JPS627983B2 - - Google Patents
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- JPS627983B2 JPS627983B2 JP13597178A JP13597178A JPS627983B2 JP S627983 B2 JPS627983 B2 JP S627983B2 JP 13597178 A JP13597178 A JP 13597178A JP 13597178 A JP13597178 A JP 13597178A JP S627983 B2 JPS627983 B2 JP S627983B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- probes
- spreading resistance
- measuring device
- probe
- thermoelectromotive force
- Prior art date
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- Expired
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- 239000000523 sample Substances 0.000 claims description 59
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 16
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Measurement Of Resistance Or Impedance (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体の比抵抗分布を測定する拡が
り抵抗測定装置に関し、特にその拡がり抵抗測定
に関連して半導体の導電性も同時に測定するよう
にした装置に関するものである。
り抵抗測定装置に関し、特にその拡がり抵抗測定
に関連して半導体の導電性も同時に測定するよう
にした装置に関するものである。
従来の拡がり抵抗装置は、第1図に示すよう
に、所定の角度に研摩された半導体基板1上に一
対の探針3を接触させ、この探針3間に電流源4
から電流を供給してこの探針3間に流れる電流に
より生じた2点間の電圧降下を電圧計5で検出す
ることにより、その2点間の拡がり抵抗を測定し
て半導体基板の比抵抗を深さ方向(図示の太線矢
印)に測定するものである。半導体基板1にPN
接合2が形成されている場合には、第5図に示す
ように拡がり抵抗の深さ方向のグラフにおいて
PN接合の位置にピークが現われるため、そのピ
ークからPN接合の位置を或る程度知ることがで
きる。なお、第5図において横軸は半導体基板の
深さを、縦軸はその拡がり抵抗をそれぞれ示す。
しかしながら、上記のような従来装置では、PN
接合の深さが浅い場合やPN接合が2つ以上ある
場合にはピークの位置を明確に識別することがで
きず、PN接合の深さを正確に決定することが困
難であつた。
に、所定の角度に研摩された半導体基板1上に一
対の探針3を接触させ、この探針3間に電流源4
から電流を供給してこの探針3間に流れる電流に
より生じた2点間の電圧降下を電圧計5で検出す
ることにより、その2点間の拡がり抵抗を測定し
て半導体基板の比抵抗を深さ方向(図示の太線矢
印)に測定するものである。半導体基板1にPN
接合2が形成されている場合には、第5図に示す
ように拡がり抵抗の深さ方向のグラフにおいて
PN接合の位置にピークが現われるため、そのピ
ークからPN接合の位置を或る程度知ることがで
きる。なお、第5図において横軸は半導体基板の
深さを、縦軸はその拡がり抵抗をそれぞれ示す。
しかしながら、上記のような従来装置では、PN
接合の深さが浅い場合やPN接合が2つ以上ある
場合にはピークの位置を明確に識別することがで
きず、PN接合の深さを正確に決定することが困
難であつた。
本発明は、このような従来装置の欠点を除去す
るためになされたもので、拡がり抵抗測定器に熱
起電力測定器を組み込むことにより、半導体の拡
がり抵抗測定と同時にその導電型の判別を行なう
ことができる拡がり抵抗測定装置を提供するもの
である。以下、図面を用いて本発明の実施例を説
明する。
るためになされたもので、拡がり抵抗測定器に熱
起電力測定器を組み込むことにより、半導体の拡
がり抵抗測定と同時にその導電型の判別を行なう
ことができる拡がり抵抗測定装置を提供するもの
である。以下、図面を用いて本発明の実施例を説
明する。
第2図は本発明にかかる拡がり抵抗測定装置の
一実施例を示す原理的な構成図である。第2図に
おいて、10a,10bは拡がり抵抗測定用の一
対の探針で、半導体基板1上に接触する先端と異
なる他端にはそれぞれ電流源11、電圧計12が
並列的に接続されている。この電流源11は前記
各探針10a,10bに電流を供給するためのも
ので、電圧計12は測定時に各探針10a,10
b間に生ずる電圧降下を検出するためのものであ
り、これら一対の探針10aおよび10b、電流
源11、電圧源12は拡がり抵抗測定器13を構
成している。14a,14bは前記探針10a,
10bに隣接して設置される熱起電力測定の探針
であり、一方の探針14aつまり冷探針14aに
対して他方の探針14bを加熱用電源15に接続
されたヒータ16により加熱することにより温探
針14bとし、これら各探針間に温度差を与える
ように設けてある。そして、各冷探針14a、温
探針14bの先端と異なる他端間には熱起電力測
定用の電圧計17が接続されており、これら冷探
針14aおよび温探針14b、加熱用電源15、
ヒータ16、電圧計17は熱起電力測定器18を
構成し、この測定器18の出力を図示しない極性
弁別器に導くことによりその熱起電力の極性を弁
別するようになつている。
一実施例を示す原理的な構成図である。第2図に
おいて、10a,10bは拡がり抵抗測定用の一
対の探針で、半導体基板1上に接触する先端と異
なる他端にはそれぞれ電流源11、電圧計12が
並列的に接続されている。この電流源11は前記
各探針10a,10bに電流を供給するためのも
ので、電圧計12は測定時に各探針10a,10
b間に生ずる電圧降下を検出するためのものであ
り、これら一対の探針10aおよび10b、電流
源11、電圧源12は拡がり抵抗測定器13を構
成している。14a,14bは前記探針10a,
10bに隣接して設置される熱起電力測定の探針
であり、一方の探針14aつまり冷探針14aに
対して他方の探針14bを加熱用電源15に接続
されたヒータ16により加熱することにより温探
針14bとし、これら各探針間に温度差を与える
ように設けてある。そして、各冷探針14a、温
探針14bの先端と異なる他端間には熱起電力測
定用の電圧計17が接続されており、これら冷探
針14aおよび温探針14b、加熱用電源15、
ヒータ16、電圧計17は熱起電力測定器18を
構成し、この測定器18の出力を図示しない極性
弁別器に導くことによりその熱起電力の極性を弁
別するようになつている。
次に、上記実施例の動作を説明する。拡がり抵
抗測定器13において半導体基板1の内部表面上
に一対の探針10a,10bを所定の距離だけ離
して接触させた状態でこの探針間に電流源11か
ら電流を供給すると、この探針10a,10b間
に流れる電流によつて生ずる2点間の電圧降下を
電圧計12で検出する。これと同時に、加熱用電
源15を投入してヒータ16を加熱しその冷探針
14aと温探針14b間に温度差を与えた状態で
これらを半導体基板1上に接触させると、冷探針
14aと温探針14b間にはその温度差に伴なう
熱起電力が得られ、この熱起電力を電圧計17に
よつて検出する。このような測定を半導体基板1
の深さ方向に沿つて順次行なうと、第6図に示す
ように、拡がり抵抗の深さ方向分布Aが得られる
と同時に、熱起電力の深さ方向分布Bが得られ
る。このとき、熱起電力の極性は、半導体基板1
の導電性によつて決まり、P型半導体の場合には
温探針14b側が負、冷探針14aが正となる熱
起電力が生じ、n型半導体の場合には温探針14
b側が正、冷探針14a側が負となる熱起電力が
生じる。したがつて、第6図に示すように、拡が
り抵抗の深さ方向分布AにおいてPN接合の位置
に明瞭なピークが現れない場合でも、熱起電力の
極性が明瞭に変化するので、PN接合の位置をは
つきりと決定することができる。また、半導体基
板内の各層の導電型を決定することもできる。
抗測定器13において半導体基板1の内部表面上
に一対の探針10a,10bを所定の距離だけ離
して接触させた状態でこの探針間に電流源11か
ら電流を供給すると、この探針10a,10b間
に流れる電流によつて生ずる2点間の電圧降下を
電圧計12で検出する。これと同時に、加熱用電
源15を投入してヒータ16を加熱しその冷探針
14aと温探針14b間に温度差を与えた状態で
これらを半導体基板1上に接触させると、冷探針
14aと温探針14b間にはその温度差に伴なう
熱起電力が得られ、この熱起電力を電圧計17に
よつて検出する。このような測定を半導体基板1
の深さ方向に沿つて順次行なうと、第6図に示す
ように、拡がり抵抗の深さ方向分布Aが得られる
と同時に、熱起電力の深さ方向分布Bが得られ
る。このとき、熱起電力の極性は、半導体基板1
の導電性によつて決まり、P型半導体の場合には
温探針14b側が負、冷探針14aが正となる熱
起電力が生じ、n型半導体の場合には温探針14
b側が正、冷探針14a側が負となる熱起電力が
生じる。したがつて、第6図に示すように、拡が
り抵抗の深さ方向分布AにおいてPN接合の位置
に明瞭なピークが現れない場合でも、熱起電力の
極性が明瞭に変化するので、PN接合の位置をは
つきりと決定することができる。また、半導体基
板内の各層の導電型を決定することもできる。
第3図は本発明の他の実施例を示すものであ
り、拡がり抵抗測定用の一対の探針のうち一方を
熱起電力測定用の冷探針として使用し、温探針と
組み合わせて熱起電力測定器18を構成するもの
である。この実施例においては拡がり抵抗測定の
場合には電流源11から電流が供給されるので、
熱起電力測定用探針の方には熱起電力以外の電界
が生じている。したがつて、熱起電力測定の場合
には、電流源11を切り、拡がり抵抗測定を一時
的に停止させればよい。すなわち、拡がり抵抗測
定と熱起電力測定は時分割的に行なうことにな
る。このように時分割測定をすることにより、上
記実施例と同様に、第6図に示すような深さ方向
の拡がり抵抗分布と深さ方向の熱起電力分布が得
られる。
り、拡がり抵抗測定用の一対の探針のうち一方を
熱起電力測定用の冷探針として使用し、温探針と
組み合わせて熱起電力測定器18を構成するもの
である。この実施例においては拡がり抵抗測定の
場合には電流源11から電流が供給されるので、
熱起電力測定用探針の方には熱起電力以外の電界
が生じている。したがつて、熱起電力測定の場合
には、電流源11を切り、拡がり抵抗測定を一時
的に停止させればよい。すなわち、拡がり抵抗測
定と熱起電力測定は時分割的に行なうことにな
る。このように時分割測定をすることにより、上
記実施例と同様に、第6図に示すような深さ方向
の拡がり抵抗分布と深さ方向の熱起電力分布が得
られる。
第4図は本発明のさらに他の実施例を示すもの
であり、拡がり抵抗測定用の一対の探針のうち一
方の探針10aにヒータ16を取付けてこれを温
探針として用い、拡がり抵抗測定用探針と熱起電
力測定用探針とを共用するように構成したもので
ある。この実施例においては、拡がり抵抗測定の
場合は電流源11から電流を供給し、電圧計12
で電圧を測定して拡がり抵抗を測定する。この
際、温探針用ヒータ16は切つておく。他方、熱
起電力測定の場合には電流源11は動作させず、
温探針用ヒータ16を動作させて温探針を形成
し、他の冷探針との間で熱起電力を測定する。こ
のように時分割測定することにより、第6図に示
す深さ方向の拡がり抵抗分布と深さ方向の熱起電
力分布が得られる。
であり、拡がり抵抗測定用の一対の探針のうち一
方の探針10aにヒータ16を取付けてこれを温
探針として用い、拡がり抵抗測定用探針と熱起電
力測定用探針とを共用するように構成したもので
ある。この実施例においては、拡がり抵抗測定の
場合は電流源11から電流を供給し、電圧計12
で電圧を測定して拡がり抵抗を測定する。この
際、温探針用ヒータ16は切つておく。他方、熱
起電力測定の場合には電流源11は動作させず、
温探針用ヒータ16を動作させて温探針を形成
し、他の冷探針との間で熱起電力を測定する。こ
のように時分割測定することにより、第6図に示
す深さ方向の拡がり抵抗分布と深さ方向の熱起電
力分布が得られる。
以上のように、本発明によれば、拡がり抵抗測
定器に熱起電力を測定する機能を付加するように
したので、拡がり抵抗測定と同時にPN判定をす
ることができる。したがつて、半導体基板の比抵
抗測定と同時に導電型を決することができる。ま
た、半導体基板の内部の深さ方向の拡がり抵抗分
布を測定する場合にはその導電型の深さ方向分布
も得られ、PN接合の位置を正確に決定すること
ができるという優れた効果がある。
定器に熱起電力を測定する機能を付加するように
したので、拡がり抵抗測定と同時にPN判定をす
ることができる。したがつて、半導体基板の比抵
抗測定と同時に導電型を決することができる。ま
た、半導体基板の内部の深さ方向の拡がり抵抗分
布を測定する場合にはその導電型の深さ方向分布
も得られ、PN接合の位置を正確に決定すること
ができるという優れた効果がある。
第1図は従来の拡がり抵抗測定装置の一例を示
す構成図、第2図は本発明にかかる拡がり抵抗測
定装置の一実施例を示す原理的な構成図、第3図
および第4図は本発明の他の実施例を示す構成
図、第5図は第1図に示す装置で得られた拡がり
抵抗の深さ方向分布図、第6図は本発明装置によ
り得られた拡がり抵抗および熱起電力の深さ方向
分布図である。 10a,10b……拡がり抵抗測定用探針、1
1……電流源、12……電圧計、13……拡がり
抵抗測定器、14a,14b……熱起電力測定用
の冷探針および温探針、15……加熱用電源、1
6……ヒータ、17……電圧計、18……熱起電
力測定器。
す構成図、第2図は本発明にかかる拡がり抵抗測
定装置の一実施例を示す原理的な構成図、第3図
および第4図は本発明の他の実施例を示す構成
図、第5図は第1図に示す装置で得られた拡がり
抵抗の深さ方向分布図、第6図は本発明装置によ
り得られた拡がり抵抗および熱起電力の深さ方向
分布図である。 10a,10b……拡がり抵抗測定用探針、1
1……電流源、12……電圧計、13……拡がり
抵抗測定器、14a,14b……熱起電力測定用
の冷探針および温探針、15……加熱用電源、1
6……ヒータ、17……電圧計、18……熱起電
力測定器。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 先端が試料に接触する一対の探針、この探針
間に電流を流す電流源、探針間の電圧を測定する
電圧測定手段からなる拡がり抵抗測定器と、 先端が試料に接触する一対の探針、両探針に温
度差を与えるために一方の探針に設けたヒータ、
探針間の電圧を測定する電圧測定手段からなる熱
起電力測定器と を備えた拡がり抵抗測定装置。 2 熱起電力測定器のヒータのない方の探針を、
拡がり抵抗測定器の一方の探針と兼用した特許請
求の範囲第1項記載の拡がり抵抗測定装置。 3 熱起電力測定器の一対の探針を、拡がり抵抗
測定器の一対の探針と兼用した特許請求の範囲第
1項記載の拡がり抵抗測定装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13597178A JPS5560869A (en) | 1978-10-31 | 1978-10-31 | Device for measuring spreading resistance |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13597178A JPS5560869A (en) | 1978-10-31 | 1978-10-31 | Device for measuring spreading resistance |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5560869A JPS5560869A (en) | 1980-05-08 |
JPS627983B2 true JPS627983B2 (ja) | 1987-02-20 |
Family
ID=15164135
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP13597178A Granted JPS5560869A (en) | 1978-10-31 | 1978-10-31 | Device for measuring spreading resistance |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5560869A (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0528769Y2 (ja) * | 1985-07-16 | 1993-07-23 | ||
US5369372A (en) * | 1990-12-13 | 1994-11-29 | Interuniversitair Micro Elektronica Centrum Vzw | Method for resistance measurements on a semiconductor element with controlled probe pressure |
US5585734A (en) * | 1990-07-09 | 1996-12-17 | Interuniversitair Micro Elektronica Centrum Vzw | Method for determining the resistance and carrier profile of a semiconductor element using a scanning proximity microscope |
US5214389A (en) * | 1992-01-06 | 1993-05-25 | Motorola, Inc. | Multi-dimensional high-resolution probe for semiconductor measurements including piezoelectric transducer arrangement for controlling probe position |
US5723981A (en) * | 1994-08-29 | 1998-03-03 | Imec Vzw | Method for measuring the electrical potential in a semiconductor element |
CN105116229B (zh) * | 2015-07-21 | 2018-03-16 | 中国船舶重工集团公司第七一二研究所 | 一种燃料电池电阻测量装置 |
-
1978
- 1978-10-31 JP JP13597178A patent/JPS5560869A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5560869A (en) | 1980-05-08 |
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