JPS6259787B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6259787B2 JPS6259787B2 JP14838780A JP14838780A JPS6259787B2 JP S6259787 B2 JPS6259787 B2 JP S6259787B2 JP 14838780 A JP14838780 A JP 14838780A JP 14838780 A JP14838780 A JP 14838780A JP S6259787 B2 JPS6259787 B2 JP S6259787B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- excitation
- conductive
- conductor
- wire
- plates
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims description 63
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 53
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 24
- 230000004907 flux Effects 0.000 claims description 11
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 2
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 14
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 8
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 5
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000002500 effect on skin Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000012800 visualization Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
- G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
- G01R33/028—Electrodynamic magnetometers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁性測定装置、特に微小な体積の磁性
体の高周波磁性を測定する磁性測定用装置に関す
る。
体の高周波磁性を測定する磁性測定用装置に関す
る。
近年、薄膜磁気ヘツド等に使用される厚み0.1
〜5μmの磁性薄膜の1〜40MHzの周波数帯域に
おける初透磁率を測定することが要求されてい
る。
〜5μmの磁性薄膜の1〜40MHzの周波数帯域に
おける初透磁率を測定することが要求されてい
る。
しかし、磁性膜を高周波で動作させるため、磁
性膜を堆積せしめる際に磁界を印加する等の手段
により単軸磁気異方性を持たせることが知られて
いるが、かかる磁性膜では一方向の直流もしくは
交流磁界に対する磁束の応答により透磁率を測定
しなければならない。
性膜を堆積せしめる際に磁界を印加する等の手段
により単軸磁気異方性を持たせることが知られて
いるが、かかる磁性膜では一方向の直流もしくは
交流磁界に対する磁束の応答により透磁率を測定
しなければならない。
それ故、従来磁性薄膜のパルス応答を測定する
目的で使用されている。デイートリツヒ装置(参
考文献 近角編「磁気」共立出版 昭和43年6月
出版)を周波数応答の測定に適用することが提案
されている。
目的で使用されている。デイートリツヒ装置(参
考文献 近角編「磁気」共立出版 昭和43年6月
出版)を周波数応答の測定に適用することが提案
されている。
デイートリツヒ装置は高速大電流パルスを発生
する装置を磁性測定治具および信号の可視化装置
から構成されているが、このうち測定治具は、第
1図に示すように、断面コ字形状の励磁導体1が
あり、この励磁導体1の互いに平行配置された平
板部1A,1Bの連結部1Cには同軸コネクタ2
が設けられている。同軸コネクタ2には前記平板
部1A,1B間に平行に延在された検出線3が配
置され、この検出線3は前記連結部1Cと反対側
に位置づけられる励磁導体1の開口部1Dの近傍
にて各平板部1A,1Bにそれぞれ設けられた透
孔4,5にそれぞれ垂直に緩挿される導線6と接
続されている。平板部1Aの透孔4から突出した
前記導線6は抵抗7,8のそれぞれの一端が接続
され、各抵抗7,8の他端は前記平板部1Aの前
記開口部1Dと直交する側の両側面にそれぞれ接
続されている。平板部1Bの透孔5から突出した
前記導線6は抵抗9,10のそれぞれの一端が接
続され、各抵抗9,10の他端は前記平板部1B
の前記開口部1Dと直交する側の両側面にそれぞ
れ接続されている。
する装置を磁性測定治具および信号の可視化装置
から構成されているが、このうち測定治具は、第
1図に示すように、断面コ字形状の励磁導体1が
あり、この励磁導体1の互いに平行配置された平
板部1A,1Bの連結部1Cには同軸コネクタ2
が設けられている。同軸コネクタ2には前記平板
部1A,1B間に平行に延在された検出線3が配
置され、この検出線3は前記連結部1Cと反対側
に位置づけられる励磁導体1の開口部1Dの近傍
にて各平板部1A,1Bにそれぞれ設けられた透
孔4,5にそれぞれ垂直に緩挿される導線6と接
続されている。平板部1Aの透孔4から突出した
前記導線6は抵抗7,8のそれぞれの一端が接続
され、各抵抗7,8の他端は前記平板部1Aの前
記開口部1Dと直交する側の両側面にそれぞれ接
続されている。平板部1Bの透孔5から突出した
前記導線6は抵抗9,10のそれぞれの一端が接
続され、各抵抗9,10の他端は前記平板部1B
の前記開口部1Dと直交する側の両側面にそれぞ
れ接続されている。
このように構成された治具は、検出線3、導線
6、抵抗7,8、励磁導体1で形成されるループ
と、検出線3、導線6、抵抗9,10、励磁導体
1で形成されるループとで磁束検知ループを構成
し、第1図の−線における断面図である第2
図に示すように、前記2つのループを同一方向に
貫ぬく磁束Φa,Φbの差の時間変化に対応した電
圧が同軸コネクタ2における検出線3と励磁導体
1間に得られるようになつている。このため測定
すべき磁性体11をループ内に挿入しない状態に
て出力電圧が零となるように検出線3と導線6と
の接続点Pの位置を調整した後、前記磁性体11
を挿入することによつて磁束が増加した分に相当
する電圧が検出される。したがつて、励磁導体1
を正弦波で励磁すれば磁性膜のパーミアンス(透
磁率と断面の積)に比例した振幅の余弦波が得ら
れるようになる。
6、抵抗7,8、励磁導体1で形成されるループ
と、検出線3、導線6、抵抗9,10、励磁導体
1で形成されるループとで磁束検知ループを構成
し、第1図の−線における断面図である第2
図に示すように、前記2つのループを同一方向に
貫ぬく磁束Φa,Φbの差の時間変化に対応した電
圧が同軸コネクタ2における検出線3と励磁導体
1間に得られるようになつている。このため測定
すべき磁性体11をループ内に挿入しない状態に
て出力電圧が零となるように検出線3と導線6と
の接続点Pの位置を調整した後、前記磁性体11
を挿入することによつて磁束が増加した分に相当
する電圧が検出される。したがつて、励磁導体1
を正弦波で励磁すれば磁性膜のパーミアンス(透
磁率と断面の積)に比例した振幅の余弦波が得ら
れるようになる。
考案者らの実験結果では磁性体11の透磁率μ
=500、断面積14mm×2μmとすることによりた
とえば1M〜10MHzの帯域で数十μV以上の出力
電圧が得られ、磁性体11が無い場合の出力電圧
は1μV以下にできることが明らかとなり、充分
大きな分解能が得られた。
=500、断面積14mm×2μmとすることによりた
とえば1M〜10MHzの帯域で数十μV以上の出力
電圧が得られ、磁性体11が無い場合の出力電圧
は1μV以下にできることが明らかとなり、充分
大きな分解能が得られた。
ところで、従来のデイートリツヒ装置に係る治
具は、励磁導体1が厚い導体板で一体的に形成さ
れこれにより寸法精度を保つていたため、広い周
波数帯域で測定する場合には表皮効果により測定
精度上次のような欠点を有していた。
具は、励磁導体1が厚い導体板で一体的に形成さ
れこれにより寸法精度を保つていたため、広い周
波数帯域で測定する場合には表皮効果により測定
精度上次のような欠点を有していた。
たとえば測定周波数が低周波の場合、第3図a
に示すように、励磁電流Iは励磁導体1の全断面
をほぼ均一に流れてしまい、このとき励磁導体1
の隙間厚みを2a、導体厚を2bとするとき、隙
間の中央部付近の磁界HLEは、 HLE∝∫b aI/a−b 1/x2dx=I・1/a・b(
1) と表わされる。
に示すように、励磁電流Iは励磁導体1の全断面
をほぼ均一に流れてしまい、このとき励磁導体1
の隙間厚みを2a、導体厚を2bとするとき、隙
間の中央部付近の磁界HLEは、 HLE∝∫b aI/a−b 1/x2dx=I・1/a・b(
1) と表わされる。
また、高周波の場合、第3図bに示すように、
励磁導体1の表面のみに電流が流れるため、励磁
導体1の外側表面と内側表面に励磁電流がそれぞ
れ1/2Iずつ流れ励磁導体1の隙間中央部の磁界
HHFは、 HHF∝1/2(1/a2+1/b2) (2) と表わされるようになる。
励磁導体1の表面のみに電流が流れるため、励磁
導体1の外側表面と内側表面に励磁電流がそれぞ
れ1/2Iずつ流れ励磁導体1の隙間中央部の磁界
HHFは、 HHF∝1/2(1/a2+1/b2) (2) と表わされるようになる。
したがつて、HHFとHLFとの比は次式
HHF/HLF=a2+b2/2a・b (3)
のように表わされ、励磁電流の振幅を一定として
も発生する磁界の強さが測定周波数によつて異な
つてしまう。
も発生する磁界の強さが測定周波数によつて異な
つてしまう。
たとえば前記2aを3mm、2b=7mmとすると
き、HHF/HLFは1、38となり、高周波では同一
振幅の励磁電流に対し38%程度強い磁界が発生す
ることになる。したがつて、逆にHHF/HLFの比
をたとえば1.05以下すなわち精度を5%以内とす
るためには2a=3.0に対し2b<4.11にする必要が
あり、このことは励磁導体1の厚みを0.55mm以下
にしなければならないことを意味し、このように
薄い板材で高い寸法精度を維持することは困難と
なる。
き、HHF/HLFは1、38となり、高周波では同一
振幅の励磁電流に対し38%程度強い磁界が発生す
ることになる。したがつて、逆にHHF/HLFの比
をたとえば1.05以下すなわち精度を5%以内とす
るためには2a=3.0に対し2b<4.11にする必要が
あり、このことは励磁導体1の厚みを0.55mm以下
にしなければならないことを意味し、このように
薄い板材で高い寸法精度を維持することは困難と
なる。
また、励磁導体1の抵抗は低周波において充分
小さいが、高周波では表面効果のため見かけ上の
抵抗が増加し、たとえば励磁導体1を幅20mm、長
さ30mm、厚み2mmの銅板とした場合、低周波で
は、第4図aの等価回路に示すようになり、その
抵抗値は約1.3μΩであるのに対し、10MHzの高
周波では表皮浸透深さが約20.8μmとなるため、
第4図bの等価回路に示すようになり、その抵抗
値は約6.3mΩとなる。したがつて、整合抵抗RC
1とRC2との偏差を5%とし、励磁電流Iを10m
Aとすれば低周波で検出出力を零に調整しても
10MHzでは3.1μVの不平衡出力が現われ、従来
の装置では測定周波数毎に平衡状態を調整し直す
必要があつた。
小さいが、高周波では表面効果のため見かけ上の
抵抗が増加し、たとえば励磁導体1を幅20mm、長
さ30mm、厚み2mmの銅板とした場合、低周波で
は、第4図aの等価回路に示すようになり、その
抵抗値は約1.3μΩであるのに対し、10MHzの高
周波では表皮浸透深さが約20.8μmとなるため、
第4図bの等価回路に示すようになり、その抵抗
値は約6.3mΩとなる。したがつて、整合抵抗RC
1とRC2との偏差を5%とし、励磁電流Iを10m
Aとすれば低周波で検出出力を零に調整しても
10MHzでは3.1μVの不平衡出力が現われ、従来
の装置では測定周波数毎に平衡状態を調整し直す
必要があつた。
本発明の目的は精度よくかつ調整を行なう必要
なく高周波磁性をも測定できる磁性測定装置を提
供するにある。
なく高周波磁性をも測定できる磁性測定装置を提
供するにある。
本発明は、平行配置された2枚の絶縁板と、こ
れらの各絶縁板の互いに対向された面にそれぞれ
保持された導体薄板を電気的に接続して少なくと
も一往復の電流路を形成した励磁ループと、この
励磁ループの近傍に配置させた磁束検知ループ
と、から構成されるものである。もつと具体的に
いうと、従来の一体型の励磁導体に代えて絶縁板
とその表面に電子写真食刻により形成した厚さ18
〜70μmの導体薄板により励磁導体を形成し、か
つ励磁ループと磁束検知ループを夫々設けたもの
である。しかも、磁束検知ループを一部に抵抗を
含み、検出線を共有した2つの導電ループにより
形成したものである。
れらの各絶縁板の互いに対向された面にそれぞれ
保持された導体薄板を電気的に接続して少なくと
も一往復の電流路を形成した励磁ループと、この
励磁ループの近傍に配置させた磁束検知ループ
と、から構成されるものである。もつと具体的に
いうと、従来の一体型の励磁導体に代えて絶縁板
とその表面に電子写真食刻により形成した厚さ18
〜70μmの導体薄板により励磁導体を形成し、か
つ励磁ループと磁束検知ループを夫々設けたもの
である。しかも、磁束検知ループを一部に抵抗を
含み、検出線を共有した2つの導電ループにより
形成したものである。
以下実施例を用いて本発明を詳細に説明する。
第5図は本発明に係る磁性測定装置の一実施例
を示す分解斜視図である。平行配置されるべき2
枚の絶縁板15および16があり、この絶縁板1
5および16はその両端において配置される導電
部材17および18によつて支持されている。導
電部材17は中央部において間隙を有しかつ前記
絶縁板15,16間に配置される突出体17Aお
よび17Bを備え、また導電部材18も同様に中
央部において間隙を有しかつ前記絶縁板15,1
6間に配置される突出体18Aおよび18Bを備
える。また導電部材17の外面には入出力信号コ
ネクタ19が取付けられ、導電部材18の外面に
は入出力信号コネクタ20が取付けられている。
入出力信号コネクタ19は外部電極19Aと絶縁
された中心電極19Bが導線20を介して前記絶
縁板15の絶縁板16と対向する面に被着された
励磁導板21と接続されている。この励磁導板2
1は前記導電部材17および18に絶縁されて形
成されているとともに、導線22および23を介
して前記絶縁板16の絶縁板15と対向する面に
被着された励磁導板24と接続されている。励磁
導板24は前記導電部材17の突出体17Aおよ
び17Bと当接する領域にまで延在され、これら
突出体17A,17Bを介して入出力信号コネク
タ19の外部電極19Aと電気的に接続されてい
る。このようにして励磁ループは入出力信号コネ
クタ19の中心電極19B、導線20、励磁導板
21、導線22,23、励磁導板24、入出力信
号コネクタ19の外部電極19Aのループで構成
される。
を示す分解斜視図である。平行配置されるべき2
枚の絶縁板15および16があり、この絶縁板1
5および16はその両端において配置される導電
部材17および18によつて支持されている。導
電部材17は中央部において間隙を有しかつ前記
絶縁板15,16間に配置される突出体17Aお
よび17Bを備え、また導電部材18も同様に中
央部において間隙を有しかつ前記絶縁板15,1
6間に配置される突出体18Aおよび18Bを備
える。また導電部材17の外面には入出力信号コ
ネクタ19が取付けられ、導電部材18の外面に
は入出力信号コネクタ20が取付けられている。
入出力信号コネクタ19は外部電極19Aと絶縁
された中心電極19Bが導線20を介して前記絶
縁板15の絶縁板16と対向する面に被着された
励磁導板21と接続されている。この励磁導板2
1は前記導電部材17および18に絶縁されて形
成されているとともに、導線22および23を介
して前記絶縁板16の絶縁板15と対向する面に
被着された励磁導板24と接続されている。励磁
導板24は前記導電部材17の突出体17Aおよ
び17Bと当接する領域にまで延在され、これら
突出体17A,17Bを介して入出力信号コネク
タ19の外部電極19Aと電気的に接続されてい
る。このようにして励磁ループは入出力信号コネ
クタ19の中心電極19B、導線20、励磁導板
21、導線22,23、励磁導板24、入出力信
号コネクタ19の外部電極19Aのループで構成
される。
一方、導電部材18の入出力信号コネクタ20
における中心電極には絶縁板15および16間に
おいて平行に延在される検出線25が配置され、
この検出線25は導電部材17近傍にて各絶縁板
15および16にそれぞれ設けられた透孔26お
よび27に垂直に緩挿される導線28と接続され
ている。絶縁板15の透孔26から突出した前記
導線28は抵抗29の一端に接続され、この抵抗
29の他端は絶縁板15の透孔30に挿通されて
いる。透孔30に挿通された前記抵抗29の他端
は絶縁板15の絶縁板16と対向する面に被着さ
れた細線状の導電板31に接続され、この導電板
31は導電部材18の突出体18Aおよび18B
に当接する領域にて広面積となり前記突出体18
A,18Bを介して入出力信号コネクタ20の外
部電極と電気的に接続されている。なお、絶縁板
15に被着される励磁導板21および導電板31
はそれぞれ同一平面上に形成され、前記導電板3
1が形成される領域において前記励磁導板21は
切欠かれた形状をなす。絶縁板16の透孔27か
ら突出した前記導体28は抵抗32の一端に接続
され、この抵抗32の他端は絶縁板16の透孔3
3に挿通されている。透孔33に挿通された前記
抵抗32の他端は絶縁板16の絶縁板15と対向
する面に被着された細線状の導電板33に接続さ
れ、この導電板33は導電部材18の突出体18
Aおよび18Bに当接する領域にて広面積となり
前記突出体18A,18Bを介して入出力信号コ
ネクタ20の外部電極と電気的に接続されてい
る。なお絶縁板16に被着される励磁導体24お
よび導電板33はそれぞれ同一平面上に形成さ
れ、前記導電板33が形成される領域において前
記励磁導体24は切欠かれた形状をなす。このよ
うにして磁束検知ループは検出線25、導線2
8、抵抗29、導電板31のループと、検出線、
導線28、抵抗32、導電板33のループとで構
成される。
における中心電極には絶縁板15および16間に
おいて平行に延在される検出線25が配置され、
この検出線25は導電部材17近傍にて各絶縁板
15および16にそれぞれ設けられた透孔26お
よび27に垂直に緩挿される導線28と接続され
ている。絶縁板15の透孔26から突出した前記
導線28は抵抗29の一端に接続され、この抵抗
29の他端は絶縁板15の透孔30に挿通されて
いる。透孔30に挿通された前記抵抗29の他端
は絶縁板15の絶縁板16と対向する面に被着さ
れた細線状の導電板31に接続され、この導電板
31は導電部材18の突出体18Aおよび18B
に当接する領域にて広面積となり前記突出体18
A,18Bを介して入出力信号コネクタ20の外
部電極と電気的に接続されている。なお、絶縁板
15に被着される励磁導板21および導電板31
はそれぞれ同一平面上に形成され、前記導電板3
1が形成される領域において前記励磁導板21は
切欠かれた形状をなす。絶縁板16の透孔27か
ら突出した前記導体28は抵抗32の一端に接続
され、この抵抗32の他端は絶縁板16の透孔3
3に挿通されている。透孔33に挿通された前記
抵抗32の他端は絶縁板16の絶縁板15と対向
する面に被着された細線状の導電板33に接続さ
れ、この導電板33は導電部材18の突出体18
Aおよび18Bに当接する領域にて広面積となり
前記突出体18A,18Bを介して入出力信号コ
ネクタ20の外部電極と電気的に接続されてい
る。なお絶縁板16に被着される励磁導体24お
よび導電板33はそれぞれ同一平面上に形成さ
れ、前記導電板33が形成される領域において前
記励磁導体24は切欠かれた形状をなす。このよ
うにして磁束検知ループは検出線25、導線2
8、抵抗29、導電板31のループと、検出線、
導線28、抵抗32、導電板33のループとで構
成される。
なお、絶縁板15および16のそれぞれに被着
される励磁導体21、導電体31および励磁導体
24、導電体33は、銅板等の材料からなり、た
とえば周知の写真食刻法等の技術により形成し、
その厚さは約18μ〜70μmの範囲で設定する。
される励磁導体21、導電体31および励磁導体
24、導電体33は、銅板等の材料からなり、た
とえば周知の写真食刻法等の技術により形成し、
その厚さは約18μ〜70μmの範囲で設定する。
このように構成した実施例は、励磁導体21お
よび24の厚さを極めて薄く形成できることか
ら、上述した(3)式から明らかなように励磁磁界の
周波数依存性を極めて小さくすることができる。
よび24の厚さを極めて薄く形成できることか
ら、上述した(3)式から明らかなように励磁磁界の
周波数依存性を極めて小さくすることができる。
また、検出ループを構成する導体は励磁導体と
電気的に絶縁されていることから、検知ループに
励磁電流が流れず、したがつて測定周波数の変化
による平衡状態の乱れはなくなる。
電気的に絶縁されていることから、検知ループに
励磁電流が流れず、したがつて測定周波数の変化
による平衡状態の乱れはなくなる。
実験結果によれば、0.5M〜100MHzにおける測
定精度を約30%に改善できることが判明し、ま
た、従来装置では100MHzにおける測定下限が0.2
μ×cm2程度であつたのに対し、本実施例では0.04
μ×cm2程度まで低減できた。
定精度を約30%に改善できることが判明し、ま
た、従来装置では100MHzにおける測定下限が0.2
μ×cm2程度であつたのに対し、本実施例では0.04
μ×cm2程度まで低減できた。
本実施例では磁束検出ループを構成する導電体
31,33は励磁導体21,24と同様に絶縁板
15,16に被着させたものであることから、銅
板等の写真食刻法の技術により容易に製造するこ
とができるようになる。
31,33は励磁導体21,24と同様に絶縁板
15,16に被着させたものであることから、銅
板等の写真食刻法の技術により容易に製造するこ
とができるようになる。
第6図は本発明に係る磁性測定装置の他の実施
例を示す斜視図である。第5図に相当する絶縁板
15、導電部材17および18は省略している。
第5図と異なる構成は励磁導体35にあり、この
励磁導体35は導電板31の両脇にほぼ平行に配
置された励磁導体35A,35B、導電板33の
両脇にほぼ平行に配置された励磁導体35C,3
5Dとから構成される。入出力信号コネクタ19
の中心電極19Bから導線36を介して励磁導体
35Aの一端に接続され、この励磁導体35Aの
他端は導線37を介して励磁導体35Dの一端に
接続されている。励磁導体35Dの他端は導線3
8を介して励磁導体35Bの一端に接続され、励
磁導体35Bの他端は導線39を介して励磁導体
35Cの一端に接続されている。励磁導体35C
の他端は導線40を介して入出力信号コネクタ1
9の外部電極19Aに接続されている。
例を示す斜視図である。第5図に相当する絶縁板
15、導電部材17および18は省略している。
第5図と異なる構成は励磁導体35にあり、この
励磁導体35は導電板31の両脇にほぼ平行に配
置された励磁導体35A,35B、導電板33の
両脇にほぼ平行に配置された励磁導体35C,3
5Dとから構成される。入出力信号コネクタ19
の中心電極19Bから導線36を介して励磁導体
35Aの一端に接続され、この励磁導体35Aの
他端は導線37を介して励磁導体35Dの一端に
接続されている。励磁導体35Dの他端は導線3
8を介して励磁導体35Bの一端に接続され、励
磁導体35Bの他端は導線39を介して励磁導体
35Cの一端に接続されている。励磁導体35C
の他端は導線40を介して入出力信号コネクタ1
9の外部電極19Aに接続されている。
このように構成した他の実施例は励磁導体35
からなる励磁回路が2巻線となり、同一励磁電流
でより強力な磁界を発生させる効果を奏すること
ができる。たとえば、第5図に示す実施例では、
10mAの励磁電流に対し約4mエルステツドの磁
界が得られるのに対し、第6図に示す実施例では
8mエルスエツドの磁界が得られる。
からなる励磁回路が2巻線となり、同一励磁電流
でより強力な磁界を発生させる効果を奏すること
ができる。たとえば、第5図に示す実施例では、
10mAの励磁電流に対し約4mエルステツドの磁
界が得られるのに対し、第6図に示す実施例では
8mエルスエツドの磁界が得られる。
なお、同様の構成により励磁導体を3以上の多
巻線としてもよいことはいうまでもない。
巻線としてもよいことはいうまでもない。
以上説明したことから明らかなように、本発明
による磁性測定装置によれば、精度よくかつ調整
を行なう必要なく高周波磁性をも測定することが
できるようになる。
による磁性測定装置によれば、精度よくかつ調整
を行なう必要なく高周波磁性をも測定することが
できるようになる。
第1図は従来の磁性測定装置の一例を示す斜視
図、第2図は従来の磁性測定装置の作用を示す説
明図、第3図a,bおよび第4図a,bは従来の
磁性測定装置の欠点を示す説明図、第5図は本発
明に係る磁性測定装置の一実施例を示す分解斜視
図、第6図は本発明に係る磁性測定装置の他の実
施例を示す斜視図である。 15,16……絶縁基板、17,18……導電
部材、19,20……入出力信号コネクタ、2
1,24……励磁導板。
図、第2図は従来の磁性測定装置の作用を示す説
明図、第3図a,bおよび第4図a,bは従来の
磁性測定装置の欠点を示す説明図、第5図は本発
明に係る磁性測定装置の一実施例を示す分解斜視
図、第6図は本発明に係る磁性測定装置の他の実
施例を示す斜視図である。 15,16……絶縁基板、17,18……導電
部材、19,20……入出力信号コネクタ、2
1,24……励磁導板。
Claims (1)
- 1 平行配置された2枚の絶縁板15,16、こ
れら各絶縁板の互いに対抗する面に電子写真食刻
によりそれぞれ形成された厚さ18〜70μmの励磁
導体薄板21,24、前記2つの励磁導体薄板を
電気的に接続する導線22,23を具備し、該励
磁導体薄板と該導線を電気的に接続して少なくと
も一往復の電流路を形成した励磁ループと、前記
2枚の絶縁板間に平行に配置された検出線25、
該検出線を挾んで対抗配置された抵抗29,3
2、該2つの抵抗と該検出線をつなぐ導線28、
該2つの抵抗に接続された導電板31,33、該
導電板と前記検出線とを接続する導電部材18を
具備し、該検出線25と導線28と抵抗29と導
電板31と導電部材とで構成されるループと、検
出線25と導線28と抵抗32と導電板33と導
電部材とで構成されるループの2つのループより
なる磁束検知ループと、からなることを特徴とす
る磁性測定装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14838780A JPS5772083A (en) | 1980-10-24 | 1980-10-24 | Magnetism measuring device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14838780A JPS5772083A (en) | 1980-10-24 | 1980-10-24 | Magnetism measuring device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5772083A JPS5772083A (en) | 1982-05-06 |
JPS6259787B2 true JPS6259787B2 (ja) | 1987-12-12 |
Family
ID=15451626
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP14838780A Granted JPS5772083A (en) | 1980-10-24 | 1980-10-24 | Magnetism measuring device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5772083A (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4631832B2 (ja) * | 2006-09-01 | 2011-02-16 | Tdk株式会社 | 磁界発生装置及びそれを用いた透磁率測定装置 |
-
1980
- 1980-10-24 JP JP14838780A patent/JPS5772083A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5772083A (en) | 1982-05-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5414400A (en) | Rogowski coil | |
JP2829521B2 (ja) | 電流検出装置 | |
EP1450176A1 (en) | Magnetic field sensor and electrical current sensor therewith | |
US6989666B2 (en) | Current sensor and current detection unit using the same | |
US10545177B2 (en) | Non-contact sensor based Rogowski coil | |
KR920010551B1 (ko) | 왜곡측정방법 및 왜곡측정장치 | |
US4362990A (en) | Current- and voltage-measurement transducer | |
JP2003315376A (ja) | 電流センサ | |
US7482814B2 (en) | Electric/magnetic field sensor | |
US3621382A (en) | Anistropic thin ferromagnetic film magnetometer | |
US4001684A (en) | Current measuring shunt | |
US3829770A (en) | Directional coupler for transmission lines | |
US5701073A (en) | Direct current measuring apparatus and method employing flux diversion | |
JPS6259787B2 (ja) | ||
JPS6166104A (ja) | 金属薄膜膜厚測定方法 | |
JPH06100629B2 (ja) | 磁界測定プロ−ブ | |
US6771066B2 (en) | Printed circuit fluxgate sensor for magnetic gradient detection device | |
JPH1082845A (ja) | 磁界センサ | |
JP7489011B2 (ja) | 透磁率計測用プローブ及びそれを用いた透磁率計測装置 | |
US3490034A (en) | Magnetometer utilizing the delaying effect of a magnetic transmission line | |
JP2651003B2 (ja) | 渦電流式変位センサ | |
JPH06194436A (ja) | 磁気特性測定装置 | |
JP3144051B2 (ja) | 電流検出器 | |
JPH0645844Y2 (ja) | 渦電流式膜厚センサ | |
JPH04216401A (ja) | 渦電流測定法による変位トランスデューサ測定シーケンスを平衡させるための方法および装置 |