JPS6262573A - フオルステライト固体レ−ザホスト - Google Patents
フオルステライト固体レ−ザホストInfo
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- JPS6262573A JPS6262573A JP60201493A JP20149385A JPS6262573A JP S6262573 A JPS6262573 A JP S6262573A JP 60201493 A JP60201493 A JP 60201493A JP 20149385 A JP20149385 A JP 20149385A JP S6262573 A JPS6262573 A JP S6262573A
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- Japan
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- ions
- valency
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- laser
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/14—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
- H01S3/16—Solid materials
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/34—Silicates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/14—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
- H01S3/16—Solid materials
- H01S3/1601—Solid materials characterised by an active (lasing) ion
- H01S3/162—Solid materials characterised by an active (lasing) ion transition metal
- H01S3/1623—Solid materials characterised by an active (lasing) ion transition metal chromium, e.g. Alexandrite
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/14—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
- H01S3/16—Solid materials
- H01S3/163—Solid materials characterised by a crystal matrix
- H01S3/1655—Solid materials characterised by a crystal matrix silicate
- H01S3/1658—Mg2SiO4 (Forsterite)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野Ｊ
本発明は発光イオンを含有したフォルステライト固体レ
ーザホストに関する。
ーザホストに関する。
し従来技術］
３価のクロムイオンを発光イオンとするフォノン終し位
レーイｆが、発振波長可変レーザとして実用化が進んで
いる。アレキサンドライト（ＢｅＡｉ！２０４ ：Ｃｒ
” ）はその代表例で、７００〜８２４ｎｍまでの波
長範囲でレーザ動作する。アレキサンドライトにおいて
、Ｃｒ Ｚ＋イオンの始準位である＋Ｔ２と基底単位で
ある４Ａ２のエネルギー幅は、結晶場の大ぎさにより、
大きく変化するため、ホストクリスタルにより発振波長
が変わることになる。
レーイｆが、発振波長可変レーザとして実用化が進んで
いる。アレキサンドライト（ＢｅＡｉ！２０４ ：Ｃｒ
” ）はその代表例で、７００〜８２４ｎｍまでの波
長範囲でレーザ動作する。アレキサンドライトにおいて
、Ｃｒ Ｚ＋イオンの始準位である＋Ｔ２と基底単位で
ある４Ａ２のエネルギー幅は、結晶場の大ぎさにより、
大きく変化するため、ホストクリスタルにより発振波長
が変わることになる。
例えば、ガドリニウム・スカンジウム・ガリウム・ガー
ネット（ＧＳＧＧ ： Ｃｒ ” ）Ｔ：は、７４２〜
８４２ｎｍ、またタングステン酸亜鉛（ＺｎＷＯ４：Ｃ
ｒ”）では、１μｍを超える。
ネット（ＧＳＧＧ ： Ｃｒ ” ）Ｔ：は、７４２〜
８４２ｎｍ、またタングステン酸亜鉛（ＺｎＷＯ４：Ｃ
ｒ”）では、１μｍを超える。
３価のクロムイオンを発光イオンとするフォルステライ
ト（ＭＵ ｚ Ｓ ！ ０２ ： Ｃｒ ” ） ｋ
：Ｊ５イＴは、既に特願＋１＃６０〜８１３９７号に４
５いて示されるように８５０〜９５０ｎｎ＋の幅におい
て、その発振が認められているが、その螢光寿命は１０
μｓｅｃ以下であり、フラッシュランプによる励起が困
難であった。
ト（ＭＵ ｚ Ｓ ！ ０２ ： Ｃｒ ” ） ｋ
：Ｊ５イＴは、既に特願＋１＃６０〜８１３９７号に４
５いて示されるように８５０〜９５０ｎｎ＋の幅におい
て、その発振が認められているが、その螢光寿命は１０
μｓｅｃ以下であり、フラッシュランプによる励起が困
難であった。
［発明の目的１
本発明の目的は、長い螢光寿命を持ち、しかもより可′
ｇｌ領！或に近い波長でのレーザ動作を可能とするフォ
ルステライト固体レーザホストを提供することにある。
ｇｌ領！或に近い波長でのレーザ動作を可能とするフォ
ルステライト固体レーザホストを提供することにある。
［問題点を解決するための手段および作用］本発明のこ
の目的は、フォルステライトに発光イオンである３１ｉ
ｔｌｉのクロムイオンと １価の陽イオンを共にドープ
することによって達成される。
の目的は、フォルステライトに発光イオンである３１ｉ
ｔｌｉのクロムイオンと １価の陽イオンを共にドープ
することによって達成される。
すなわち本発明は、発光イオンとして、３価のクロムイ
オンと共に、１価の陽イオンを含有することを特徴とす
るフォルステライト固体レーザホストにある。
オンと共に、１価の陽イオンを含有することを特徴とす
るフォルステライト固体レーザホストにある。
本発明に、１１′３いて、発光イオンとして含有される
１価の陽イオンは、ホストクリスタルの２価のマグネシ
ウムイオンとイオン半径が大きく変わらないものが望ま
しく、１価のアルカリ金属イオンであるリチ・クムイオ
ンあるいはナトリウムイオンが好ましく含有される。以
下、１価の陽イオンとしてリチウムイオンの例を挙げて
本発明を説明する。
１価の陽イオンは、ホストクリスタルの２価のマグネシ
ウムイオンとイオン半径が大きく変わらないものが望ま
しく、１価のアルカリ金属イオンであるリチ・クムイオ
ンあるいはナトリウムイオンが好ましく含有される。以
下、１価の陽イオンとしてリチウムイオンの例を挙げて
本発明を説明する。
フォルステライｌ−は、例えば高周波加熱型チョクラル
スキー法で良質な結晶が育成される。しかし、もともと
３価のクロムイオンのみをドープしたフォルステライト
においては、３価のクロムイオンの置換するサイトであ
るマグネシウムイオンサイ１−は２価であるため、電気
的中性を保つため、点欠陥が発生する。
スキー法で良質な結晶が育成される。しかし、もともと
３価のクロムイオンのみをドープしたフォルステライト
においては、３価のクロムイオンの置換するサイトであ
るマグネシウムイオンサイ１−は２価であるため、電気
的中性を保つため、点欠陥が発生する。
発光イオンを種々のホストクリスタルにドープづるω１
究において、例えば３価のネオジウムを、シーライト構
造タングステン酸カルシウムでは、１価や５価の金属イ
オ゛ンをネオジウムと共にドープし、 （Ｃａ ＋−２ｘＮｄｘ Ｎａｘ ）ＷＯ４（Ｃａ
Ｉ−Ｘ ＮｄｙＣ） （Ｗ＋−、（１’Ｊｂ：ｃ
）０４の組成式で示される結晶を合成することにより
、電気的中性を保ち、かつ点欠陥の発生を防いでいる。
究において、例えば３価のネオジウムを、シーライト構
造タングステン酸カルシウムでは、１価や５価の金属イ
オ゛ンをネオジウムと共にドープし、 （Ｃａ ＋−２ｘＮｄｘ Ｎａｘ ）ＷＯ４（Ｃａ
Ｉ−Ｘ ＮｄｙＣ） （Ｗ＋−、（１’Ｊｂ：ｃ
）０４の組成式で示される結晶を合成することにより
、電気的中性を保ち、かつ点欠陥の発生を防いでいる。
本発明のフォルステライト固体レーザホス１へにおい−
Ｃ１３価のクロムイオンに加えて、１価のリチウムイオ
ンをドープすることによって、より点欠陥を少なくすべ
く研究を進める段階において、新しい螢光スペクトルの
発見に至ったものである。
Ｃ１３価のクロムイオンに加えて、１価のリチウムイオ
ンをドープすることによって、より点欠陥を少なくすべ
く研究を進める段階において、新しい螢光スペクトルの
発見に至ったものである。
すなわち、特願昭６０−８１３９７号にａ３いては、８
５０゛〜１１０００ｎ付近において、在合が１０μＳｅ
ｃ以下の螢光が発見されたのであるが、１ｇＥのリチウ
ムイオンをドープすることにより、新たに６５０〜８５
０ｎｍ（＝Ｊ近に強い螢光が児い出され、さらにその寿
命は２００μｓｅｃを超えるものであることが確認され
たのＣある。
５０゛〜１１０００ｎ付近において、在合が１０μＳｅ
ｃ以下の螢光が発見されたのであるが、１ｇＥのリチウ
ムイオンをドープすることにより、新たに６５０〜８５
０ｎｍ（＝Ｊ近に強い螢光が児い出され、さらにその寿
命は２００μｓｅｃを超えるものであることが確認され
たのＣある。
本発明にＪ５いでは、例えば高周波加熱型ヂョクラルス
キー単結晶育成炉により、３価のクロムイオンＪ３よび
１価のリチウムイオンを含有するフォルステラーｒト単
結晶を育成する。育成条件の選択により、バブル等の包
ｓ物がなく、結晶内に３価のクロムイオンおよび１価の
リチウムイオンが含有される単結晶を製造することがで
きる。
キー単結晶育成炉により、３価のクロムイオンＪ３よび
１価のリチウムイオンを含有するフォルステラーｒト単
結晶を育成する。育成条件の選択により、バブル等の包
ｓ物がなく、結晶内に３価のクロムイオンおよび１価の
リチウムイオンが含有される単結晶を製造することがで
きる。
本発明のフォルステライト固体レーザホストにおいＣは
、その結晶内に３価のクロムイオンが０．００！ｌ＋〜
３．Ｏｍ ｍ ％、好マＬ／ ＜ １．ｔ Ｏ，０５〜
ｉ、Ｏ重量％の濃度を有することが望ましい。また、１
師のリチウムイオンは、０．０００１〜０，５ｔｆｆｌ
ｆｄ％の濃度を有することが望ましい。３価のクロム
イオンの濃度が０．０５重量％未満では螢光が小さく、
実用的に耐えられず、３．０重母％を超えると均？臀な
結晶育成が困到である。また、 １価のリチウムイオン
の濃度が０．０００１重Ｍ％未満では、６５０〜８５０
ｎｍ付近での螢光は見られず、０．５小母％を超えると
均質な結晶が得られない。
、その結晶内に３価のクロムイオンが０．００！ｌ＋〜
３．Ｏｍ ｍ ％、好マＬ／ ＜ １．ｔ Ｏ，０５〜
ｉ、Ｏ重量％の濃度を有することが望ましい。また、１
師のリチウムイオンは、０．０００１〜０，５ｔｆｆｌ
ｆｄ％の濃度を有することが望ましい。３価のクロム
イオンの濃度が０．０５重量％未満では螢光が小さく、
実用的に耐えられず、３．０重母％を超えると均？臀な
結晶育成が困到である。また、 １価のリチウムイオン
の濃度が０．０００１重Ｍ％未満では、６５０〜８５０
ｎｍ付近での螢光は見られず、０．５小母％を超えると
均質な結晶が得られない。
本発明のフォルステライト固体レーザホス１〜によって
、レーザ“発振を行なうためには、Ｑ−スイッチＹＡＧ
：Ｎｄ”レーザ、クリプトンレーザ、アルゴンレーザ、
キセノンフラッシュランプ、クリプトンランプ等が考え
られる。これらの励起法のうら、波長ｌ１１３ｉ６５０
〜８５０ｎｍ付近での寿命２００μｓｅｃ以上の発振は
、キセノンフラッシュランプ、クラブ１ヘンランプでも
励起が可能と考えられ、また波長域８５０〜１１０００
ｎ付近では、ＱスイッチＹＡＧ：Ｎｄ”レーザの第２高
調波、またはクリブトンレーザ、アルゴンレーザ等の気
体レーザ゛での励起が可能である。
、レーザ“発振を行なうためには、Ｑ−スイッチＹＡＧ
：Ｎｄ”レーザ、クリプトンレーザ、アルゴンレーザ、
キセノンフラッシュランプ、クリプトンランプ等が考え
られる。これらの励起法のうら、波長ｌ１１３ｉ６５０
〜８５０ｎｍ付近での寿命２００μｓｅｃ以上の発振は
、キセノンフラッシュランプ、クラブ１ヘンランプでも
励起が可能と考えられ、また波長域８５０〜１１０００
ｎ付近では、ＱスイッチＹＡＧ：Ｎｄ”レーザの第２高
調波、またはクリブトンレーザ、アルゴンレーザ等の気
体レーザ゛での励起が可能である。
いずれにせよ、８５０〜１１０００ｎ付近に加えて、６
５０〜８５０ｎｍ付近において、螢光寿命の長いレーザ
出力が期待できる。
５０〜８５０ｎｍ付近において、螢光寿命の長いレーザ
出力が期待できる。
［実施例］
以下、実施例および比較例に基づぎ本発明を具体的に説
明する。
明する。
実施例１および比較例１
３価のクロムイオンおよび１価のリチウムイオンを含有
するフォルステライトを以下の方法で製造した。単結晶
の製造には、高周波加熱型チョクラルスキー法を用いて
行なった。使用原料およびその純度と秤量（直を第１表
に示す。
するフォルステライトを以下の方法で製造した。単結晶
の製造には、高周波加熱型チョクラルスキー法を用いて
行なった。使用原料およびその純度と秤量（直を第１表
に示す。
第１表
＊１：Ｃｒ２Ｏ３として全量の０．１ｗｔ％、＊２：
Ｌ！ ２ ＣＯ３としてＣｒ２０３に対し３００モ／ｌ
。
Ｌ！ ２ ＣＯ３としてＣｒ２０３に対し３００モ／ｌ
。
％０
原料は内径４７ｍｍ、深さ４８．５ｍｍのイリジウムる
つぼに充填され、溶融された後単結晶が引きあげられた
。育成された結晶は、直径２０ｒｔａφ、長さ７０ｍｍ
であり、包含物や光散乱体がない均質なものであった（
実施例１）。
つぼに充填され、溶融された後単結晶が引きあげられた
。育成された結晶は、直径２０ｒｔａφ、長さ７０ｍｍ
であり、包含物や光散乱体がない均質なものであった（
実施例１）。
この結晶から、組成分析用サンプルを取り出し、化学分
析を行った。その結果、クロムイオン濃度が０．０１１
１ｆｆ１％、リチウムイオン濃度は０．００２２重ω％
小部ることが判った。
析を行った。その結果、クロムイオン濃度が０．０１１
１ｆｆ１％、リチウムイオン濃度は０．００２２重ω％
小部ることが判った。
また、比較としてクロムイオンのみを含有し、その濃度
が０．０１０ｉ ｆｉ％である結晶を育成した。
が０．０１０ｉ ｆｉ％である結晶を育成した。
このようにして育成された結晶からＳｍｍ角の立方体サ
ンプルを切り出し、６而に光学研磨を施こし、螢光スペ
クトルを観察した。励起光としてＱ−スイッチＹＡＧ：
Ｎｄ”レーザの第２高調波（波長５３２１Ｂｙ、パルス
幅１０ｎｍ）を用いた。励起光はり゛ンブルの ｂ軸に
垂直に入射され、かつ励起光の電場はａ軸に平行になる
ように、偏光フィルターを入れた。また、測定には分光
器を用い、空温で実施した。この螢光スペクトルを第１
〜３図に示す。
ンプルを切り出し、６而に光学研磨を施こし、螢光スペ
クトルを観察した。励起光としてＱ−スイッチＹＡＧ：
Ｎｄ”レーザの第２高調波（波長５３２１Ｂｙ、パルス
幅１０ｎｍ）を用いた。励起光はり゛ンブルの ｂ軸に
垂直に入射され、かつ励起光の電場はａ軸に平行になる
ように、偏光フィルターを入れた。また、測定には分光
器を用い、空温で実施した。この螢光スペクトルを第１
〜３図に示す。
第１図は、３ｇ５のクロムイオンおよび１価のリチウム
イオンを含有する結晶（実施例１）の励起時の螢光スペ
クトルで、６５０〜１１０００ｎの間で螢光が観察され
、２つの強度ピークが明瞭に見い出される。
イオンを含有する結晶（実施例１）の励起時の螢光スペ
クトルで、６５０〜１１０００ｎの間で螢光が観察され
、２つの強度ピークが明瞭に見い出される。
第２図は、同じ濃度で３価のクロムイオンのみを含有し
た結晶（比較例１）の励起時の螢光スペクトルで、第１
図と比較すると、８５０ｎｍ付近のみの強度ピークしか
観察できない。
た結晶（比較例１）の励起時の螢光スペクトルで、第１
図と比較すると、８５０ｎｍ付近のみの強度ピークしか
観察できない。
第３図は、３画のり［］ムイＡンと １１ｉＴｌｉのリ
チウムイオンを含有した結晶（実施例１）の励起から１
５０μｓｅｃ経過後の螢光スペクトルであるが、第１図
で見られた２つのピークのうち、長波長側のピークが消
滅している。このことから、長波長側のものは寿命の短
かい螢光スペクトルであり、短波長側のものは寿命が１
５０μｓｅｃ以上の螢光スペクトルであることが判る。
チウムイオンを含有した結晶（実施例１）の励起から１
５０μｓｅｃ経過後の螢光スペクトルであるが、第１図
で見られた２つのピークのうち、長波長側のピークが消
滅している。このことから、長波長側のものは寿命の短
かい螢光スペクトルであり、短波長側のものは寿命が１
５０μｓｅｃ以上の螢光スペクトルであることが判る。
それぞれの螢光寿命を独立に測定した結果、６５（１〜
８５０ｎｍ付近の螢光寿命は、２００／１ｓＣｃを珀え
、また８５０〜１１０００ｎの付近のそれは５μｓｅｃ
程度であることが判った。
８５０ｎｍ付近の螢光寿命は、２００／１ｓＣｃを珀え
、また８５０〜１１０００ｎの付近のそれは５μｓｅｃ
程度であることが判った。
［発明の効果］
以上の説明のごとく、３価のクロムイオンと共に、１価
のリチウムイオンを含有する本発明のフォルステライト
固体レーザホストからは、従来から知られている８５０
〜１１０００ｎの発光の他に、６５０〜８５０ｎｍで、
螢光Ｉｊ命の長い発光が認められることから、フラッシ
ュランプ励起も可能とするレーリ゛光振が可能である。
のリチウムイオンを含有する本発明のフォルステライト
固体レーザホストからは、従来から知られている８５０
〜１１０００ｎの発光の他に、６５０〜８５０ｎｍで、
螢光Ｉｊ命の長い発光が認められることから、フラッシ
ュランプ励起も可能とするレーリ゛光振が可能である。
第１図は、Ｑ−スイッチＹＡＧ：Ｎｄ”レーザ（波長５
３２ｍｍ＞で励起した３価のクロムイオンおよび１価の
リチウムイΔンを含有する結晶（実施例１）の励起時の
螢光スペクトル、 第２図は、Ｑ−スイッチＹＡＧ：Ｎｄ”レーザ（波長５
３２＃）で励起した３価のクロムイオンのみを含有した
結晶（比較例１）の励起時の螢光スペクトル、および 第３図は、Ｑ−スイッチＹＡＧ：Ｎｄ”レーザ（波長５
３２ｍ）で励起した３価のクロムイオンと１ｉｉＩＩｉ
のリチークムイオンを含有した結晶（実施例１）の励起
後１５０μＳｅＣの螢光スペクトル。
３２ｍｍ＞で励起した３価のクロムイオンおよび１価の
リチウムイΔンを含有する結晶（実施例１）の励起時の
螢光スペクトル、 第２図は、Ｑ−スイッチＹＡＧ：Ｎｄ”レーザ（波長５
３２＃）で励起した３価のクロムイオンのみを含有した
結晶（比較例１）の励起時の螢光スペクトル、および 第３図は、Ｑ−スイッチＹＡＧ：Ｎｄ”レーザ（波長５
３２ｍ）で励起した３価のクロムイオンと１ｉｉＩＩｉ
のリチークムイオンを含有した結晶（実施例１）の励起
後１５０μＳｅＣの螢光スペクトル。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、発光イオンとして、３価のクロムイオンおよび１価
の陽イオンを含有することを特徴とするフォルステライ
ト固体レーザホスト。 ２、前記陽イオンがリチウムイオンである前記特許請求
の範囲第１項記載のフォルステライト固体レーザホスト
。 ３、前記リチウムイオン濃度が０．０００１〜０．５重
量％である前記特許請求の範囲第２項記載のフォルステ
ライト固体レーザホスト。 ４、前記固体レーザホスト中の３価のクロムイオン濃度
が０．００５〜３．０重量％である前記特許請求の範囲
第１項記載のフォルステライト固体レーザホスト。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60201493A JPS6262573A (ja) | 1985-09-13 | 1985-09-13 | フオルステライト固体レ−ザホスト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60201493A JPS6262573A (ja) | 1985-09-13 | 1985-09-13 | フオルステライト固体レ−ザホスト |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6262573A true JPS6262573A (ja) | 1987-03-19 |
| JPH0566759B2 JPH0566759B2 (ja) | 1993-09-22 |
Family
ID=16441969
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60201493A Granted JPS6262573A (ja) | 1985-09-13 | 1985-09-13 | フオルステライト固体レ−ザホスト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6262573A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0319332A2 (en) * | 1987-12-04 | 1989-06-07 | Robert R. Alfano | Chromium-doped forsterite laser system |
| US4932031A (en) * | 1987-12-04 | 1990-06-05 | Alfano Robert R | Chromium-doped foresterite laser system |
-
1985
- 1985-09-13 JP JP60201493A patent/JPS6262573A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0319332A2 (en) * | 1987-12-04 | 1989-06-07 | Robert R. Alfano | Chromium-doped forsterite laser system |
| US4932031A (en) * | 1987-12-04 | 1990-06-05 | Alfano Robert R | Chromium-doped foresterite laser system |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0566759B2 (ja) | 1993-09-22 |
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