｃ＃の光エネ
ルギーの場合、はぼ３ケタ程度小さくなる。
５ｉ膜はグロー放電法、プラズマＣＶＤ法、ｒｆスパッ
タ法などにより上記基板上に形成できる。ａ−８ｉ膜は
４５０〜７５０ ｎ ｍの可視領域の光に感応し、光照
射により抵抗値は大幅（３ケタ〜４ケタ）に小さくなる
６第１１図（ｂ）は発光スペクトル６６０ｎｍのＬＥＤ
発光素子を用い、グロー放電法によって形成したａ−８
ｉ［（厚み０．６ μｍ、ＰＨａ １．８ｐｐ＋ｍド
ーピング）に光を照射した時のａ−８ｉ膜の体積固有抵
抗率ρの変化を示したものである。光照射エネルギーの
増加に伴い、ρが急激に低下し、１ｍＷ／ｃ＃の光エネ
ルギーの場合、はぼ３ケタ程度小さくなる。
第１２図は共通電極の電極パターンの一部を示したもの
で、１は光スイツチ部に対応する開口部でＩＴＯ膜、３
は共通電極導体引出し部、１８はａ−８ｉ膜、１６と１
７とはＡＱ、Ｃｒ、Ｎｉ。
で、１は光スイツチ部に対応する開口部でＩＴＯ膜、３
は共通電極導体引出し部、１８はａ−８ｉ膜、１６と１
７とはＡＱ、Ｃｒ、Ｎｉ。
ＩＴＯ，Ｓｎｏｗなどからなる導体である。１６゜１７
．１８より共通電極の配線部２が構成される。
．１８より共通電極の配線部２が構成される。
これは第１１図に示したプレナー型構成の光センサーと
なる今１幅Ｗを８０μｍ、ａ−８ｉ膜の厚みを１２Ｃ１
ｏ人、長さαを１０μｍとすると、光束照射時には抵抗
値は１０１０Ω、１ｍＷ／−の光照射時には１０７Ωと
なり抵抗値は小さくなる。
なる今１幅Ｗを８０μｍ、ａ−８ｉ膜の厚みを１２Ｃ１
ｏ人、長さαを１０μｍとすると、光束照射時には抵抗
値は１０１０Ω、１ｍＷ／−の光照射時には１０７Ωと
なり抵抗値は小さくなる。
従って、このプレナー型光センサーを用いれば。
選択時に１ｍＷ／ｆｆｌの光を入射し、非選択時には光
を照射しないようにすれば、上記抵抗変化により緩和メ
モリー効果を利用した時分割駆動が可能となる。
を照射しないようにすれば、上記抵抗変化により緩和メ
モリー効果を利用した時分割駆動が可能となる。
なお、第１２図の１９はａ−８ｉ膜の保護膜で。
通常、５ｉＯｚｔｌｌｉが用いられる。
第１３図はサンドインチ型構成の光センサーを利用する
方法で、ガラス基板９ｂの上にクロム蒸着膜により導体
１７と引出し部３を形成する。次に、導体１７上の一部
に光導電体のａ−８ｉ：Ｈ（水素化アモルファスシリコ
ン）膜をプラズマＣＶＤ法で約１μｍ厚みで、形成し、
この上にＩＴＯ膜を蒸着により形成し、ＩＴＯ膜１と導
体１６とを得る。
方法で、ガラス基板９ｂの上にクロム蒸着膜により導体
１７と引出し部３を形成する。次に、導体１７上の一部
に光導電体のａ−８ｉ：Ｈ（水素化アモルファスシリコ
ン）膜をプラズマＣＶＤ法で約１μｍ厚みで、形成し、
この上にＩＴＯ膜を蒸着により形成し、ＩＴＯ膜１と導
体１６とを得る。
この構成の光センサーの光応答時間は５０μ８以下と短
く、光の照射時と未照射時の抵抗値の比は３×１０８で
ある。
く、光の照射時と未照射時の抵抗値の比は３×１０８で
ある。
本発明ではプレナー型、サンドイッチ型いずれの光セン
サーを用いても良い。
サーを用いても良い。
以上、光によって抵抗値の変化する光導電体を利用する
方式を述べたが、磁界によって抵抗値の変化するＭＯＦ
膜電気信号によって抵抗値が変化するトランジスタ、等
を用いても良い。
方式を述べたが、磁界によって抵抗値の変化するＭＯＦ
膜電気信号によって抵抗値が変化するトランジスタ、等
を用いても良い。
第１図は本発明の実施例を示す図であり、１／２Ｄｕｔ
ｙの時分割駆動液晶光スイッチアレイの電極パターンを
示す、第１図（ａ）は共通電極を第１図（ｂ）は信号電
極である。共通電極はＩＴＯ（酸化インジウム）膜等か
らなる光スイツチ開口部１、クロム蒸着膜からなる共通
電極引き出し導体部３及び、配線部２からなる。配線部
２及び引き出し導体部３は開口部１間を接続する接続体
を構成する。配線部２は例えば中央部に第１３図に示す
ような抵抗性素子となるａ−８ｉ層４を有するサンドイ
ンチ構造の光センサ一部を有する。ａ−Ｓｉ層４はエツ
チングあるいはマスク蒸着等により光スイツチ開口部１
とほぼ同じ幅にしても良いし。
ｙの時分割駆動液晶光スイッチアレイの電極パターンを
示す、第１図（ａ）は共通電極を第１図（ｂ）は信号電
極である。共通電極はＩＴＯ（酸化インジウム）膜等か
らなる光スイツチ開口部１、クロム蒸着膜からなる共通
電極引き出し導体部３及び、配線部２からなる。配線部
２及び引き出し導体部３は開口部１間を接続する接続体
を構成する。配線部２は例えば中央部に第１３図に示す
ような抵抗性素子となるａ−８ｉ層４を有するサンドイ
ンチ構造の光センサ一部を有する。ａ−Ｓｉ層４はエツ
チングあるいはマスク蒸着等により光スイツチ開口部１
とほぼ同じ幅にしても良いし。
第１図（ａ）に示すように連続した構成しても良い。機
能的には同一で、後者の方がプロセス的には有利である
。尚、抵抗性素子は配線部２に限らず、導体部３に設け
られても良い。
能的には同一で、後者の方がプロセス的には有利である
。尚、抵抗性素子は配線部２に限らず、導体部３に設け
られても良い。
第１図（ｂ）は第１図（ａ）に示した共通電極と組合せ
て用いる信号電極で、ＩＴＯからなる光スイツチ開口部
５，６はクロム蒸ａｍからなる信号電極引き出し導体部
である。
て用いる信号電極で、ＩＴＯからなる光スイツチ開口部
５，６はクロム蒸ａｍからなる信号電極引き出し導体部
である。
第２図は第１図に示した電極パターンを表面に形成した
ガラス電極基板を組合せてなる液晶光スイッチアレイパ
ネルの構造を示す。７はポリイミド系樹脂からなる配向
膜、８は強誘電性液晶層。
ガラス電極基板を組合せてなる液晶光スイッチアレイパ
ネルの構造を示す。７はポリイミド系樹脂からなる配向
膜、８は強誘電性液晶層。
１０はシール部である。
第３図は液晶光スイッチアレイの構成を示す。
また、Ｗｉ気等価回路を第１６図に示す。液晶光スイッ
チアレイパネル基板９ａ、９ｂ上の光スイツチ部に対応
する部分に偏光板１１ａ、ｌｌｂをクロスニコル状態で
配置する。１２は共通電極ＣＩ。
チアレイパネル基板９ａ、９ｂ上の光スイツチ部に対応
する部分に偏光板１１ａ、ｌｌｂをクロスニコル状態で
配置する。１２は共通電極ＣＩ。
Ｃ２の光導電体部に光を照射するための発光素子で、Ｌ
ＥＤバー光源、ＥＬパネル、蛍光釘等、線状光源、さら
にはランプとライトガイドプレートからなる光照射手段
を用いることが出来る。第４図は共通電極Ｃｘ 、Ｃｚ
に印加するための電圧波形ｖａｔ、 ｖｃｚ、発光素子
（ＬＥＤバー光源）を点滅させるために各発光素子に印
加する電圧波形’ＶＦ１、 ＶＦｌの発生回路であり、
同期信号Ｖｔ （周期Ｔｗ、Ｔｗ／２の期間Ｈレベル
、Ｔｗ／２の期間Ｌレベル）に応じてＦＥＴを駆動し、
共通電極Ｃ１と０２の電位をＴｗ／２の期間ごとにＶｏ
とオープン状態に切換える。共通電極Ｃ１について考え
るならばＶａｔの電圧がＶｏとなる時すなわち選択時に
は、ＶＦｌの電圧もｖａとなって、発光素子を点灯させ
て配線部の抵抗を下げ、Ｖｃｓの電圧が実質的にオープ
ン状態となる時すなわち非選択時にはＶＦＩの電圧はＯ
ｖとなり発光素子を消灯させて配線部の抵抗を高くシ、
緩和性メモリー効果を発現させる。
ＥＤバー光源、ＥＬパネル、蛍光釘等、線状光源、さら
にはランプとライトガイドプレートからなる光照射手段
を用いることが出来る。第４図は共通電極Ｃｘ 、Ｃｚ
に印加するための電圧波形ｖａｔ、 ｖｃｚ、発光素子
（ＬＥＤバー光源）を点滅させるために各発光素子に印
加する電圧波形’ＶＦ１、 ＶＦｌの発生回路であり、
同期信号Ｖｔ （周期Ｔｗ、Ｔｗ／２の期間Ｈレベル
、Ｔｗ／２の期間Ｌレベル）に応じてＦＥＴを駆動し、
共通電極Ｃ１と０２の電位をＴｗ／２の期間ごとにＶｏ
とオープン状態に切換える。共通電極Ｃ１について考え
るならばＶａｔの電圧がＶｏとなる時すなわち選択時に
は、ＶＦｌの電圧もｖａとなって、発光素子を点灯させ
て配線部の抵抗を下げ、Ｖｃｓの電圧が実質的にオープ
ン状態となる時すなわち非選択時にはＶＦＩの電圧はＯ
ｖとなり発光素子を消灯させて配線部の抵抗を高くシ、
緩和性メモリー効果を発現させる。
共通電極ＣＺについても同様である。
第５図は信号電極、共通電極に印加する電圧波形及び光
透過特性のタイムチャートを示したもである。なお、こ
こでは画素Ｌｌ ＊ Ｌｘ ＋ Ｌａ ｔＬａを例にと
って説明する。
透過特性のタイムチャートを示したもである。なお、こ
こでは画素Ｌｌ ＊ Ｌｘ ＋ Ｌａ ｔＬａを例にと
って説明する。
光を透過させる場合には信号電極に２Ｖｏの電圧を印加
し、光を遮断する場合には信号電極の電位を零（アース
電位）とする、第５図で、Ｒ１゜Ｒ２は共通電極０１．
Ｃｘの配線部の抵抗である。
し、光を遮断する場合には信号電極の電位を零（アース
電位）とする、第５図で、Ｒ１゜Ｒ２は共通電極０１．
Ｃｘの配線部の抵抗である。
光を透過させる場合には信号電極の電圧Ｖｓを２Ｖｏに
、光を遮断する場合には信号電極の電位を零Ｖとする。
、光を遮断する場合には信号電極の電位を零Ｖとする。
この結果、光を透過させる画素の液晶層では選択時（期
間Ｔｗ／２）に＋Ｖｏの電圧が、非選択時（期間Ｔｗ／
２）には共通電極の電位がオープン状態になるとともに
共通電極上の隣接セグメント間抵抗が数百ＭΩ以上の高
抵抗になる。
間Ｔｗ／２）に＋Ｖｏの電圧が、非選択時（期間Ｔｗ／
２）には共通電極の電位がオープン状態になるとともに
共通電極上の隣接セグメント間抵抗が数百ＭΩ以上の高
抵抗になる。
一方、光を遮断させる画素の液晶層には選択時に−Ｖｏ
の電圧が、非選択時には、共通電極の電位は開放（オー
プン）状態になる。第５図かられかるように共通電極の
配線抵抗Ｒｉ ＊ Ｒｚの値が。
の電圧が、非選択時には、共通電極の電位は開放（オー
プン）状態になる。第５図かられかるように共通電極の
配線抵抗Ｒｉ ＊ Ｒｚの値が。
選択時には１０ＭΩ以下の低抵抗、非選択時には数百Ｍ
Ω以上の高抵抗となる。Ｌ１〜Ｌ４の画素の光透過量Ｂ
の変化において共通型ｗ４ＣＩ上の画素Ｌ１とＬａ、同
様に共通電極Ｃ２上の画素ＬｚとＬ４の光透過量変化を
比較してわかるように。
Ω以上の高抵抗となる。Ｌ１〜Ｌ４の画素の光透過量Ｂ
の変化において共通型ｗ４ＣＩ上の画素Ｌ１とＬａ、同
様に共通電極Ｃ２上の画素ＬｚとＬ４の光透過量変化を
比較してわかるように。
信号重分電極Ｓ１と８２の電位が異っていても（一方が
２Ｖｏ、他方が零）、非選択期間に光透過状態の変化が
なく、選択時の光透過状態が維持されることがわかった
。このように強誘電性液晶の動作電圧に閾値特性がなく
ても１本実施例の光スイッチアレイ構造とし、上記電圧
印加法を用いることにより時分割駆動が実現でき、光ス
ィッチの機能を損うことなく、ドライバー数を低減出来
る。
２Ｖｏ、他方が零）、非選択期間に光透過状態の変化が
なく、選択時の光透過状態が維持されることがわかった
。このように強誘電性液晶の動作電圧に閾値特性がなく
ても１本実施例の光スイッチアレイ構造とし、上記電圧
印加法を用いることにより時分割駆動が実現でき、光ス
ィッチの機能を損うことなく、ドライバー数を低減出来
る。
一方、従来の時分割駆動光スイッチアレイの電極構成は
特開昭６０−５０５５６号公報に記載されている。
特開昭６０−５０５５６号公報に記載されている。
第１４図（ａ）にこれを示すが、共通電極Ｃｘ。
Ｃ２はＩＴＯなどの透明導電膜からなる開口部１を設け
たもので、Ｃ１とＣ２の絶縁上、一定の距離にだけ離す
必要がある。従って、光スイッチアレイの光スイツチ間
距離ｍは解像度をＰドツト／間とじた時、少くとも１／
Ｐ＋に以上となる。この結果、この光スイッチアレイを
用いたプリントは第１４図（ｂ）に示すように千鳥プリ
ントになるため、直線をプリントしようとしても、にの
値によってはジグザグ形状になってしまい、印写品質上
、問題がある。
たもので、Ｃ１とＣ２の絶縁上、一定の距離にだけ離す
必要がある。従って、光スイッチアレイの光スイツチ間
距離ｍは解像度をＰドツト／間とじた時、少くとも１／
Ｐ＋に以上となる。この結果、この光スイッチアレイを
用いたプリントは第１４図（ｂ）に示すように千鳥プリ
ントになるため、直線をプリントしようとしても、にの
値によってはジグザグ形状になってしまい、印写品質上
、問題がある。
これに対し本実施例では、第１図（ａ）に示すように共
通電極の各開口部は配線部により、共通電極引出し導体
部に°接続された構成になっているため、共通電極Ｃ１
とＣｘの各光スイッチ列間比ｌｌ１ｍを任意な値に選ぶ
ことができる。
通電極の各開口部は配線部により、共通電極引出し導体
部に°接続された構成になっているため、共通電極Ｃ１
とＣｘの各光スイッチ列間比ｌｌ１ｍを任意な値に選ぶ
ことができる。
１／２デユーテイの時分割駆動の場合の電圧パルスと光
透過特性は第４図に示すように共通電極Ｃ１に対応する
画素Ｌ ｔ ｅ Ｌ ａと共通電極ＣＳに対応する画素
Ｌｘ 、Ｌａの光透過特性はＴｗ／２だけ位相がずれて
いる。
透過特性は第４図に示すように共通電極Ｃ１に対応する
画素Ｌ ｔ ｅ Ｌ ａと共通電極ＣＳに対応する画素
Ｌｘ 、Ｌａの光透過特性はＴｗ／２だけ位相がずれて
いる。
一方、紙送り方向（ドラム回転方向）のプリント解像度
をＰドツト／ｗａとした時、Ｔｗ／２期間ら、プリント
後に、１列の光スポツト列を得るためには第１図（ａ）
（ｂ）のｍの値を□ＩにＰ 工 すれば良い、Ｎ時分割の場合には１ｍの値を□Ｐ ■にすれば良いことになる。
をＰドツト／ｗａとした時、Ｔｗ／２期間ら、プリント
後に、１列の光スポツト列を得るためには第１図（ａ）
（ｂ）のｍの値を□ＩにＰ 工 すれば良い、Ｎ時分割の場合には１ｍの値を□Ｐ ■にすれば良いことになる。
この結果、光スポットを一列に出来るため、レーザビー
ムプリンタでプリントしたのと同じ印写品質が得られる
。
ムプリンタでプリントしたのと同じ印写品質が得られる
。
第１５図は別の実施例を示す図である。第３図の実施例
では光導電体に光照射する光照射手段として発光素子を
用いる方式を述べたが、ここでは定常光源と点滅光変換
用液晶光シャッターを組合せた方式について述べる。
では光導電体に光照射する光照射手段として発光素子を
用いる方式を述べたが、ここでは定常光源と点滅光変換
用液晶光シャッターを組合せた方式について述べる。
第１５図（ａ）において、２０．２１は強誘電性液晶を
用いた光スィッチで、光源１５の光を電気信号ＶＦ（第
４図）に基づいてスイッチングし。
用いた光スィッチで、光源１５の光を電気信号ＶＦ（第
４図）に基づいてスイッチングし。
光導電体４に光パルスを照射する。２２は光スイッチア
レイパネルで、９ｂは光導電体を形成した共通電極基板
である。
レイパネルで、９ｂは光導電体を形成した共通電極基板
である。
第１５図（ｂ）は共通電極の一部を拡大したもので、ガ
ラス板の上にＩＴＯ膜１６を形成し、この上にａ−８ｉ
膜、さらに、この上にクロム蒸着膜を形成する。光はガ
ラス板を通してａ−５−ｉ膜面に入射する。
ラス板の上にＩＴＯ膜１６を形成し、この上にａ−８ｉ
膜、さらに、この上にクロム蒸着膜を形成する。光はガ
ラス板を通してａ−５−ｉ膜面に入射する。
この構成は第１３図と逆の構成である。
第１５図において、光源１５は、プリンタヘッド内部の
感光体露光用光源（蛍光灯等）を兼用しても良い。また
、光スイッチ２０．２１は薄型化を実現するためにプラ
スチックフィルムを基板とした素子を使うことも可能で
ある。
感光体露光用光源（蛍光灯等）を兼用しても良い。また
、光スイッチ２０．２１は薄型化を実現するためにプラ
スチックフィルムを基板とした素子を使うことも可能で
ある。
第１７図は本発明の更に他の実施例に関するものである
。
。
光照射によって抵抗値が８〜９ケタ大きく変化し、暗状
態での体積固有抵抗値が１０１ｚΩ・１以上であるよう
な光導電体を用いれば、開口部ｌと引出し導体部３の間
の抵抗値が１０１８Ωオーダの値になれば実質、リーク
電流は無視出来る。第１７図に示すように共通電極Ｃ１
とＣｚの引出し導体部を共通とし、直流電圧Ｖｏでバイ
アスしておく。光が照射されない状態では、高抵抗であ
るため、電位は見かけ上、オープン状態で、光が照射さ
れると、低抵抗になり、共通電極に電圧が印加される６
尚、信号電極の平面パターンは第１図（ｂ）と同じであ
るので省略する。
態での体積固有抵抗値が１０１ｚΩ・１以上であるよう
な光導電体を用いれば、開口部ｌと引出し導体部３の間
の抵抗値が１０１８Ωオーダの値になれば実質、リーク
電流は無視出来る。第１７図に示すように共通電極Ｃ１
とＣｚの引出し導体部を共通とし、直流電圧Ｖｏでバイ
アスしておく。光が照射されない状態では、高抵抗であ
るため、電位は見かけ上、オープン状態で、光が照射さ
れると、低抵抗になり、共通電極に電圧が印加される６
尚、信号電極の平面パターンは第１図（ｂ）と同じであ
るので省略する。
第１８図は本発明を１／４デユ一テイ時分割駆動光スイ
ッチアレイに適用する場合の共通電極のパターンであり
、共通電極を４ブロツクに分割する。
ッチアレイに適用する場合の共通電極のパターンであり
、共通電極を４ブロツクに分割する。
１ライン処理時間をＴｗとした時、光パルス照射時間を
Ｔｗ／４とし、Ｃ１→Ｃ２→Ｃ８→Ｃｈと順次点灯する
ことにより、１ ／ ４ Ｄｕｔｙの時分割が可能にな
る。尚、信号電極のパターンは第１図（ｂ）と同じであ
るので省略する。
Ｔｗ／４とし、Ｃ１→Ｃ２→Ｃ８→Ｃｈと順次点灯する
ことにより、１ ／ ４ Ｄｕｔｙの時分割が可能にな
る。尚、信号電極のパターンは第１図（ｂ）と同じであ
るので省略する。
第１９図は共通電極の各配線部に抵抗性素子となる薄膜
電界効果トランジスタ（Ｔ Ｐ Ｔ）を設けた１ ／
Ｚ Ｄｕｔｙ方式を示す実施例を示す、第１８図（ａ）
に示すように、共通電極引出し導体部ＣＩ。
電界効果トランジスタ（Ｔ Ｐ Ｔ）を設けた１ ／
Ｚ Ｄｕｔｙ方式を示す実施例を示す、第１８図（ａ）
に示すように、共通電極引出し導体部ＣＩ。
Ｃ２に対応して、ゲートＧｚと０２を有する様に、図示
しない基板９ｂ上にＴＰＴを形成する。尚、４１号電極
は第１図（ｂ）と同じであるので省略する。
しない基板９ｂ上にＴＰＴを形成する。尚、４１号電極
は第１図（ｂ）と同じであるので省略する。
第１８図（ｂ）に等価回路を示す。
光を透過させる場合には信号電極Ｓｌに２Ｖｏ、光を遮
断する場合にはＯｖを印加する。また１選択時にはスイ
ッチＳｓをＶｏとし１選択側のゲート信号電圧を２Ｖｏ
よりも高い電圧にして、ゲートを開き、非選択時には負
電圧１例えば−５ｖにすればゲートが閉じられる。
断する場合にはＯｖを印加する。また１選択時にはスイ
ッチＳｓをＶｏとし１選択側のゲート信号電圧を２Ｖｏ
よりも高い電圧にして、ゲートを開き、非選択時には負
電圧１例えば−５ｖにすればゲートが閉じられる。
ａ −Ｓ ｉを用いた薄膜トランジスタＴＰＴでは、Ｏ
Ｎ抵抗１’１Ｏ６Ｑ、ＯＦＦ抵抗で１０１０〜１０１１
Ωであり、光導電体の場合と同様な効果を達成できる。
Ｎ抵抗１’１Ｏ６Ｑ、ＯＦＦ抵抗で１０１０〜１０１１
Ωであり、光導電体の場合と同様な効果を達成できる。
第２０図は、第１９図の改良実施例であり、第２０図（
ａ）は共通電極の平面パターン、第２０図（ｂ）は等価
回路を示し、信号電極の平面パターンは第１図（ｂ）と
同じであるので省略する。
ａ）は共通電極の平面パターン、第２０図（ｂ）は等価
回路を示し、信号電極の平面パターンは第１図（ｂ）と
同じであるので省略する。
薄膜トランジスタＴＰＴのＯＦＦ抵抗が１０１３Ω以上
になると、液晶の抵抗（１０１１Ω）よりも１ケタ以上
大きくなるため、共通電極を分割せず、常時Ｖｏにして
おいても、ゲートＯＦＦ時には。
になると、液晶の抵抗（１０１１Ω）よりも１ケタ以上
大きくなるため、共通電極を分割せず、常時Ｖｏにして
おいても、ゲートＯＦＦ時には。
はとんどの電圧がＴＰＴにかかり、液晶層に電圧が印加
されないため、実質オープン状態となる。
されないため、実質オープン状態となる。
第２１図は、第２０図の変形例を示し、１／４デユ一テ
イ時分割駆動光スイッチアレイに適用した場合の共通電
極のパターンを示す図である８以上の実施例では電圧が
印加されない状態での液晶分子の配向状態として第６図
（ａ）に示したように“スプレィ配向“の場合を示した
が、第６図（ｂ）または（ｃ）のいずれかの状態をとる
。
イ時分割駆動光スイッチアレイに適用した場合の共通電
極のパターンを示す図である８以上の実施例では電圧が
印加されない状態での液晶分子の配向状態として第６図
（ａ）に示したように“スプレィ配向“の場合を示した
が、第６図（ｂ）または（ｃ）のいずれかの状態をとる
。
すなわち、Ｍｏｎｏｓｔａｂｌｅ状態をとる強誘電性液
晶を用いた場合には偏光板の配置条件を選ぶことにより
、電圧が印加されない状態で常に光遮断あるいは光透過
状態で得られる。
晶を用いた場合には偏光板の配置条件を選ぶことにより
、電圧が印加されない状態で常に光遮断あるいは光透過
状態で得られる。
この結果、光スイッチアレイの開口部と開口部（光スイ
ツチ部）間の電圧が印加されない領域を常に同一状態に
置くことが出来、解像度が向上する。
ツチ部）間の電圧が印加されない領域を常に同一状態に
置くことが出来、解像度が向上する。
プリンタ用光スイッチアレイでは、正規現像の場合、常
に光透過１反転現像の場合、常に光が遮断されるように
偏光板を配置すれば良い。
に光透過１反転現像の場合、常に光が遮断されるように
偏光板を配置すれば良い。
本発明では緩和性メモリーを利用した時分割駆動光スイ
ッチアレイについて述べたが、本発明の共通電極構造は
、動作閾値特性を有する強誘電性液晶にも適用できる。
ッチアレイについて述べたが、本発明の共通電極構造は
、動作閾値特性を有する強誘電性液晶にも適用できる。
この場合、クロム蒸着膜などの導体を配線部構成材料と
して用いることにより、同じ発明が使用できる。
して用いることにより、同じ発明が使用できる。
本発明によれば、強誘電性物質に動作閾値特性がなくて
も時分割駆動が可能になるという効果がある。
も時分割駆動が可能になるという効果がある。
この結果、プリンタ用光スイッチアレイのように２００
０〜２５００個しいった多くの光スィッチを駆動する場
合、ドライバー数を大幅に低減出来、ドライバーコスト
、ドライバー実装コスト等の面からきわめて効果が大き
い。
０〜２５００個しいった多くの光スィッチを駆動する場
合、ドライバー数を大幅に低減出来、ドライバーコスト
、ドライバー実装コスト等の面からきわめて効果が大き
い。
第１図から第５図及び第１６図は本発明の一実施例を説
明するための図、第６図は強誘電性液晶分子の電界応答
性を説明する図、第７図から第１３図は本発明の要点を
示す図、第１４図は本発明の効果の一部を説明するため
に用いる従来の光スイッチアレイによる光スポツト群の
状態を示す図、第１５図は本発明の別の実施例を示す図
、第１７図から第２１図は本発明の別の実施例を示す図
である。 １・・・共通電極側光スイッチ開口部、２・・・光導電
体を用いた光スイツチ部を有する配線部、３・・・共通
電極引出し導体部、４・・・光導電体、５・・・信号電
極側光スイッチ関口部、６・・・信号電極引出し導体部
、７・・・配向膜、８・・・液晶層、９・・・基板、１
０・・・シール部、１１・・・偏光板、１２・・・発光
素子、１３・・・液晶分子、１４・・・自発分極、１５
・・・光源（光）、１６・・・共通電極の開口部側配線
部、１７・・・共通電極引出し導体部側配線部、１８・
・・光導電体、１９・・・保護層、２０・・・共通電＄
Ｉ Ｃを側点滅用光スイッチ、２１・・・共通電極Ｃ２
側点滅用光スィッチ、２２・・・液晶光スイッチアレイ
、ＴＰＴ・・・薄膜トランジスタ。
明するための図、第６図は強誘電性液晶分子の電界応答
性を説明する図、第７図から第１３図は本発明の要点を
示す図、第１４図は本発明の効果の一部を説明するため
に用いる従来の光スイッチアレイによる光スポツト群の
状態を示す図、第１５図は本発明の別の実施例を示す図
、第１７図から第２１図は本発明の別の実施例を示す図
である。 １・・・共通電極側光スイッチ開口部、２・・・光導電
体を用いた光スイツチ部を有する配線部、３・・・共通
電極引出し導体部、４・・・光導電体、５・・・信号電
極側光スイッチ関口部、６・・・信号電極引出し導体部
、７・・・配向膜、８・・・液晶層、９・・・基板、１
０・・・シール部、１１・・・偏光板、１２・・・発光
素子、１３・・・液晶分子、１４・・・自発分極、１５
・・・光源（光）、１６・・・共通電極の開口部側配線
部、１７・・・共通電極引出し導体部側配線部、１８・
・・光導電体、１９・・・保護層、２０・・・共通電＄
Ｉ Ｃを側点滅用光スイッチ、２１・・・共通電極Ｃ２
側点滅用光スィッチ、２２・・・液晶光スイッチアレイ
、ＴＰＴ・・・薄膜トランジスタ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、複数個の信号電極と複数個の共通電極との対向部分
に設けられる強誘電性物質とによつて構成される複数の
光シャッタ部を有し、 隣接するｎ個の光シャッタ部を一つのグループとして、
各グループ内のｎ個の光シャッタ部の一つを構成する共
通電極にそれぞれ順次に、選択走査電圧を印加し、他の
非選択の共通電極の電位を実質上開放し、 上記各グループ内のｎ個の光シャッタ部を構成する信号
電極には、選択信号電圧または非選択信号電圧を共通に
印加する 時分割駆動光スイッチアレイに於いて、 少なくとも共通電極の非選択時は他の部分より大きい抵
抗値を有する抵抗性素子を具備する接続体によつて各グ
ループ間を接続する ことを特徴とする時分割駆動光スイッチアレイ。 ２、特許請求の範囲第１項に於いて、上記抵抗性素子は
、共通電極の選択時の抵抗値が共通電極の非選択時の抵
抗値より小さい抵抗性素子であることを特徴とする時分
割駆動光スイッチアレイ。 ３、特許請求の範囲第２項に於いて、上記抵抗性素子は
、電界、電流、光、磁界、または熱によつて抵抗値が変
化する抵抗性素子であることを特徴とする時分割駆動光
スイッチアレイ。 ４、特許請求の範囲第３項に於いて、上記抵抗性素子は
、共通電極の選択時に光照射手段によつて光を照射して
、共通電極の非選択時の抵抗値より小さくなる光導電体
より構成される抵抗性素子であることを特徴とする時分
割駆動光スイッチアレイ。 ５、特許請求の範囲第４項に於いて、上記抵抗体はａ−
Ｓｉを用いたプレナー型またはサンドイッチ型の光セン
サであることを特徴とする時分割駆動光スイッチアレイ
。 ６、特許請求の範囲第４項に於いて、上記光照射手段は
、ＬＥＤバー光源であることを特徴とする時分割駆動光
スイッチアレイ。 ７、特許請求の範囲第４項に於いて、上記照射手段は、
定常光源と点滅光変換用液晶光シャッタとから構成され
ることを特徴とする時分割駆動光スイッチアレイ。 ８、特許請求の範囲第３項に於いて、上記抵抗性素子は
、トランジスタであることを特徴とする時分割駆動光ス
イッチアレイ。 ９、特許請求の範囲第８項に於いて、上記トランジスタ
は電界効果トランジスタであることを特徴とする時分割
駆動光スイッチアレイ。 １０、特許請求の範囲第８項または第９項に於いて、上
記トランドスタは、薄膜トランジスタであることを特徴
とする時分割駆動光スイッチアレイ。 １１、特許請求の範囲第１項に於いて、上記各抵抗性素
子の一端を所定電位に固定することを特徴とする時分割
駆動光スイッチアレイ。 １２、特許請求の範囲第１項に於いて、上記強誘電性物
質は、緩和性メモリーを有する強誘電性物質であること
を特徴とする時分割駆動光スイッチアレイ。 １３、特許請求の範囲第１項または第１２項に於いて、
上記強誘電性物質は、強誘電性を示す液晶であることを
特徴とする時分割駆動光スイッチアレイ。 １４、特許請求の範囲第１３項に於いて、上記強誘電性
を示す液晶は、カイラルスメクチツクＣ相またはカイラ
ルスメクチツクＨ相を有する液晶であることを特徴とす
る時分割駆動光スイッチアレイ。 １５、ｍ個の信号電極とｎ個の共通電極との対向部分に
設けられる強誘電性物質とによつて構成されるｍ×ｎ個
の光シャッタ部を有し、 隣接するｎ個の光シャッタ部を一つのグループとして、
ｍ個のグループ内のｎ個の光シャッタ部の一つを構成す
る共通電極にそれぞれ接続体を介して順次に、選択走査
電圧を印加し、他の非選択の共通電極の電位を実質上開
放し、 上記ｍ個の各グループ内のｎ個の光シャッタ部を構成す
る信号電極には、選択信号電圧または非選択信号電圧を
共通に印加する 時分割駆動光スイッチアレイに於いて、 上記ｎ個の共通電極の一つは、それぞれ光シャッタ部に
対応するｍ個の開口部と、該ｍ個の開口部間の選択時の
抵抗値が非選択時の抵抗値より小さくなる様に上記開口
部間を接続する接続体とから構成される ことを特徴とする時分割駆動光スイッチアレイ。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60223581A JPS6283728A (ja) | 1985-10-09 | 1985-10-09 | 時分割駆動光スイツチアレイ |
| US06/916,724 US4783149A (en) | 1985-10-09 | 1986-10-08 | Time-sharing drive liquid crystal optical switch array and optical printer using this optical switch array |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60223581A JPS6283728A (ja) | 1985-10-09 | 1985-10-09 | 時分割駆動光スイツチアレイ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6283728A true JPS6283728A (ja) | 1987-04-17 |
Family
ID=16800406
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60223581A Pending JPS6283728A (ja) | 1985-10-09 | 1985-10-09 | 時分割駆動光スイツチアレイ |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4783149A (ja) |
| JP (1) | JPS6283728A (ja) |
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- 1986-10-08 US US06/916,724 patent/US4783149A/en not_active Expired - Fee Related
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