JPS6269628A - Semiconductor device and manufacture thereof - Google Patents
Semiconductor device and manufacture thereofInfo
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- JPS6269628A JPS6269628A JP21057785A JP21057785A JPS6269628A JP S6269628 A JPS6269628 A JP S6269628A JP 21057785 A JP21057785 A JP 21057785A JP 21057785 A JP21057785 A JP 21057785A JP S6269628 A JPS6269628 A JP S6269628A
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は半導体装置およびその製造方法に関する。[Detailed description of the invention] [Technical field of invention] The present invention relates to a semiconductor device and a method for manufacturing the same.
第４図に従来の半導体装置の部分断面を示す。 FIG. 4 shows a partial cross section of a conventional semiconductor device.
リードフレームのインナーリード１の中央部分にインナ
ーリード１と所定の間隔を有してベッド部２が位置して
おり、このベッド部２上に半導体ペレット３がペースト
４を介して所定位置にマウントされている。そして、こ
の半導体ペレット３上の電極とインナーリード１とが金
線、アルミニウム線等のボンディングワイヤ（図示せず
）によって接続され、半導体ペレット３、ボンディング
ワイヤ、ベッド部２を樹脂にてモールドして半導体装置
が形成される。ここで、ベッド部２は半導体ペレット３
をマウントしやすくするため、および電気的抵抗を介す
るため、通常マウントされる半導体ペレット３よりも大
きなサイズとなるように形成されている。A bed portion 2 is located at the center of the inner lead 1 of the lead frame with a predetermined distance from the inner lead 1, and a semiconductor pellet 3 is mounted on the bed portion 2 at a predetermined position via a paste 4. ing. Then, the electrode on the semiconductor pellet 3 and the inner lead 1 are connected by a bonding wire (not shown) such as a gold wire or an aluminum wire, and the semiconductor pellet 3, the bonding wire, and the bed portion 2 are molded with resin. A semiconductor device is formed. Here, the bed part 2 is a semiconductor pellet 3
In order to facilitate mounting and to provide electrical resistance, the semiconductor pellet 3 is formed to have a larger size than the semiconductor pellet 3 that is normally mounted.
しかしながら、このようにリードフレームのベッド部２
が半導体ペレット３よりも大きい場合には、半導体ペレ
ット３の全面にペースト１が塗布されない場合、あるい
は半導体ペレット３からペースト４がはみ出した場合に
不都合が生じる。すなわち、ペースト４が全面に塗布さ
れない場合には半導体ペレット３とベッド部２が完全に
導通せず半導体装置の電気特性が不良となり、一方、ペ
ースト４がはみ出した場合には余分なベース１〜が半導
体ペレット３の上面周縁部に付着し、ペースト４に含有
される不純物によって半導体ペレット３表面に形成され
たアルミニウム配線層がコロ−ジョンを起こし、信頼性
低下の原因となる。さらに、ベッド部２が大きいど、ペ
ーストの滴下位置精度や滴下量精度が要求されこれら精
度を満足するようにペーストを滴下することは困難であ
るという問題があった。However, in this way, the bed part 2 of the lead frame
is larger than the semiconductor pellet 3, problems will occur if the paste 1 is not applied to the entire surface of the semiconductor pellet 3 or if the paste 4 protrudes from the semiconductor pellet 3. That is, if the paste 4 is not applied to the entire surface, the semiconductor pellet 3 and the bed part 2 will not be completely electrically conductive, resulting in poor electrical characteristics of the semiconductor device.On the other hand, if the paste 4 protrudes, the excess base 1~ The impurities attached to the upper surface of the semiconductor pellet 3 and contained in the paste 4 cause corrosion of the aluminum wiring layer formed on the surface of the semiconductor pellet 3, causing a decrease in reliability. Furthermore, although the bed portion 2 is large, precision in the dropping position and amount of the paste is required, and there is a problem in that it is difficult to drop the paste in a manner that satisfies these precisions.
本発明は、上記事情を考慮してなされたもので、ペース
トの塗布むらや余分なぺ・−ストによる信頼性の低下を
招くことなく、ベース１〜の使用量が適切な半導体装置
おＪ：びその製造方法を提供することを目的としている
。The present invention has been made in consideration of the above-mentioned circumstances, and is a semiconductor device in which an appropriate amount of base 1 to J is used without causing deterioration in reliability due to uneven paste application or excess paste. The purpose of this research is to provide a method for manufacturing the same.
〔発明の概要〕
上記目的を達成するため本発明による半導体装置は、リ
ードフレームのベッド部のサイズをマウン１〜される半
導体ペレットのυイズよりも小さくしてペーストの広が
りをベッド部のサイズで制限するようにしたことを特徴
としている。また、本発明による半導体装置の製造方法
は、ペーストが滴下されたベッド部に半導体ペレットを
マウントするに際し、ベッド部の外側にはみ出したペー
ストを真空吸引で除去して半導体ペレットへの付着を防
止したことを特徴としている。[Summary of the Invention] In order to achieve the above object, the semiconductor device according to the present invention has the size of the bed portion of the lead frame smaller than the υ size of the semiconductor pellet to be mounted, so that the spread of the paste is controlled by the size of the bed portion. It is characterized by being restricted. Further, in the method for manufacturing a semiconductor device according to the present invention, when mounting the semiconductor pellet on the bed portion onto which the paste has been dropped, the paste protruding outside the bed portion is removed by vacuum suction to prevent it from adhering to the semiconductor pellet. It is characterized by
以下、図示の一実施例により本発明を説明する。 The present invention will be explained below with reference to an illustrated embodiment.
第１図に示すように、半導体ペレット１１がマウントさ
れるリードフレームは、インナーリード及びアウターリ
ードが連設されたインナーリード１２と、インナーリー
ド１２の中央部分に所定間隔で設けられたベッド部１３
を有している。この場合、ベッド部１３はタイバー１４
によってインナーリード１２のほぼ中央部分に支持され
るものである。このベッド部１３上にはベース］〜１５
を介して半導体ペレット１１がマウントされるが、ベッ
ド部１３のサイズは半導体ベレツｉ・１１のサイズより
も小さくなるように形成されている。従って、ベッド部
１３上に滴下されるペースト１５はベッド部１３のサイ
ズで制限されるにうになっている。このため、ペースト
１５の滴下量を正確にコントロールする必要がなくなる
。またベッド部１３全面にペースト１５を塗布すればい
いのでペースト１５の滴下位置をコントロールする必要
がなくなる。次に、半導体ペレット１１の電極とリード
フレームのリード部１２のインナーリードとがボンディ
ングワイヤ（図示せず）によって接続される。半導体ペ
レッ１〜１１、ボンディングワイヤ、ベッド部１３およ
びインナーリード１２を含む領域が例えば樹脂によって
封止されて半導体装置が形成される。As shown in FIG. 1, the lead frame on which the semiconductor pellet 11 is mounted includes an inner lead 12 in which an inner lead and an outer lead are connected, and a bed part 13 provided at a predetermined interval in the center of the inner lead 12.
have. In this case, the bed section 13 is connected to the tie bar 14.
The inner lead 12 is supported approximately at the center thereof. On this bed part 13 is a base]~15
The semiconductor pellet 11 is mounted through the bed portion 13, and the size of the bed portion 13 is formed to be smaller than the size of the semiconductor pellet i.11. Therefore, the paste 15 dropped onto the bed section 13 is limited by the size of the bed section 13. Therefore, there is no need to accurately control the amount of paste 15 dropped. Furthermore, since the paste 15 can be applied to the entire surface of the bed portion 13, there is no need to control the dropping position of the paste 15. Next, the electrode of the semiconductor pellet 11 and the inner lead of the lead portion 12 of the lead frame are connected by a bonding wire (not shown). A region including semiconductor pellets 1 to 11, bonding wires, bed portion 13, and inner leads 12 is sealed with, for example, resin to form a semiconductor device.
このような半導体装置の製造は、第１図、第２図に示ず
ようにまず、リードフレームをマウントステージ１６上
に載置し、そのベッド部１３上にペースト１５を滴下し
て行なわれる。このマウントステージ１６のベッド部１
３下方には所定の深さで低くなる四部が形成され、この
凹部に吸引穴１７が開設されている。そして、この吸引
穴１７がホース等によって図示しない真空ポンプに接続
されている。かかる吸引はベッド部１３上に半導体ペレ
ット１１が載置されると同時、あるいはそれ以前から行
なわれており、半導体ペレット１１の載置でベッド部１
３から外側に押し出された余分のペーストがベッド部１
３上の半導体ベレット１１上面まで巡り込んで付着する
ことがないから、信頼性が向上すると共にペースト１５
の滴下量を多くして接着性を向上させることができる。In manufacturing such a semiconductor device, as shown in FIGS. 1 and 2, a lead frame is first placed on a mount stage 16, and paste 15 is dropped onto the bed portion 13 of the lead frame. Bed part 1 of this mount stage 16
Below 3, four parts are formed that become lower at a predetermined depth, and a suction hole 17 is opened in this recess. This suction hole 17 is connected to a vacuum pump (not shown) via a hose or the like. Such suction is performed at the same time as the semiconductor pellet 11 is placed on the bed section 13, or even before that, and when the semiconductor pellet 11 is placed, the bed section 1
The excess paste pushed out from the bed part 1
Since the paste 15 does not go around and adhere to the upper surface of the semiconductor pellet 11 on the semiconductor pellet 3, reliability is improved and the paste 15
The adhesion can be improved by increasing the amount of dripping.
またペースト１５はベッド部１３の全面に塗布されてい
るので電気的特性も安定したものが得られる。Further, since the paste 15 is applied to the entire surface of the bed portion 13, stable electrical characteristics can be obtained.
次に、この半導体装置はワイヤボンディング工程に移送
される。このワイヤボンディングに際しては、ボンディ
ングワイヤの接続性を良好に行うため、半導体ペレット
１１おにびリードフレームをヒータブロックで加温して
行なう。第３図はこのワイヤボンディング時の状態を示
している。加温を行なうヒータブロック１８はリードフ
レームおよび半導体ペレット１１を内部に収納できるよ
うに凹部が形成されるが、凹部内にはベッド部１３の外
縁よりも外側にはみ出した半導体ベレッ１−の周縁部分
を支持して加温する段部１９が形成されている。半導体
ペレット１１４；１周縁部分の段部１９に支持されるこ
とで、ワイヤボンディング時の圧力等によってクラック
が発生するのを防１にすることができる。従って、半導
体ペレット１１の電極とリード部のインナーリードとの
接続が良好に行なわれる。このワイヤボンディングの後
は、樹脂を半導体ペレット１１、ボンディングワイＶ１
インナーリードを含む領域にモールドし、半導体装置が
製造される。Next, this semiconductor device is transferred to a wire bonding process. During this wire bonding, the semiconductor pellet 11 and the lead frame are heated with a heater block to ensure good connectivity of the bonding wire. FIG. 3 shows the state during this wire bonding. The heater block 18 that performs heating is formed with a recess so that the lead frame and the semiconductor pellet 11 can be housed therein, but inside the recess there is a peripheral edge portion of the semiconductor pellet 1- that protrudes beyond the outer edge of the bed portion 13. A stepped portion 19 is formed to support and heat the. The semiconductor pellet 114 is supported by the stepped portion 19 at the periphery, thereby preventing cracks from occurring due to pressure during wire bonding. Therefore, the electrode of the semiconductor pellet 11 and the inner lead of the lead portion are well connected. After this wire bonding, the resin is transferred to the semiconductor pellet 11 and the bonding wire V1.
A semiconductor device is manufactured by molding the area including the inner leads.
以上のとおり本発明によれば、リードフレームのベッド
部をマウントされる半導体ペレットよりも小さなサイズ
にしたから、ペースｌ−ｌｉｔを多くして接着性を向上
させることができる。また、本発明の１１１造方法によ
れば、半導体ペレットを載置することによりベッド部の
外側にはみ出した余分のペーストを吸引力で除去するよ
うにしたから、ペーストが半導体ペレットの上面まで付
着することがなく、かつ電気的特性の低下を防止でき、
信頼性を向４ニさせることができる。As described above, according to the present invention, since the bed portion of the lead frame is made smaller in size than the semiconductor pellet to be mounted, it is possible to increase the pace l-lit and improve adhesiveness. Furthermore, according to the 111 manufacturing method of the present invention, excess paste protruding from the outside of the bed section is removed by suction when the semiconductor pellet is placed, so that the paste adheres to the top surface of the semiconductor pellet. and can prevent deterioration of electrical characteristics.
Reliability can be improved fourfold.
第１図、第２図は本発明による半導体装置のマウン１一
時の状態を示す断面図および平面図、第３図は同半導体
装置のワイヤボンディング時の状態を示す断面図、第４
図は従来の半導体装置の断面図である。
１１・・・半導体ペレット、１２・・・リード部、１３
・・・ベッド部、１／Ｉ・・・タイバー、１５・・・ペ
ース１〜．１６・・・マウントステージ、１８・・・ヒ
ータブロック。
第 １ 図
第２図
旧
第３ 図
第４図1 and 2 are a cross-sectional view and a plan view showing the state of the semiconductor device according to the present invention when the mount 1 is in a temporary state, FIG. 3 is a cross-sectional view showing the state of the semiconductor device during wire bonding, and FIG.
The figure is a cross-sectional view of a conventional semiconductor device. 11... Semiconductor pellet, 12... Lead part, 13
...Bed part, 1/I...Tie bar, 15...Pace 1~. 16...Mount stage, 18...Heater block. Figure 1 Figure 2 Old Figure 3 Figure 4
Claims (1)
ーストを介してマウントした半導体装置において、 前記ベッド部のサイズが前記半導体ペレットのサイズよ
りも小さいことを特徴とする半導体装置。 ２、リードフレームのベッド部にペーストを滴下し、前
記ベッド部よりも大きなサイズの半導体ペレットを前記
ベッド部上に載置し、前記ベッド部の外側に押し出され
た余分のペーストを真空吸引により除去することにより
、前記ベッド部に前記半導体ペレットをマウントするこ
とを特徴とする半導体装置の製造方法。[Claims] 1. A semiconductor device in which a semiconductor pellet is mounted on a bed portion of a lead frame via paste, wherein the size of the bed portion is smaller than the size of the semiconductor pellet. 2. Drop the paste onto the bed part of the lead frame, place a semiconductor pellet larger than the bed part on the bed part, and remove the excess paste pushed out to the outside of the bed part by vacuum suction. A method for manufacturing a semiconductor device, comprising: mounting the semiconductor pellet on the bed portion.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21057785A JPS6269628A (en) | 1985-09-24 | 1985-09-24 | Semiconductor device and manufacture thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21057785A JPS6269628A (en) | 1985-09-24 | 1985-09-24 | Semiconductor device and manufacture thereof |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6269628A true JPS6269628A (en) | 1987-03-30 |
Family
ID=16591613
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21057785A Pending JPS6269628A (en) | 1985-09-24 | 1985-09-24 | Semiconductor device and manufacture thereof |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6269628A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0628997A3 (en) * | 1993-06-10 | 1995-09-06 | Texas Instruments Inc | Semiconductor device with small die pad and method of making same. |
-
1985
- 1985-09-24 JP JP21057785A patent/JPS6269628A/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0628997A3 (en) * | 1993-06-10 | 1995-09-06 | Texas Instruments Inc | Semiconductor device with small die pad and method of making same. |
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