JPS6281538A - 磁気共鳴を用いた温度分布測定方法 - Google Patents
磁気共鳴を用いた温度分布測定方法Info
- Publication number
- JPS6281538A JPS6281538A JP60221622A JP22162285A JPS6281538A JP S6281538 A JPS6281538 A JP S6281538A JP 60221622 A JP60221622 A JP 60221622A JP 22162285 A JP22162285 A JP 22162285A JP S6281538 A JPS6281538 A JP S6281538A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic field
- chemical shift
- data
- pulse
- static magnetic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Magnetic Resonance Imaging Apparatus (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野〕
本発明は、磁気共鳴現象を用いて対象の任意断面に沿っ
た温度分布を測定することのできる方法に関するもので
ある。
た温度分布を測定することのできる方法に関するもので
ある。
［従来の技術］
生体内部の温度分布を知ることができれば、診断面で極
めて意義のある情報となる。
めて意義のある情報となる。
そこで従来は、内部の温度分布が伝達された結果である
表面温度分布を赤外線カメラを用いて測定したり、ある
いは、生体内部に温度測定プローブを挿入して測定する
ことが行なわれている。
表面温度分布を赤外線カメラを用いて測定したり、ある
いは、生体内部に温度測定プローブを挿入して測定する
ことが行なわれている。
［発明が解決しようとする問題点］
ところが、表面温度分布の情報は内部の温度分布の情報
を必ずしも正確に伝えていないし、プローブを用いる方
法では生体に大きな苦痛を与えてしまう。
を必ずしも正確に伝えていないし、プローブを用いる方
法では生体に大きな苦痛を与えてしまう。
本発明は上述した点に鑑みてなされたものであり、磁気
共鳴現象を用いて生体内の温度分布を非接触で測定でき
る方法を提供することを目的としている。
共鳴現象を用いて生体内の温度分布を非接触で測定でき
る方法を提供することを目的としている。
［問題点を解決するための手段］
この目的達成のため、本発明にかかる方法は、ａ）静磁
場内に配置された測定対象に高周波パルス又はパルス列
を照射すること、 ｂ〉該高周波パルス又はパルス列照射に関連して静磁場
に略直交し且つ互いに略直交する２つの方向の勾配磁場
を測定対象にパルス的に印加すること、 Ｃ）咳高周波パルス又はパルス列照射後時間ｔ２にわた
って自由誘導減衰信号を取得し記憶すること、 ｄ）前記勾配磁場の強度ＧＸ及びＧｙをｎ１９Ｎ及びｍ
段階に系統的に変えつつ前記ａ）乃至Ｃ）を繰返すこと
により、ｎ×ｍ個の自由誘導減衰信号ＦＩＤＩＩ〜ＦＩ
Ｄｆｆｌｎから構成される集合データを得ること、 ｅ）得られた集合データをｔ２ 、 Ｇｘについて２重
フーリエ変換すること、及び ｆ）２ｆｆ！フーリエ変換により得られた位置−ケミカ
ルシフト−スペクトル強度データ中の特定成分又は特定
基に基づくピークのケミカルシフト値又は該ケミカルシ
フト値に対応する値を、ｎ×ｍ個の画素から成る画像メ
モリの各画素に、画素位置に対応させて格納することよ
り成ることを特徴としている。
場内に配置された測定対象に高周波パルス又はパルス列
を照射すること、 ｂ〉該高周波パルス又はパルス列照射に関連して静磁場
に略直交し且つ互いに略直交する２つの方向の勾配磁場
を測定対象にパルス的に印加すること、 Ｃ）咳高周波パルス又はパルス列照射後時間ｔ２にわた
って自由誘導減衰信号を取得し記憶すること、 ｄ）前記勾配磁場の強度ＧＸ及びＧｙをｎ１９Ｎ及びｍ
段階に系統的に変えつつ前記ａ）乃至Ｃ）を繰返すこと
により、ｎ×ｍ個の自由誘導減衰信号ＦＩＤＩＩ〜ＦＩ
Ｄｆｆｌｎから構成される集合データを得ること、 ｅ）得られた集合データをｔ２ 、 Ｇｘについて２重
フーリエ変換すること、及び ｆ）２ｆｆ！フーリエ変換により得られた位置−ケミカ
ルシフト−スペクトル強度データ中の特定成分又は特定
基に基づくピークのケミカルシフト値又は該ケミカルシ
フト値に対応する値を、ｎ×ｍ個の画素から成る画像メ
モリの各画素に、画素位置に対応させて格納することよ
り成ることを特徴としている。
［作用］
Ｃ）までの過程で得られるｎ×ｍ個のＦＩＤ信号ＦｒＤ
１１〜Ｆ■ＤＩＩＩｎをｅ）においてｔ２ 、 Ｑｘに
ついて２重フーリエ変換することにより、位置。
１１〜Ｆ■ＤＩＩＩｎをｅ）においてｔ２ 、 Ｑｘに
ついて２重フーリエ変換することにより、位置。
ケミカルシフト、スペクトル強度の３者の関係を示すデ
ータが得られる。このデータ中に現われるピークの内、
例えば水酸基（−ＯＨ）のようにケミカルシフトの値が
温度に対応して変化するものに着目すれば、このピーク
のケミカルシフト値が直接温度に対応するため、そのピ
ークのケミカルシフト値又は該ケミカルシフトを変換し
た値をｎ×ｍ個の画素から成る画像メモリの各画素に、
画素位置に対応させて格納すれば、その画像メモリには
測定対象の任意断面に沿った温度分布に関するデータが
得られる。
ータが得られる。このデータ中に現われるピークの内、
例えば水酸基（−ＯＨ）のようにケミカルシフトの値が
温度に対応して変化するものに着目すれば、このピーク
のケミカルシフト値が直接温度に対応するため、そのピ
ークのケミカルシフト値又は該ケミカルシフトを変換し
た値をｎ×ｍ個の画素から成る画像メモリの各画素に、
画素位置に対応させて格納すれば、その画像メモリには
測定対象の任意断面に沿った温度分布に関するデータが
得られる。
以下、図面を用いて本発明の一実施例を詳説する。
［実施例］
第１図は本発明にかかる方法を実施するためのＮＭＲ映
像装置の一実施例を示すブロック図である。図において
１は均一な静磁場を発生するための磁石である。その静
磁場内には観測用送受信コイル〈サーフェスコイル）２
．ｌ場勾配発生用コイル３Ｘ、３Ｙ、４Ｘ、４Ｙが配置
されている。
像装置の一実施例を示すブロック図である。図において
１は均一な静磁場を発生するための磁石である。その静
磁場内には観測用送受信コイル〈サーフェスコイル）２
．ｌ場勾配発生用コイル３Ｘ、３Ｙ、４Ｘ、４Ｙが配置
されている。
５は観測液の共鳴周波数を持つ高周波を発生する発振器
で、この発振器５からの高周波はゲート６及び電力増幅
器７を介して前記サーフェスコイル２へ高周波パルスと
して供給され、サーフェスコイル２に近接して配置され
る測定対象へ高周波パルス磁場として照射される。この
高周波パルス照射後サーフェスコイル２に誘起された自
由誘導減衰信号（ＦＩＤ信号）は、ゲート８．増幅器９
及び復調回路１０を介して取出され、Ａ−Ｄ変換器１１
によりデジタル信号に変換されてコンピュータ１２へ送
られ、付属するメモリ１３へ格納される。１４Ｘ、１４
Ｙは前記］イ／ｌ／３Ｘ、３Ｙ、４Ｘ、４Ｙへ供給する
電流を調節して勾配磁場強度をＸ、Ｙ両方向について適
宜に設定することのできる勾配発生回路、１５は前記ゲ
ート６．７．Ａ−り変換器１１及び勾配発生回路１４Ｘ
、１４Ｙを制御するためのタイミング制御回路である。
で、この発振器５からの高周波はゲート６及び電力増幅
器７を介して前記サーフェスコイル２へ高周波パルスと
して供給され、サーフェスコイル２に近接して配置され
る測定対象へ高周波パルス磁場として照射される。この
高周波パルス照射後サーフェスコイル２に誘起された自
由誘導減衰信号（ＦＩＤ信号）は、ゲート８．増幅器９
及び復調回路１０を介して取出され、Ａ−Ｄ変換器１１
によりデジタル信号に変換されてコンピュータ１２へ送
られ、付属するメモリ１３へ格納される。１４Ｘ、１４
Ｙは前記］イ／ｌ／３Ｘ、３Ｙ、４Ｘ、４Ｙへ供給する
電流を調節して勾配磁場強度をＸ、Ｙ両方向について適
宜に設定することのできる勾配発生回路、１５は前記ゲ
ート６．７．Ａ−り変換器１１及び勾配発生回路１４Ｘ
、１４Ｙを制御するためのタイミング制御回路である。
第２図は測定に用いられるパルスシーケンスの一例を示
す。第２図（ａ）における高周波パルスＲＦＰは、測定
対象の所望部位において略９０”パルスとなるパルス幅
に選定されており、第２図（ｂ）、（ｃ）に示ずように
、このＲＦＰ照射後所定期間ｔ１の間Ｘ方向、Ｙ方向の
勾配磁場Ｑｘ。
す。第２図（ａ）における高周波パルスＲＦＰは、測定
対象の所望部位において略９０”パルスとなるパルス幅
に選定されており、第２図（ｂ）、（ｃ）に示ずように
、このＲＦＰ照射後所定期間ｔ１の間Ｘ方向、Ｙ方向の
勾配磁場Ｑｘ。
Ｇｙが測定対象に印加され、更にｔＩＨＹ後時間ｔ２に
わたってＦＩＤ信号が検出される。
わたってＦＩＤ信号が検出される。
第３図は、このようなシーケンスを実施するための各部
の信号波形及び強度値を示す図である。
の信号波形及び強度値を示す図である。
第３図（ａ）はゲート６を０Ｎ−ＯＦＦさせるためのタ
イミング信号を、同図（ｂ）は勾配発生回路１４Ｘが発
生するＧｘの値を、同図（Ｃ）は勾配発生回路１４Ｙが
発生するＧｙの値を、同図（ｄ）はゲート８を０Ｎ−Ｏ
ＦＦさせるためのタイミング信号を、同図（ｅ）はＡ−
Ｄ変換器１１によるサンプリングのタイミングを夫々示
す。
イミング信号を、同図（ｂ）は勾配発生回路１４Ｘが発
生するＧｘの値を、同図（Ｃ）は勾配発生回路１４Ｙが
発生するＧｙの値を、同図（ｄ）はゲート８を０Ｎ−Ｏ
ＦＦさせるためのタイミング信号を、同図（ｅ）はＡ−
Ｄ変換器１１によるサンプリングのタイミングを夫々示
す。
上記期間ｔ１に印加される勾配磁場Ｇｘ 、 Ｇｙは測
定対象中の位置に対応する位相情報をＦＩＤ信号に与え
るためのものである。この勾配磁場の強度は、第３図（
ｂ）、（ｃ）に示されるように、Ｘ方向がｎステップ、
Ｙ方向がｍステップの合計ｎ×ｍステップにわたり、系
統的に変化させられる。そのため、ｎ×ｍ回にわたる第
２図のシーケンスを用いた測定が終了した時点では、Ｘ
方向ｎステップ、Ｙ方向ｍステップの勾配磁場の組合わ
せによって指定されるところの、測定対象内の所望部位
に含まれるｎ×ｍ個の点の位相情報が盛込まれたｎ×ｍ
個のＦＩＤ信号信号Ｉ Ｄｌｌ 〜Ｆ Ｉ Ｃ＋＋＋ｎ
が第４図に示すように取得され、メモリ１３内に格納さ
れることになる。
定対象中の位置に対応する位相情報をＦＩＤ信号に与え
るためのものである。この勾配磁場の強度は、第３図（
ｂ）、（ｃ）に示されるように、Ｘ方向がｎステップ、
Ｙ方向がｍステップの合計ｎ×ｍステップにわたり、系
統的に変化させられる。そのため、ｎ×ｍ回にわたる第
２図のシーケンスを用いた測定が終了した時点では、Ｘ
方向ｎステップ、Ｙ方向ｍステップの勾配磁場の組合わ
せによって指定されるところの、測定対象内の所望部位
に含まれるｎ×ｍ個の点の位相情報が盛込まれたｎ×ｍ
個のＦＩＤ信号信号Ｉ Ｄｌｌ 〜Ｆ Ｉ Ｃ＋＋＋ｎ
が第４図に示すように取得され、メモリ１３内に格納さ
れることになる。
このようにして取得したＦＩＤ１１〜ＦＩＤｌｌｎを、
コンピュータ１２においてデータ処理する過程について
以下に説明する。ここでは、観測核は水素核、測定対象
は水にエチルアルコールを加えたものを比較的太い試験
管に入れたものとして説明を進める。
コンピュータ１２においてデータ処理する過程について
以下に説明する。ここでは、観測核は水素核、測定対象
は水にエチルアルコールを加えたものを比較的太い試験
管に入れたものとして説明を進める。
Ｆ Ｉ Ｄ １１〜’Ｆ Ｉ Ｄｍｎは時Ｖ！Ａｔ２の
関数であり、コンピュータ１２は先ずはじめにＦＩＤ１
１〜Ｆ【Ｄｍｎをｔ２についてフーリエ変換する。その
結果第５図に示すようなスペクトル８１１〜３ｉｎが得
られる。これらのスペクトルにおいては、測定対象内の
所望部位内に含まれる水素核のビークがケミカルシフト
に応じて展開されている。各スペクトルにおいて、ビー
クＡは水及びエチルアルコールの水酸基、ビークＢはメ
チレン基（ＣＨｚ ）、ビークＣはメチル基（−〇Ｈ
３）に夫々基づくものである。
関数であり、コンピュータ１２は先ずはじめにＦＩＤ１
１〜Ｆ【Ｄｍｎをｔ２についてフーリエ変換する。その
結果第５図に示すようなスペクトル８１１〜３ｉｎが得
られる。これらのスペクトルにおいては、測定対象内の
所望部位内に含まれる水素核のビークがケミカルシフト
に応じて展開されている。各スペクトルにおいて、ビー
クＡは水及びエチルアルコールの水酸基、ビークＢはメ
チレン基（ＣＨｚ ）、ビークＣはメチル基（−〇Ｈ
３）に夫々基づくものである。
次に、Ｇｙが同じスペクトルの各グループ８１１〜Ｓ１
ｎ、 ８２１〜３２ｎ、 −−−、３ｍ１〜３１１１
ｎにライて考えると、第５図における矢ｒＪＪＡの方向
にＧｘがとられていることが分る。そこで、コンピュー
タ１２は、各グループに含まれるスペクトルのデータを
矢印ａの方向にとらえることにより、ＧＸに関する多数
の（スペクトルのデータポイントがＰ個とすれば、各グ
ループ毎にＰ個の）インターフェログラムとしてとらえ
、これらのインターフェログラムをＧＸに関して即ち矢
印ａ方向にフーリエ変換する。このフーリエ変換により
、第６図に示すようなＰ個のスペクトルから成る２次元
スペクトルがｍ組（［）１１〜０１１１．０２１〜［）
２ｐ、 Ｄ３１〜Ｄ ３ｐ、 ・・・、［）１１１〜
ＤＩ！Ｉｔ））得られる。尚、第６図では、ビークＡ、
Ｂ、Ｃに基づいてスペクトル中に現われる山の稜線のみ
を黒線で表わしである。
ｎ、 ８２１〜３２ｎ、 −−−、３ｍ１〜３１１１
ｎにライて考えると、第５図における矢ｒＪＪＡの方向
にＧｘがとられていることが分る。そこで、コンピュー
タ１２は、各グループに含まれるスペクトルのデータを
矢印ａの方向にとらえることにより、ＧＸに関する多数
の（スペクトルのデータポイントがＰ個とすれば、各グ
ループ毎にＰ個の）インターフェログラムとしてとらえ
、これらのインターフェログラムをＧＸに関して即ち矢
印ａ方向にフーリエ変換する。このフーリエ変換により
、第６図に示すようなＰ個のスペクトルから成る２次元
スペクトルがｍ組（［）１１〜０１１１．０２１〜［）
２ｐ、 Ｄ３１〜Ｄ ３ｐ、 ・・・、［）１１１〜
ＤＩ！Ｉｔ））得られる。尚、第６図では、ビークＡ、
Ｂ、Ｃに基づいてスペクトル中に現われる山の稜線のみ
を黒線で表わしである。
各２次元スペクトルは、第６図に示されるように、一方
の軸にケミカルシフトが、他方の軸にＸ方向の核スピン
密度分布がとられている。この第６図から、メチル基の
ビークＣはケミカルシフトＫｃの位置に、メチレン基の
ビークＢがケミカルシフトＫｂの位置に固定的に出現し
ているのに対し、水酸基のビークＡはケミカルシフトＫ
ａ付近でかなり変化していることが分る。これはエチル
アルコールのメチル基、メチレン基のビークは温度に対
して安定であるのに対し、先に述べたように水酸基のビ
ークは温度に対して敏感で、温度が変わるとケミカルシ
フト値が変化することに起因しており、測定対象内部に
Ｘ方向の温度変化が存在することを示している。
の軸にケミカルシフトが、他方の軸にＸ方向の核スピン
密度分布がとられている。この第６図から、メチル基の
ビークＣはケミカルシフトＫｃの位置に、メチレン基の
ビークＢがケミカルシフトＫｂの位置に固定的に出現し
ているのに対し、水酸基のビークＡはケミカルシフトＫ
ａ付近でかなり変化していることが分る。これはエチル
アルコールのメチル基、メチレン基のビークは温度に対
して安定であるのに対し、先に述べたように水酸基のビ
ークは温度に対して敏感で、温度が変わるとケミカルシ
フト値が変化することに起因しており、測定対象内部に
Ｘ方向の温度変化が存在することを示している。
そこで、ｎステップに分けられているＸ方向の各位置に
おいて、ビークＢ（ビークＣでも良い）とビークＡとの
距１１１ｄ１１〜ｄｉｎ、 ｄ２１〜ｄ２ｎ、 −・
・、ｄｍ１〜ｄｍｎを求め、これをメモリ１３内に用意
したｎ×ｍ画素の画像メモリへ、第７図に示すように画
素位置に対応させて格納すれば、得られたデータはＸ−
Ｙ平面内に沿った対象内の温度分布に対応したものとな
る。
おいて、ビークＢ（ビークＣでも良い）とビークＡとの
距１１１ｄ１１〜ｄｉｎ、 ｄ２１〜ｄ２ｎ、 −・
・、ｄｍ１〜ｄｍｎを求め、これをメモリ１３内に用意
したｎ×ｍ画素の画像メモリへ、第７図に示すように画
素位置に対応させて格納すれば、得られたデータはＸ−
Ｙ平面内に沿った対象内の温度分布に対応したものとな
る。
尚、静磁場の強度分布が一定であれば、ビークＢ、Ｃの
位置は不変であるので、ビークＡの位置をビークＢ又は
Ｃとの距離としてとらえる必要はなく、ビークＡのケミ
カルシフト値をそのまま温度に対応するデータとして用
いることが可能である。そうすれば、エチルアルコール
のように基準となるビークを派生する物質が不要となり
、例えば生体を測定対象とする場合には便利である。
位置は不変であるので、ビークＡの位置をビークＢ又は
Ｃとの距離としてとらえる必要はなく、ビークＡのケミ
カルシフト値をそのまま温度に対応するデータとして用
いることが可能である。そうすれば、エチルアルコール
のように基準となるビークを派生する物質が不要となり
、例えば生体を測定対象とする場合には便利である。
ただし、静磁場の強度分布が一定でないと、ピークＡ、
Ｂ、Ｃ４，１１Ｍ磁場強度に応じてシフトしてしまうた
め、ビークＡのケミカルシフトをそのまま温度のデータ
にしたのでは、静１！場の強度の情報が温度の情報に重
畳してしまう。その点、ビークＡの位１をビークＢ又は
Ｃとの距離としてとらえれば、すべてのビークが等しく
受ける静磁場強度の影響を除き、温度に関する情報のみ
をとらえることができる。
Ｂ、Ｃ４，１１Ｍ磁場強度に応じてシフトしてしまうた
め、ビークＡのケミカルシフトをそのまま温度のデータ
にしたのでは、静１！場の強度の情報が温度の情報に重
畳してしまう。その点、ビークＡの位１をビークＢ又は
Ｃとの距離としてとらえれば、すべてのビークが等しく
受ける静磁場強度の影響を除き、温度に関する情報のみ
をとらえることができる。
そこで、生体を測定対象とするような場合には、例えば
、エチルアルコールに限らず温度によりケミカルシフト
が変化しないビークを派生する物質のみを測定領域に配
置して上述した測定を行ない、ビーク位置の変化をとら
えることにより静磁場の強度分布を求めておき、次に生
体を測定領域に配置してビークＡのケミカルシフト値を
そのまま温度のデータとすることにより温度分布の情報
と静磁場分布の情報が重畳したデータを得、その後重畳
データから先に求めておいた静１＆場の強度分布を差引
くことにより温度分布の情報のみを取出すようにするこ
とも考えられる。
、エチルアルコールに限らず温度によりケミカルシフト
が変化しないビークを派生する物質のみを測定領域に配
置して上述した測定を行ない、ビーク位置の変化をとら
えることにより静磁場の強度分布を求めておき、次に生
体を測定領域に配置してビークＡのケミカルシフト値を
そのまま温度のデータとすることにより温度分布の情報
と静磁場分布の情報が重畳したデータを得、その後重畳
データから先に求めておいた静１＆場の強度分布を差引
くことにより温度分布の情報のみを取出すようにするこ
とも考えられる。
又、生体を測定対象とするような場合、体内あるいは体
の表面近くに存在する脂肪が派生づるビークの中から温
度によってケミカルシフトが変化しないものを予め見つ
けておき、そのビークと水酸基のビークとの距離を求め
るようにすることも考えられる。
の表面近くに存在する脂肪が派生づるビークの中から温
度によってケミカルシフトが変化しないものを予め見つ
けておき、そのビークと水酸基のビークとの距離を求め
るようにすることも考えられる。
更に又、測定領域内に湿度既知の物体を入れ、その温度
に基づいて他の部位の温度を校正すれば、絶対的な温度
測定が可能となる。
に基づいて他の部位の温度を校正すれば、絶対的な温度
測定が可能となる。
尚、上記実施例では送受信コイルとしてサーフェスフィ
ルを用い、第２図のシーケンスを用いて測定を行なった
が、送受信コイルとして通常の鞍型コイルを用い、他の
シーケンスを用いても第４図に示すようなデータを得る
ことができ、温度分布の測定を同様に行なうことが可能
であることは言うまでもない。
ルを用い、第２図のシーケンスを用いて測定を行なった
が、送受信コイルとして通常の鞍型コイルを用い、他の
シーケンスを用いても第４図に示すようなデータを得る
ことができ、温度分布の測定を同様に行なうことが可能
であることは言うまでもない。
［発明の効果］
以上詳述した如く、本発明によれば、ケミカルシフトの
温度依存性を利用することにより、対象の任意断面に沿
った温度分布を測定することのできる方法が実現される
。
温度依存性を利用することにより、対象の任意断面に沿
った温度分布を測定することのできる方法が実現される
。
第１図は本発明にかかる方法を実施するためのＮＭＲ映
像装置の一実施例を示すブロック図、第２図は測定に用
いられるシーケンスの一例を示す図、第３図は第２図の
シーケンスを実施するための各部の信号波形及び強度値
を示す図、第４図はメモリ１３内におけるＦＩＤ１１〜
ＦＩＤｍ口の格納状態を説明するための図、第５図乃至
第７図はデータ処理の過程を説明するための図である。 １：磁石 ２：観測用送受信コイル ３Ｘ、３Ｙ、４Ｘ、４Ｙ：磁場勾配発生用コイル５：発
掘器 ６．８：ゲート １０：復調回路 １１：Ａ−Ｄ変換器 １２：コンピュータ １３：メモリ １４Ｘ、１４Ｙ：勾配発生回路 １５：タイミング制御回路
像装置の一実施例を示すブロック図、第２図は測定に用
いられるシーケンスの一例を示す図、第３図は第２図の
シーケンスを実施するための各部の信号波形及び強度値
を示す図、第４図はメモリ１３内におけるＦＩＤ１１〜
ＦＩＤｍ口の格納状態を説明するための図、第５図乃至
第７図はデータ処理の過程を説明するための図である。 １：磁石 ２：観測用送受信コイル ３Ｘ、３Ｙ、４Ｘ、４Ｙ：磁場勾配発生用コイル５：発
掘器 ６．８：ゲート １０：復調回路 １１：Ａ−Ｄ変換器 １２：コンピュータ １３：メモリ １４Ｘ、１４Ｙ：勾配発生回路 １５：タイミング制御回路
Claims (1)
- （１）ａ）静磁場内に配置された測定対象に高周波パル
ス又はパルス列を照射すること、 ｂ）該高周波パルス又はパルス列照射に関連して静磁場
に略直交し且つ互いに略直交する２つの方向の勾配磁場
を測定対象にパルス的に印加すること、 ｃ）該高周波パルス又はパルス列照射後時間ｔ２にわた
つて自由誘導減衰信号を取得し記憶すること、 ｄ）前記勾配磁場の強度Ｇｘ及びＧｙをｎ段階及びｍ段
階に系統的に変えつつ前記ａ）乃至ｃ）を繰返すことに
より、ｎ×ｍ個の自由誘導減衰信号ＦＩＤ１１〜ＦＩＤ
ｍｎから構成される集合データを得ること、 ｅ）得られた集合データをｔ２、Ｇｘについて２重フー
リエ変換すること、及び ｆ）２重フーリエ変換により得られた位置−ケミカルシ
フト−スペクトル強度データ中の特定成分又は特定基に
基づくピークのケミカルシフト値又は該ケミカルシフト
値に対応する値を、ｎ×ｍ個の画素から成る画像メモリ
の各画素に、画素位置に対応させて格納することより成
る磁気共鳴を用いた温度分布測定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60221622A JPS6281538A (ja) | 1985-10-04 | 1985-10-04 | 磁気共鳴を用いた温度分布測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60221622A JPS6281538A (ja) | 1985-10-04 | 1985-10-04 | 磁気共鳴を用いた温度分布測定方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6281538A true JPS6281538A (ja) | 1987-04-15 |
Family
ID=16769641
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60221622A Pending JPS6281538A (ja) | 1985-10-04 | 1985-10-04 | 磁気共鳴を用いた温度分布測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6281538A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5378987A (en) * | 1992-03-13 | 1995-01-03 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method and apparatus for non-invasive measurement of temperature distribution within target body using nuclear magnetic resonance imaging |
| JP2001145609A (ja) * | 1999-09-09 | 2001-05-29 | Hitachi Medical Corp | 磁気共鳴イメージング装置 |
| JP2001231762A (ja) * | 2000-02-25 | 2001-08-28 | Toshiba Corp | 磁気共鳴装置及び温熱治療装置 |
| JP5654472B2 (ja) * | 2009-09-29 | 2015-01-14 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ | 組織の温度分布計測方法および温度分布画像化方法 |
-
1985
- 1985-10-04 JP JP60221622A patent/JPS6281538A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5378987A (en) * | 1992-03-13 | 1995-01-03 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method and apparatus for non-invasive measurement of temperature distribution within target body using nuclear magnetic resonance imaging |
| JP2001145609A (ja) * | 1999-09-09 | 2001-05-29 | Hitachi Medical Corp | 磁気共鳴イメージング装置 |
| JP2001231762A (ja) * | 2000-02-25 | 2001-08-28 | Toshiba Corp | 磁気共鳴装置及び温熱治療装置 |
| JP5654472B2 (ja) * | 2009-09-29 | 2015-01-14 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ | 組織の温度分布計測方法および温度分布画像化方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4516075A (en) | NMR scanner with motion zeugmatography | |
| JPH0433454B2 (ja) | ||
| US10222437B2 (en) | MR imaging with temperature mapping | |
| EP0132358A2 (en) | Imaging method and apparatus for obtaining images using NMR | |
| JP2013517829A (ja) | 磁化率勾配マッピング | |
| JP2017530761A (ja) | ゼロエコー時間ｍｒイメージング | |
| US4713614A (en) | Method of correcting the phase and shading in a nuclear magnetic resonance tomographic device | |
| JPWO2011065393A1 (ja) | 核磁気共鳴イメージング装置およびそのｓａｒの見積方法 | |
| JPS6281538A (ja) | 磁気共鳴を用いた温度分布測定方法 | |
| US4701709A (en) | NMR imaging method | |
| US5309099A (en) | Method of determining real-time spatially localized velocity distribution using magnetic resonance measurements | |
| JPH0365971B2 (ja) | ||
| CN108245158B (zh) | 一种磁共振温度测量方法及装置 | |
| JPH0556140B2 (ja) | ||
| CN110780249B (zh) | 使用绝热射频脉冲测量射频b1场分布的磁共振成像方法 | |
| JPH0412734A (ja) | 磁気共鳴イメージングの方法および装置 | |
| JPH0368342A (ja) | 磁気共鳴映像装置 | |
| JPH0585172B2 (ja) | ||
| US20050206380A1 (en) | Method and apparatus for temperature-controlled application of radio frequency power in magnetic resonance imaging | |
| JPS60179646A (ja) | 磁気共鳴イメージング法 | |
| JPS6250650A (ja) | 核磁気共鳴を用いた検査方法 | |
| JP3332951B2 (ja) | 磁気共鳴イメージング装置 | |
| JP3454865B2 (ja) | 磁気共鳴イメージング装置 | |
| JPH05123314A (ja) | 磁気共鳴イメージング装置におけるマルチスライス撮像方法 | |
| SU1126850A1 (ru) | Вычислительный томограф на основе дерного магнитного резонанса |