JPS6258315B2 - - Google Patents
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- JPS6258315B2 JPS6258315B2 JP54005988A JP598879A JPS6258315B2 JP S6258315 B2 JPS6258315 B2 JP S6258315B2 JP 54005988 A JP54005988 A JP 54005988A JP 598879 A JP598879 A JP 598879A JP S6258315 B2 JPS6258315 B2 JP S6258315B2
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- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 80
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 45
- 238000005452 bending Methods 0.000 claims description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 8
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 5
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000001931 thermography Methods 0.000 claims description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 42
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 37
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 25
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 20
- 239000004568 cement Substances 0.000 description 16
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 9
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 9
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 9
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 8
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 7
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 6
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 4
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 4
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 description 4
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 229920005830 Polyurethane Foam Polymers 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- 239000011496 polyurethane foam Substances 0.000 description 3
- 229910001152 Bi alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001179 chromel Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 2
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 2
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 2
- 238000004382 potting Methods 0.000 description 2
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 2
- 238000006748 scratching Methods 0.000 description 2
- 230000002393 scratching effect Effects 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- -1 silver halide Chemical class 0.000 description 2
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 1
- 229920001410 Microfiber Polymers 0.000 description 1
- 239000005041 Mylar™ Substances 0.000 description 1
- 229920001328 Polyvinylidene chloride Polymers 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000001174 ascending effect Effects 0.000 description 1
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 description 1
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 description 1
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 1
- 239000005387 chalcogenide glass Substances 0.000 description 1
- 229940114081 cinnamate Drugs 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 238000002788 crimping Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000003658 microfiber Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000004570 mortar (masonry) Substances 0.000 description 1
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229920003223 poly(pyromellitimide-1,4-diphenyl ether) Polymers 0.000 description 1
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 239000005033 polyvinylidene chloride Substances 0.000 description 1
- 239000011253 protective coating Substances 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000000935 solvent evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WBYWAXJHAXSJNI-VOTSOKGWSA-M trans-cinnamate Chemical compound [O-]C(=O)\C=C\C1=CC=CC=C1 WBYWAXJHAXSJNI-VOTSOKGWSA-M 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/315—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of heat to a heat sensitive printing or impression-transfer material
- B41J2/32—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of heat to a heat sensitive printing or impression-transfer material using thermal heads
- B41J2/345—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of heat to a heat sensitive printing or impression-transfer material using thermal heads characterised by the arrangement of resistors or conductors
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06K—GRAPHICAL DATA READING; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
- G06K1/00—Methods or arrangements for marking the record carrier in digital fashion
- G06K1/12—Methods or arrangements for marking the record carrier in digital fashion otherwise than by punching
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、文字、数字、絵またはデイジタル・
コード化情報のマイクロフオーム記録作成装置等
に用いられ、拡大された際、可視的なパターンに
なる程度の大きさで感熱像形成型のマイクロフイ
ルムにドツト像のパターンを形成すべくマイクロ
フイルムの前記パターンに対応する部位を加熱す
るための記録ヘツドに関する。
コード化情報のマイクロフオーム記録作成装置等
に用いられ、拡大された際、可視的なパターンに
なる程度の大きさで感熱像形成型のマイクロフイ
ルムにドツト像のパターンを形成すべくマイクロ
フイルムの前記パターンに対応する部位を加熱す
るための記録ヘツドに関する。
従来から文書のマイクロフイルム記録は、ハロ
ゲン化銀フイルムを露光し、液状薬液による処理
によつて商業的に作成され、文書を大幅に縮小し
た像が得られている。フイルム処理には、処理用
薬液や装置取り扱い能力を有する熟練者を必要と
するため、マイクロフイルム処理装置は、今日ほ
とんどの事務所で用いられているゼロツクス型複
写機と異なり、標準的な事務機械にはなつていな
い。
ゲン化銀フイルムを露光し、液状薬液による処理
によつて商業的に作成され、文書を大幅に縮小し
た像が得られている。フイルム処理には、処理用
薬液や装置取り扱い能力を有する熟練者を必要と
するため、マイクロフイルム処理装置は、今日ほ
とんどの事務所で用いられているゼロツクス型複
写機と異なり、標準的な事務機械にはなつていな
い。
比較的最近、加熱および(または)投光だけに
よつて像形成できるフイルムが開発され、熟練し
ない事務員でも、ハードコピーから直接マイクロ
フイルム記録を作成できる有用なマイクロフイル
ム記録装置の設計が可能となつた。そのような乾
式マイクロフイルム記録装置は、1976年6月29日
に付与された米国特許第3966317号に開示されて
いる。しかし、タイプライタ・キーボードによつ
て打ち出される電気信号やコンピユータなどから
出力される電気信号から直接文字数字および絵の
マイクロフイルム記録を作成する必要が相当高く
なつている。コンピユータが発生する電気信号か
ら直接文字、数字または絵のデータのマイクロフ
イルム記録を作成する装置が提案されているが、
そのような装置は、レーザ光線フイルム走査装置
を必要とし、きわめて割高で、エネルギの無駄が
多い。たとえば、現在のところ、そのような装置
の見積り価格は優に1台あたり100000ドルを上回
つている。また、ほとんどの事務所では、OSHA
規則によつてその使用が禁止されている。
よつて像形成できるフイルムが開発され、熟練し
ない事務員でも、ハードコピーから直接マイクロ
フイルム記録を作成できる有用なマイクロフイル
ム記録装置の設計が可能となつた。そのような乾
式マイクロフイルム記録装置は、1976年6月29日
に付与された米国特許第3966317号に開示されて
いる。しかし、タイプライタ・キーボードによつ
て打ち出される電気信号やコンピユータなどから
出力される電気信号から直接文字数字および絵の
マイクロフイルム記録を作成する必要が相当高く
なつている。コンピユータが発生する電気信号か
ら直接文字、数字または絵のデータのマイクロフ
イルム記録を作成する装置が提案されているが、
そのような装置は、レーザ光線フイルム走査装置
を必要とし、きわめて割高で、エネルギの無駄が
多い。たとえば、現在のところ、そのような装置
の見積り価格は優に1台あたり100000ドルを上回
つている。また、ほとんどの事務所では、OSHA
規則によつてその使用が禁止されている。
1976年9月16日に出願された米国特願第724084
号(対応日本特願昭52−111199号(特開昭53−
36432号))によれば、米国特許第3966317号に開
示されているのと同様に、マイクロサイズの文
字、数字または絵作成ドツト像パターンを乾式分
散型フイルムに、タイプライタ・キーボードまた
はコンピユータ出力から直接作成するデータ記憶
再生(リトリーバル)装置が開示されている。上
記特願に開示されているデータ記憶再生装置は、
フイルム上のマイクロサイズ部をジユール加熱す
るための複数のマイクロサイズの通電点を有する
記録ヘツドを利用して、フイルムに加えられる熱
から同様な寸法のドツト像を作成する。同出願に
開示されている記録ヘツドは本発明者によつて開
発されたものであるが、その通電発熱点は信じが
たいほど小型で、それぞれ、望ましくは約12ミク
ロン以下の寸法であり(約20ミクロンを上回るこ
とはあまり望ましくない)、記録フイルムに同様
な寸法のドツト像を作成する。これらの記録ヘツ
ドの各発熱点の隣接部は、発熱点の寸法よりもは
るかに小さい寸法で相互に間隔を設けることが望
ましい。そうすることにより、熱の相当な拡がり
を生起させその後比較的長い冷却時間を要するよ
うな通電パルスを用いなくても、隣接ドツト像が
ほとんど一体になり連続的な像として見える。
号(対応日本特願昭52−111199号(特開昭53−
36432号))によれば、米国特許第3966317号に開
示されているのと同様に、マイクロサイズの文
字、数字または絵作成ドツト像パターンを乾式分
散型フイルムに、タイプライタ・キーボードまた
はコンピユータ出力から直接作成するデータ記憶
再生(リトリーバル)装置が開示されている。上
記特願に開示されているデータ記憶再生装置は、
フイルム上のマイクロサイズ部をジユール加熱す
るための複数のマイクロサイズの通電点を有する
記録ヘツドを利用して、フイルムに加えられる熱
から同様な寸法のドツト像を作成する。同出願に
開示されている記録ヘツドは本発明者によつて開
発されたものであるが、その通電発熱点は信じが
たいほど小型で、それぞれ、望ましくは約12ミク
ロン以下の寸法であり(約20ミクロンを上回るこ
とはあまり望ましくない)、記録フイルムに同様
な寸法のドツト像を作成する。これらの記録ヘツ
ドの各発熱点の隣接部は、発熱点の寸法よりもは
るかに小さい寸法で相互に間隔を設けることが望
ましい。そうすることにより、熱の相当な拡がり
を生起させその後比較的長い冷却時間を要するよ
うな通電パルスを用いなくても、隣接ドツト像が
ほとんど一体になり連続的な像として見える。
記録ヘツドの通電発熱点はそれぞれ一列に配列
されることが望ましく、所定の通電点には、記録
ヘツドによるフイルム走査時に、短かい電流パル
スが供給され、フイルムに所要のドツト像パター
ンを形成し、記録ヘツド通電点に供給される電流
パルスで表わされるデータが転写される。上記の
特願昭52−111199号に開示されている記録ヘツド
は、クロメルやニクロムなどの細い加熱線材料ま
たはデポジツトされた抵抗材料の細線によつて形
成された通電点を有しており、支持構造体に取り
付けられ、この支持構造体を介して、加熱線材料
をデータの所定ページに対応するフイルム領域を
急速に走査させ、随時に記録を行う。上記先行特
願の図面に開示された記録ヘツドの一列の通電点
は、10に満たないが、この領域の縦方向全域にわ
たつてドツト像受け入れスペースの数に等しい通
電発熱点を有する縦列(アレイ)を備えた記録ヘ
ツドを設けることにより、データの1ページ全体
を、当該領域を1回掃引するだけで記録すること
ができる。このフイルム領域を記録ヘツドが掃引
するごとに、記録ヘツドの各通電発熱点には多数
の電流パルスが与えられる。このような記録ヘツ
ドの許容走査速度は、電流パルスが消滅した後、
各電流発熱点が十分に冷却して、次の電流パルス
到来前に、当該発熱点の温度によつてフイルム上
に別の像が形成されなくなるまでの時間によつて
大いに異なる。
されることが望ましく、所定の通電点には、記録
ヘツドによるフイルム走査時に、短かい電流パル
スが供給され、フイルムに所要のドツト像パター
ンを形成し、記録ヘツド通電点に供給される電流
パルスで表わされるデータが転写される。上記の
特願昭52−111199号に開示されている記録ヘツド
は、クロメルやニクロムなどの細い加熱線材料ま
たはデポジツトされた抵抗材料の細線によつて形
成された通電点を有しており、支持構造体に取り
付けられ、この支持構造体を介して、加熱線材料
をデータの所定ページに対応するフイルム領域を
急速に走査させ、随時に記録を行う。上記先行特
願の図面に開示された記録ヘツドの一列の通電点
は、10に満たないが、この領域の縦方向全域にわ
たつてドツト像受け入れスペースの数に等しい通
電発熱点を有する縦列(アレイ)を備えた記録ヘ
ツドを設けることにより、データの1ページ全体
を、当該領域を1回掃引するだけで記録すること
ができる。このフイルム領域を記録ヘツドが掃引
するごとに、記録ヘツドの各通電発熱点には多数
の電流パルスが与えられる。このような記録ヘツ
ドの許容走査速度は、電流パルスが消滅した後、
各電流発熱点が十分に冷却して、次の電流パルス
到来前に、当該発熱点の温度によつてフイルム上
に別の像が形成されなくなるまでの時間によつて
大いに異なる。
米国特願第724084号(特願昭52−111199号)に
開示されている発明が行われるまでは、通電線ま
たはデポジツトされた抵抗材料細線によつて感熱
フイルムをジユール加熱して、マイクロサイズ・
ドツト像を形成することが実現加能とは考えられ
ていなかつた。
開示されている発明が行われるまでは、通電線ま
たはデポジツトされた抵抗材料細線によつて感熱
フイルムをジユール加熱して、マイクロサイズ・
ドツト像を形成することが実現加能とは考えられ
ていなかつた。
本発明は前記した点に鑑みなされたものであ
り、その目的とするところは、拡大された際可視
的なパターンになる程度の大きさで感熱像形成型
のマイクロフイルムにドツト像のパターンを形成
すべくマイクロフイルムの前記パターンに対応す
る部位を加熱するための記録ヘツドであつて、 所望の形のドツトパターンの形成が容易且つ確
実に行なわれ得るのみならず該パターンの形成
(記録)が高速で行なわれ得る記録ヘツドを提供
することにある。
り、その目的とするところは、拡大された際可視
的なパターンになる程度の大きさで感熱像形成型
のマイクロフイルムにドツト像のパターンを形成
すべくマイクロフイルムの前記パターンに対応す
る部位を加熱するための記録ヘツドであつて、 所望の形のドツトパターンの形成が容易且つ確
実に行なわれ得るのみならず該パターンの形成
(記録)が高速で行なわれ得る記録ヘツドを提供
することにある。
本発明によれば、この目的は、
拡大された際可視的なパターンになる程度の大
きさで感熱像形成型のマイクロフイルムにドツト
像のパターンを形成すべくマイクロフイルムの前
記パターンに対応する部位を加熱するための記録
ヘツドであつて、 くさび形に小鋭角で交わる二つの平面状表面部
によつて規定され像記録の際マイクロフイルムに
近接対向せしめられる直線状エツジ部を有してお
り、熱電導性で表面が電気絶縁性の支持体と、 夫々がエツジ部の伸長方向に対して交差する方
向に二つの平面状表面部に沿つて配置され且つ直
線状エツジ部の外形に沿うような該エツジ部で曲
折されており、曲折部がエツジ部の伸長方向に沿
つて所定間隔で隣接して位置している複数の加熱
用抵抗線と、 各抵抗線の曲折部及び該曲折部近傍において各
抵抗線を覆つている電気絶縁性の薄層とからな
り、 複数の加熱用抵抗線の少なくとも一つに電流が
流された際該少なくとも一つの抵抗線の曲折部の
ジユール熱がマイクロフイルムのドツト像の形成
されるべき部位に与えられるように、曲折部表面
の電気絶縁性薄層がマイクロフイルム表面のドツ
ト像の形成されるべき部位に接触せしめられるよ
うに構成されている記録ヘツド によつて達成される。
きさで感熱像形成型のマイクロフイルムにドツト
像のパターンを形成すべくマイクロフイルムの前
記パターンに対応する部位を加熱するための記録
ヘツドであつて、 くさび形に小鋭角で交わる二つの平面状表面部
によつて規定され像記録の際マイクロフイルムに
近接対向せしめられる直線状エツジ部を有してお
り、熱電導性で表面が電気絶縁性の支持体と、 夫々がエツジ部の伸長方向に対して交差する方
向に二つの平面状表面部に沿つて配置され且つ直
線状エツジ部の外形に沿うような該エツジ部で曲
折されており、曲折部がエツジ部の伸長方向に沿
つて所定間隔で隣接して位置している複数の加熱
用抵抗線と、 各抵抗線の曲折部及び該曲折部近傍において各
抵抗線を覆つている電気絶縁性の薄層とからな
り、 複数の加熱用抵抗線の少なくとも一つに電流が
流された際該少なくとも一つの抵抗線の曲折部の
ジユール熱がマイクロフイルムのドツト像の形成
されるべき部位に与えられるように、曲折部表面
の電気絶縁性薄層がマイクロフイルム表面のドツ
ト像の形成されるべき部位に接触せしめられるよ
うに構成されている記録ヘツド によつて達成される。
すなわち、本発明の記録ヘツドでは、
加熱用抵抗線が、二つの平面状表面部によつて
規定され像記録の際感熱像形成型のマイクロフイ
ルムに近接対向せしめられる直線状エツジ部の外
形に沿うように該エツジ部で曲折されている故
に、 曲折部の先端が尖鋭な且つ各方向の拡がりが同
程度の(ほゞ円形)の点状に形成され得るため、
該曲折部先端によつてマイクロフイルム上に形成
される各ドツトがほゞ円形に形成され得、ドツト
の等方性の故にドツトパターンの所望の形での形
成が容易且つ確実に行なわれ得るのみならず、 曲折部での折り曲げが急激であるため、曲折部
の外側で抵抗線が大きく伸ばされることになり、
該伸長により抵抗線が該曲折部で細くなること及
び該伸長により曲折部に多くの転位が形成される
ことに伴い抵抗線の電気抵抗が該曲折部において
のみ他の部分より高くなり、抵抗線のジユール発
熱が曲折部においてのみ高められ得、 また曲折部での折り曲げが急激であるため曲折
部近傍において且つ曲折部側程近接して実質的に
二本の抵抗線が発熱源として存在することになり
抵抗線のジユール発熱による加熱がより一層曲折
部近傍に極限され得る。
規定され像記録の際感熱像形成型のマイクロフイ
ルムに近接対向せしめられる直線状エツジ部の外
形に沿うように該エツジ部で曲折されている故
に、 曲折部の先端が尖鋭な且つ各方向の拡がりが同
程度の(ほゞ円形)の点状に形成され得るため、
該曲折部先端によつてマイクロフイルム上に形成
される各ドツトがほゞ円形に形成され得、ドツト
の等方性の故にドツトパターンの所望の形での形
成が容易且つ確実に行なわれ得るのみならず、 曲折部での折り曲げが急激であるため、曲折部
の外側で抵抗線が大きく伸ばされることになり、
該伸長により抵抗線が該曲折部で細くなること及
び該伸長により曲折部に多くの転位が形成される
ことに伴い抵抗線の電気抵抗が該曲折部において
のみ他の部分より高くなり、抵抗線のジユール発
熱が曲折部においてのみ高められ得、 また曲折部での折り曲げが急激であるため曲折
部近傍において且つ曲折部側程近接して実質的に
二本の抵抗線が発熱源として存在することになり
抵抗線のジユール発熱による加熱がより一層曲折
部近傍に極限され得る。
その結果実質的に曲折部近傍のみを所定温度に
高めることが可能となり、加熱用電流パルスを抵
抗線に流した際にも、曲折部の近傍以外の部分を
比較的低い温度に押え得るため、電流パルスの供
給停止後曲折部の温度が急速に低下せしめられ
得、高速記録が可能となる。
高めることが可能となり、加熱用電流パルスを抵
抗線に流した際にも、曲折部の近傍以外の部分を
比較的低い温度に押え得るため、電流パルスの供
給停止後曲折部の温度が急速に低下せしめられ
得、高速記録が可能となる。
尚、この急冷作用は、加熱用抵抗線を支持し前
記平面状表面部および前記直線状エツジ部を有す
る支持体の熱電導性が良好である故に、高められ
得、記録の高速化が一層高められ得る。
記平面状表面部および前記直線状エツジ部を有す
る支持体の熱電導性が良好である故に、高められ
得、記録の高速化が一層高められ得る。
また、本発明の記録ヘツドでは、
各抵抗線の曲折部及び該曲折部近傍において各
抵抗線が電気絶縁性の薄層で覆われている故に、 マイクロフイルム表面の湿気等のためにマイク
ロフイルム表面の電気抵抗が低下し、表面伝導が
生じ易い場合にも、電流パルスの与えられた抵抗
線と電流パルスの与えられていない抵抗線との間
に表面伝導に伴なう電流の漏洩が生ずる虞れがな
く、電流パルスの与えられた所定の抵抗線の曲折
部でのみマイクロフイルムの対応部位の加熱が行
われ得、 マイクロフイルム上に所定のドツトパターンが
形成され得る。
抵抗線が電気絶縁性の薄層で覆われている故に、 マイクロフイルム表面の湿気等のためにマイク
ロフイルム表面の電気抵抗が低下し、表面伝導が
生じ易い場合にも、電流パルスの与えられた抵抗
線と電流パルスの与えられていない抵抗線との間
に表面伝導に伴なう電流の漏洩が生ずる虞れがな
く、電流パルスの与えられた所定の抵抗線の曲折
部でのみマイクロフイルムの対応部位の加熱が行
われ得、 マイクロフイルム上に所定のドツトパターンが
形成され得る。
本発明の一具体例のヘツドでは、精細度が高
く、密接した複数の投写可能マイクロサイズ・ド
ツト像(拡大された際可視的なパターンになる程
度の大きさのパターンを形成するドツト像)を感
熱フイルムに形成することができ、それによつて
マイクロフイルム記録を作成することができ、ま
た、そのように記録した情報が容易に読めるよう
に、従来のマイクロフイルム、リーダによつてス
クリーンに投写できる。
く、密接した複数の投写可能マイクロサイズ・ド
ツト像(拡大された際可視的なパターンになる程
度の大きさのパターンを形成するドツト像)を感
熱フイルムに形成することができ、それによつて
マイクロフイルム記録を作成することができ、ま
た、そのように記録した情報が容易に読めるよう
に、従来のマイクロフイルム、リーダによつてス
クリーンに投写できる。
本発明の一具体例の記録ヘツドでは、マイクロ
サイズ通電発熱点を有し、感熱フイルムにマイク
ロサイズ・ドツト像を形成することができ、電流
パルス供給停止後通電発熱点の冷却時間が最小限
にされ得る。
サイズ通電発熱点を有し、感熱フイルムにマイク
ロサイズ・ドツト像を形成することができ、電流
パルス供給停止後通電発熱点の冷却時間が最小限
にされ得る。
本発明の一具体例によれば、フイルム掃引過程
においてフイルム面と摺動的に係合する記録ヘツ
ドによつてドツト像を感熱像形成フイルムに形成
する際、フイルムの重大な擦傷が回避できる。
においてフイルム面と摺動的に係合する記録ヘツ
ドによつてドツト像を感熱像形成フイルムに形成
する際、フイルムの重大な擦傷が回避できる。
本発明の一具体例によれば、記録ヘツドは、適
切な費用で製造可能にされ得、比較的寿命が長
い。
切な費用で製造可能にされ得、比較的寿命が長
い。
本発明の一具体例によれば、複数個の間隔を置
いたマイクロサイズ・ドツト像(拡大された際可
視的なパターンになる程度の大きさのパターンを
形成するドツト像)を直接形成可能な発熱記録ヘ
ツドであつて、適切な費用で製造可能であり、相
当寿命が長い記録ヘツドが提供される。この記録
ヘツドによつて構成されるドツト像は、書簡やそ
の他の文書の実用マイクロフイルム記録作成にあ
たつて、普通寸法の文字の24分の1以上に縮小さ
れる。本発明の1つの特徴によれば記録ヘツド
は、所定間隔を置いた複数の加熱用抵抗線として
のマイクロサイズ加熱細線を有する支持体を含
み、各加熱細線は、細線直径の約1.5倍以下、望
ましくは1.5倍を下回る間隔で設けられた複数個
の点に望ましくは中心をもつ溝部としての凹部ま
たは切り欠き部(ノツチ)で正確に位置決めされ
ている。凹部または切り欠き部は、支持体のマイ
クロフイルム対向端(エツジ部)を横切つて横方
向に延びている。支持体は陽極酸化アルミニウム
またはアルミナなどのように絶縁面を有する放熱
材料から構成されることがきわめて望ましい。各
細線は凹部または切り欠き部の端部に形成された
縁部のまわりに曲折乃至曲げ返えされ、マイクロ
フイルムに対するマイクロサイズの加熱点を形成
する。望ましくは、支持体の切り欠きのない平面
状表面部上の加熱細線は、支持体のマイクロフイ
ルム対向端(エツジ部)から離れるにしたがつて
大きく外方に拡がり、支持体の比較的広い間隔を
有する複数個の端子部の方へ延びている。これら
の端子部においては、加熱細線は、それよりはる
かに大きい導体と接続することが望ましい。支持
体のもう一方の平面状表面部の加熱細線は、1個
の共通端子部に接続することができ、この共通端
子部には、細線よりはるかに大きい導体が接続さ
れ、記録ヘツドの共通電流入力端子まで延びてい
る。記録ヘツドまたはマイクロフイルムを相互に
相対的に移動させる手段が設けられている(記録
ヘツドを移動させることが望ましい)。記録ヘツ
ドがマイクロフイルムのいろいろな位置をとる動
作に応じて、種々のパターンの電流パルスが加熱
細線に供給され、マイクロフイルムに所望の情報
が記録される。
いたマイクロサイズ・ドツト像(拡大された際可
視的なパターンになる程度の大きさのパターンを
形成するドツト像)を直接形成可能な発熱記録ヘ
ツドであつて、適切な費用で製造可能であり、相
当寿命が長い記録ヘツドが提供される。この記録
ヘツドによつて構成されるドツト像は、書簡やそ
の他の文書の実用マイクロフイルム記録作成にあ
たつて、普通寸法の文字の24分の1以上に縮小さ
れる。本発明の1つの特徴によれば記録ヘツド
は、所定間隔を置いた複数の加熱用抵抗線として
のマイクロサイズ加熱細線を有する支持体を含
み、各加熱細線は、細線直径の約1.5倍以下、望
ましくは1.5倍を下回る間隔で設けられた複数個
の点に望ましくは中心をもつ溝部としての凹部ま
たは切り欠き部(ノツチ)で正確に位置決めされ
ている。凹部または切り欠き部は、支持体のマイ
クロフイルム対向端(エツジ部)を横切つて横方
向に延びている。支持体は陽極酸化アルミニウム
またはアルミナなどのように絶縁面を有する放熱
材料から構成されることがきわめて望ましい。各
細線は凹部または切り欠き部の端部に形成された
縁部のまわりに曲折乃至曲げ返えされ、マイクロ
フイルムに対するマイクロサイズの加熱点を形成
する。望ましくは、支持体の切り欠きのない平面
状表面部上の加熱細線は、支持体のマイクロフイ
ルム対向端(エツジ部)から離れるにしたがつて
大きく外方に拡がり、支持体の比較的広い間隔を
有する複数個の端子部の方へ延びている。これら
の端子部においては、加熱細線は、それよりはる
かに大きい導体と接続することが望ましい。支持
体のもう一方の平面状表面部の加熱細線は、1個
の共通端子部に接続することができ、この共通端
子部には、細線よりはるかに大きい導体が接続さ
れ、記録ヘツドの共通電流入力端子まで延びてい
る。記録ヘツドまたはマイクロフイルムを相互に
相対的に移動させる手段が設けられている(記録
ヘツドを移動させることが望ましい)。記録ヘツ
ドがマイクロフイルムのいろいろな位置をとる動
作に応じて、種々のパターンの電流パルスが加熱
細線に供給され、マイクロフイルムに所望の情報
が記録される。
本発明の他の特徴によれば記録ヘツドによつて
データ記録処理を実行する効率および相対速度を
増大するために、加熱細線は、支持体のマイクロ
フイルム対向端部(エツジ部)において、凹部ま
たは切り欠き部の縁部のまわりに曲げられる部分
およびその近傍のみが加熱され、この支持体端部
は加熱細線の曲折部からごく近接した点まで放熱
材料によつて被覆されている。支持体の放熱性と
放熱材料からできた放熱材料体としての被覆体に
よつて、電流パルス供給停止後、加熱細線の露出
曲折部が急速に冷却される。しかし、支持体およ
び被覆体の放熱性によつてマイクロフイルムへの
熱伝導に支障をきたし、明確なドツト像形成を妨
げないように、加熱細線の曲げ返し部は、支持体
上に突出し、被覆体と僅かの間隔を保つている。
また、被覆体はマイクロフイルムの極端な反りを
防ぎ、加熱細線とマイクロフイルムの一様な接触
を保つために、扁平状のフイルム係合面によつて
構成することができる。
データ記録処理を実行する効率および相対速度を
増大するために、加熱細線は、支持体のマイクロ
フイルム対向端部(エツジ部)において、凹部ま
たは切り欠き部の縁部のまわりに曲げられる部分
およびその近傍のみが加熱され、この支持体端部
は加熱細線の曲折部からごく近接した点まで放熱
材料によつて被覆されている。支持体の放熱性と
放熱材料からできた放熱材料体としての被覆体に
よつて、電流パルス供給停止後、加熱細線の露出
曲折部が急速に冷却される。しかし、支持体およ
び被覆体の放熱性によつてマイクロフイルムへの
熱伝導に支障をきたし、明確なドツト像形成を妨
げないように、加熱細線の曲げ返し部は、支持体
上に突出し、被覆体と僅かの間隔を保つている。
また、被覆体はマイクロフイルムの極端な反りを
防ぎ、加熱細線とマイクロフイルムの一様な接触
を保つために、扁平状のフイルム係合面によつて
構成することができる。
加熱細線の一部のみの選択的加熱は、電気メツ
キなどのように、銅またはその他の導電性の大き
い材料を、加熱細線に選択的に被覆することによ
つてきわめて有利に行われる。加熱細線の導電性
被覆部位はその曲げ返し部から充分な間隔を置い
て、その拡がり部がそれぞれ支持体の側面沿いに
実質的に十分間隔が保たれるようにする。加熱細
線の加熱部分は、少なくともその一部を、細線を
支持体に永久的に固着させる薄い非導電性セメン
ト(接着材)層および(または)取り外し自在な
被覆材料を一時的に加熱部に取り付けることによ
り、電気メツキ溶液から遮断することができる
(米国特許3862394号の記録ヘツドの場合、加熱細
線は加熱点まで銅で被覆されているが、該特許の
記録ヘツド構造は、本発明の記録ヘツドときわめ
て異なり、本発明の記録ヘツドの場合、マイクロ
サイズの加熱細線を複数個設けるとともに、それ
らを正確に位置決めし、かつ分離するための溝ま
たは切り欠き部と、放熱およびマイクロフイルム
の位置決め安定度を向上させるための被覆体が設
けられている)。
キなどのように、銅またはその他の導電性の大き
い材料を、加熱細線に選択的に被覆することによ
つてきわめて有利に行われる。加熱細線の導電性
被覆部位はその曲げ返し部から充分な間隔を置い
て、その拡がり部がそれぞれ支持体の側面沿いに
実質的に十分間隔が保たれるようにする。加熱細
線の加熱部分は、少なくともその一部を、細線を
支持体に永久的に固着させる薄い非導電性セメン
ト(接着材)層および(または)取り外し自在な
被覆材料を一時的に加熱部に取り付けることによ
り、電気メツキ溶液から遮断することができる
(米国特許3862394号の記録ヘツドの場合、加熱細
線は加熱点まで銅で被覆されているが、該特許の
記録ヘツド構造は、本発明の記録ヘツドときわめ
て異なり、本発明の記録ヘツドの場合、マイクロ
サイズの加熱細線を複数個設けるとともに、それ
らを正確に位置決めし、かつ分離するための溝ま
たは切り欠き部と、放熱およびマイクロフイルム
の位置決め安定度を向上させるための被覆体が設
けられている)。
本発明の別の特徴によれば、ヘツド抵抗材細線
を最も有利に曲げるエツジ部としての支持体縁部
は、約45゜以下の鋭角を成す面によつて定められ
る。鋭く曲げ返えされた細線はエツジ部の外形に
沿うように曲折股部でクリンプされ、その部位に
おける細線の厚みを減少させ、その結果細線抵抗
が増大し、細線とマイクロフイルムとの接触点に
熱が集中する。
を最も有利に曲げるエツジ部としての支持体縁部
は、約45゜以下の鋭角を成す面によつて定められ
る。鋭く曲げ返えされた細線はエツジ部の外形に
沿うように曲折股部でクリンプされ、その部位に
おける細線の厚みを減少させ、その結果細線抵抗
が増大し、細線とマイクロフイルムとの接触点に
熱が集中する。
本発明のさらに別の特徴によれば、加熱細線の
突出部がマイクロフイルム上を摺動する際、マイ
クロフイルムの擦過が回避され、または最少限に
抑えられ、マイクロフイルムを弾性支持体によつ
て支持することにより、投写マイクロフイルム像
に擦傷は現われない。この弾性支持体はフイルム
の大きな擦傷を回避するに足る弾性を有する一
方、加熱細線とマイクロフイルム間の接触不良ま
たは一様でない接触の原因となるフイルムの大き
な反りを回避するに足る剛性を有している。たと
えば、所定の柔軟度を有するポリウレタン・フオ
ーム材料からできたパツドを用いることにより、
大きなフイルム擦傷を完全に回避し、記録ヘツド
によるドツト像の一様なコントラストに悪影響を
及ぼさない。
突出部がマイクロフイルム上を摺動する際、マイ
クロフイルムの擦過が回避され、または最少限に
抑えられ、マイクロフイルムを弾性支持体によつ
て支持することにより、投写マイクロフイルム像
に擦傷は現われない。この弾性支持体はフイルム
の大きな擦傷を回避するに足る弾性を有する一
方、加熱細線とマイクロフイルム間の接触不良ま
たは一様でない接触の原因となるフイルムの大き
な反りを回避するに足る剛性を有している。たと
えば、所定の柔軟度を有するポリウレタン・フオ
ーム材料からできたパツドを用いることにより、
大きなフイルム擦傷を完全に回避し、記録ヘツド
によるドツト像の一様なコントラストに悪影響を
及ぼさない。
第1図から第11図までは本発明のもつとも好
適な形態に従つて構成された加熱記録ヘツド2を
示したものである。図示のとおり、記録ヘツドは
加熱用抵抗線支持体4を含み、支持体4には加熱
用抵抗線としての加熱細線6(クロメルなど)が
像形成用マイクロフイルムと十分接触するよう
に、支持体の突出ネツク部4aの露出下端部上か
らわずか下方に突出するように、底部マイクロフ
イルム対向端部に支持されている。支持体は表面
がアルミナや陽極酸化アルミニウムなどからなる
良好な放熱物質から構成することがきわめて望ま
しく、この放熱材料は、絶縁面を構成し、その上
に、加熱細線6を取り付けても短絡することはな
い。(加熱細線6はたとえば、直径約12.5ミクロ
ンで、第1図に示す記録ヘツドの実用試作品製造
に使用し、成功した。)以下説明する方法で、細
線6は、突出ネツク部4aの下端部沿いに永久に
正確に配置され、それぞれ、直径の約1.5倍以
下、かつ、望ましくは約1.5倍を下回る中心間間
隔を保たれる。
適な形態に従つて構成された加熱記録ヘツド2を
示したものである。図示のとおり、記録ヘツドは
加熱用抵抗線支持体4を含み、支持体4には加熱
用抵抗線としての加熱細線6(クロメルなど)が
像形成用マイクロフイルムと十分接触するよう
に、支持体の突出ネツク部4aの露出下端部上か
らわずか下方に突出するように、底部マイクロフ
イルム対向端部に支持されている。支持体は表面
がアルミナや陽極酸化アルミニウムなどからなる
良好な放熱物質から構成することがきわめて望ま
しく、この放熱材料は、絶縁面を構成し、その上
に、加熱細線6を取り付けても短絡することはな
い。(加熱細線6はたとえば、直径約12.5ミクロ
ンで、第1図に示す記録ヘツドの実用試作品製造
に使用し、成功した。)以下説明する方法で、細
線6は、突出ネツク部4aの下端部沿いに永久に
正確に配置され、それぞれ、直径の約1.5倍以
下、かつ、望ましくは約1.5倍を下回る中心間間
隔を保たれる。
支持体4は、ネツク部4aが底部から突出する
矩形主部4bを有する比較的薄い板であることが
もつとも有利である。図示するように、支持体の
製造を簡単にするために、矩形主部4bの側面8
と同一平面内の縦側面8、ならびにそれと平行で
矩形主部4bの側面と同一平面内の対向縦側面
8′(二つの平面状表面部のうちの一方の平面状
表面部を構成している)をネツク部4aに設ける
ことが望ましい。ネツク部4aの側面8は、約45
゜以下の小鋭角で側面8′と交差する傾斜面9
(二つの平面状表面部のうちの一方の平面状表面
部を構成している)まで続いており、尖鋭なエツ
ジ部を形成している。傾斜面9には細線位置決め
用溝部としての凹部または切り欠き部10が設け
られているが、これらの凹部または切り欠き部1
0は、切削端が第8図にしめすV形切り欠き部1
0を形成するように傾斜面9と平行に移動する従
来のルーラによつて形成することができる。各切
り欠き部10は、エツジ部10′(第9図)まで
継続しており、エツジ部10′において罫引面9
はネツク部4aの縦側面8′と交差している。記
録ヘツドが文字、数字を記録する場合には、本発
明の実施例では、最大7個の所定数の縦方向に所
定間隔をおいたドツト像によつてそのような字の
縦方向セグメントが形成される。したがつて、少
なくとも7個の隣接した加熱細線を支持体4に設
けなければならない。第8図に示すように、支持
体の突出ネツク部4aの端部には30個以上の切り
欠き部10が形成されているが、ネツク部4aの
中心にある9個の隣接切り欠き部を用いるのが望
ましい。隣接切り欠き部のうち9個のみが加熱細
線6−1,6−2,…6−9を受け入れている。
7個ではなく9個の細線が設けられているのは、
記録ヘツドの融通性と信頼性を向上させるためで
ある。なぜならば、7個の隣接細線によつて動作
状態の記録ヘツドが構成され、したがつて、残り
2個の細線の動作性に欠点があつても、記録ヘツ
ドの所要ドツト像形成能力は影響を受けない。支
持体4の拡大断面図から、支持体4がアルミニウ
ムなどの金属体4′と、その上に設けられた厚さ
約25ミクロンの陽極酸化された酸化物層4″から
成ることがわかる。
矩形主部4bを有する比較的薄い板であることが
もつとも有利である。図示するように、支持体の
製造を簡単にするために、矩形主部4bの側面8
と同一平面内の縦側面8、ならびにそれと平行で
矩形主部4bの側面と同一平面内の対向縦側面
8′(二つの平面状表面部のうちの一方の平面状
表面部を構成している)をネツク部4aに設ける
ことが望ましい。ネツク部4aの側面8は、約45
゜以下の小鋭角で側面8′と交差する傾斜面9
(二つの平面状表面部のうちの一方の平面状表面
部を構成している)まで続いており、尖鋭なエツ
ジ部を形成している。傾斜面9には細線位置決め
用溝部としての凹部または切り欠き部10が設け
られているが、これらの凹部または切り欠き部1
0は、切削端が第8図にしめすV形切り欠き部1
0を形成するように傾斜面9と平行に移動する従
来のルーラによつて形成することができる。各切
り欠き部10は、エツジ部10′(第9図)まで
継続しており、エツジ部10′において罫引面9
はネツク部4aの縦側面8′と交差している。記
録ヘツドが文字、数字を記録する場合には、本発
明の実施例では、最大7個の所定数の縦方向に所
定間隔をおいたドツト像によつてそのような字の
縦方向セグメントが形成される。したがつて、少
なくとも7個の隣接した加熱細線を支持体4に設
けなければならない。第8図に示すように、支持
体の突出ネツク部4aの端部には30個以上の切り
欠き部10が形成されているが、ネツク部4aの
中心にある9個の隣接切り欠き部を用いるのが望
ましい。隣接切り欠き部のうち9個のみが加熱細
線6−1,6−2,…6−9を受け入れている。
7個ではなく9個の細線が設けられているのは、
記録ヘツドの融通性と信頼性を向上させるためで
ある。なぜならば、7個の隣接細線によつて動作
状態の記録ヘツドが構成され、したがつて、残り
2個の細線の動作性に欠点があつても、記録ヘツ
ドの所要ドツト像形成能力は影響を受けない。支
持体4の拡大断面図から、支持体4がアルミニウ
ムなどの金属体4′と、その上に設けられた厚さ
約25ミクロンの陽極酸化された酸化物層4″から
成ることがわかる。
たとえば、第9図に図示するように、切り欠き
部10内に延びる加熱細線は、それぞれ切り欠き
部端部に形成されたエツジ部10′のまわりに曲
げ返えされ、各細線は関連エツジ部10′に対し
て適当な強度で保持されるように固定され、曲げ
返えされた細線をその股部において変形またはク
リンプし、その部分における横断面積を減少させ
ている。その結果、支持体4から突出し、マイク
ロフイルムと係合する各細線部分における抵抗お
よび発熱が増大する。また、細線の鋭角の曲げ返
えし部における突出部によつて正確な形状の発熱
部が構成される。
部10内に延びる加熱細線は、それぞれ切り欠き
部端部に形成されたエツジ部10′のまわりに曲
げ返えされ、各細線は関連エツジ部10′に対し
て適当な強度で保持されるように固定され、曲げ
返えされた細線をその股部において変形またはク
リンプし、その部分における横断面積を減少させ
ている。その結果、支持体4から突出し、マイク
ロフイルムと係合する各細線部分における抵抗お
よび発熱が増大する。また、細線の鋭角の曲げ返
えし部における突出部によつて正確な形状の発熱
部が構成される。
第11図にもつともよく示すように、加熱細線
6は、各切り欠き部10からネツク部4aの傾斜
罫引面9上を延び支持体の滑らかな縦側面8を通
つて、面8の導電性セメントのかたまりすなわち
グロブ(glob)12′まで延びる。図示するよう
に、導電性セメントのグロブ12′は、加熱細線
の各端部を電気的および機械的に、共通の絶縁被
覆された銅線11−1′に接続する。
6は、各切り欠き部10からネツク部4aの傾斜
罫引面9上を延び支持体の滑らかな縦側面8を通
つて、面8の導電性セメントのかたまりすなわち
グロブ(glob)12′まで延びる。図示するよう
に、導電性セメントのグロブ12′は、加熱細線
の各端部を電気的および機械的に、共通の絶縁被
覆された銅線11−1′に接続する。
切り欠き部10の下端部のエツジ部10′を離
れた加熱細線6は、支持体4のネツク部4aの非
罫引縦面8′沿いに延び、縁部10′から離れるに
つれ相互に次第に拡がつている。各細線は図示す
るように、ネツク部4aの中間部(第5〜7図)
まで延びる狭い帯状の非導電性セメントの層14
によつて所定間隔を保たれている。電気絶縁性の
薄層としてのこの非導電性セメント層14は、ネ
ツク部4aの他方の面8の中間部まで細線6上を
延びており、セメントが流動状態にあるときにネ
ツク部をその中に浸漬することにより、支持部4
のネツク部4aの下端部に設けることができる。
そのような場合、余分のセメントがネツク部4a
から流出し、加熱細線6の曲折部としての突出曲
げ返し端部に電気絶縁性の薄層としてのきわめて
薄い塗膜(厚さ約1ミクロン)を形成し、次第に
厚みが増して、たとえばネツク部4aの約半分上
方部においては25ミクロンに達することができ
る。
れた加熱細線6は、支持体4のネツク部4aの非
罫引縦面8′沿いに延び、縁部10′から離れるに
つれ相互に次第に拡がつている。各細線は図示す
るように、ネツク部4aの中間部(第5〜7図)
まで延びる狭い帯状の非導電性セメントの層14
によつて所定間隔を保たれている。電気絶縁性の
薄層としてのこの非導電性セメント層14は、ネ
ツク部4aの他方の面8の中間部まで細線6上を
延びており、セメントが流動状態にあるときにネ
ツク部をその中に浸漬することにより、支持部4
のネツク部4aの下端部に設けることができる。
そのような場合、余分のセメントがネツク部4a
から流出し、加熱細線6の曲折部としての突出曲
げ返し端部に電気絶縁性の薄層としてのきわめて
薄い塗膜(厚さ約1ミクロン)を形成し、次第に
厚みが増して、たとえばネツク部4aの約半分上
方部においては25ミクロンに達することができ
る。
図示するように、加熱細線6は、非導電性セメ
ントの層14の終端部において大きく拡散し、導
電性セメントのグロブによつて形成される比較的
相互間隔の大きい端子部13−1,13−2,…
13−9まで延長している。導電性セメントは、
支持体の矩形主部4bの面8に細線を機械的に固
着する。絶縁被覆された銅線11−1,11−
2,…11−9は細線6−1,6−2,…6−9
と電気的に接続し、セメントのグロブによつて支
持体に固着される。第5図にもつともよく示すよ
うに、各加熱細線6と導体11との最初の接続
は、細線を導体11の露出端部に巻回することに
よつて行うことができ、次いで、導電性セメント
のグロブにより、支持体4の面に固着する。
ントの層14の終端部において大きく拡散し、導
電性セメントのグロブによつて形成される比較的
相互間隔の大きい端子部13−1,13−2,…
13−9まで延長している。導電性セメントは、
支持体の矩形主部4bの面8に細線を機械的に固
着する。絶縁被覆された銅線11−1,11−
2,…11−9は細線6−1,6−2,…6−9
と電気的に接続し、セメントのグロブによつて支
持体に固着される。第5図にもつともよく示すよ
うに、各加熱細線6と導体11との最初の接続
は、細線を導体11の露出端部に巻回することに
よつて行うことができ、次いで、導電性セメント
のグロブにより、支持体4の面に固着する。
支持体4の縦面8′沿いに延びる導体11−
1,11−2,…11−9ならびに、支持体の反
対面8沿いに延びる導体11−1′は、それぞ
れ、セメント部材13−13′によつて、支持体
に機械的に固着することができる(第10図およ
び11図参照)。支持体4bの上端部において、
導体11−1,11−2,…11−9および11
−1′を結合させて、共通ケーブルを形成し、コ
ネクタ15(第1図参照)まで延長させ、相補コ
ネクタ(図示しない)と電気的に接続させること
ができる。このコネクタの端子に、随時、短かい
電流パルスを選択的に加えて、加熱細線6に選択
的に電流を流し、細線が位置付けられているマイ
クロフイルムの特定点に、随時、ドツト像を形成
することができる。
1,11−2,…11−9ならびに、支持体の反
対面8沿いに延びる導体11−1′は、それぞ
れ、セメント部材13−13′によつて、支持体
に機械的に固着することができる(第10図およ
び11図参照)。支持体4bの上端部において、
導体11−1,11−2,…11−9および11
−1′を結合させて、共通ケーブルを形成し、コ
ネクタ15(第1図参照)まで延長させ、相補コ
ネクタ(図示しない)と電気的に接続させること
ができる。このコネクタの端子に、随時、短かい
電流パルスを選択的に加えて、加熱細線6に選択
的に電流を流し、細線が位置付けられているマイ
クロフイルムの特定点に、随時、ドツト像を形成
することができる。
図からわかるように、支持体4の突出ネツク部
4aの長さは、加熱細線6の全長のごく一部分に
すぎない。記録ヘツドに加えられる電流を有効に
使用し、マイクロフイルム加熱作用を行わない細
線の延長部分を不必要に加熱することをさけるた
めに、支持体4のネツク部4aの下端部に非導電
性セメント14を塗布した後、セメントの導電性
グロプ13−1,13−2,…13−9および1
3′まで延びる細線の露出部分を、導電性被覆と
しての銅の層17またはその他適当な導電性材料
によつて適当な厚さ、たとえば25ミクロン程度に
電気メツキし、細線6のこれらメツキ部分が実際
上ジユール加熱されないようにすることが望まし
い。
4aの長さは、加熱細線6の全長のごく一部分に
すぎない。記録ヘツドに加えられる電流を有効に
使用し、マイクロフイルム加熱作用を行わない細
線の延長部分を不必要に加熱することをさけるた
めに、支持体4のネツク部4aの下端部に非導電
性セメント14を塗布した後、セメントの導電性
グロプ13−1,13−2,…13−9および1
3′まで延びる細線の露出部分を、導電性被覆と
しての銅の層17またはその他適当な導電性材料
によつて適当な厚さ、たとえば25ミクロン程度に
電気メツキし、細線6のこれらメツキ部分が実際
上ジユール加熱されないようにすることが望まし
い。
前述した理由により、支持体4のマイクロフイ
ルム対向端部は、良好な放熱材料と同様な作用を
する絶縁ポツテング剤の本体19に封止されてい
る。このポツテング剤の本体19は、支持体のネ
ツク部4aの上方に延びる加熱細線6の曲げ返し
部(曲折部)のごく近傍まで延びている。曲返部
と本体(放熱材料体)19との間隔は少なくとも
約10ないし20ミクロン(20ミクロンの方が望まし
い)とし、マイクロフイルムへの良好な熱伝達を
妨げないようにするとともに、電流が消滅次第、
加熱細線の急速な冷却に役立つようにする。封止
体19は、支持体4の突出ネツク部4a先端周辺
において、像形成されるべきマイクロフイルムと
平行な面内に扁平なフイルム係合領域19aを有
することが望ましい。この平面は、支持部4の先
端のやや上方乃至後方に位置し、細線6から所定
間隔を設けるようにすることができる。封止体1
9の端部は支持先端と同一面に位置させることが
望ましく、前記細線6との所定間隔は、第13図
の線19′−19′に示すように、封止体19の一
部を切り欠くことによつて設けることができる。
ルム対向端部は、良好な放熱材料と同様な作用を
する絶縁ポツテング剤の本体19に封止されてい
る。このポツテング剤の本体19は、支持体のネ
ツク部4aの上方に延びる加熱細線6の曲げ返し
部(曲折部)のごく近傍まで延びている。曲返部
と本体(放熱材料体)19との間隔は少なくとも
約10ないし20ミクロン(20ミクロンの方が望まし
い)とし、マイクロフイルムへの良好な熱伝達を
妨げないようにするとともに、電流が消滅次第、
加熱細線の急速な冷却に役立つようにする。封止
体19は、支持体4の突出ネツク部4a先端周辺
において、像形成されるべきマイクロフイルムと
平行な面内に扁平なフイルム係合領域19aを有
することが望ましい。この平面は、支持部4の先
端のやや上方乃至後方に位置し、細線6から所定
間隔を設けるようにすることができる。封止体1
9の端部は支持先端と同一面に位置させることが
望ましく、前記細線6との所定間隔は、第13図
の線19′−19′に示すように、封止体19の一
部を切り欠くことによつて設けることができる。
投写スクリーン上の文字数字の読み取りは、記
録媒体に形成される小さいドツト像の高い解像度
によつて容易となる。また、記録媒体表面からの
反射光の場合と異なり、記録媒体を透過する光を
投写することにより、きわめて明瞭な投写像が得
られる。この理由のため、本発明による文字数字
データ記録に用いる感熱記録媒体は、透明および
不透明像のハターンを形成するマイクロフイルム
とし、光がその透明部分を通して投写できるよう
にすることがもつとも有利である。この目的のた
めに、具体的には第17A図に示すように、マイ
クロフイルム21を構成する感熱記録媒体はポリ
エステル、特に、マイラーのような溶融点約250
℃のポリエチレン・テレフタレートなどの透明合
成プラスチツク材料の固体基板22から構成する
ことが有利である。この基板の片側に最初は不透
明または透明(最初は不透明である方が望まし
い)で、一定値以上の熱が加えられるとそれぞれ
透明または不透明になるような感熱像形成材料か
らできた薄膜23が固着されている。像形成層2
3の外面には、ダウ・コーニングR−4−3117の
ようなシリコン樹脂またはポリウレタン、ポリ塩
化ビニリデンなどの適当な透明の合成重合体材料
でできた透明保護層24を設けることが望まし
い。前記加熱細線に隣接するフイルム面から、前
記像形成材料塗布部と基板との間の界面までの厚
さは好ましくは約2ミクロン以下である。
録媒体に形成される小さいドツト像の高い解像度
によつて容易となる。また、記録媒体表面からの
反射光の場合と異なり、記録媒体を透過する光を
投写することにより、きわめて明瞭な投写像が得
られる。この理由のため、本発明による文字数字
データ記録に用いる感熱記録媒体は、透明および
不透明像のハターンを形成するマイクロフイルム
とし、光がその透明部分を通して投写できるよう
にすることがもつとも有利である。この目的のた
めに、具体的には第17A図に示すように、マイ
クロフイルム21を構成する感熱記録媒体はポリ
エステル、特に、マイラーのような溶融点約250
℃のポリエチレン・テレフタレートなどの透明合
成プラスチツク材料の固体基板22から構成する
ことが有利である。この基板の片側に最初は不透
明または透明(最初は不透明である方が望まし
い)で、一定値以上の熱が加えられるとそれぞれ
透明または不透明になるような感熱像形成材料か
らできた薄膜23が固着されている。像形成層2
3の外面には、ダウ・コーニングR−4−3117の
ようなシリコン樹脂またはポリウレタン、ポリ塩
化ビニリデンなどの適当な透明の合成重合体材料
でできた透明保護層24を設けることが望まし
い。前記加熱細線に隣接するフイルム面から、前
記像形成材料塗布部と基板との間の界面までの厚
さは好ましくは約2ミクロン以下である。
像形成層23は非感光性かつ高感熱性に改良さ
れたきわめて薄いジアゾ型ベシキユラータイプ乾
式銀フイルムのような最初は透明なフイルム、ま
たは、1970年9月22日に付与された米国特許第
3530441号に開示されているようなカルコゲナイ
ド・ガラス半導体組成物のような従来周知の最初
は透明な感熱フイルムを用いることができるが、
1976年9月23日出願の米国特願第725926号(特願
昭52−113430号)に開示されている形式のものが
もつとも有利である。そのような像形成層は、所
定の基板上に小球、その他小粒子または小構造物
を分散形成することができる。分散像形成材料に
は、半導体(すなわち、導電率が10-13〜
10-3ohm-1cm-1の材料)のみならず、金属や、各
種有機化合物などの電気的な非導電体も含まれ
る。中でも、ビスマスなどの比較的溶融点の低い
金属、特に溶融点が約150℃ないし250℃以下のビ
スマス合金が有用な金属であることがわかつた。
半導体材料の中には、金属よりも脆弱なものがあ
る。この脆性は分散に有利になる場合がある。こ
れらの半導体の中でももつとも望ましいのはテル
ルである。
れたきわめて薄いジアゾ型ベシキユラータイプ乾
式銀フイルムのような最初は透明なフイルム、ま
たは、1970年9月22日に付与された米国特許第
3530441号に開示されているようなカルコゲナイ
ド・ガラス半導体組成物のような従来周知の最初
は透明な感熱フイルムを用いることができるが、
1976年9月23日出願の米国特願第725926号(特願
昭52−113430号)に開示されている形式のものが
もつとも有利である。そのような像形成層は、所
定の基板上に小球、その他小粒子または小構造物
を分散形成することができる。分散像形成材料に
は、半導体(すなわち、導電率が10-13〜
10-3ohm-1cm-1の材料)のみならず、金属や、各
種有機化合物などの電気的な非導電体も含まれ
る。中でも、ビスマスなどの比較的溶融点の低い
金属、特に溶融点が約150℃ないし250℃以下のビ
スマス合金が有用な金属であることがわかつた。
半導体材料の中には、金属よりも脆弱なものがあ
る。この脆性は分散に有利になる場合がある。こ
れらの半導体の中でももつとも望ましいのはテル
ルである。
記録ヘツド2の加熱通電細線6が最初のジユー
ル加熱後冷却するまで一定時間を要するため、記
録媒体に像形成するために加熱ヘツドの通電点の
加熱温度を必要最小限にすることにより、最大の
走査速度および最高の解像度が一般に達成され
る。また、記録媒体に、像形成層以外に第17A
図に示すように、基板22や保護層24などが含
まれる場合には、基板および保護層の軟化温度ま
たは流れ温度は、効果的な像形成を行うために像
形成層23の温度よりも高いことが望ましい。た
とえば、効果的な像形成を行うために像形成層の
温度を300℃まで高める必要がある場合には、融
点が約250℃の前述のポリエステル基板材料はあ
まり望ましくないだろう。そのような場合、たと
えば基板としてはデユポン社が販売しているよう
なポリマイド・カプトンなどの融点が高く、ゼロ
強度温度が約815℃の物質を用いることができる
だろう。いずれにしても、望ましい像形成層材料
は以下に述べるビスマスまたはビスマス合金など
のように融点の低い物質である。
ル加熱後冷却するまで一定時間を要するため、記
録媒体に像形成するために加熱ヘツドの通電点の
加熱温度を必要最小限にすることにより、最大の
走査速度および最高の解像度が一般に達成され
る。また、記録媒体に、像形成層以外に第17A
図に示すように、基板22や保護層24などが含
まれる場合には、基板および保護層の軟化温度ま
たは流れ温度は、効果的な像形成を行うために像
形成層23の温度よりも高いことが望ましい。た
とえば、効果的な像形成を行うために像形成層の
温度を300℃まで高める必要がある場合には、融
点が約250℃の前述のポリエステル基板材料はあ
まり望ましくないだろう。そのような場合、たと
えば基板としてはデユポン社が販売しているよう
なポリマイド・カプトンなどの融点が高く、ゼロ
強度温度が約815℃の物質を用いることができる
だろう。いずれにしても、望ましい像形成層材料
は以下に述べるビスマスまたはビスマス合金など
のように融点の低い物質である。
分散像形成材料のもう1つの望ましい性質は、
その融点または軟化点以上および像形成温度にお
いて、集合流動して、小粒、小球または類似の構
造となり、または少なくとも細粒化して所定の光
透過性領域を形成するに足るほどその粘度が低く
なることである。同時に、この材料は溶融または
軟化状態において小粒または小球形成を促進する
に足るだけ、比較的高い表面張力を有することが
望ましい。さらに、そのような分散像形成材料
は、使用する基板に対し低い湿潤性を有しなけれ
ばならない。基板に対する分散像形成材料の湿潤
性が高すぎると、分散が不十分となり、満足な像
が出来ない。
その融点または軟化点以上および像形成温度にお
いて、集合流動して、小粒、小球または類似の構
造となり、または少なくとも細粒化して所定の光
透過性領域を形成するに足るほどその粘度が低く
なることである。同時に、この材料は溶融または
軟化状態において小粒または小球形成を促進する
に足るだけ、比較的高い表面張力を有することが
望ましい。さらに、そのような分散像形成材料
は、使用する基板に対し低い湿潤性を有しなけれ
ばならない。基板に対する分散像形成材料の湿潤
性が高すぎると、分散が不十分となり、満足な像
が出来ない。
重要なことは、分散像形成材料が、非分散状態
において、不透明度が高いことである。この材料
が塗布された薄膜状態で所要の不透明度を有しな
い場合、たとえば、他の適当な有機材料または無
機材料の場合のように、カーボン・ブラツクなど
のような微粒状染料または有機染料の添加によつ
て不透明状態にすることができる。
において、不透明度が高いことである。この材料
が塗布された薄膜状態で所要の不透明度を有しな
い場合、たとえば、他の適当な有機材料または無
機材料の場合のように、カーボン・ブラツクなど
のような微粒状染料または有機染料の添加によつ
て不透明状態にすることができる。
前記のような像形成材料によつて形成される像
は、きわめて不透明度の高い適切な分散像形成材
料を使用した場合と同様な高い解像度と良好な鮮
明度を有しており、分散像形成材料の厚さが最
小、たとえば、0.2ミクロン以下であつても、像
のコントラストは高い。
は、きわめて不透明度の高い適切な分散像形成材
料を使用した場合と同様な高い解像度と良好な鮮
明度を有しており、分散像形成材料の厚さが最
小、たとえば、0.2ミクロン以下であつても、像
のコントラストは高い。
一般に、像形成層23として適切な分散像形成
材料の融点または軟化点は約50℃〜約500℃(約
250℃以下であることが望ましい)、粘度は、融点
または軟化点以上で約10-2ポアズないし約105ポ
アズ、熱伝導率は 10-4cal.cm/cm2.S.deg.C〜10-1cal.c
m/cm2.S.deg.C、また、軟化ま たは溶融状態の表面張力は50〜1000ダイン/cmで
ある。
材料の融点または軟化点は約50℃〜約500℃(約
250℃以下であることが望ましい)、粘度は、融点
または軟化点以上で約10-2ポアズないし約105ポ
アズ、熱伝導率は 10-4cal.cm/cm2.S.deg.C〜10-1cal.c
m/cm2.S.deg.C、また、軟化ま たは溶融状態の表面張力は50〜1000ダイン/cmで
ある。
分散像形成材料の層または薄膜は、たとえば、
熱真空蒸着、スパツタリング、溶液塗布後溶剤蒸
発などの方法によつて基板上に形成することがで
きる。
熱真空蒸着、スパツタリング、溶液塗布後溶剤蒸
発などの方法によつて基板上に形成することがで
きる。
グレー・スケールを必要としないコントラスト
の高い用途の場合、電流はマイクロフイルム21
の上に位置する記録ヘツド2の加熱細線に加えら
れ、一定値以上のジユール熱を発生し、保護層2
4を通して像形成層23に伝えられる熱によつて
所定値以上の熱を像形成材料が受け、分散し、第
17B図に示すような小球23′を形成する。こ
れらの小球は基板に固着し、その結果、該当する
通電点に発生する熱が消滅すると、これらの小球
は冷却し、固化する。昇級の寸法は非常に小さ
く、たとえば1ミクロン台以下であり、相互の相
対的間隔はかなり大きいため、通電点すなわちセ
グメントによつて構成される領域全体は、そこに
光を通した場合、実際には、1個の透明部として
みえる。コントラストの高いフイルムの場合、像
形成層には、ビスマスとともに、鉛または錫また
はその両者を含むことが望ましい。たとえば、ビ
スマスの重量比60%、鉛の重量比20%、錫の重量
比20%で構成すれば、特に望ましい高いコントラ
スト像形成層が得られる。また、その他有用な構
成比としては、重量比でビスマス80%、鉛10%、
錫10%、またはビスマス70%、鉛20%、錫10%な
どがある。
の高い用途の場合、電流はマイクロフイルム21
の上に位置する記録ヘツド2の加熱細線に加えら
れ、一定値以上のジユール熱を発生し、保護層2
4を通して像形成層23に伝えられる熱によつて
所定値以上の熱を像形成材料が受け、分散し、第
17B図に示すような小球23′を形成する。こ
れらの小球は基板に固着し、その結果、該当する
通電点に発生する熱が消滅すると、これらの小球
は冷却し、固化する。昇級の寸法は非常に小さ
く、たとえば1ミクロン台以下であり、相互の相
対的間隔はかなり大きいため、通電点すなわちセ
グメントによつて構成される領域全体は、そこに
光を通した場合、実際には、1個の透明部として
みえる。コントラストの高いフイルムの場合、像
形成層には、ビスマスとともに、鉛または錫また
はその両者を含むことが望ましい。たとえば、ビ
スマスの重量比60%、鉛の重量比20%、錫の重量
比20%で構成すれば、特に望ましい高いコントラ
スト像形成層が得られる。また、その他有用な構
成比としては、重量比でビスマス80%、鉛10%、
錫10%、またはビスマス70%、鉛20%、錫10%な
どがある。
前記の物質によつて像形成層を作成する方法の
1例としては、石英管に前記の各元素を所定比率
で混合し(たとえば、ビスマス60g、鉛20g、錫
20g)それを溶融するまで加熱し、振つて良く混
ぜ、次にそれをガラス板上にあける。その結果得
られた混合物をモルタル上に微粉砕し、この微粉
砕物質25gを、約10-6torrの真空室を有する蒸着
機の蒸発皿に入れる。当該成分は基板上に蒸着す
る。この基板は、基板温度が比較的低くなるよう
に(たとえば、約80℃以下)、水冷基板保持体沿
いに延びる前記のポリエルテル樹脂によつて構成
することができる。前記の蒸着過程において、蒸
発皿を基板の下側約4.5インチ(11.4cm)の位置
におき、直径4.5インチ(11.4cm)の円筒形ガラ
ス煙道を蒸発皿と基板間に延長させ、蒸発皿を加
熱して、合金成分を蒸発させる。最上の結果を得
るためには、煙道下側の別の蒸発皿に入れた一酸
化シリコン約10gを加熱して、一酸化シリコンを
合金層上に蒸着させる。薄膜の望ましい光学濃度
範囲は、蒸発物質の量によつて調整することがで
きるが、約1.0ないし2.5である。次に合金層に前
述したように、適当な透明保護物質を被覆するこ
とが望ましい。この方法に代えて、特別の記録媒
体形成が望ましい場合、たとえば、マイクロフイ
ツシユ・カードを作成する場合であつて、最初は
不透明なフレームの周辺部を最初は透明にしたい
場合などには、紫外線などに反応するホトレジス
ト塗布層を保護層として用いる(このホトレジス
ト塗布層としては、ポリビニル桂皮酸塩のKPR
−4ホトレジストを用いることができる)。この
塗布層を、次に、不透明薄膜を残しておきたい場
所(たとえば、マイクロフイツシユ・カード5の
フレーム形成領域)に、マスクを通して紫外線を
当て、フイルムの他の部分を、適当な処理薬液に
よつてエツチングする。紫外線を受けたホトレジ
スト領域はエツチング剤によつて影響を受けな
い。不透明膜のいずれかの部分をエツチングによ
つて除去したい場合には、他の前記の保護塗布層
が望ましい。
1例としては、石英管に前記の各元素を所定比率
で混合し(たとえば、ビスマス60g、鉛20g、錫
20g)それを溶融するまで加熱し、振つて良く混
ぜ、次にそれをガラス板上にあける。その結果得
られた混合物をモルタル上に微粉砕し、この微粉
砕物質25gを、約10-6torrの真空室を有する蒸着
機の蒸発皿に入れる。当該成分は基板上に蒸着す
る。この基板は、基板温度が比較的低くなるよう
に(たとえば、約80℃以下)、水冷基板保持体沿
いに延びる前記のポリエルテル樹脂によつて構成
することができる。前記の蒸着過程において、蒸
発皿を基板の下側約4.5インチ(11.4cm)の位置
におき、直径4.5インチ(11.4cm)の円筒形ガラ
ス煙道を蒸発皿と基板間に延長させ、蒸発皿を加
熱して、合金成分を蒸発させる。最上の結果を得
るためには、煙道下側の別の蒸発皿に入れた一酸
化シリコン約10gを加熱して、一酸化シリコンを
合金層上に蒸着させる。薄膜の望ましい光学濃度
範囲は、蒸発物質の量によつて調整することがで
きるが、約1.0ないし2.5である。次に合金層に前
述したように、適当な透明保護物質を被覆するこ
とが望ましい。この方法に代えて、特別の記録媒
体形成が望ましい場合、たとえば、マイクロフイ
ツシユ・カードを作成する場合であつて、最初は
不透明なフレームの周辺部を最初は透明にしたい
場合などには、紫外線などに反応するホトレジス
ト塗布層を保護層として用いる(このホトレジス
ト塗布層としては、ポリビニル桂皮酸塩のKPR
−4ホトレジストを用いることができる)。この
塗布層を、次に、不透明薄膜を残しておきたい場
所(たとえば、マイクロフイツシユ・カード5の
フレーム形成領域)に、マスクを通して紫外線を
当て、フイルムの他の部分を、適当な処理薬液に
よつてエツチングする。紫外線を受けたホトレジ
スト領域はエツチング剤によつて影響を受けな
い。不透明膜のいずれかの部分をエツチングによ
つて除去したい場合には、他の前記の保護塗布層
が望ましい。
前述したように、最大の記録速度を得るため
に、記録ヘツド2の加熱細線6は、記録動作中、
マイクロフイルム面と接触を保ち、細線はマイク
ロフイルム面と摺動的に係合する。これはフイル
ム面の擦傷という重大な問題を提起する。マイク
ロフイルム20の保護層24が薄膜擦過中に傷を
受けるか否かとは無関係に、擦傷されたマイクロ
フイルム19の投写像にはその画質に重大な支障
をきたす擦傷線ができることがある。また、フイ
ルムの可視擦傷は、第16図に示すように、剛性
金属壁32で支持した弾性支持層30でマイクロ
フイルムを支持することによつて避けることがで
きることがわかつた。たとえば、この支持層とし
ては、線圧縮率が約0.1g/mm3、厚さ約6mmのポ
リウレタン・フオーム材料を使用することができ
る。マイクロフイルムがマイクロフイツシユ・カ
ードの場合には、マイクロフイツシユ・カード全
体をそのような弾性層30に支持する。その場
合、記録ヘツドがマイクロフイルム21上の所定
位置に下げられると、記録ヘツドから突出する加
熱細線6の圧力によつて第16図に示すように、
フイルム21の表面がまがり(へこみ)、その結
果、細線6とマイクロフイルム面間の摩擦は、マ
イクロフイルムを堅い非緩衝面においた場合と比
べて、実質的に減少する。さらに、細線と接触す
る領域においては、マイクロフイルム面が十分に
反り(へこみ)、マイクロフイルムは支持体のネ
ツク部4aと接触しないことがわかつた。このよ
うに、第16図に示すとおり、マイクロフイルム
21は、最初、ネツク部の鋭角端部4C−4Cか
らわずかな間隔をおいて設けられた封止体面19
aの一点において記録ヘツドと接触する。ネツク
部4aの端部4c−4cは、ネツク部4aの最低
面と同一平面の封止体19によつて被覆または保
護されているように示されているが、記録ヘツド
製造における許容差は、マイクロフイルム21と
ネツク部4aとの接触を避けることができれば、
さらに緩めることができる。
に、記録ヘツド2の加熱細線6は、記録動作中、
マイクロフイルム面と接触を保ち、細線はマイク
ロフイルム面と摺動的に係合する。これはフイル
ム面の擦傷という重大な問題を提起する。マイク
ロフイルム20の保護層24が薄膜擦過中に傷を
受けるか否かとは無関係に、擦傷されたマイクロ
フイルム19の投写像にはその画質に重大な支障
をきたす擦傷線ができることがある。また、フイ
ルムの可視擦傷は、第16図に示すように、剛性
金属壁32で支持した弾性支持層30でマイクロ
フイルムを支持することによつて避けることがで
きることがわかつた。たとえば、この支持層とし
ては、線圧縮率が約0.1g/mm3、厚さ約6mmのポ
リウレタン・フオーム材料を使用することができ
る。マイクロフイルムがマイクロフイツシユ・カ
ードの場合には、マイクロフイツシユ・カード全
体をそのような弾性層30に支持する。その場
合、記録ヘツドがマイクロフイルム21上の所定
位置に下げられると、記録ヘツドから突出する加
熱細線6の圧力によつて第16図に示すように、
フイルム21の表面がまがり(へこみ)、その結
果、細線6とマイクロフイルム面間の摩擦は、マ
イクロフイルムを堅い非緩衝面においた場合と比
べて、実質的に減少する。さらに、細線と接触す
る領域においては、マイクロフイルム面が十分に
反り(へこみ)、マイクロフイルムは支持体のネ
ツク部4aと接触しないことがわかつた。このよ
うに、第16図に示すとおり、マイクロフイルム
21は、最初、ネツク部の鋭角端部4C−4Cか
らわずかな間隔をおいて設けられた封止体面19
aの一点において記録ヘツドと接触する。ネツク
部4aの端部4c−4cは、ネツク部4aの最低
面と同一平面の封止体19によつて被覆または保
護されているように示されているが、記録ヘツド
製造における許容差は、マイクロフイルム21と
ネツク部4aとの接触を避けることができれば、
さらに緩めることができる。
マイクロフイルム21に弾性支持層30を設け
ることによつて擦傷の問題は実質的に解決される
が、弾性支持層30は、十分剛性が高く、加熱細
線6とマイクロフイルム面が実質的に一様な接触
を保つようにすることが大切である。たとえば、
層30の軟度または弾性が大きすぎると、細線6
とマイクロフイルム面間の接触が一様でなくな
り、ばらつきを生じ記録ヘツドの配向が一層重要
となる。
ることによつて擦傷の問題は実質的に解決される
が、弾性支持層30は、十分剛性が高く、加熱細
線6とマイクロフイルム面が実質的に一様な接触
を保つようにすることが大切である。たとえば、
層30の軟度または弾性が大きすぎると、細線6
とマイクロフイルム面間の接触が一様でなくな
り、ばらつきを生じ記録ヘツドの配向が一層重要
となる。
記録ヘツド2を静止させたまゝマイクロフイル
ムをヘツド2に対して移動させてもよいが、静止
させたマイクロフイルムに対して記録ヘツドを移
動することが望ましい。第19図ないし第22図
は、マイクロフイルム21(この場合はマイクロ
フイツシユ・カード)と記録ヘツド2の望ましい
支持構造を示している。この支持構造はハウジン
グ28内に位置し、マイクロフイツシユ・カード
受けスロツト33を含み、このスロツト33にマ
イクロフイツシユ・カード21を挿入することが
できる。マイクロフイツシユ・カード21は位置
決めピン34−34上に載置され、金属壁32に
載置されたポリウレタンフオームのパツド30ま
たは弾性支持体上に静止する。この両者は、マイ
クロフイツシユ・カード支持フレーム36の一部
を形成している。ハウジング28は、マイクロフ
イツシユ・カード支持フレーム36およびその移
動台37をステツプ・モータ制御によつて自動的
に位置決めする装置を含んでおり、また、フレー
ム位置決め制御装置を含む制御板(図示しない)
を設けて、その動作によつて、移動台37とフレ
ーム36を移動させ、所定のマイクロフイツシ
ユ・カード21のフレームを記録部との対向位置
に置くことができる(第19図に示す各フレーム
は、行がBからHまでの文字によつて、また、列
が1から14までの数字によつて示されている)。
ムをヘツド2に対して移動させてもよいが、静止
させたマイクロフイルムに対して記録ヘツドを移
動することが望ましい。第19図ないし第22図
は、マイクロフイルム21(この場合はマイクロ
フイツシユ・カード)と記録ヘツド2の望ましい
支持構造を示している。この支持構造はハウジン
グ28内に位置し、マイクロフイツシユ・カード
受けスロツト33を含み、このスロツト33にマ
イクロフイツシユ・カード21を挿入することが
できる。マイクロフイツシユ・カード21は位置
決めピン34−34上に載置され、金属壁32に
載置されたポリウレタンフオームのパツド30ま
たは弾性支持体上に静止する。この両者は、マイ
クロフイツシユ・カード支持フレーム36の一部
を形成している。ハウジング28は、マイクロフ
イツシユ・カード支持フレーム36およびその移
動台37をステツプ・モータ制御によつて自動的
に位置決めする装置を含んでおり、また、フレー
ム位置決め制御装置を含む制御板(図示しない)
を設けて、その動作によつて、移動台37とフレ
ーム36を移動させ、所定のマイクロフイツシ
ユ・カード21のフレームを記録部との対向位置
に置くことができる(第19図に示す各フレーム
は、行がBからHまでの文字によつて、また、列
が1から14までの数字によつて示されている)。
マイクロフイツシユ・カード支持フレーム36
は、横方向に突出する腕部42−43を移動する
ねじ38、およびフレーム36の腕部44−46
の開口部を摺動自在に貫通する案内棒40を含む
手段によつて、Y軸方向に移動するように支持さ
れている。ねじ38は、軸受を形成する上方延長
突出部54−56に回動自在に支持され、棒部材
40は、移動台37と一体に形成された突出部5
8−60間に一定の剛性を保つて延長している。
ねじ38は移動台37上の軸受(図示しない)内
において回動自在に支持されたねじ66に対し、
歯車64によつて結合される。ステツプ・モータ
(図示しない)を設けて印加パルス1個ごとに一
定角度だけ回転させ、ねじ66、歯車64および
それに結合されたねじ38を前進させ、マイクロ
フイツシユ・カード支持フレーム36をそれに応
じた距離だけY軸方向に移動させるようにするこ
とができる。
は、横方向に突出する腕部42−43を移動する
ねじ38、およびフレーム36の腕部44−46
の開口部を摺動自在に貫通する案内棒40を含む
手段によつて、Y軸方向に移動するように支持さ
れている。ねじ38は、軸受を形成する上方延長
突出部54−56に回動自在に支持され、棒部材
40は、移動台37と一体に形成された突出部5
8−60間に一定の剛性を保つて延長している。
ねじ38は移動台37上の軸受(図示しない)内
において回動自在に支持されたねじ66に対し、
歯車64によつて結合される。ステツプ・モータ
(図示しない)を設けて印加パルス1個ごとに一
定角度だけ回転させ、ねじ66、歯車64および
それに結合されたねじ38を前進させ、マイクロ
フイツシユ・カード支持フレーム36をそれに応
じた距離だけY軸方向に移動させるようにするこ
とができる。
移動台37は、その後部の基部37aにねじ込
まれたねじ76を含む手段によつて、X軸方向に
移動するように支持されるとともに、ハウジング
28に固定された固定軸受78と別の固定軸受
(図示しない)との間において延びている。摺動
ロツド80は、移動台37の前面部の基部37a
の開口部を摺動自在に貫通する。ねじ76は、ハ
ウジング壁に支持されるステツプ・モータ(図示
しない)によつて駆動することができる。ステツ
プ・モータはその順方向または逆方向駆動入力に
加えられるパルスを受け、関連ねじ66および7
6をいずれかの方向に回転させ、マイクロフイツ
シユ・カード支持フレーム36をX軸またはY軸
方向のいずれかに移動させる。マイクロフイツシ
ユ・カード支持フレーム36は、このように、X
軸またはY軸方向に移動し、縦方向基準軸A1お
よび横方向基準軸A2の交点に位置した記録部7
7に対向する位置に、マイクロフイツシユ・カー
ドの所定フレームを置く。
まれたねじ76を含む手段によつて、X軸方向に
移動するように支持されるとともに、ハウジング
28に固定された固定軸受78と別の固定軸受
(図示しない)との間において延びている。摺動
ロツド80は、移動台37の前面部の基部37a
の開口部を摺動自在に貫通する。ねじ76は、ハ
ウジング壁に支持されるステツプ・モータ(図示
しない)によつて駆動することができる。ステツ
プ・モータはその順方向または逆方向駆動入力に
加えられるパルスを受け、関連ねじ66および7
6をいずれかの方向に回転させ、マイクロフイツ
シユ・カード支持フレーム36をX軸またはY軸
方向のいずれかに移動させる。マイクロフイツシ
ユ・カード支持フレーム36は、このように、X
軸またはY軸方向に移動し、縦方向基準軸A1お
よび横方向基準軸A2の交点に位置した記録部7
7に対向する位置に、マイクロフイツシユ・カー
ドの所定フレームを置く。
移動台37とフレーム36の位置をオペレータ
に知らせるために、制御板上の表示装置に結合さ
れた歯車(図示しない)を、X軸調整ねじ66お
よびY軸調整ねじ76に設け、移動台37および
フレーム36の装填または記録位置を示す記号
や、記録部77に随時位置する特定のマイクロフ
イツシユ・フレームを示す文字および数字記号を
表示するようにすることができる。
に知らせるために、制御板上の表示装置に結合さ
れた歯車(図示しない)を、X軸調整ねじ66お
よびY軸調整ねじ76に設け、移動台37および
フレーム36の装填または記録位置を示す記号
や、記録部77に随時位置する特定のマイクロフ
イツシユ・フレームを示す文字および数字記号を
表示するようにすることができる。
記録部77のすぐ上方の軸A1およびA2の交点
において、記録ヘツド・ハウジング89が支持さ
れる。(この点の詳細については第20図ないし
22図を参照のこと)。同図に示されるように、
記録ヘツド・ハウジング89は上壁89aが設けら
れる。ハウジング89の前壁89bおよび後壁8
9cに支持される軸受には、ステツプ・モータ1
00によつて駆動されるいわゆる「可変ピツチね
じ」という特殊ねじ98が回動自在に取り付けら
れている。ねじ98はフレーム構造102を支持
し、フレーム構造102は、とりわけ記録ヘツド
2を支持する。フレーム構造部102は長手方向
通路103を有する上方スリーブ形成部102a
を有し、この通路103の画定壁は、ねじ98の
外面に摺動自在に嵌合する。ねじ98には、軸方
向等間隔延長部104aと、ねじ98の長手方向
軸のみを直交して延長する直線部を有する連続ら
せん形溝104が設けられる。隣接する直線部1
04b間の軸方向距離は、マイクロフイツシユ・
カード・フレームに記録するデータの行間角たと
えば0.008インチ(0.02cm)に等しい。フレーム
構造102のスリーブ102aに固定された従動
ピン106は、記録ヘツドの行走査動作開始時点
において直線溝部104bの中間に位置する。ピ
ン106が直線溝部104b内に位置する間、記
録ヘツド2はX軸方向に走査動作を行い、マイク
ロフイツシユ・カード・フレームを1行だけ横断
する。次に、ピン106は、軸方向成分を有する
溝104の一部104aに入り、ピン106が次
の直線溝部104bに入るまで、フレーム構造体
102を前方に移動させる。ピン106は前述し
たように別の行走査動作が完了するまでそのよう
な直線溝部内に止まる。
において、記録ヘツド・ハウジング89が支持さ
れる。(この点の詳細については第20図ないし
22図を参照のこと)。同図に示されるように、
記録ヘツド・ハウジング89は上壁89aが設けら
れる。ハウジング89の前壁89bおよび後壁8
9cに支持される軸受には、ステツプ・モータ1
00によつて駆動されるいわゆる「可変ピツチね
じ」という特殊ねじ98が回動自在に取り付けら
れている。ねじ98はフレーム構造102を支持
し、フレーム構造102は、とりわけ記録ヘツド
2を支持する。フレーム構造部102は長手方向
通路103を有する上方スリーブ形成部102a
を有し、この通路103の画定壁は、ねじ98の
外面に摺動自在に嵌合する。ねじ98には、軸方
向等間隔延長部104aと、ねじ98の長手方向
軸のみを直交して延長する直線部を有する連続ら
せん形溝104が設けられる。隣接する直線部1
04b間の軸方向距離は、マイクロフイツシユ・
カード・フレームに記録するデータの行間角たと
えば0.008インチ(0.02cm)に等しい。フレーム
構造102のスリーブ102aに固定された従動
ピン106は、記録ヘツドの行走査動作開始時点
において直線溝部104bの中間に位置する。ピ
ン106が直線溝部104b内に位置する間、記
録ヘツド2はX軸方向に走査動作を行い、マイク
ロフイツシユ・カード・フレームを1行だけ横断
する。次に、ピン106は、軸方向成分を有する
溝104の一部104aに入り、ピン106が次
の直線溝部104bに入るまで、フレーム構造体
102を前方に移動させる。ピン106は前述し
たように別の行走査動作が完了するまでそのよう
な直線溝部内に止まる。
フレーム構造体102は1対の所定間隔をおい
た案内壁102a−102bを有し、この間に、
摺動部材108が摺動自在に取り付けられる。摺
動部材108には、通路109を有する上部10
8aが設けられ、この通路にはモータ114によ
つて駆動される溝付軸116が貫通する。軸11
6は、溝118を有し、この溝118には、たと
えば軸116の周囲を270゜にわたつて段階的に
らせん状に移動する部分118aと溝部118a
の開始点に戻る軸の周囲を90゜延長する戻り部分
118bが設けられる。摺動部材108に取り付
けられた従動ピン120は溝118内に延び、そ
のため、軸116の連続回転動作によつて、摺動
部材108が前後に連続的に往復運動する。最初
の270゜の回転時における摺動部材108の往復
運動速度は、ピン120が戻り溝部118内に位
置し、軸116のその後の90゜回転中における戻
り運動速度に比べて比較的低い。
た案内壁102a−102bを有し、この間に、
摺動部材108が摺動自在に取り付けられる。摺
動部材108には、通路109を有する上部10
8aが設けられ、この通路にはモータ114によ
つて駆動される溝付軸116が貫通する。軸11
6は、溝118を有し、この溝118には、たと
えば軸116の周囲を270゜にわたつて段階的に
らせん状に移動する部分118aと溝部118a
の開始点に戻る軸の周囲を90゜延長する戻り部分
118bが設けられる。摺動部材108に取り付
けられた従動ピン120は溝118内に延び、そ
のため、軸116の連続回転動作によつて、摺動
部材108が前後に連続的に往復運動する。最初
の270゜の回転時における摺動部材108の往復
運動速度は、ピン120が戻り溝部118内に位
置し、軸116のその後の90゜回転中における戻
り運動速度に比べて比較的低い。
軸116は光電池制御信号発生装置121内に
延長している。この信号発生装置121は、記録
ヘツドの加熱細線6への電流パルスの供給又は記
録ヘツド2とマイクロフイツシユ・カードとの接
触状態の離脱と同期化するための同期パルスと制
御信号を発生する。
延長している。この信号発生装置121は、記録
ヘツドの加熱細線6への電流パルスの供給又は記
録ヘツド2とマイクロフイツシユ・カードとの接
触状態の離脱と同期化するための同期パルスと制
御信号を発生する。
摺動構造体108には、支持板に支持された記
録ヘツド2を有する記録ヘツド支持構造体110
が取り付けられている。支持板は、ソレノイドに
よつて支持されている。支持板に関連するソレノ
イドの付勢すなわち通電が解かれると、記録ヘツ
ド2はその下方最大間隔位置におかれ、マイクロ
フイツシユ・カード35の表面に押圧される。ソ
レノイドが付勢すると、記録ヘツド2を支持する
支持板を引き込み、その結果、記録ヘツドはマイ
クロフイツシユ・カードから離れる。
録ヘツド2を有する記録ヘツド支持構造体110
が取り付けられている。支持板は、ソレノイドに
よつて支持されている。支持板に関連するソレノ
イドの付勢すなわち通電が解かれると、記録ヘツ
ド2はその下方最大間隔位置におかれ、マイクロ
フイツシユ・カード35の表面に押圧される。ソ
レノイドが付勢すると、記録ヘツド2を支持する
支持板を引き込み、その結果、記録ヘツドはマイ
クロフイツシユ・カードから離れる。
前述したように、ピン120が軸116のスロ
ツト部118の118bの部分にあるときに、マ
イクロサイズ加熱細線6は最大速度で移動する。
マイクロフイツシユ・カードの損耗を最小限に抑
えるために、このマイクロヘツドの最大速度移動
において、記録ヘツド2をマイクロフイツシユ・
カードから離して、行位置開始点に移動すること
が望ましい。
ツト部118の118bの部分にあるときに、マ
イクロサイズ加熱細線6は最大速度で移動する。
マイクロフイツシユ・カードの損耗を最小限に抑
えるために、このマイクロヘツドの最大速度移動
において、記録ヘツド2をマイクロフイツシユ・
カードから離して、行位置開始点に移動すること
が望ましい。
前記制御装置のプログラミングを簡単にするた
めに、記録ヘツドを移動させて位置決め信号を発
生することができる。たとえば、ハウジング前壁
89bおよび後壁89cにそれぞれリミツト・ス
イツチLS1およびLS2を設け、ヘツド支持フレー
ム構造部がその外部限度点に達したときに信号を
発生し、モータ100の回転方向を逆にするよう
に構成することができる。
めに、記録ヘツドを移動させて位置決め信号を発
生することができる。たとえば、ハウジング前壁
89bおよび後壁89cにそれぞれリミツト・ス
イツチLS1およびLS2を設け、ヘツド支持フレー
ム構造部がその外部限度点に達したときに信号を
発生し、モータ100の回転方向を逆にするよう
に構成することができる。
記録ヘツドが1個のパターンの電流パルスによ
つて付勢されるごとに、1個の文字数字の縦方向
セグメントを形成するための7本の突出加熱細線
6を利用する前述の記録ヘツドを用いる場合、記
録ヘツドは、マイクロフイルム記録データの1ペ
ージを記録するためには、マイクロフイルムのフ
レームを1行ごとに走査しなければならない。し
たがつて、データ1ページの記録の完了に要する
時間は、記録ヘツド2の移動速度と走査必要行数
によつて決まる。その結果、記録ヘツドは複雑と
なるが、データ1ページの記録に要する時間は、
記録ヘツド2に多数の加熱細線を設けて、マイク
ロフイルムのフレーム全体を走査するようにすれ
ば、相当短縮することができる。このために、た
とえば、記録ヘツドには2000本の加熱細線を設け
ることができるだろう。第18図はそのような記
録ヘツドのマイクロフイルム接触端部の部分側面
図であつて、突出している2000本の加熱細線の一
部が示されている。
つて付勢されるごとに、1個の文字数字の縦方向
セグメントを形成するための7本の突出加熱細線
6を利用する前述の記録ヘツドを用いる場合、記
録ヘツドは、マイクロフイルム記録データの1ペ
ージを記録するためには、マイクロフイルムのフ
レームを1行ごとに走査しなければならない。し
たがつて、データ1ページの記録の完了に要する
時間は、記録ヘツド2の移動速度と走査必要行数
によつて決まる。その結果、記録ヘツドは複雑と
なるが、データ1ページの記録に要する時間は、
記録ヘツド2に多数の加熱細線を設けて、マイク
ロフイルムのフレーム全体を走査するようにすれ
ば、相当短縮することができる。このために、た
とえば、記録ヘツドには2000本の加熱細線を設け
ることができるだろう。第18図はそのような記
録ヘツドのマイクロフイルム接触端部の部分側面
図であつて、突出している2000本の加熱細線の一
部が示されている。
本発明によれば、たとえば、鮮明で望ましくは
投写可能なマイクロフイルムのマイクロサイズ・
ドツト像を所定間隔をおいて形成することのでき
る製造容易な発熱記録ヘツドが提供される。ま
た、記録動作が相当高速度で、フイルムに擦傷を
つけないように実行できるように記録ヘツドが設
計され、フイルムの弾性支持部が設けられてい
る。
投写可能なマイクロフイルムのマイクロサイズ・
ドツト像を所定間隔をおいて形成することのでき
る製造容易な発熱記録ヘツドが提供される。ま
た、記録動作が相当高速度で、フイルムに擦傷を
つけないように実行できるように記録ヘツドが設
計され、フイルムの弾性支持部が設けられてい
る。
前述したもつとも好適な本発明の実施例に対し
ては、本発明の広範な範囲から逸脱することな
く、数多くの変更が可能であることを理解すべき
である。
ては、本発明の広範な範囲から逸脱することな
く、数多くの変更が可能であることを理解すべき
である。
第1図は、実際の試作品の寸法の約1.5倍で示
した本発明のもつとも好適な例を構成する発熱記
録ヘツドの斜視図、第2図は第1図に示す記録ヘ
ツドの拡大底面図、第3図は第1図の記録ヘツド
のフイルム接触下端部を示す一部拡大側面図、第
4図は第1図に示す記録ヘツドのフイルム接触下
端部を示す正面図、第5図は第1図に示す絶縁材
料の外部封止体から分離して第1図の記録ヘツド
の加熱細線支持部の一部をさらに拡大して示す斜
視図、第6図は第5図に示す支持部を反対側から
見た部分図、第7図は第5図に示す支持部の線7
−7における拡大縦断面図、第8図は、導電セメ
ント取り付け前における支持部の底部フイルム対
向端部の一部をさらに拡大して示す一部切り欠き
側面図、第9図は第8図の支持体の線9−9にお
ける断面図、第10図は加熱細線支持体全体をや
や縮小して第5図の可視側から見た側面図、第1
1図は加熱細線支持体全体をやゝ縮小して第6図
の可視側から見た側面図、第12図は第5図の突
出ネツク部の線7−7で示す平面における第1図
の記録ヘツド全体を示す横断面図、第13図は第
5図において線7−7で示す縦方向面における第
1図の記録ヘツド全体の下端部を示すさらに拡大
した一部断面図、第13A図は線13A−13A
における第13図の記録ヘツドを示す横断面図、
第14図は第5図の線7−7の縦断面において、
第13図の可視点よりやゝ高い点から見た第1図
の記録ヘツド全体の底端部をさらに拡大して示す
一部断面図、第14A図は第13図の線14A−
14Aにおける記録ヘツド部分の断面図、第15
図は第5図の線7−7の縦断面において、第14
図の可視点よりやゝ高い点から見た第1図の記録
ヘツド全体の下端部をさらに拡大して示す一部断
面図、第15A図は、第15図の線15A−15
Aにおける記録ヘツド部分を示す断面図、第16
図は緩衝材料からなる層によつて支持されるマイ
クロフイルムと記録ヘツドが接触する状態におい
て、第1図の記録ヘツドの下端部をさらに拡大し
て示す一部縦断面図、第17A図および第17B
図は本発明による記録ヘツドの像形成に特に適し
た好適マイクロフイルム構造をさらに拡大して示
す一部断面図であつて、それぞれ、限界値以上の
熱を加えた前後における上記層の構造を示す図、
第18図はさらに多数の加熱細線が記録ヘツド底
部から突出し、マイクロフイツシユ・カード・フ
レームの縦方向範囲全体に及び、その結果、記録
ヘツドがフレーム幅方向全体を移動することによ
つてフレーム全体が走査されるように第1図の記
録ヘツドの構造が変更された底部をさらに拡大し
て示す部分図、第19図は第16図に示す記録ヘ
ツドおよびマイクロフイルムをそれぞれ支持する
記録ヘツド支持構造体およびマイクロフイルム支
持構造体を切り欠いて示す斜視図、第20図は第
19図のレンズおよび記録ヘツド支持体の拡大一
部縦断面図であつて、記録ヘツドがX軸方向に往
復運動する態様を示す図、第21図は第20図の
線21−21における断面図であつて、加熱ヘツ
ドがY軸方向に往復をする態様を示す断面図、第
22図は記録ヘツド支持体の一部をさらに拡大し
て示す断面図であつて、ねじの回転によつて記録
ヘツド支持フレームが往復運動する動作を説明す
るためにねじおよび記録ヘツド支持フレームの詳
細を示す図である。 2……記録ヘツド、4……加熱用抵抗線支持
体、4A……突出ネツク部、6……加熱細線、8
及び8′……側面、10……位置決め用凹部、1
0′……エツジ部、11……絶縁導体、14……
非導電セメント、19……ポツテング封止体、2
1……マイクロフイルム、22……固定基板、2
3……像形成層、24……透明保護層、28……
ハウジング、30……弾性支持層、36……マイ
クロフイツシユ・カード支持フレーム、37……
移動台、77……記録部、114……モータ。
した本発明のもつとも好適な例を構成する発熱記
録ヘツドの斜視図、第2図は第1図に示す記録ヘ
ツドの拡大底面図、第3図は第1図の記録ヘツド
のフイルム接触下端部を示す一部拡大側面図、第
4図は第1図に示す記録ヘツドのフイルム接触下
端部を示す正面図、第5図は第1図に示す絶縁材
料の外部封止体から分離して第1図の記録ヘツド
の加熱細線支持部の一部をさらに拡大して示す斜
視図、第6図は第5図に示す支持部を反対側から
見た部分図、第7図は第5図に示す支持部の線7
−7における拡大縦断面図、第8図は、導電セメ
ント取り付け前における支持部の底部フイルム対
向端部の一部をさらに拡大して示す一部切り欠き
側面図、第9図は第8図の支持体の線9−9にお
ける断面図、第10図は加熱細線支持体全体をや
や縮小して第5図の可視側から見た側面図、第1
1図は加熱細線支持体全体をやゝ縮小して第6図
の可視側から見た側面図、第12図は第5図の突
出ネツク部の線7−7で示す平面における第1図
の記録ヘツド全体を示す横断面図、第13図は第
5図において線7−7で示す縦方向面における第
1図の記録ヘツド全体の下端部を示すさらに拡大
した一部断面図、第13A図は線13A−13A
における第13図の記録ヘツドを示す横断面図、
第14図は第5図の線7−7の縦断面において、
第13図の可視点よりやゝ高い点から見た第1図
の記録ヘツド全体の底端部をさらに拡大して示す
一部断面図、第14A図は第13図の線14A−
14Aにおける記録ヘツド部分の断面図、第15
図は第5図の線7−7の縦断面において、第14
図の可視点よりやゝ高い点から見た第1図の記録
ヘツド全体の下端部をさらに拡大して示す一部断
面図、第15A図は、第15図の線15A−15
Aにおける記録ヘツド部分を示す断面図、第16
図は緩衝材料からなる層によつて支持されるマイ
クロフイルムと記録ヘツドが接触する状態におい
て、第1図の記録ヘツドの下端部をさらに拡大し
て示す一部縦断面図、第17A図および第17B
図は本発明による記録ヘツドの像形成に特に適し
た好適マイクロフイルム構造をさらに拡大して示
す一部断面図であつて、それぞれ、限界値以上の
熱を加えた前後における上記層の構造を示す図、
第18図はさらに多数の加熱細線が記録ヘツド底
部から突出し、マイクロフイツシユ・カード・フ
レームの縦方向範囲全体に及び、その結果、記録
ヘツドがフレーム幅方向全体を移動することによ
つてフレーム全体が走査されるように第1図の記
録ヘツドの構造が変更された底部をさらに拡大し
て示す部分図、第19図は第16図に示す記録ヘ
ツドおよびマイクロフイルムをそれぞれ支持する
記録ヘツド支持構造体およびマイクロフイルム支
持構造体を切り欠いて示す斜視図、第20図は第
19図のレンズおよび記録ヘツド支持体の拡大一
部縦断面図であつて、記録ヘツドがX軸方向に往
復運動する態様を示す図、第21図は第20図の
線21−21における断面図であつて、加熱ヘツ
ドがY軸方向に往復をする態様を示す断面図、第
22図は記録ヘツド支持体の一部をさらに拡大し
て示す断面図であつて、ねじの回転によつて記録
ヘツド支持フレームが往復運動する動作を説明す
るためにねじおよび記録ヘツド支持フレームの詳
細を示す図である。 2……記録ヘツド、4……加熱用抵抗線支持
体、4A……突出ネツク部、6……加熱細線、8
及び8′……側面、10……位置決め用凹部、1
0′……エツジ部、11……絶縁導体、14……
非導電セメント、19……ポツテング封止体、2
1……マイクロフイルム、22……固定基板、2
3……像形成層、24……透明保護層、28……
ハウジング、30……弾性支持層、36……マイ
クロフイツシユ・カード支持フレーム、37……
移動台、77……記録部、114……モータ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 拡大された際可視的なパターンになる程度の
大きさで感熱像形成型のマイクロフイルムにドツ
ト像のパターンを形成すべくマイクロフイルムの
前記パターンに対応する部位を加熱するための記
録ヘツドであつて、 くさび形に小鋭角で交わる二つの平面状表面部
によつて規定され像記録の際マイクロフイルムに
近接対向せしめられる直線状エツジ部を有してお
り、熱電導性で表面が電気絶縁性の支持体と、 夫々がエツジ部の伸長方向に対して交差する方
向に二つの平面状表面部に沿つて配置され且つ直
線状エツジ部の外形に沿うように該エツジ部で曲
折されてあり、曲折部がエツジ部の伸長方向に沿
つて所定間隔で隣接して位置している複数の加熱
用抵抗線と、 各抵抗線の曲折部及び該曲折部近傍において各
抵抗線を覆つている電気絶縁性の薄層とからな
り、 複数の加熱用抵抗線の少なくとも一つに電流が
流された際該少なくとも一つの抵抗線の曲折部の
ジユール熱がマイクロフイルムのドツト像が形成
されるべき部位に与えられるように、曲折部表面
の電気絶縁性薄層がマイクロフイルム表面のドツ
ト像が形成されるべき部位に接触せしめられるよ
うに構成されている記録ヘツド。 2 二つの平面状表面部のうちの一方の表面部に
エツジ部の伸長方向に対して交差する方向に沿つ
て、エツジ部まで伸長する複数の溝部が設けられ
ており、各溝部に沿つて前記抵抗線が伸長してい
る特許請求の範囲第1項に記載の記録ヘツド。 3 二つの平面状表面部のうちの他方の表面部
が、マイクロフイルムの表面に対して実質的に垂
直に配置されるように構成されている特許請求の
範囲第2項に記載の記録ヘツド。 4 エツジ部の角度が45度以下である特許請求の
範囲第1項乃至第3項のいずれかに記載の記録ヘ
ツド。 5 支持体が、金属からなる本体部と該本体部の
表面を覆つている電気絶縁性層からなる特許請求
の範囲第1項乃至第4項のいずれかに記載の記録
ヘツド。 6 各抵抗線が曲折部から離れた部位において導
電性被覆で覆われている特許請求の範囲第1項乃
至第5項のいずれかに記載の記録ヘツド。 7 エツジ部の伸長方向に沿つてみた抵抗線の曲
折部間の間隔が抵抗線の径の2倍以下である特許
請求の範囲第1項乃至第6項のいずれかに記載の
記録ヘツド。 8 前記曲折部間の間隔が抵抗線の径の1.5倍以
下である特許請求の範囲第7項に記載の記録ヘツ
ド。 9 各抵抗線の直径が20ミクロン以下である特許
請求の範囲第1項乃至第8項のいずれかに記載の
記録ヘツド。 10 抵抗線の曲折部及び曲折部近傍以外の抵抗
線部分が放熱材料によつてとりかこまれている特
許請求の範囲第1項乃至第9項のいずれかに記載
の記録ヘツド。 11 放熱材料体は、記録ヘツドの曲折部による
弾性支持されたマイクロフイルムの接触加熱の
際、ヘツドの抵抗線の曲折部のマイクロフイルム
に対する押圧接触により生ずるマイクロフイルム
表面の過大なそりを抑制すべく、そり部のまわり
のマイクロフイルム部を押圧するように構成され
た押圧支持面を有している特許請求の範囲第10
項に記載の記録ヘツド。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US05/871,435 US4170728A (en) | 1978-01-23 | 1978-01-23 | Heat applying microfilm recording apparatus |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS54151454A JPS54151454A (en) | 1979-11-28 |
JPS6258315B2 true JPS6258315B2 (ja) | 1987-12-04 |
Family
ID=25357425
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP598879A Granted JPS54151454A (en) | 1978-01-23 | 1979-01-22 | Device for composing heattsensitive microform record |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4170728A (ja) |
JP (1) | JPS54151454A (ja) |
AU (1) | AU509739B2 (ja) |
BE (1) | BE873634A (ja) |
CA (1) | CA1119656A (ja) |
DE (1) | DE2902137C2 (ja) |
FR (1) | FR2415006A1 (ja) |
GB (2) | GB2044180A (ja) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5829687A (ja) * | 1981-08-14 | 1983-02-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 発熱体電極 |
JPS6041248U (ja) * | 1983-08-30 | 1985-03-23 | アルプス電気株式会社 | シリアルプリンタのサ−マルヘッド |
US4630078A (en) * | 1984-03-30 | 1986-12-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid recording head |
EP0190404A1 (en) * | 1984-11-05 | 1986-08-13 | Coulter Systems Corporation | Method and apparatus for imaging electrophotographic member with heat energy |
KR960003354B1 (ko) * | 1986-04-24 | 1996-03-08 | 타우러스 임프레션스 인코오포레이티드 | 책자표지 스탬프 프린터 |
US5070343A (en) * | 1989-08-28 | 1991-12-03 | Teikoku Piston Ring Co., Ltd. | Printing head for resistive ribbon type printing apparatus |
US5420612A (en) * | 1993-07-01 | 1995-05-30 | Eastman Kodak Company | Print head with electrode temperature control for resistive ribbon thermal transfer printing |
US5426451A (en) * | 1993-07-01 | 1995-06-20 | Eastman Kodak Company | Print head with pixel size control for resistive ribbon thermal transfer printing |
US8084873B2 (en) * | 2008-01-07 | 2011-12-27 | Carter Richard W | Induced surface flow wave energy converter |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5274350A (en) * | 1975-12-17 | 1977-06-22 | Brother Ind Ltd | Thermal print head |
Family Cites Families (10)
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BE639289A (ja) * | 1962-11-01 | |||
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US3578946A (en) * | 1969-10-27 | 1971-05-18 | Ncr Co | Thermal print head wafer and method of making the same |
US3701999A (en) * | 1970-08-21 | 1972-10-31 | Ncr Co | Computer output laser microform recording system |
JPS4942707B1 (ja) * | 1970-09-16 | 1974-11-16 | ||
IT939920B (it) * | 1971-10-04 | 1973-02-10 | Olivetti & Co Spa | Unita di stampa termografica |
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US3966317A (en) * | 1974-04-08 | 1976-06-29 | Energy Conversion Devices, Inc. | Dry process production of archival microform records from hard copy |
US4205387A (en) * | 1976-09-16 | 1980-05-27 | Energy Conversion Devices, Inc. | Data storage and retrieval system |
-
1978
- 1978-01-23 US US05/871,435 patent/US4170728A/en not_active Expired - Lifetime
-
1979
- 1979-01-03 CA CA000319034A patent/CA1119656A/en not_active Expired
- 1979-01-09 GB GB8015302A patent/GB2044180A/en not_active Withdrawn
- 1979-01-09 GB GB7900770A patent/GB2019782B/en not_active Expired
- 1979-01-19 DE DE2902137A patent/DE2902137C2/de not_active Expired
- 1979-01-22 JP JP598879A patent/JPS54151454A/ja active Granted
- 1979-01-22 BE BE193018A patent/BE873634A/xx not_active IP Right Cessation
- 1979-01-22 AU AU43537/79A patent/AU509739B2/en not_active Ceased
- 1979-01-22 FR FR7901497A patent/FR2415006A1/fr active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5274350A (en) * | 1975-12-17 | 1977-06-22 | Brother Ind Ltd | Thermal print head |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US4170728A (en) | 1979-10-09 |
DE2902137A1 (de) | 1979-07-26 |
AU4353779A (en) | 1979-08-02 |
BE873634A (fr) | 1979-05-16 |
DE2902137C2 (de) | 1987-03-26 |
GB2019782A (en) | 1979-11-07 |
AU509739B2 (en) | 1980-05-22 |
FR2415006A1 (fr) | 1979-08-17 |
CA1119656A (en) | 1982-03-09 |
FR2415006B1 (ja) | 1984-05-04 |
JPS54151454A (en) | 1979-11-28 |
GB2044180A (en) | 1980-10-15 |
GB2019782B (en) | 1982-04-07 |
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