JPS6260702B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は可撓性基質と比較的もろいイオン化可
能無機光導電性材料を使用する改良された光受容
体に係り、この光受容体はイオン衝撃洗浄、酸
化、イオン沈積法の三工程に従つて得られる。 光受容体、特にゼログラフイー複写に係るもの
は、伝統的にセレン（無定形又は三方晶）及び
種々の量のハロゲンと共にセレン合金、例えば
Se―As、Se―Te、Se―Bi等で例示される元素又
はその合金のような光導電性絶縁層を含む、この
材料は支持性金属又は金属被覆基質に電荷ブロツ
キング接触で通例適用される。この目的のために
好適な基質は例えばアルミニウム、鋼、ニツケ
ル、黄銅、NESAガラス又は対応する金属被覆重
合体材料を含む。 少くとも前記の元素を含む光受容体は一般に均
一な静電荷が与えられかつ次にこの増感された表
面は光のような電磁輻射線により形成された像パ
ターンに露出される。光衝突は最初に適用された
電荷の選択的消失を生じて正の静電像を残す。次
にこの静電像は通例この電荷保有光受容体表面上
に反対に帯電されたマーキング粒子を適用するこ
とによつて現像される。 前記の原理は米国特許No.2297691でカールソン
（Carlson）により初めて記載されかつそれ以来
この分野の多くの関連特許で拡大されかつ再記述
されている。概して言えば、前記の作用を行なう
ために適した光導電性層は照明の不存在で約10¹⁰
―10¹³オーム―cmの比抵抗率を有する。更に、
この抵抗率は光のような活性化輻射線へ露出され
る場合には少くとも幾つかのオーダーの大きさで
低下しなければならない。 前記の基準に合致する光導電性層はまた通常露
光の不存在においてさえ、適用された電荷に若干
の損失を示す。この現像は“暗減衰（dark
decay）”として公知であり、かつ光受容体の感
度及び用途と共に若干異なろう。“暗減衰”の問
題の存在は周知でありかつベース又は基質と光導
電性層の間に絶縁性フイルムのような薄い障壁層
の挿入によりかなりの程度まで調節されている。
デソーエル（Dessauer）等の米国特許No.2901348
はこの目的のために約25ないし200Åの酸化アル
ミニウムのフイルム又は約0.1ないし２ミクロン
厚さのポリスチレンのような絶縁性樹脂層を利用
する。ある限界と共に、これらの障壁層は“暗減
衰”を最少にしながら光導電性層が高い場の強さ
の電荷を支持することを許すように作用する。し
かしながら、照明により活性化される時には、こ
の光導電性層と障壁層は短い時間の間に光衝突区
域内の適用された電荷の実質上の消失を許すのに
十分に伝導性にならなければならない。 前記の電気的要件に加えて、光受容体は可撓性
と耐久性のような機械的性質に関してかなり厳格
な要件に合致することがまた増加的に重要になつ
ている。この付加の基準は光受容体がエンドレス
可撓性ベルトの形である場合の高速度で作動する
最新の自動複写機で特に重要になる。ベルト型光
受容体は多くの利点を有する一方、その使用に固
有の重大な技術的問題がまた存在する。例えば、
高速機サイクリング条件は光導電性層と下方の基
質の間に特に強い接着を必要とする。しかしなが
ら、不幸にも、最も増感性かつ有効な光導電性材
料のあるものはフイルムとして比較的もろくかつ
一般に可撓性金属基質によく接着しない。しかし
ながら、導電性支持基質と光導電性層の間のいか
なる界面も安定であり、かつ両方に対して強く接
着していることが重要であり、その理由はこの点
における変化は光受容体の電気的性質に対して重
大な効果を有するからである。 前記の問題はルイス・ビー・レーダー（Lewis
B.Leder）、ジヨン・シー・シヨツトミラー
（Johm C.Schottmiller）とハロルド・エツチ・
シユレーダー（Harold H.Schroeder）の
“Improved Photoveceptov Fabrication”（米国
特許出願SerialNo.477736）に記載の方法で考慮さ
れかつかなりの程度まで解決され、そこでは空気
又は少くとも１容量％の利用可能酸素を含有する
不活性希ガスの存在でDCグロー放電下非金属性
イオンにより基質が最初に衝撃される。記載のこ
の初期工程は高エネルギー光導電性陽イオン、及
び非金属性高エネルギー陽イオン、の混合物例え
ば窒素又はアルゴンプラス未帯電蒸発光導電性材
料を用いた、基質の別の衝撃に続けられ、又は重
複される。前記の方法は可撓性ベルト型光受容体
に更に有効なもろい光導電体を利用することに実
質上の技術的成功を示す一方、なお改良の余地が
ある。特に、衝撃目的に対するグロー放電で高エ
ネルギー光導電性陽イオンの製造は比較的非能率
であり（せいぜい５％まで）そして限定された性
能の高価な電気的装置を必要とする。更に、好適
な無機の導電性材料の絶縁性質はDC放電環境中
で基質上に若干の表面電荷の著積を避けることを
困難にする。実際には、これは基質上に同類の符
号のイオン性光導電性材料を沈積する際にかなり
の低下された効率を生ずる。 反対に帯電されたスクリーンの使用又は場の強
さにおける増大の何れでもこの問題を完全に回避
しないであろう。 本発明の目的は高速ゼログラフイー複写用途の
ために適した改良された可撓性光受容体を得るこ
とにある。 本発明の別の目的は基質の複雑化された化学前
処理に対する必要性なしに高速可撓性光受容体の
種類にもろい光導電性要素を利用するための新規
でかつ更に有効な方法を開発することにある。 本発明のこれらの及び他の目的は利用可能な酸
素の存在で不活性非金属性ガスのイオンでDC又
は低周波ACグロー放電下電極として基質に最初
に衝撃すること；そして(1)所望の両極性光導電性
材料の正と負のイオン(2)グロー放電を構成する不
活性非金属ガスのイオン、そして(3)未帯電蒸発光
導電性材料から本質的になる蒸気クラウド
（cloud）に、光導電性材料の蒸気クラウドのドナ
ー源を利用する低周波AC電場の中へ又は隣接し
て、又は付加電極として基質以外の構造体に隣接
して、電極として生成する酸化基質を露出するこ
とにより、可撓性金属又は金属被覆基質及びこの
基質と電荷ブロツキング接触した無機の両極性イ
オン化可能光導電性層を含む成分の間に改良され
た耐久性と接着性を有する可撓性光受容体を得る
ことによつて達成される。この蒸気源は例えば電
極として光導電性材料を含有する抵抗加熱ステン
レス鋼又はグラフアイトるつぼを含む。 本発明の目的のために好適な基質は有用には
銅、鋼、黄銅、アルミニウム、ニツケルの比較的
薄い金属ホイル又は対応する金属被覆可撓性重合
体ベース、例えば被覆ポリエチレンテレフタレー
トからなる。基質として特に興味あるものはアル
ミニウム被覆ポリエチレンテレフタレートベルト
及びニツケルベルトである。 本発明の方法に使用のため適した両極性イオン
化可能光導電性材料はセレン及びこれとヒ素、テ
ルル、ゲルマニウム、アンチモン、ビスマス及
び／又は塩素、臭素又はヨウ素のような一つ又は
それ以上のハロゲンの対応する合金により例示さ
れる。この光導電性材料はセレン、プラス少量の
一つ又はそれ以上の前記の合金要素及び／又はハ
ロゲンを密封したコンテナー中で加熱を行なうこ
とによつて得られる。 本発明の目的のために、完成された光受容体は
一般に米国特許No.2901348の教示に従つて電荷ブ
ロツキング層と少くとも一つの薄い酸化物層を含
む。しかしながら、ニツケルベルトのような可撓
性金属ベルトが使用される時には、基質へ光導電
性層の適当な接着と酸化物ブロツキング層又は層
（複数）の調節された量を得るためにはこれまで
特別の化処理が必要とされている。この問題は前
記のような非金属ガスの正のイオンで、DC又は
低周波ACグロー放電下電極として基質の初期衝
撃により避けられる。この工程は、例えば約５×
10^-5トルの圧力に適当に変更された真空コーター
を排気すること、及び約30ミクロン以下の空気に
逆充填することによつて最良に行なわれる。約５
―20ミクロンの圧力が使用されるガスに応じて、
この目的のために一般に好ましい。減圧下の空気
が認容され得る一方、また時には、比敵し得る圧
力で不活性イオン製造及び酸化ガスの種々の選択
的混合物を使用することが好都合であると判明し
た。これは例えばアルゴン―酸素、アルゴン―空
気、アルゴン―CO₂又は窒素と酸素の混合物等を
含む。しかしながら、各々の場合で、基質の初期
酸化のために利用し得る酸素の量は利用し得るガ
スの１容量％以下であつてはならず、そしてグロ
ー放電は継続性でなければならない。 初期イオン衝撃と基質の酸化を行なう目的のた
めに満足すべきグロー放電の持続は、イオンを形
成するために使用されるガスの種類と圧力に応じ
て、約1500ないし約3500ボルトの範囲に及ぶ電位
と約0.05―0.5ma／cm²の陰極電流密度のDC場の下
で本発明の目的のために満足して行なわれ得る。
別法として、約60―400サイクルの低周波ACグロ
ー放電、約500ないし約1400ボルトの電位及び約
0.01―0.15ma／cm²の実質上減少された電流密度も
また十分であることが判明した。 基質上に約10―200Å厚さの酸化物障壁層を形
成するのに十分な時間の間の終了前に、かつ基質
がイオン衝撃により（前記の条件下約５―20分そ
して好ましくは８―10分）適当な温度（55―60
℃）まで導かれたことを仮定すると、酸化物保有
基質は同時に蒸気を低周波ACグロー放電の区域
の中へかつ隣接して導入することによつて加熱さ
れた光導電性源から発生した帯電及び未帯電光導
電体粒子の蒸気クラウドへ露出される。この条件
下で、両極性光導電性材料の負と正の高エネルギ
ーイオンの両方が基質電極上に有効な沈積に有利
な条件下で高収率で形成される。この方法で、高
エネルギーイオン性沈積の効率はDCグロー放電
単一の下で起こるものの約２倍増加し、かつ一部
被覆された基質上の表面電荷の面倒な集積
（buildup）が制御される。 前記の状況下で、アルゴン又は窒素のような非
金属イオンによる同時に起こる基質衝撃はより大
きなオリジナルエネルギー容量（content）を有
する帯電された光導電性粒子に有利に、基質上に
既に凝縮された更に弛く接着性の光導電性粒子を
更に置換する。この方法は重要でありかつ熱的に
発生された光導電性粒子の総量に比較して得られ
た高エネルギー光導電性イオンの比較的低い濃度
にもかかわらず起こる。 本発明の目的のために、酸化物被覆基質上に導
電性材料の沈積は室温と光導電性材料の最大蒸発
温度の間の温度に光導電性材料の源を別に加熱す
ることによつて最良に行なわれる。この目的のた
めに、好適な温度範囲は(1)加熱されたドナー電極
と基質電極のすぐ近くに低周波ACグロー放電の
持続とつり合つた最大蒸気濃度及び場条件に好都
合であり、そして(2)正及び負のイオンへ未帯電光
導電性蒸気の最高の転換及び基質上に最大の可能
な濃度の高エネルギー光導電性粒子の衝突を行な
う非金属ガスイオンの製造に好都合である。前記
のように、一部に被覆された基質の表面上の正又
は負の電荷の蓄積を最少にすることがまた極めて
望ましい。 後者の光導電体イオン沈積工程の目的のため
に、約500サイクルまでのそしてグロー放電下約
1400ボルトを越えない電位を有するAC場が適当
であることが判る。しかしながら、好ましくは、
60―400サイクルAC、500―1000ボルト場及び約
0.01ないし約0.15ma／cm²の電流密度が最適である
と考えられる。 更に第二の又は光導電体沈積工程に関して、酸
素成分が後者の光導電体沈積工程のために濃度で
実質上減ぜられ又は全く排除され得るとしても、
アルゴン又は類似の非金属性不活性ガスイオンの
濃度はACグロー放電を保つのに十分な圧力でコ
ーターに保たれねばならないことは記憶されるべ
きである。適切な濃度が約５―30ミクロンの圧力
の保持に限定されないけれども一般に得ることが
できる。 実際の事として、本発明の方法の前記の第二の
相は５×10^-5トルへ真空の量を増加すること、そ
して次に約３―20ミクロンまでのアルゴン、窒
素、キセノン又は類似のグロー放電持続不活性ガ
スで被覆室に逆充填することによつて所望な時に
好都合に行なわれる。この技術は酸素の相対濃度
を効果的に減じかつ更に弛く接着する光導電性材
料の適当な置換を確保する。 酸化された基質上に沈積に対して光導電性材料
の蒸気圧を効果的に上げるために、源が独立して
加熱されるならばそれはまた好都合である。これ
は、例えば、源の方に向けられた電子ビーム又は
ガンの使用による抵抗加熱により、又は光導電性
材料を蒸発する別のイオン衝撃により行なわれ得
る。何れの場合にも、この目的のための最適温度
は使用される特定の光導電性材料、源と基質の間
の距離、及び利用される雰囲気組成物と圧力に応
じて変わる。例として、約350℃までの、かつ好
ましくは約180―350℃の源の温度が約30ミクロン
までの圧力でセレン及び公知のセレン合金の殆ど
を蒸発するために適していることが判明した。 清浄な酸化物被覆基質上に光導電体沈積の間
中、グロー放電が光導電体イオンを発生する目的
のために保たれねばならないことが必須である
が、基質上に光導電性材料の沈積の速度と面積を
厳密に限定することはない。 電極の関係の一具体例及び本発明の方法の前記
の二つの主要相は第IAと第IB図に修正形で非常
に一般的に示される。第IA図ではDC又はAC電
流の何れかが基質上に酸化物層を形成するために
使用される。第IB図では低周波AC電流が酸化物
被覆基質上に光導電性材料の沈積を行なうために
使用される。しかしながら、AC場が使用される
場合には、グロー放電の個々の区域を可視的に確
定することは可能ではない。 【表】 それ故に前記の図において、(a)と(b)は好都合に
は基質電極と光導電性材料（Ｍ）を含有する加熱
された光導電体源を示し、一方区域(b)と(c)はDC
グロー放電が使用される時に陰極ダークスペース
（Cathode Dark Space）とネガテイブグロー
（Negative Glow）区域を示す。 基質の初期衝撃は好ましくは約10―20μの圧
力、約500―3500ボルト（500―1400VAC）の電
位、及び約0.01―0.3ma／cm²（好ましくは0.01―
0.15ma／cm²）の電流密度でグロー放電下清浄な
酸化物ブロツキング層を形成するように行なわれ
る。AC又はDCの下の何れかで行なわれるこの工
程は(1)基質を清浄にすること、(2)これを被覆のた
め適当な温度に加熱すること、そして(3)酸化物電
荷ブロツキング層を形成すること、の三重機能を
有する。この工程の詳細を見ると、DC電圧が適
用される時には、利用し得る不活性非金属ガスの
破壊が起こりかつ“異常グロー”が好ましくは確
立され、これにより電流フローが電圧と正に相関
されることが認められる。この“異常グロー”放
電の形成と特性は例えばジー・フランシス（G.
Francis）の”The Glow Discharge at Low
Pressure”第22巻、Encyclopedia of Physics
（スプリンガーフエアラーク、ベルリン〔1956〕）
に記載される。 本発明の目的のために、更に好適な電極間隔は
陰極ダークスペースとネガテイブグローのみが、
DCモードでは可視的に確認されかつ基質と光導
電体源の間に適用されたAC場では少しも確認さ
れ得ないものであることが認められる。 殆どすべての適用された電位は陰極ダークスペ
ースに対応する区域を越えて低下されること、そ
して最高の濃度のガスイオンがネガテイブグロー
区域に対応する区域内に存在することがまた知ら
れている。かくして、ネガテイブグロー区域で生
じたイオンは陰極ダークスペースを越えて促進さ
れかつ熱的に励起された原子又は分子のそれより
著しい高いエネルギーレベルで基質に衝突する。
これと関連して、グロー放電電流は基質表面がイ
オン衝撃により清浄によれた時（第IA図）を決
定するために監視できその理由はグロー放電電流
がより低い定常値に徐々に減少するからであるこ
とが認められる。これは清浄な金属基質表面が汚
れた又は酸化物被覆表面より更に低い二次的電子
放出係数を有するからである。 基質上に酸化物障壁層の完成前に、そして基質
が適当な温度（即ち約55―60℃）であることを仮
定すると、本発明の方法の第２の相が好都合に開
始される（参照第IB図）。これはグロー放電区域
に光導電性材料の蒸発によつて行なわれる。蒸発
された光導電性材料は両極性であるので、両方の
正及び負のイオンはグロー放電で形成される。更
に、イオン移動の速度はフイールド周波数よりず
つと高いので両方の正と負の光導電体イオンは高
エネルギーレベルで基質に衝突する。これは基質
に衝突するように利用し得る高エネルギー光導電
体イオンの数を倍化する。 アルゴン又は窒素のような正の非金属ガスイオ
ンの存在で前記の沈積を行なうことによつて、利
用し得る帯電された高エネルギー光導電体イオン
に有利に基質から低エネルギー沈積（未イオン
化）光導電性イオンを置換することがまた可能で
ある。 しかしながら、成功した衝突沈積は最初にイオ
ン化された光導電体材料の大部分を含む正味の被
覆を含むように除去と沈積の間で均衡を必要とす
る。適切な光導電性層を得るために必要な時間は
主としてこれらの要因に直接に又は間接に依存す
る。 金属性基質上にイオン化ガラス質光導電体を沈
積する主要な利点は改良された接着性及び認容さ
れ得る又は改良された界面電気的性質に実現され
るので、ごく小さな厚さが記載のように沈積され
ることが必要である。概して言えば、限定ではな
く全体厚さの約１―10％で十分であり、沈積の均
衝は約５×10^-5トルで従来の真空蒸着技術により
完成される。しかしながら、所望に応じて、光導
電性層の更に多くのものが前記の方法により沈積
され得る。 下記の実施例はこれにより限定することなく本
発明の好適具体例を特に示す。 実施例 4.5ミル（0.0045″）の厚さ、10″の長さ及び
15″の周辺を有する、Ａ―１と名付けられた汚れ
のないニツケル合金試験ベルトを10重量％の“ミ
ツチエルブラツドフオード＃14クリーナー”を含
有する熱い水溶液で清浄にしかつ次に約２分間脱
イオン化水で洗う。 Ａ―１と名付けられた試料ベルトを、地面から
絶縁された回転可能なマンドレル上で真空コータ
ー中に、そして抵抗加熱装置を装着した、かつ約
99.5％セレンと約0.5％ヒ素からなる光導電性セ
レン合金を含む３個のステンレス鋼るつぼから約
6″離れて装着する。５×10^-5トルにコーターに排
気しかつ約10μ空気圧へ逆充填した後、ベルトと
700ボルト60サイクルAC場、0.05ma／cm²で電極
として合金含有ステンレス鋼るつぼを使用してグ
ロー放電を形成する。グロー放電下10分後、鋼る
つぼを３分間約250℃以下に加熱する。その後、
この場を止め、そしてコーター圧力を再び５×
10^-5トルに排気しかつ余分に10分間300℃で通常
の真空蒸着を許す。全処理を通してマンドレルと
装着された基質を分当り約10回転で一定に回転し
て厚さで50μの均一な光導電性層を得る。次にコ
ーターを周辺温度に戻ることを許しかつ光受容体
を取出しかつ電気的性質と接着に対して試験す
る。この結果を下記の第表に報告する。 実施例 試験ベルトＡ―１と同一の寸法と形状の二つの
ニツケル試験ベルトを各々Ａ―２とＡ―３を名付
け、実施例におけるものと同様に清浄にしかつ
下記のように被覆する； ベルトＡ―２を実施例と同様に被覆するが、
ただし初期の洗浄、加熱及び酸化相の間空気の代
りに酸素（10容量％）とアルゴン（90容量％）混
合物の20μ逆充填を利用する。100ボルトで60サ
イクルの下でかつ0.15ma／cm²の電流密度でAC電
場を作用させる。グロー放電下10分後に、酸素流
を停止しかつ20μでアルゴンの下でグロー放電を
続ける。次にこのAC電圧を500ボルトと
0.10ma／cm²電流密度に減じ、そして５分間約240
℃以下にるつぼを加熱し、その間に光導電性材料
をグロー放電に一部蒸発させる。その後に、電場
とアルゴン流を切断しそして通例の真空蒸着を更
に10分間280℃で行なう。次にコーターを周辺条
件に戻るにまかせ、そして光受容体ベルトを室か
ら取出し、かつ実施例におけるように試験す
る。結果を下記の第表に報告する。 ベルトＡ―３（対照）を清浄にしかつベルトＡ
―２と同一の方式でグロー放電下酸化し、次にこ
のグロー放電を切断し、かつ280℃のるつぼ温度
で約20分間５×10^-5トルで通例の真空蒸着を行な
つて約50μ厚さの光導電体層を有する光受容体を
得る。冷却した光受容体ベルトを取出しかつ実施
例におけるように試験しかつこの結果を下記の
ように第表に報告する。 実施例 ベルトＡ―４をベルトＡ―１と同様に正確に処
理するが、ただし基質の酸化のために真空室へ装
着する前にベルトを化的に清浄にせず又は洗浄し
ない。Ａ―１におけると同様に被覆後、光受容体
を冷却し、取出しかつ前記のように試験し、そし
て第にその結果を報告する。 実施例 試験ベルトＡ―５を試験におけると同様に正
確に処理するが、ただし初期酸化工程（即ち、イ
オン衝撃洗浄、加熱及び酸化）が2000ボルト、
0.25ma／cm²の電流密度でDCグロー放電の下で行
なわれる。次に最初の光導電体層を２分間
0.06ma／cm²の電流密度で800ボルト60サイクルグ
ロー放電の下で適用する。次に蒸着により光導電
性材料を適用し、実施例と同様に50μ被覆を得
る。生成する光受容体を冷却し、取出しかつ前記
のように試験し、結果を第表に報告する。 実施例 Ａ―６と名付けられた同一のニツケル試験ベル
トを実施例と同様に化学的に清浄にしかつ水洗
し、そして次に350℃で25分間空気中で加熱し、
そして冷却して熱酸化（60Å）を行なう。次にこ
の酸化されたベルトを300℃のるつぼ温度で５×
10^-5トルでコーターに20分間装着して50μ光導電
体被覆を得る。次にこの光受容体を冷却し、取出
しかつ前記のように試験し、そしてその結果を第
表に報告する。 【表】 実施例 Ａ―１ないしＡ―６のニツケル試験ベルトと同
一の寸法の各々鋼、アルミニウム、及び黄銅試験
ベルトを使用して、実施例を繰返す。得られた
結果はひび割れとスポーリングに対する抵抗性に
関して実施例と一致することが判明する。 次に本発明の態様を列挙する。 (1) 蒸気クラウドへ酸化された基質の露出が初期
基質衝撃工程の少くとも一部と関連して行なわ
れる特許請求の範囲２の方法。 (2) 基質の酸化のための初期イオン衝撃が約30ミ
クロンまでの大気圧で行なわれ、存在する酸素
の量が利用可能なガスの約１容量％以下ではな
い特許請求の範囲２の方法。 (3) 光導電性材料の蒸気クラウドへ酸化された基
質の露出が、低周波ACグロー放電下一電極と
して基質をそして別の電極としてドナー源を利
用して、室温と最大光導電体蒸発の間の中間温
度に光導電体材料を加熱することによつて行な
われる特許請求の範囲２の方法。 (4) 基質の初期正イオン衝撃が約５―30ミクロン
圧で酸素含有雰囲気の下で行なわれる上記(2)の
方法。 (5) 光導電性材料が酸化された基質上に光導電体
沈積中電子衝撃により、イオン衝撃により、又
は抵抗加熱手段により加熱される上記(3)の方
法。 (6) 基質が電荷伝導性金属ベルトであり、そして
無機イオン化可能両極性光導電性層がセレン及
びこれとテルル、アンチモン、ビスマス、ヒ素
の一つ又はそれ以上及びハロゲンとの合金を含
む特許請求の範囲２の方法。 (7) 基質が電荷伝導性金属ベルトであり、そして
無機イオン化可能両極性光導電性層がセレン又
はセレン―ヒ素―ハロゲン合金を含む特許請求
の範囲２の方法。 (8) 付加の光導電性材料が蒸着により基質に続い
て適用される特許請求の範囲２の方法。 (9) 基質がニツケルベルトである上記(6)の方法。 (10) 基質がニツケルベルトである上記(7)の方法。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 利用可能な酸素の存在で不活性非金属性ガス
   のイオンでDC又は低周波ACグロー放電下電極と
   して基質に最初に衝撃すること；そして 所望の両極性光導電性材料の正と負のイオン、
   グロー放電を構成する不活性非金属性ガスのイオ
   ン、及び未帯電蒸発光導電材料を含むドナー源か
   らの蒸気クラウドに、光導電性材料の蒸気クラウ
   ドのドナー源を利用する低周波AC電場の中へ又
   は隣接して、又は付加電極として基質以外の構造
   体に隣接して、電極として生成する酸化された基
   質を露出すること、を特徴とする、 可撓性金属又は金属被覆基質及びこの基質と電
   荷ブロツキング接触した無機両極性イオン化可能
   光導電性層を含む、その成分間に改良された耐久
   性と接着性を有する可撓性光受容体を得る方法に
   従つて得られた、金属又は金属被覆基質及びこの
   基質と電荷ブロツキング接触したイオン化可能無
   機両極性光導電性材料の光導電性層を含む可撓性
   光受容体。 ２ 利用可能な酸素の存在で不活性非金属性ガス
   のイオンでDC又は低周波ACグロー放電下電極と
   して基質に最初に衝撃すること；そして 所望の両極性光導電性材料の正と負のイオン、
   グロー放電を構成する不活性非金属性ガスのイオ
   ン、及び未帯電蒸発光導電材料を含むドナー源か
   らの蒸気クラウドに、光導電性材料の蒸気クラウ
   ドのドナー源を利用する低周波AC電場の中へ又
   は隣接して、又は付加電極として基質以外の構造
   体に隣接して、電極として生成する酸化された基
   質を露出すること、を特徴とする。 可撓性金属又は金属被覆基質及びこの基質と電
   荷ブロツキング接触した無機両極性イオン化可能
   光導電性層を含む、その成分間に改良された耐久
   性と接着性を有する可撓性光受容体を得る方法。