JPS6281086A - Optical transmitter - Google Patents

Optical transmitter

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JPS6281086A
JPS6281086A JP60220310A JP22031085A JPS6281086A JP S6281086 A JPS6281086 A JP S6281086A JP 60220310 A JP60220310 A JP 60220310A JP 22031085 A JP22031085 A JP 22031085A JP S6281086 A JPS6281086 A JP S6281086A
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JP
Japan
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extinction ratio
optical output
optical
oscillation
deterioration
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Application number
JP60220310A
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Japanese (ja)
Inventor
Sadao Fujita
定男 藤田
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Publication date
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Publication of JPS6281086A publication Critical patent/JPS6281086A/en
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Abstract

PURPOSE:To obtain an optical transmitter for optical fiber communication which can oscillate with a narrow spectrum even in rapid modulation and without causing deterioration in extinction ratio, by utilizing a saturatable absorber optically coupled with a semiconductor laser element. CONSTITUTION:A DFB laser 24 is biased to over an oscillation threshold value and modulated by an RZ code of 2 Gb/s so as to narrow the oscillation spectrum of the DFB laser 24. As a result, the extinction ratio of optical output 28 from a saturatable absorber 27 is improved to be 18:1 while the width of the divergent oscillation spectrum can be decreased up to 1Angstrom . This optical output 28 was transmitted on a 100km long single-mode fiber, and the code error rate characteristics of receiving sensitivity was determined. It was found that the deterioration in receiving sensitivity due to deterioration in extinction ratio and dispersion was as small as 0.5dB or less. Thus, the provision of the saturatable absorber 27 improves the extinction ratio of the modulated optical output of the DFB laser and decreases the width of oscillation spectrum, whereby light can be transmitted even on a long-distance single mode fiber without causing any deterioration in receiving sensitivity.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は光フアイバ通信システムに用いる光送信装置、
時に高速変調時にも高消光比で狭いスペクトル幅で動作
する光送信装置に関する。
[Detailed Description of the Invention] [Industrial Application Field] The present invention relates to an optical transmitter used in an optical fiber communication system,
The present invention relates to an optical transmitter that operates with a high extinction ratio and a narrow spectrum width even during high-speed modulation.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

近年、光フアイバ通信では、単一モードファイバの最低
損失帯である波長1.5μm帯を利用した長距離大容量
の光フアイバ通信システムの検討がなされている。
In recent years, in optical fiber communications, studies have been conducted on long-distance, large-capacity optical fiber communication systems that utilize the 1.5 μm wavelength band, which is the lowest loss band of single mode fibers.

ところで波長1.5 μm帯では、単一モードファイバ
に波長の違いによって伝搬速度が異なる性質つまり波長
分散がある。このため、長距離大容量の光フアイバ通信
システムには、単一モードファイバの波長分散の影響を
除くため、高速変調時に単一軸モードで発振しかつスペ
クトル幅拡がりの小さな光源が必要とされる。現在、単
一軸モードで発振する上記の光源としては、素子内部に
回折格子を有し、その波長選択性を利用して単一軸モー
ドで発振する分布帰還型半導体レーザ(DFBレーザ)
が開発されている。DFBレーザは高速変調時にも、単
一軸モードで発振し、変調時のスペクトル幅の拡がりも
比較的狭い半導体レーザであり、1.5μm帯DFBレ
ーザを用いて、ビットレイト1.8Gb/sで60km
の単一モードファイバ伝送が実現されている(藤田他、
1.5μm帯DFB−LDを用いた高速長距離光フアイ
バ伝送の検討、昭和59年度電子通信学会通信部門全国
大会739)。
By the way, in the wavelength band of 1.5 μm, a single mode fiber has a property in which the propagation speed varies depending on the wavelength, that is, chromatic dispersion. For this reason, long-distance, high-capacity optical fiber communication systems require a light source that oscillates in a single axis mode during high-speed modulation and has a small spectral width spread in order to eliminate the effects of wavelength dispersion of single-mode fibers. Currently, the above-mentioned light source that oscillates in a single-axis mode is a distributed feedback semiconductor laser (DFB laser) that has a diffraction grating inside the element and uses its wavelength selectivity to oscillate in a single-axis mode.
is being developed. The DFB laser is a semiconductor laser that oscillates in a single axis mode even during high-speed modulation, and the spread of the spectrum width during modulation is also relatively narrow.
single-mode fiber transmission has been realized (Fujita et al.
Study of high-speed long-distance optical fiber transmission using 1.5 μm band DFB-LD, 1985 National Conference of the Telecommunications Division of the Institute of Electronics and Communication Engineers (739).

前記の報告例では、マーク“1”とスペース“0”の2
値で高速変調された送信光のスペクトル幅拡がりを小さ
くするため、DFBレーザを発振の閾値以上にバイアス
して動作させている。その結果、DFBレーザの高速変
調時のスペクトル幅は狭くなり、60kmの単一モード
ファイバ伝送後の波長分散による感度劣化は約1dB程
度に抑えられている。
In the above report example, the mark “1” and the space “0” are 2.
In order to reduce the spectral width broadening of the transmitted light that is rapidly modulated by the value, the DFB laser is operated with a bias above the oscillation threshold. As a result, the spectral width of the DFB laser during high-speed modulation is narrowed, and sensitivity deterioration due to wavelength dispersion after 60 km of single mode fiber transmission is suppressed to about 1 dB.

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problem that the invention seeks to solve]

しかし、上記のDFBレーザを閾値以上にバイアスして
2値の強度変調を行なった場合、スペース“0”の部分
でもレーザ発振するため、消光比の低下による感度劣化
が生じるという問題があった。因に、前記の報告例では
消光比の低下により約2dBの感度劣化が生じていた。
However, when the above-mentioned DFB laser is biased to a threshold value or higher to perform binary intensity modulation, the laser oscillates even in the space "0", so there is a problem in that sensitivity deteriorates due to a decrease in extinction ratio. Incidentally, in the example reported above, sensitivity deterioration of about 2 dB occurred due to a decrease in extinction ratio.

本発明の目的は高速変調時にも狭スペクトル幅で発振す
るとともに、消光比劣化の生じない光フアイバ通信用の
光送信装置を提供することにある。
An object of the present invention is to provide an optical transmitter for optical fiber communication that oscillates with a narrow spectral width even during high-speed modulation and does not cause extinction ratio deterioration.

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving problems]

本発明の光送信装置は、送信光源としての半導体レーザ
素子と、前記半導体レーザ素子をパルス変調するための
駆動回路と、前記半導体レーザ素子と光学的に結合され
た可飽和吸収体とを含み、前記可飽和吸収体で前記半導
体レーザ素子からのパルス変調光の消光比改善を行なっ
て、前記可飽和吸収体からの光出力を送信光として用い
ることを特徴とする。
The optical transmitter of the present invention includes a semiconductor laser element as a transmission light source, a drive circuit for pulse modulating the semiconductor laser element, and a saturable absorber optically coupled to the semiconductor laser element, The saturable absorber improves the extinction ratio of pulse modulated light from the semiconductor laser element, and the optical output from the saturable absorber is used as transmitted light.

〔作用〕[Effect]

次に本発明の作用について述べる。前述のように、高速
変調されたDFBレーザの発振スペクトルを狭くするた
めには、DFBレーザのバイアス電流を発振閾値以上に
設定するのが望ましいが、この場合には変調光の消光比
劣化が生じる。そこで、本発明では、閾値以上にバイア
スしたDFBレーザの変調光の消光比を改善するために
、可飽和吸収体を用いる。
Next, the operation of the present invention will be described. As mentioned above, in order to narrow the oscillation spectrum of a high-speed modulated DFB laser, it is desirable to set the bias current of the DFB laser to a value higher than the oscillation threshold, but in this case, the extinction ratio of the modulated light deteriorates. . Therefore, in the present invention, a saturable absorber is used in order to improve the extinction ratio of modulated light of a DFB laser biased above a threshold value.

第6図にその原理図を示す。第6図(a)に閾値以上に
バイアスし、消光比が低下したDFBレーザの光変調出
力を示す。第6図(b)は可飽和吸収体の先人出力特性
を示す ものである。可飽和吸収体は光入力が一定値 
以上になると、急に光吸収型が減少する特性をもつため
、その先人出力特性は第6図(b)の様になる。さて、
第6図(a)に示す光変調出力を第6図(b)に示す特
性を持つ可飽和吸収体に入射させる。このとき可飽和吸
収体からの光出力は、第6図(c)に示される様にスペ
ース“O”の部分の光出力が小さくなった波形となり、
消光比が改善される。また、この可飽和吸収体を用いて
、高速変調されたDFBレーザの発振スペクトル幅をさ
らに狭めることができる。
Fig. 6 shows the principle diagram. FIG. 6(a) shows the optical modulation output of a DFB laser biased above the threshold value and with a reduced extinction ratio. Figure 6(b) shows the predecessor output characteristics of the saturable absorber. Saturable absorbers have a constant light input
Above that, the light-absorbing type suddenly decreases, so its predecessor's output characteristic becomes as shown in FIG. 6(b). Now,
The optical modulation output shown in FIG. 6(a) is made incident on a saturable absorber having the characteristics shown in FIG. 6(b). At this time, the optical output from the saturable absorber becomes a waveform in which the optical output in the space "O" is small, as shown in FIG. 6(c).
Extinction ratio is improved. Furthermore, by using this saturable absorber, the oscillation spectrum width of a DFB laser that is modulated at high speed can be further narrowed.

第7図(a)に、発振閾値以上にバイアスし、2値のラ
ンダムパターンで高速変調をかけたDFBレーザの発振
スペクトルを示す。この場合、発振スペクトルには変調
信号のマーク“1”とスペース“0”に対応した2つの
レーザ発振のピークが表われる。そこで、可飽和吸収体
を用いて、スペース“0”の部分の光出力を減少させる
ことにより、発振スペクトルを第7図(b)に示すよう
に、狭くすることができる。
FIG. 7(a) shows the oscillation spectrum of a DFB laser biased above the oscillation threshold and subjected to high-speed modulation with a binary random pattern. In this case, two laser oscillation peaks corresponding to the mark "1" and the space "0" of the modulation signal appear in the oscillation spectrum. Therefore, by using a saturable absorber to reduce the optical output in the space "0", the oscillation spectrum can be narrowed as shown in FIG. 7(b).

〔実施例〕〔Example〕

以下に本発明の実施例を図面を用いて詳細に説明する。 Embodiments of the present invention will be described in detail below with reference to the drawings.

第1図は本発明の第1の実施例である光送信装置の構成
図を示したものであり、集積型半導体レーザ素子32と
周辺電気回路からなっている。
FIG. 1 shows a configuration diagram of an optical transmitter according to a first embodiment of the present invention, which is composed of an integrated semiconductor laser element 32 and peripheral electric circuits.

集積型半導体レーデ素子32は、n−1nP基板1の上
に波長組成1.55μmのInGaAsPの活性層2お
よび波長組成1.3.umのn−InGaAsPの光ガ
イド層3を順にエピタキシャル成長させた後、光ガイド
層30表面のレーザ領域13となる部分にのみ周期約2
400人の回折格子10を形成し、可飽和吸収領域14
となる部分は平坦な状態として構成されている。その後
、レーザ領域13および可飽和吸収領域14の全面を覆
うようにp−InPのクラッド層4およびp” −In
GaAsPのキャップ層5を順にエピタキシャル成長さ
せ、レーザ領域13及び可飽和吸収領域14のキャップ
層5上にそれぞれ第1.第2の電極6.7を形成し、I
nP基板1の下には第3の電極8を形成する。第1゜第
2の電極6.7の間には、両電極間の電気的アイソレー
ションをよくするために、キャップ層5より深い溝9が
形成しである。
The integrated semiconductor radar device 32 has an active layer 2 of InGaAsP with a wavelength composition of 1.55 μm on an n-1nP substrate 1 and an active layer 2 of InGaAsP with a wavelength composition of 1.3. After the light guide layer 3 of n-InGaAsP is epitaxially grown in order, a period of about 2
Forming a 400-meter diffraction grating 10, saturable absorption region 14
The part that becomes is configured as a flat state. Thereafter, a p-InP cladding layer 4 and a p"-In
Cap layers 5 of GaAsP are epitaxially grown in order, and a first . forming a second electrode 6.7, I
A third electrode 8 is formed under the nP substrate 1. A groove 9 deeper than the cap layer 5 is formed between the first and second electrodes 6, 7 to improve electrical isolation between the two electrodes.

また、周辺回路は前述のレーザ領域13にバイアス電流
20と変調電流21を注入するための駆動用電気回路1
1と、可飽和吸収領域14で光吸収の制御を行うために
可飽和吸収領域14にバイアス電流23を注入する制御
用電気回路12とからなっている。
Further, a peripheral circuit includes a drive electric circuit 1 for injecting a bias current 20 and a modulation current 21 into the laser region 13 described above.
1, and a control electric circuit 12 that injects a bias current 23 into the saturable absorption region 14 in order to control light absorption in the saturable absorption region 14.

この集積型半導体レーザ素子32のレーザ領域13は、
回折格子100波長選択性を利用して単一軸モード発振
するDFBレーザとして作用する。しかし、この素子で
は、レーザ領域13の端面17と可飽和吸収領域14の
端面18とで構成される共振器により、光出力にヒステ
リシス特性が生じやすくなる。
The laser region 13 of this integrated semiconductor laser device 32 is
The diffraction grating 100 functions as a DFB laser that oscillates in a single axis mode by utilizing the wavelength selectivity. However, in this element, the resonator formed by the end face 17 of the laser region 13 and the end face 18 of the saturable absorption region 14 tends to cause hysteresis characteristics in the optical output.

これを防ぐために本実施例では、可飽和吸収領域14側
の端面18には、SiNを用いて反射率1%以下の無反
射コーテイング膜15が形成しである。
In order to prevent this, in this embodiment, a non-reflection coating film 15 made of SiN and having a reflectance of 1% or less is formed on the end face 18 on the saturable absorption region 14 side.

さて、この集積型半導体レーザ素子32のレーザ領域1
3のみに駆動用電気回路12を介して電流を注入すると
、波長1.55μm付近で単一軸モード発振する。また
、発振閾値電流は40mAである。この時の集積型半導
体レーザ素子32の電流対光出力特性を第2図に示す。
Now, laser region 1 of this integrated semiconductor laser device 32
When a current is injected only into the drive circuit 12 through the drive electric circuit 12, single-axis mode oscillation occurs at a wavelength of around 1.55 μm. Further, the oscillation threshold current is 40 mA. The current vs. optical output characteristics of the integrated semiconductor laser device 32 at this time are shown in FIG.

ここで、第2図の線(a)はレーザ領域13の端面17
からの第1の光出力19であり、第2図の線(C)は可
飽和吸収領域14の端面18からの第2の光出力16で
ある。可飽和吸収領域14内の電流の注入されていない
活性層2は、光入力の増加に伴い、光吸収量が減少する
可飽和吸収体として働くので、第2の光出力16の電流
対光出力特性には第2図の線(C)の様にキングが生じ
る。一方、可飽和吸収領域14に制御用電気回路12を
介して6mAの電流を注入した場合には、可飽和吸収領
域の光吸収量が減少し、第2の光出力16の電流対先出
力特性は第2図の線(b>の様になる。次にこの集積型
半導体レーザ素子32をビットレイ)2Gb/sのRZ
符号で変調した場合について説明する。この場合、レー
デ領域13からの第1の光出力19の発振スペクトルが
狭くなる様にレーザ領域13へのバイアス電流を発振閾
値以上の50mAに設定し、可飽和吸収領域への注入電
流は、6mAとした。第3図に2Gb/sのRZ符号で
変調した時の第1の光出力19及び第2の光出力16の
発振スペクトルを示す。レーザ領域13からの第1の光
出力19の発振スペクトル(第3図の線(a))は変調
信号のマーク“1″、スペース“0”に対応した双峰性
の発振スペクトルであり、発振スペクトルのすそ幅は約
4人であった。一方、可飽和吸収領域14からの光出力
16の発振スペクトル(第3図の線(b))は、光出力
の小さいスペース“0”のスペクトルが減衰させられる
ため、発振スペクトルのすそ幅は約1.5人と狭くなっ
ている。
Here, line (a) in FIG. 2 represents the end surface 17 of the laser region 13.
Line (C) in FIG. 2 is the second optical output 16 from the end face 18 of the saturable absorption region 14. The active layer 2 in which no current is injected in the saturable absorption region 14 acts as a saturable absorber whose light absorption decreases as the light input increases, so that the current versus light output of the second light output 16 decreases. A king occurs in the characteristics as shown by line (C) in FIG. On the other hand, when a current of 6 mA is injected into the saturable absorption region 14 via the control electric circuit 12, the amount of light absorbed by the saturable absorption region decreases, and the current versus first output characteristic of the second optical output 16 decreases. looks like the line (b> in Figure 2).Next, this integrated semiconductor laser device 32 is connected to a bit array) 2Gb/s RZ
The case of modulation using a code will be explained. In this case, the bias current to the laser region 13 is set to 50 mA, which is higher than the oscillation threshold, so that the oscillation spectrum of the first optical output 19 from the Rade region 13 is narrowed, and the injection current to the saturable absorption region is 6 mA. And so. FIG. 3 shows the oscillation spectra of the first optical output 19 and the second optical output 16 when modulated with a 2 Gb/s RZ code. The oscillation spectrum (line (a) in FIG. 3) of the first optical output 19 from the laser region 13 is a bimodal oscillation spectrum corresponding to the mark "1" and the space "0" of the modulation signal, and the oscillation The width of the spectrum was about 4 people. On the other hand, in the oscillation spectrum of the optical output 16 from the saturable absorption region 14 (line (b) in FIG. 3), the spectrum in the space "0" where the optical output is small is attenuated, so the base width of the oscillation spectrum is approximately The number has narrowed to 1.5 people.

第4図には、2Gb/sのRZ符号で変調した時の第1
の光出力19及び第2の光出力16の光変調波形を示す
。レーザ領域13からの第1の光出力19の光変調波形
(第4図の線(a))はバイアス電流を発振閾値以上と
しているため、消光比が4:1と悪い状態である。一方
、可飽和吸収領域14からの第2の光出力16はスペー
ス“0”の光出力が減衰するので、消光比は15:1ま
で改善されている。
Figure 4 shows the first signal when modulated with a 2Gb/s RZ code.
The optical modulation waveforms of the optical output 19 and the second optical output 16 are shown. Since the optical modulation waveform (line (a) in FIG. 4) of the first optical output 19 from the laser region 13 has a bias current equal to or higher than the oscillation threshold, the extinction ratio is in a poor state of 4:1. On the other hand, the extinction ratio of the second optical output 16 from the saturable absorption region 14 is improved to 15:1 because the optical output of the space "0" is attenuated.

実際にこの集積型半導体レーザ素子32の可飽和吸収領
域14からの光出力16をアイソレータ及び対物レンズ
を介して、単一モードファイバに入射させ、2Gb/s
のRZ符号で、100 kmの単一モードファイバ伝送
実験を行なった結果、消光比劣化による感度劣化は0.
5dB以下程度であった。また波長1.5.umでの波
長分散18ps/km/nmの単一モードファイバを1
00 km伝送した後の分散による感度劣化は0.5d
Bと小さくできた。
Actually, the optical output 16 from the saturable absorption region 14 of this integrated semiconductor laser device 32 is inputted into a single mode fiber via an isolator and an objective lens, and the optical output is 2Gb/s.
As a result of conducting a 100 km single mode fiber transmission experiment with an RZ code of
It was about 5 dB or less. Also, the wavelength is 1.5. A single mode fiber with wavelength dispersion of 18 ps/km/nm at
Sensitivity degradation due to dispersion after 00 km transmission is 0.5d
I was able to make it as small as B.

第5図は本発明の第2の実施例の光送信装置のブロック
図である。ここでは光源に、1.55μm帯で単一軸モ
ード発振するDFBレーザ24を用い、可飽和吸収体2
7には、InGaASとInAl1ASによる多重量子
井戸(MQW)構造のものを用いた。この可飽和吸収体
27は、InP基板上に、厚さ1μmのInAl2AS
層を形成し、その上に、厚さがそれぞれ80人のrnc
aAs層とr nAlAs層とを交互に30周期に亘っ
て成長させた構造であり、波長1.55μm付近にエキ
シトンの関与する吸収ピークが存在するものである。
FIG. 5 is a block diagram of an optical transmitter according to a second embodiment of the present invention. Here, a DFB laser 24 that oscillates in a single axis mode in the 1.55 μm band is used as a light source, and a saturable absorber 2
For No. 7, a multiple quantum well (MQW) structure made of InGaAS and InAl1AS was used. This saturable absorber 27 is made of InAl2AS with a thickness of 1 μm on an InP substrate.
form a layer, on top of which each rnc has a thickness of 80 people
It has a structure in which aAs layers and rnAlAs layers are grown alternately over 30 periods, and an absorption peak associated with excitons exists around a wavelength of 1.55 μm.

第5図に於いて、DFBレーザ24からの光出力3oは
対物レンズ25、戻り光防止のためのアイソレーク26
を介して、可飽和吸収体27に入射している。
In FIG. 5, the optical output 3o from the DFB laser 24 is transmitted through an objective lens 25 and an isolake 26 for preventing return light.
The light is incident on the saturable absorber 27 via.

可飽和吸収体27からの光出力28は対物レンズ33を
介して送信用の単一モードファイバ34に入射している
。また、アイソレータ26からの光出力31は、可飽和
吸収体27の各層に対して垂直に入射している。以上の
構成で、DFBレーザ24の発振スペクトルが狭くなる
ように、DFBレーザ24を発振閾値以上にバイアスし
、2Gb/sのRZ符号で変調した。その結果DFBレ
ーザ24からの被変調光である光出力29は、消光比が
5=1で発振スペクトル幅のすそ拡がりが4人と云う状
態であった。
The optical output 28 from the saturable absorber 27 enters a single mode fiber 34 for transmission via an objective lens 33. Furthermore, the optical output 31 from the isolator 26 is incident perpendicularly to each layer of the saturable absorber 27. With the above configuration, the DFB laser 24 was biased above the oscillation threshold and modulated with a 2 Gb/s RZ code so that the oscillation spectrum of the DFB laser 24 was narrowed. As a result, the optical output 29, which is the modulated light from the DFB laser 24, had an extinction ratio of 5=1 and a base spread of the oscillation spectrum width of 4.

一方、可飽和吸収体27ではスペース“0”に相当する
光出力が吸収されるため、可飽和吸収体27からの光出
力28は、消光比が18:1と改善され、発振スペクト
ル幅のすそ拡がりも1人と狭くなっている。この光出力
28を送信光として、100 kmの単一モードファイ
バを伝送し、受信感度の符号誤り率特性を調べた結果、
消光比劣化及び分散による感度劣化はそれぞれ0.5d
B以下と小さかった。
On the other hand, since the saturable absorber 27 absorbs the optical output corresponding to the space "0", the optical output 28 from the saturable absorber 27 has an improved extinction ratio of 18:1 and a narrower oscillation spectrum width. The spread has narrowed to just one person. As a result of transmitting this optical output 28 as transmission light through a 100 km single mode fiber and examining the reception sensitivity and bit error rate characteristics,
Sensitivity degradation due to extinction ratio degradation and dispersion is 0.5d each.
It was small, below B.

以上、前述のように、可飽和吸収体を用いることにより
、DFBレーザの光変調出力の消光比の改善及び発振ス
ペクトル幅の減少が可能となり、長距離の単一モードフ
ァイバ伝送時にも、受信感度劣化の生じない送信光を得
ることができる。
As mentioned above, by using a saturable absorber, it is possible to improve the extinction ratio of the optically modulated output of the DFB laser and reduce the oscillation spectrum width. Transmission light without deterioration can be obtained.

なお、上記実施例では、光源に1.5μm帯で発振する
DFBレーザを用いたが光源はこれに限らず、例えば単
一軸モード発振する分布帰還形レーザ(DBRレーザ)
、ファブリ・ペロー型半導体レーザ等を用いてもよい。
In the above embodiment, a DFB laser that oscillates in the 1.5 μm band is used as the light source, but the light source is not limited to this, and for example, a distributed feedback laser (DBR laser) that oscillates in a single axis mode may be used.
, Fabry-Perot type semiconductor laser, etc. may be used.

また、光源の発振波長は1.5μm帯に限らず、波長1
.3μm帯でもよい。また、可飽和吸収体には、半導体
で構成されたものを用いたが、可飽和吸収体の材料は半
導体に限らず、レーザの発振波長で可飽和吸収の効果を
示すものであればいかなるものでもよい。
In addition, the oscillation wavelength of the light source is not limited to the 1.5 μm band, but the wavelength 1
.. A 3 μm band may also be used. In addition, although we used a saturable absorber made of a semiconductor, the material of the saturable absorber is not limited to semiconductors, but any material that exhibits the effect of saturable absorption at the oscillation wavelength of the laser can be used. But that's fine.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

本発明による光送信装置では、高速変調時にも狭いスペ
クトル幅で発振するとともに、消光比の高い光変調波形
が得られる。
The optical transmitter according to the present invention oscillates with a narrow spectrum width even during high-speed modulation, and can obtain an optical modulation waveform with a high extinction ratio.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明の第1の実施例を示す光送信装置の構成
図、 第2図はこの光送信装置の電流対光出力特性を示す線図
、 第3図は前記光送信装置の発振スペクトル特性を示す線
図、 第4図は前記光送信装置の光変調波形を示す線図、 第5図は本発明の第2の実施例を示す光送信装置のブロ
ック図、 第6図および第7図は本発明の詳細な説明するための線
図である。 1 ・・・・・・・・・・・・・・・ n−1nP基板
2 ・・・・・・・・・・・・・・・ 活性層3 ・・
・・・・・・・・・・・・・ 光ガイド層4 ・・・・
・・・・・・・・・・・ クラッド層5 ・・・・・・
・・・・・・・・・ キャップ層6.7.8  ・・・
 電極 9・・・・・・・・・・・・・・・溝 10  ・・・・・・・・・・・・・・・ 回折格子1
1  ・・・・・・・・・・・・・・・ 駆動用電気回
路12  ・・・・・・・・・・・・・・・ 制御用電
気回路13  ・・・・・・・・・・・・・・・ レー
ザ領域14  ・・・・・・・・・・・・・・・ 可飽
和吸収領域15  ・・・・・・・・・・・・・・・ 
無反射コーテイング膜16、19.28.29.30.
31・・・ 光出力17、18  ・・・・・・・・・
 端面20  ・・・・・・・・・・・・・・・ バイ
アス電流21  ・・・・・・・・・・・・・・・ 変
調電流23  ・・・・・・・・・・・・・・・ 制御
電流24  ・・・・・・・・・・・・・・・ DFB
レーザ25、33・・・・・・・・・・・・ 対物レン
ズ26  ・・・・・・・・・・・・・・・ アイソレ
ータ27  ・・・・・・・・・・・・・・・ 可飽和
吸収体32  ・・・・・・・・・・・・・・・ 集積
型半導体レーザ素子34  ・・・・・・・・・・・・
・・・ 単一モードファイバ代理人 弁理士  岩 佐
 義 幸 第2図 第3図 第4図 (C)  可1四佃ΩILIlスイ本カ゛らの    
(b)  可i秒十ロp及リスイ本の売出力     
       光入社カ性寺小生第6図
FIG. 1 is a block diagram of an optical transmitter according to a first embodiment of the present invention, FIG. 2 is a diagram showing current vs. optical output characteristics of this optical transmitter, and FIG. 3 is an oscillation diagram of the optical transmitter. 4 is a diagram showing the optical modulation waveform of the optical transmitter; FIG. 5 is a block diagram of the optical transmitter according to the second embodiment of the present invention; FIGS. FIG. 7 is a diagram for explaining the present invention in detail. 1 ・・・・・・・・・・・・・・・ n-1nP substrate 2 ・・・・・・・・・・・・ Active layer 3 ・・
・・・・・・・・・・・・ Light guide layer 4 ・・・・
・・・・・・・・・・・・ Clad layer 5 ・・・・・・
・・・・・・・・・ Cap layer 6.7.8 ・・・
Electrode 9・・・・・・・・・・・・ Groove 10 ・・・・・・・・・・・・ Diffraction grating 1
1 ・・・・・・・・・・・・・・・ Drive electric circuit 12 ・・・・・・・・・・・・・・・ Control electric circuit 13 ・・・・・・・・・・・・・・・ Laser region 14 ・・・・・・・・・・・・・・・ Saturable absorption region 15 ・・・・・・・・・・・・・・・
Anti-reflection coating film 16, 19.28.29.30.
31... Light output 17, 18...
End face 20 ・・・・・・・・・・・・・・・ Bias current 21 ・・・・・・・・・・・・・・・ Modulation current 23 ・・・・・・・・・・・・・・・ Control current 24 ・・・・・・・・・・・・・・・ DFB
Laser 25, 33... Objective lens 26... Isolator 27...・ Saturable absorber 32 ・・・・・・・・・・・・ Integrated semiconductor laser element 34 ・・・・・・・・・・・・
... Single mode fiber agent Yoshiyuki Iwasa, patent attorney Figure 2 Figure 3 Figure 4 (C)
(b) Sales power of 100 million seconds and 2000 books
Photo 6 of Kashoji Elementary School

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)送信光源としての半導体レーザ素子と、前記半導
体レーザ素子をパルス変調するための駆動回路と、前記
半導体レーザ素子と光学的に結合された可飽和吸収体と
を含み、前記可飽和吸収体で前記半導体レーザ素子から
のパルス変調光の消光比改善を行なって前記可飽和吸収
体からの光出力を送信光として用いることを特徴とする
光送信装置。
(1) The saturable absorber includes a semiconductor laser device as a transmission light source, a drive circuit for pulse modulating the semiconductor laser device, and a saturable absorber optically coupled to the semiconductor laser device. An optical transmitting device characterized in that the extinction ratio of pulse modulated light from the semiconductor laser element is improved and the optical output from the saturable absorber is used as transmitted light.
JP60220310A 1985-10-04 1985-10-04 Optical transmitter Pending JPS6281086A (en)

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