JPS6258073B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6258073B2 JPS6258073B2 JP55041679A JP4167980A JPS6258073B2 JP S6258073 B2 JPS6258073 B2 JP S6258073B2 JP 55041679 A JP55041679 A JP 55041679A JP 4167980 A JP4167980 A JP 4167980A JP S6258073 B2 JPS6258073 B2 JP S6258073B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- stretcher
- magnetic field
- bias magnetic
- bubble
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 230000005381 magnetic domain Effects 0.000 description 1
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C19/00—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
- G11C19/02—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements
- G11C19/08—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure
- G11C19/0808—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure using magnetic domain propagation
- G11C19/0816—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure using magnetic domain propagation using a rotating or alternating coplanar magnetic field
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は円筒磁区（以下単にバブルと称する）
を面内磁場によつて転送させるバブル転送路にス
トレツチヤー型のバブル検出部を有するバブル素
子に関する。このようなフイールド・アクセス型
のバブル素子の信号読み出しは、現在、磁気抵抗
効果によるものが主流になつている。信号検出を
容易にするためにバブルを転送方向に直角に伸長
させる方法が一般的であり、そのために検出部の
転送路の一部にシエブロンパターン等をバブルの
伸長方向に複数個並べてパターン柱を形成したス
トレツチヤー構成がとられている。
を面内磁場によつて転送させるバブル転送路にス
トレツチヤー型のバブル検出部を有するバブル素
子に関する。このようなフイールド・アクセス型
のバブル素子の信号読み出しは、現在、磁気抵抗
効果によるものが主流になつている。信号検出を
容易にするためにバブルを転送方向に直角に伸長
させる方法が一般的であり、そのために検出部の
転送路の一部にシエブロンパターン等をバブルの
伸長方向に複数個並べてパターン柱を形成したス
トレツチヤー構成がとられている。
バブルが微小化すると共にバブルを伸長させ駆
動し得るバイアス磁場領域は、バブル素子の他の
部分に比べ相対的に減少するため、ストレツチヤ
ー部のパターン形状を改善等、種々の方策がとら
れている。これ等は主に伸長したバブル（以下で
はストレツチド・ドメインと称する）を駆動し得
るバイアス磁場上限を上げるためのものであつ
た。
動し得るバイアス磁場領域は、バブル素子の他の
部分に比べ相対的に減少するため、ストレツチヤ
ー部のパターン形状を改善等、種々の方策がとら
れている。これ等は主に伸長したバブル（以下で
はストレツチド・ドメインと称する）を駆動し得
るバイアス磁場上限を上げるためのものであつ
た。
しかしながら、ストレツチヤーとしては、スト
レツチド・ドメインの駆動バイアス磁場下限を下
げることも必要である。
レツチド・ドメインの駆動バイアス磁場下限を下
げることも必要である。
バブル素子の駆動可能バイアス磁場領域は、ス
トレツチヤーを含む各種機能部およびメジヤール
ープ，マイナーループ等の駆動バイアス磁場下限
のうちの最大値によつて、バブル素子のバイアス
磁場の下限が定まる故、ストレツチヤーの駆動バ
イアス磁場下限が素子の構成部の駆動バイアス磁
場下限のうちの最大値である場合、ストレツチヤ
ーの駆動バイアス磁場下限を下げることによりバ
ブル素子としての駆動バイアス磁場下限を下げる
ことができるからである。
トレツチヤーを含む各種機能部およびメジヤール
ープ，マイナーループ等の駆動バイアス磁場下限
のうちの最大値によつて、バブル素子のバイアス
磁場の下限が定まる故、ストレツチヤーの駆動バ
イアス磁場下限が素子の構成部の駆動バイアス磁
場下限のうちの最大値である場合、ストレツチヤ
ーの駆動バイアス磁場下限を下げることによりバ
ブル素子としての駆動バイアス磁場下限を下げる
ことができるからである。
本発明は、このような点に鑑みてなされたもの
で、その目的はストレツチヤーの駆動バイアス磁
場上限を下げることなく、駆動バイアス磁場の下
限を下げる、即ちストレツチヤーの駆動バイアス
磁場領域を低バイアス磁場側に広げ得たバブル素
子を提供するにある。
で、その目的はストレツチヤーの駆動バイアス磁
場上限を下げることなく、駆動バイアス磁場の下
限を下げる、即ちストレツチヤーの駆動バイアス
磁場領域を低バイアス磁場側に広げ得たバブル素
子を提供するにある。
ストレツチヤーの駆動バイアス磁場の上限がス
トレツチド・ドメインの収縮で定まるのに対し、
駆動バイアス磁場下限は、ストレツチド・ドメイ
ンがストレツチヤーのパターン柱の外側に伸び隣
接したパターン柱にパターン外側から入り込むエ
ラーによることが多い。
トレツチド・ドメインの収縮で定まるのに対し、
駆動バイアス磁場下限は、ストレツチド・ドメイ
ンがストレツチヤーのパターン柱の外側に伸び隣
接したパターン柱にパターン外側から入り込むエ
ラーによることが多い。
即ち、低バイアス磁場下においてパターン柱外
へ伸長したストレツチド・ドメインの先端はポテ
ンシヤルの低い、隣接したパターン柱のパターン
端へと動き、ストレツチド・ドメインは二つのパ
ターン柱にまたがつてしまう。
へ伸長したストレツチド・ドメインの先端はポテ
ンシヤルの低い、隣接したパターン柱のパターン
端へと動き、ストレツチド・ドメインは二つのパ
ターン柱にまたがつてしまう。
したがつて、このようなエラーを抑制するには
ストレツチヤーを構成しているパターン柱の形状
は、その端部を除いては同じで、パターン柱の上
下両面、あるいは一方の端部の幾段かのパターン
形状をドメインの伸長力が小さくなるような形状
に配置すればよい。
ストレツチヤーを構成しているパターン柱の形状
は、その端部を除いては同じで、パターン柱の上
下両面、あるいは一方の端部の幾段かのパターン
形状をドメインの伸長力が小さくなるような形状
に配置すればよい。
本発明はパターン柱の端部のパターン形状とし
てパターン柱の上下両端部あるいは片側端部のパ
ターン頂角をパターン柱中央部のパターン頂角よ
り小さな構造にしたことを特徴とし、このように
すればパターン柱端部でのドメイン伸長力は弱ま
り、低バイアス磁場においてもストレツチド・ド
メインはパターン柱からパターン外へ伸長せずま
た、高バイアス磁場ではパターン柱端部を除いて
充分なドメイン伸長力を有する。
てパターン柱の上下両端部あるいは片側端部のパ
ターン頂角をパターン柱中央部のパターン頂角よ
り小さな構造にしたことを特徴とし、このように
すればパターン柱端部でのドメイン伸長力は弱ま
り、低バイアス磁場においてもストレツチド・ド
メインはパターン柱からパターン外へ伸長せずま
た、高バイアス磁場ではパターン柱端部を除いて
充分なドメイン伸長力を有する。
以下実施例を参照し、更に詳細に説明を加え
る。バブル材料としてGGG上に成長した
（YSmLuCa）3（FeGe）5O12（膜厚1.7μｍ，特性
長0.18μｍ，飽和磁化565ガウス）上にYIG薄膜
を700Å成長させることによりハードバブルを抑
制した薄膜上に第１図のような従来より知られて
いるピツチ12μｍ，ギヤツプ１μｍ，パターン巾
３μｍ，頂角α190゜のシエブロンパターンを、
ドメイン伸長方向に300段積み重ねたストレツチ
ヤーを4000ÅのAl2O3を介して設けた磁気バブル
素子のストレツチヤー部の駆動周波数100KHzに
よる転送マージンを第２図に示す。
る。バブル材料としてGGG上に成長した
（YSmLuCa）3（FeGe）5O12（膜厚1.7μｍ，特性
長0.18μｍ，飽和磁化565ガウス）上にYIG薄膜
を700Å成長させることによりハードバブルを抑
制した薄膜上に第１図のような従来より知られて
いるピツチ12μｍ，ギヤツプ１μｍ，パターン巾
３μｍ，頂角α190゜のシエブロンパターンを、
ドメイン伸長方向に300段積み重ねたストレツチ
ヤーを4000ÅのAl2O3を介して設けた磁気バブル
素子のストレツチヤー部の駆動周波数100KHzに
よる転送マージンを第２図に示す。
実施例
上記比較例と同一特性をもつYIG薄層によりハ
ードバブル抑制をした薄膜上に4000ÅのAl2O3を
介して第３図のような本発明の構成によるストレ
ツチヤー部（パターン柱中央部300段は比較例と
同一形状、パターン柱の上下両端部に各々10段、
パターン形状をパターン頂角α２を80゜にしたも
ので、上下端部のパターンのドメイン伸長方向の
間隔は１μｍ以下にならないようにしたもの）の
駆動周波数100KHzによる転送マージンを第４図
に示す。本実施例ではストレツチヤーパターン形
状としてシエブロンパターンを用いたが、パター
ンの形状が変形したシエブロン形状でも同様な効
果を得る。本実施例より明らかなように、本発明
によりストレツチヤー部での駆動バイアス磁場上
限を下げることなく、駆動バイアス磁場下限を下
げることができ、磁気バブル素子としての駆動マ
ージンの拡大に寄与すること大である。
ードバブル抑制をした薄膜上に4000ÅのAl2O3を
介して第３図のような本発明の構成によるストレ
ツチヤー部（パターン柱中央部300段は比較例と
同一形状、パターン柱の上下両端部に各々10段、
パターン形状をパターン頂角α２を80゜にしたも
ので、上下端部のパターンのドメイン伸長方向の
間隔は１μｍ以下にならないようにしたもの）の
駆動周波数100KHzによる転送マージンを第４図
に示す。本実施例ではストレツチヤーパターン形
状としてシエブロンパターンを用いたが、パター
ンの形状が変形したシエブロン形状でも同様な効
果を得る。本実施例より明らかなように、本発明
によりストレツチヤー部での駆動バイアス磁場上
限を下げることなく、駆動バイアス磁場下限を下
げることができ、磁気バブル素子としての駆動マ
ージンの拡大に寄与すること大である。
第１図は従来知られているシエブロンストレツ
チヤーの構成を示す概略図、第２図は第１図の構
成のストレツチヤー部の100KHzによる駆動マー
ジンを示す図、第３図は本発明によるストレツチ
ヤー構成の実施例を示す概略図、第４図は本発明
の実施例のストレツチヤー部の駆動マージンを示
す図である。 α１は比較例のストレツチヤーパターンの頂角
および実施例のストレツチヤーのパターン柱の中
央部のパターン頂角、α２は実施例のストレツチ
ヤーのパターン柱両端部のパターン頂角。
チヤーの構成を示す概略図、第２図は第１図の構
成のストレツチヤー部の100KHzによる駆動マー
ジンを示す図、第３図は本発明によるストレツチ
ヤー構成の実施例を示す概略図、第４図は本発明
の実施例のストレツチヤー部の駆動マージンを示
す図である。 α１は比較例のストレツチヤーパターンの頂角
および実施例のストレツチヤーのパターン柱の中
央部のパターン頂角、α２は実施例のストレツチ
ヤーのパターン柱両端部のパターン頂角。
Claims (1)
- １ 磁気バブルドメインを保持し得る磁性材料上
の面内回転磁場によつて磁気バブルドメインを転
送させる転送路上の一部に、磁気バブルドメイン
の転送方向と垂直な方向に磁気バブルドメインを
伸長させ得るようにドメインの伸長方向にパター
ンを並べたパターン柱から成るストレツチヤーに
おいて、ドメインの伸長方向に並んだパターン柱
の上下両端部あるいはその片端部のパターンの頂
角をパターン柱の中央部のパターンの頂角より小
さくしたことを特徴とする磁気バブル素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4167980A JPS56140579A (en) | 1980-03-31 | 1980-03-31 | Magnetic bubble element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4167980A JPS56140579A (en) | 1980-03-31 | 1980-03-31 | Magnetic bubble element |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56140579A JPS56140579A (en) | 1981-11-02 |
| JPS6258073B2 true JPS6258073B2 (ja) | 1987-12-03 |
Family
ID=12615102
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4167980A Granted JPS56140579A (en) | 1980-03-31 | 1980-03-31 | Magnetic bubble element |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS56140579A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53145434A (en) * | 1977-05-24 | 1978-12-18 | Nec Corp | Cylindrical magnetic domain element |
-
1980
- 1980-03-31 JP JP4167980A patent/JPS56140579A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53145434A (en) * | 1977-05-24 | 1978-12-18 | Nec Corp | Cylindrical magnetic domain element |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS56140579A (en) | 1981-11-02 |
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