JPS6256568A

JPS6256568A - 薄膜形成装置

Info

Publication number: JPS6256568A
Application number: JP19697185A
Authority: JP
Inventors: Masuo Asakawa; 浅川　益雄; Kenji Hirata; 健二平田
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 1985-09-04
Filing date: 1985-09-04
Publication date: 1987-03-12

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕この発明は、成膜に関与せずに浮遊する微細粒子を捕集
するＪ、うにした薄膜形成装置に関するものである。

〔従来の技術〕

第５図にスバ・フタリング装置を用いｔ：従来の薄膜形
成装置を示す。図において、（１）は真空可能な真空槽
、（２）は真空槽（１）の一方に設けられたガス導入口
、（３）は真空槽（１）の他方に設けられた排気口、（
４）は真空槽（１）内に配置されｔ−所定の材質からな
るターゲット、（５１１まターゲ・ν＋−１４１と対向
して真空槽（１）内に配置された基板ホルダ、（６）（
よターゲット（４）と基板ホルダ（５）とに電力を供給
できろ電源装置、（７）は電源装置（６）を開閉できろ
スイッチ、（８）は電路である。

つぎに動作について説明ずろ１１図示のように、薄膜を
作る基板（９）を基板ホルダ（５）に着脱可能に取付け
、ガス導入口（２）を例えばアルゴンガス等のスパッタ
リレグガスが充す眞されたボノベ（図示せず）と接続し
、排気口（３）を所定の排気ポンプ（図示せず）と接続
ずろ。この状態でガス導入口（２）を開栓状態にして排
気ポンプを駆動し、真空槽（１）内を所定の真空状態に
してガス導入口（２）を開栓し、ｌ−１０−２ｐａのガ
ス圧になるようにスバッ々がス（ｌＯ）を導入する。次
にスイッチ（７）を投入すると、ターゲ・ソ１−　（４
１と基板ポ）Ｌグ（５１間にブラズーｖ　（ＩＩ）が発
生ｊ２、このプラズマ（１１）中のイオンがター゛ゲッ
Ｉ−（２＋の表面をスバ・ツタし、飛び出し７＝中性Ｉ
Ｌに子埼び分子（１；９　ｆ））基仮（９）上に析出さ
れなかった中性原子及び分子、及びターゲラＩ−Ｔ２＋
表面上に形成されに微細突起の脱落したものが、ダスト
化した微細粒子（１３）として真空槽（１）内を浮遊し
たり真空槽（１）内に堆積される。

〔発明が解決しようとする問題点〕

従来の薄膜形成装置ζよ以上のように構成されているの
で、真空槽内に１（（積した微細粒子の除去が困難で、
真空槽のリーク、排気作業で発生ずる気流の乱れて舞」
−リ、基板やターゲツトに付着し、薄膜の品質低下の原
因になるという問題点があった。この発明は上記のよう
な問題点を解消するためになされたもので、真空槽内に
堆積する微細粒子を捕集し、薄膜の品質低下を防止でき
る薄膜形成装置を得ろことを目的をする。

〔問題点を解決だめの手段〕

この発明に係る薄膜形成装置は、真空槽内を浮遊して落
下する微細粒子を帯電させ、帯電した微細粒子を静電捕
集装置で捕集するようにしたものである。

〔作　用］この発明における薄膜形成装置は、静電捕集装置を動作
させろことによって、真空槽内に発生する微細粒子を捕
集する。

〔実施例〕

以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図について、（１）〜（１３）は従来のものと同様であ
る。（１＠は真空槽＜１）内に排気口（３）と近接して
配置された静電捕集装置で、第２図に示すようにそれぞ
れ異なった極性となる複数個の電極を備えている。（１
５）は静電捕集装置Ｈ（２−駆動する電源装置、（ＩＦ
、）は静電捕集装置（１４）へ電源装置（１５）の電力
供給を制細するスイッチ、（１７）は電路である。

このように構成された薄膜形成装置においては、薄膜の
形成は従来と同様に行われる。このとき、スイッチ（Ｉ
Ｇ）を投入して静電捕集装置（１４）を駆動すると、静
電捕集装置（１→の各電極間は所定の電界を有する所定
の極性になる。これによって、基板（１２）に析出され
ずにダスト化して落下する微細粒子（１３）は、静電捕
集装置（１４）の電界によって、帯電された微細粒子（
１３ａ）　　となって静電捕集装置（１４）に吸引され
て捕集された微細粒子（１３ｂ）　　となる。このよう
に微細゛粒子（１３）を静電捕集装置（１→で所定鼠捕
実すると、スイッチ（１Ｇ）を開放する。これによって
静電捕集装置（１４）は電界が零となるので、捕集され
た微細粒子（１３ｂ）は、排気口（３）から真空槽（１
）外へ第３図に示すように排出される。

上記実施例は、スパッタリングによる真空薄膜形成の場
合に着いて説明したが、蒸着その他の薄膜形成に用いて
も上記実施例と同様の動作を期待できろ。

〔発明の効果〕

以上のように、この発明によれば、薄膜形成時に発生ず
る微細粒子を所定の静電捕集装置て捕集するようにした
のでほぼ＝一定し７３品質の薄膜を形成することができ
る。

【図面の簡単な説明】

第１図Ｉ：ｔこの発明の一実施例による薄膜形成装置の
構成を示す正面図、第２図は静電捕集装置の正面図、第
３図（よ第２図の動作を示す正面図、第４図は従来の薄
膜形成装置の正面図である。図において（１）は真空槽
、（２）　ｉ；を導入口、（３）（よ排気口、（４）；
よターゲット、（５）は基板ホルダ、（６）は電源装置
、（１２）　＋よ基板、（１３）は微細粒子である。なお、各図中同一符号は同−又は相当部分を示す。

Claims

【特許請求の範囲】

（１）排気口を有する真空槽内で基板に薄膜を形成する
ものにおいて、基板に付着せずダスト化して真空槽内に
浮遊する微細粒子を捕集する静電捕集装置を設けたこと
を特徴とする薄膜形成装置。
（２）静電捕集装置を排気口とほぼ直列に真空槽内に配
置したことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の薄
膜形成装置。