JPS6276333A - 光出力自動制御装置 - Google Patents
光出力自動制御装置Info
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- JPS6276333A JPS6276333A JP60215839A JP21583985A JPS6276333A JP S6276333 A JPS6276333 A JP S6276333A JP 60215839 A JP60215839 A JP 60215839A JP 21583985 A JP21583985 A JP 21583985A JP S6276333 A JPS6276333 A JP S6276333A
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- Japan
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- semiconductor laser
- laser diode
- circuit
- optical output
- optical
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- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B10/00—Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
- H04B10/50—Transmitters
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
- Signal Processing (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光中継器その他に利用され、半導体レーザダイ
オードの光出力レベルを一定に保つだめの光出力自動制
御装置に関する。
オードの光出力レベルを一定に保つだめの光出力自動制
御装置に関する。
本発明は、半導体レーザダイオードの光出力をモニタし
、このモニタ出力によりバイアス電流を変化させ光出力
レベルを一定しベルに自動制御する光出力自動制御装置
において、 モニタされる半導体レーザダイオードの光出力が、その
前方光から取り出される構成にすることにより、 半導体レーザダイオードモジュールの温度特性あるいは
経年劣化による光出力レベルの変動に対する補償のほか
に、さらに半導体レーザダイオードと光ファイバの結合
系との結合損失において、その温度特性あるいは経年劣
化による光出力レベルの変動に対する補償をも可能にす
るようにしたものである。
、このモニタ出力によりバイアス電流を変化させ光出力
レベルを一定しベルに自動制御する光出力自動制御装置
において、 モニタされる半導体レーザダイオードの光出力が、その
前方光から取り出される構成にすることにより、 半導体レーザダイオードモジュールの温度特性あるいは
経年劣化による光出力レベルの変動に対する補償のほか
に、さらに半導体レーザダイオードと光ファイバの結合
系との結合損失において、その温度特性あるいは経年劣
化による光出力レベルの変動に対する補償をも可能にす
るようにしたものである。
第３図は、従来の光出力自動制御装置を示すブロック構
成図である。第３図に示すように、半導体レーザダイオ
ードの温度特性および経年劣化による光出力レベルの変
動および低下を補償する従来の光出力自動制御装置は、
半導体レーザダイオードモジュールｌの後方光１２のレ
ベルを光電気変換回路７でモニタし、かつ光電気変換回
路の出力を直流バイアス制御回路に接続し、直流バイア
ス電流を可変することによって、光出力レベルが一定に
なるように補償している。
成図である。第３図に示すように、半導体レーザダイオ
ードの温度特性および経年劣化による光出力レベルの変
動および低下を補償する従来の光出力自動制御装置は、
半導体レーザダイオードモジュールｌの後方光１２のレ
ベルを光電気変換回路７でモニタし、かつ光電気変換回
路の出力を直流バイアス制御回路に接続し、直流バイア
ス電流を可変することによって、光出力レベルが一定に
なるように補償している。
このような従来の半導体レーザダイオード後方光をモニ
タする従来の方式では、第４図に示す半導体レーザダイ
オードモジュールの構成となっている場合には、半ぶ体
レーザダイオートチ、ブの温度特性による光出力レベル
の変動および半導体レーザダイオードチップ経年劣化に
よる光出力レベルの低下は補償できるが、半導体レーザ
ダイオード千ノブと結合系９および光ファイバ１０との
結合損失の温度特性および経年劣化による前方光の光フ
アイバ入力レベルの変動および低下の補償を行うことが
できない欠点がある。
タする従来の方式では、第４図に示す半導体レーザダイ
オードモジュールの構成となっている場合には、半ぶ体
レーザダイオートチ、ブの温度特性による光出力レベル
の変動および半導体レーザダイオードチップ経年劣化に
よる光出力レベルの低下は補償できるが、半導体レーザ
ダイオード千ノブと結合系９および光ファイバ１０との
結合損失の温度特性および経年劣化による前方光の光フ
アイバ入力レベルの変動および低下の補償を行うことが
できない欠点がある。
したがって、半導体レーザダイオードが劣化しなくても
、結合［置火の劣化が著しく生じた場合には、その補償
ができないので光伝送路の方式寿命が低下する問題点が
あった。
、結合［置火の劣化が著しく生じた場合には、その補償
ができないので光伝送路の方式寿命が低下する問題点が
あった。
本発明は、上記の問題点を解決するもので、半導体レー
ザダイオードと結合系および光ファイバとの結合損失の
温度特性および経年劣化の補償を可能にできる光出力自
動詞ＪＢ Ｗ置を提供することを目的とする。
ザダイオードと結合系および光ファイバとの結合損失の
温度特性および経年劣化の補償を可能にできる光出力自
動詞ＪＢ Ｗ置を提供することを目的とする。
本発明第一の発明は、半導体レーザダイオードと、この
半導体レーザダイオードを駆動する駆動回路と、上記半
導体レーザダイオードの直流バイアス電流を変化させ光
出力レベルを制御する直流バイアス制御回路と、上記半
導体レーザダイオードの光出力を電気信号に変換する光
電気変換回路とを備え、上記直流バイアス制御回路はこ
の電気信号が一定値になるように直流バイアス電流を制
御する手段を含む光出力自動制御装置において、上記半
導体レーザダイオードの前方光の光出力の一方を伝送路
に他方を上記光電気変換回路に分岐する光分岐器を備え
、上記光電気変換回路の光入力は上記光分岐器で分岐さ
れた上記前方光の光出力であることを特徴とする。
半導体レーザダイオードを駆動する駆動回路と、上記半
導体レーザダイオードの直流バイアス電流を変化させ光
出力レベルを制御する直流バイアス制御回路と、上記半
導体レーザダイオードの光出力を電気信号に変換する光
電気変換回路とを備え、上記直流バイアス制御回路はこ
の電気信号が一定値になるように直流バイアス電流を制
御する手段を含む光出力自動制御装置において、上記半
導体レーザダイオードの前方光の光出力の一方を伝送路
に他方を上記光電気変換回路に分岐する光分岐器を備え
、上記光電気変換回路の光入力は上記光分岐器で分岐さ
れた上記前方光の光出力であることを特徴とする。
本発明第二の発明は、同様の光出力自動制御装置におい
て、光電気変換回路は、半導体レーザダイオードの前方
光の光出力を入力する第一の光電気変換回路と、その半
導体レーザダイオードの後方光を入力する第二の光電気
変換回路とを含み、上記半導体レーザダイオードの光出
力の前方光の一方を伝送路に他方を上記第一の光電気変
換回路に分岐する光分岐器を備え、上記第一の光電気変
換回路あるいは上記第二の光電気変換回路の出力のいず
れか一方が、上記直流バイアス制御回路に切り換えて接
続されるスイッチ回路を備えたことを特徴とする。
て、光電気変換回路は、半導体レーザダイオードの前方
光の光出力を入力する第一の光電気変換回路と、その半
導体レーザダイオードの後方光を入力する第二の光電気
変換回路とを含み、上記半導体レーザダイオードの光出
力の前方光の一方を伝送路に他方を上記第一の光電気変
換回路に分岐する光分岐器を備え、上記第一の光電気変
換回路あるいは上記第二の光電気変換回路の出力のいず
れか一方が、上記直流バイアス制御回路に切り換えて接
続されるスイッチ回路を備えたことを特徴とする。
本発明第一の発明は、半導体レーザダイオードの前方光
の光出力を伝送路方向と光電気変換回路方向に分岐し、
この分岐された光出力が光電気変換回路で電気信号に変
換され、この信号により半導体レーザダイオードの直流
バイアス電流を制御する構成にすることにより、半導体
レーザダイオードモジュールの温度特性あるいは経年劣
化による光出力レベルの変動に対する補償のほかに、さ
らに半導体レーザダイオードと光ファイバの結合系との
結合１員失において、その温度特性あるいは経年劣化に
よる光出力レベルの変動に対する補償をも可能にするこ
とができる。
の光出力を伝送路方向と光電気変換回路方向に分岐し、
この分岐された光出力が光電気変換回路で電気信号に変
換され、この信号により半導体レーザダイオードの直流
バイアス電流を制御する構成にすることにより、半導体
レーザダイオードモジュールの温度特性あるいは経年劣
化による光出力レベルの変動に対する補償のほかに、さ
らに半導体レーザダイオードと光ファイバの結合系との
結合１員失において、その温度特性あるいは経年劣化に
よる光出力レベルの変動に対する補償をも可能にするこ
とができる。
本発明第二の発明は、半導体レーザダイオードの前方光
の光出力と、後方光の光出力とをそれぞれ光電気変換回
路で電気信号に変換し、各光電気変換回路の電気信号出
力のいずれか一方を切り換えて直流バイアス制御回路に
入力することにより、第一の発明と同様の動作作用を行
うとともに、半導体レーザダイオードモジュールあるい
は半導体レーザダイオードと結合系のいずれに劣化が生
じているかを特定することができる。
の光出力と、後方光の光出力とをそれぞれ光電気変換回
路で電気信号に変換し、各光電気変換回路の電気信号出
力のいずれか一方を切り換えて直流バイアス制御回路に
入力することにより、第一の発明と同様の動作作用を行
うとともに、半導体レーザダイオードモジュールあるい
は半導体レーザダイオードと結合系のいずれに劣化が生
じているかを特定することができる。
以下、本発明の実施例方式を図面に基づいて説明する。
第１図は、本発明の第一の発明の一実施例を示すブロッ
ク構成図である。第１図において、半導体レーザダイオ
ードモジュール１の信号入力端子には駆動回路２の出力
が接続され、一方ハイアス電流入力端子には直流バイア
ス制御回路３の出力が接続される。半導体レーザダイオ
ードモジュール１の前方光１１の光出力は光分岐器４に
入射され、分岐された一方の光出力１３は伝送路（図外
）に送出され、他方の光出力は光電気変換回路５に入射
される。光電気変換回路５の出力の一方は直流バイアス
制御回路３に接続され、光電気変換回路５の出力の他方
は劣化モニタ回路６に接続される。
ク構成図である。第１図において、半導体レーザダイオ
ードモジュール１の信号入力端子には駆動回路２の出力
が接続され、一方ハイアス電流入力端子には直流バイア
ス制御回路３の出力が接続される。半導体レーザダイオ
ードモジュール１の前方光１１の光出力は光分岐器４に
入射され、分岐された一方の光出力１３は伝送路（図外
）に送出され、他方の光出力は光電気変換回路５に入射
される。光電気変換回路５の出力の一方は直流バイアス
制御回路３に接続され、光電気変換回路５の出力の他方
は劣化モニタ回路６に接続される。
半導体レーザダイオードモジュール１が駆動回路２でパ
ルス変調される。半導体レーザダイオードモジュール１
の前方光１１は、光分岐器４で一方が伝送路に、他方が
光電気変換回路５の入力に分岐される。さらに上記光電
気変換回路５の出力を直流バイアス電流を制御する直流
バイアス制御回路３へ接続することによって、半導体レ
ーザダイオードチップの変動と集光レンズ系の結合損失
の変動による光フアイバ入力光レベルの変動を制御する
形で、光出力制御ループが動作する。
ルス変調される。半導体レーザダイオードモジュール１
の前方光１１は、光分岐器４で一方が伝送路に、他方が
光電気変換回路５の入力に分岐される。さらに上記光電
気変換回路５の出力を直流バイアス電流を制御する直流
バイアス制御回路３へ接続することによって、半導体レ
ーザダイオードチップの変動と集光レンズ系の結合損失
の変動による光フアイバ入力光レベルの変動を制御する
形で、光出力制御ループが動作する。
第２図は、本発明の第二の発明の一実施例を示すブロッ
ク構成図である。第二の発明の特徴は、従来の半導体レ
ーザダイオードモジュール１の後方光の光出力をモニタ
し、このモニタ出力と第一の発明で示した前方光のモニ
タ出力とを切り換えて、直流バイアス制御回路３に接続
するところにある。
ク構成図である。第二の発明の特徴は、従来の半導体レ
ーザダイオードモジュール１の後方光の光出力をモニタ
し、このモニタ出力と第一の発明で示した前方光のモニ
タ出力とを切り換えて、直流バイアス制御回路３に接続
するところにある。
すなわち、半導体レーザダイオードモジュール１の信号
入力端子には駆動回路２の出力が接続され、一方ハイア
ス電流入力端子には直流バイアス制御回路３の出力が接
続される。半導体レーザダイオードモジュール１の…■
方先光１１光出力は光分岐器４に入射され、分岐された
一方の光出力１３は伝送路（図外）に送出され、他方の
光出力は光電気変換回路５に入射される。半導体レーザ
ダイオードモジュール１の後方光１２の光出力は光電気
変換回路７に入射される。各光電気変換回路５．７の出
力は、制御信号１４により切り換えられるスイッチ回路
８を介して、いずれか一方が直流バイアス制御回路３に
接続される。
入力端子には駆動回路２の出力が接続され、一方ハイア
ス電流入力端子には直流バイアス制御回路３の出力が接
続される。半導体レーザダイオードモジュール１の…■
方先光１１光出力は光分岐器４に入射され、分岐された
一方の光出力１３は伝送路（図外）に送出され、他方の
光出力は光電気変換回路５に入射される。半導体レーザ
ダイオードモジュール１の後方光１２の光出力は光電気
変換回路７に入射される。各光電気変換回路５．７の出
力は、制御信号１４により切り換えられるスイッチ回路
８を介して、いずれか一方が直流バイアス制御回路３に
接続される。
本発明第二の発明では、半導体レーザダイオードモジュ
ール１の後方光をモニタする別の光電気変換回路７と前
方光をモニタする光電気変換回路５の二つの出力を、端
局から制御できるスイ・ノチ回路８を介して直流バイア
ス制御回路３に接続することによって、端局からいずれ
の検出レベルで検出レベルを制御するかが決定できる構
成である。
ール１の後方光をモニタする別の光電気変換回路７と前
方光をモニタする光電気変換回路５の二つの出力を、端
局から制御できるスイ・ノチ回路８を介して直流バイア
ス制御回路３に接続することによって、端局からいずれ
の検出レベルで検出レベルを制御するかが決定できる構
成である。
すなわち、半導体レーザダイオードモジュール１の温度
特性あるいは経年劣化による光フアイバ入力光レベル変
動の補償を行う場合には、半導体レーザダイオードの前
方光をモニタして、光出力制御ループが動作するので、
半導体レーザダイオードチップは劣化していないが、結
合系の劣化によって、光出力レベルが低下する場合でも
、光出力レベルが一定になるように補償することができ
る。
特性あるいは経年劣化による光フアイバ入力光レベル変
動の補償を行う場合には、半導体レーザダイオードの前
方光をモニタして、光出力制御ループが動作するので、
半導体レーザダイオードチップは劣化していないが、結
合系の劣化によって、光出力レベルが低下する場合でも
、光出力レベルが一定になるように補償することができ
る。
また、前方光、後方光ともにモニタし、端局からいずれ
かのモニタで光出力制御ループを動作させるか選択でき
る本発明第二の発明では、結合損失の劣化が光伝送路上
の次光中継器の受光レベルに影響を及ぼし、符号誤り率
の劣化が生じない場合は、後方光モニタで光出力制御ル
ープを動作させ、結合損失の劣化によって符号誤り率の
劣化が生じた場合は、前方光モニタで光出力制御ループ
の動作に切換えることによって、光ファイバ人力レベル
を一定に保つことができる。
かのモニタで光出力制御ループを動作させるか選択でき
る本発明第二の発明では、結合損失の劣化が光伝送路上
の次光中継器の受光レベルに影響を及ぼし、符号誤り率
の劣化が生じない場合は、後方光モニタで光出力制御ル
ープを動作させ、結合損失の劣化によって符号誤り率の
劣化が生じた場合は、前方光モニタで光出力制御ループ
の動作に切換えることによって、光ファイバ人力レベル
を一定に保つことができる。
すなわち、この切り換えにより半導体レーザダイオード
モジュールあるいは半導体レーザダイオードと結合系の
いずれに劣化が生じているかを特定することができる。
モジュールあるいは半導体レーザダイオードと結合系の
いずれに劣化が生じているかを特定することができる。
本発明は、以上説明したように、半導体レーザダイオー
ドモジュールの温度特性あるいは経年劣化による光出力
レベルの変動に対する補償のほかに、さらに半導体レー
ザダイオードと光ファイバの結合系との結合損失におい
て、その温度特性あるいは経年劣化による光出力レベル
の変動に対する補償をも可能にすることができるので、
光フアイバ入力レベルを一定に保つことができ、半導体
レーザダイオードモジュールおよび光伝送路の方式寿命
をのばすことができる効果がある。
ドモジュールの温度特性あるいは経年劣化による光出力
レベルの変動に対する補償のほかに、さらに半導体レー
ザダイオードと光ファイバの結合系との結合損失におい
て、その温度特性あるいは経年劣化による光出力レベル
の変動に対する補償をも可能にすることができるので、
光フアイバ入力レベルを一定に保つことができ、半導体
レーザダイオードモジュールおよび光伝送路の方式寿命
をのばすことができる効果がある。
さらに、半導体レーザダイオードの前方光モニタと後方
光モニタとを切り換えて直流バイアス制御回路を制御す
ることにより、半導体レーザダイオードモジュールある
いは半導体レーザダイオードと結合系のいずれに劣化が
生じているかを特定することができる。
光モニタとを切り換えて直流バイアス制御回路を制御す
ることにより、半導体レーザダイオードモジュールある
いは半導体レーザダイオードと結合系のいずれに劣化が
生じているかを特定することができる。
第１図は本発明第一の発明の一実施例を示すブロック構
成図。 第２図は本発明第二の発明の一実施例を示すブロック構
成図。 第３図は従来の光出力自動制御装置のブロック構成図。 第４図は半導体レーザダイオードモジュールの構成を示
す図。 １・・・半導体レーザダイオードモジュール、２・・・
駆動回路、３・・・直流バイアス制御回路、４・・・光
分岐２二、５．７・・・光電気変換回路、６・・・劣化
モニタ回路、８・・・スイッチ回路、９・・・結合系、
１０・・・光ファイバ、１１・・・前方光、１２・・・
後方光、１３・・・光出力、１４・・・制御信号。 特許出願人 日本電気株式会社 − 代理人 弁理士 井 出 直 孝 第−の発明実施例 第１図 フ 第２図 従来例 １３図 第４図
成図。 第２図は本発明第二の発明の一実施例を示すブロック構
成図。 第３図は従来の光出力自動制御装置のブロック構成図。 第４図は半導体レーザダイオードモジュールの構成を示
す図。 １・・・半導体レーザダイオードモジュール、２・・・
駆動回路、３・・・直流バイアス制御回路、４・・・光
分岐２二、５．７・・・光電気変換回路、６・・・劣化
モニタ回路、８・・・スイッチ回路、９・・・結合系、
１０・・・光ファイバ、１１・・・前方光、１２・・・
後方光、１３・・・光出力、１４・・・制御信号。 特許出願人 日本電気株式会社 − 代理人 弁理士 井 出 直 孝 第−の発明実施例 第１図 フ 第２図 従来例 １３図 第４図
Claims (2)
- （１）半導体レーザダイオード（１）と、 この半導体レーザダイオードを駆動する駆動回路（２）
と、 上記半導体レーザダイオードの直流バイアス電流を変化
させ光出力レベルを制御する直流バイアス制御回路（３
）と、 上記半導体レーザダイオードの光出力を電気信号に変換
する光電気変換回路（５）と を備え、 上記直流バイアス制御回路はこの電気信号が一定値にな
るように直流バイアス電流を制御する手段を含む 光出力自動制御装置において、 上記半導体レーザダイオードの前方光の光出力の一方を
伝送路に他方を上記光電気変換回路に分岐する光分岐器
（４）を備え、 上記光電気変換回路の光入力は上記光分岐器で分岐され
た上記前方光の光出力である ことを特徴とする光出力自動制御装置。 - （２）半導体レーザダイオード（１）と、 この半導体レーザダイオードを駆動する駆動回路（２）
と、 上記半導体レーザダイオードの直流バイアス電流を変化
させ光出力レベルを制御する直流バイアス制御回路（３
）と、 上記半導体レーザダイオードの光出力を電気信号に変換
する光電気変換回路（５）と を備え、 上記直流バイアス制御回路はこの電気信号が一定値にな
るように直流バイアス電流を制御する手段を含む 光出力自動制御装置において、 上記光電気変換回路は、上記半導体レーザダイオードの
前方光の光出力を入力する第一の光電気変換回路（５）
と、その半導体レーザダイオードの後方光を入力する第
二の光電気変換回路（７）とを含み、 上記半導体レーザダイオードの光出力の前方光の一方を
伝送路に他方を上記第一の光電気変換回路に分岐する光
分岐器（４）を備え、 上記第一の光電気変換回路あるいは上記第二の光電気変
換回路の出力のいずれか一方が、上記直流バイアス制御
回路に切り換えて接続されるスイッチ回路（８）を備え
た ことを特徴とする光出力自動制御装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60215839A JPS6276333A (ja) | 1985-09-27 | 1985-09-27 | 光出力自動制御装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60215839A JPS6276333A (ja) | 1985-09-27 | 1985-09-27 | 光出力自動制御装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6276333A true JPS6276333A (ja) | 1987-04-08 |
Family
ID=16679118
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60215839A Pending JPS6276333A (ja) | 1985-09-27 | 1985-09-27 | 光出力自動制御装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6276333A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2016101125A1 (en) * | 2014-12-23 | 2016-06-30 | Source Photonics (Chengdu) Co., Ltd. | Circuit, optical module, methods and optical communication system for dual-rate power point compensation |
-
1985
- 1985-09-27 JP JP60215839A patent/JPS6276333A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2016101125A1 (en) * | 2014-12-23 | 2016-06-30 | Source Photonics (Chengdu) Co., Ltd. | Circuit, optical module, methods and optical communication system for dual-rate power point compensation |
| US9653878B2 (en) | 2014-12-23 | 2017-05-16 | Source Photonics (Chengdu) Co., Ltd. | Circuit, optical module, methods and optical communication system for dual rate power point compensation |
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